技術(shù)特征：

1.一種波長轉(zhuǎn)換裝置，包括：

層疊設(shè)置的發(fā)光層和反射層，

所述發(fā)光層包括第一光致發(fā)光材料和第一粘接劑；

所述反射層包括第二光致發(fā)光材料、第二粘接劑和反射顆粒；

從所述反射層發(fā)出的光完全經(jīng)發(fā)光層出射；

所述發(fā)光層與所述反射層直接連接或通過燒結(jié)層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述第一光致發(fā)光材料發(fā)出的光可激發(fā)所述第二光致發(fā)光材料，并使第二光致發(fā)光材料發(fā)出波長更長的光。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述第一光致發(fā)光材料為可受激發(fā)出黃光的熒光粉，所述第二光致發(fā)光材料為可受激發(fā)出紅光的熒光粉。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述反射顆粒包括氧化鈦和氧化鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述反射層中，氧化鋁的質(zhì)量分數(shù)為0.5％～30％，氧化鈦的質(zhì)量分數(shù)為2％～75％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述第二光致發(fā)光材料占所述反射層的質(zhì)量分數(shù)為1％～75％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述第二光致發(fā)光材料占所述反射層的質(zhì)量分數(shù)為10％～45％。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述第二粘接劑占所述反射層的質(zhì)量分數(shù)為20～50％。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述第二粘接劑為SiO₂-B₂O₃-RO體系的玻璃粉，其中R為Mg、Ca、Sr、Ba、Na、K中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述反射層厚度為20～100μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述反射 層包括乙基纖維素、萜品醇、丁基卡必醇或硅油，其占所述反射層的質(zhì)量分數(shù)為0.001％～0.1％。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述第一粘接劑為SiO₂-B₂O₃-RO、SiO₂-TiO₂-Nb₂O₅-R’₂O、ZnO-P₂O₅中的一種或多種，其中R選自Mg、Ca、Sr、Ba、Na、K中的一種或多種，R’選自Li、Na、K中的一種或多種。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，還包括陶瓷基板，位于所述反射層遠離所述發(fā)光層的一側(cè)并與所述反射層層疊設(shè)置，所述陶瓷基板與所述反射層直接連接或通過燒結(jié)層連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述陶瓷基板為氮化鋁基板。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述波長轉(zhuǎn)換裝置為圓形或圓環(huán)形色輪盤，所述發(fā)光層呈圓環(huán)形或扇環(huán)形分布，所述反射層呈圓環(huán)形或扇環(huán)形分布。

16.一種發(fā)光裝置，包括如權(quán)利要求1至15中任一項所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，還包括激發(fā)光源，所述激發(fā)光源位于所述發(fā)光層遠離所述反射層一側(cè)，所述激發(fā)光源發(fā)射激發(fā)光入射于所述發(fā)光層。

17.一種投影裝置，包括如權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置。