襯墊組合件和具有襯墊組合件的襯底處理設備的制作方法

文檔序號：2867685閱讀：95來源：國知局

襯墊組合件和具有襯墊組合件的襯底處理設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種襯墊組合件和一種包含所述襯墊組合件的襯底處理設備。所述襯墊組合件包含側面襯墊、中間襯墊和下部襯墊。所述側面襯墊具有圓柱形形狀，并且上部部分和下部部分是敞開的。所述中間襯墊安置在所述側面襯墊下方，并且具有在垂直方向中穿過其中的多個第一孔。所述下部襯墊安置在所述中間襯墊下方。這里，所述多個第一孔在多個區(qū)中形成為不同尺寸和數(shù)目。
【專利說明】襯墊組合件和具有襯墊組合件的襯底處理設備

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種襯底處理設備，尤其涉及一種能夠改善處理均勻性的襯墊組合件和包含所述襯墊組合件的襯底處理設備。

【背景技術】
[0002] 總地來說，執(zhí)行半導體工藝以制造半導體裝置、顯示裝置、發(fā)光二極管或薄膜太陽能電池。也就是說，通過反復地執(zhí)行以下工藝形成某一堆疊結構：將特定材料的薄膜沉積在襯底上的薄膜沉積工藝，使用感光材料使這些薄膜的所選區(qū)曝光的光學工藝，以及通過從所選區(qū)移除薄膜來執(zhí)行圖案化的蝕刻工藝。
[0003] 可以對薄膜沉積工藝使用化學氣相沉積（Chemical Vapor Phase Deposition, CVD)方法。在CVD方法中，供應到反應室中的原料氣體在襯底的上表面上引起化學反應，使得薄膜生長。并且，正在研究和發(fā)展使圖案小型化和高度集成的技術，因為半導體裝置趨向于小型化。對于這一點，可以使用激活原料氣體以形成等離子體的等離子體增強 CVD (Plasma Enhanced CVD，PECVD)方法。
[0004] 通用PECVD設備包含：里面具有某一空間的腔室；安置在腔室的上部內(nèi)側處的噴頭；安置在腔室的下部內(nèi)側處并且支撐襯底的襯底支撐物；以及安置在腔室內(nèi)部或外部的等離子體產(chǎn)生源，例如電極或天線。這里，等離子體產(chǎn)生源可以分成使用電極的電容耦合等離子體（Capacitive Coupled Plasma, CCP)型和使用天線的電感稱合等離子體型。
[0005] 使用此PEVCD設備沉積薄膜時最重要的事可以被看作是穩(wěn)定和均勻的等離子體產(chǎn)生源以及腔室內(nèi)部均勻的氣流。但是，在電容耦合等離子體設備中產(chǎn)生的等離子體具有優(yōu)點，即離子能量因為電場的緣故而較高，但是存在局限性，因為襯底和形成在襯底上的薄膜會遭到高能量離子的破壞，并且隨著圖案變微小，高能量離子的破壞程度會很嚴重。并且，電感耦合等離子體設備具有局限性，因為雖然在腔室內(nèi)形成的等離子體的離子密度在腔室的中央?yún)^(qū)中是均勻的，但是當逐漸靠近邊緣區(qū)時，離子密度的均勻性降低。隨著襯底和腔室的尺寸變大，離子密度之間的此差異顯得更明顯。
[0006] 并且，由于排出腔室內(nèi)部的泵送路徑的不平衡，反應室內(nèi)部的氣流變得不均勻，并且因而對工藝產(chǎn)生許多局限，例如薄膜的沉積均勻性降低和顆粒的產(chǎn)生。舉例來說，因為在腔室的下側的中心部分上裝備了軸桿，所以必須在腔室的下部部分外部形成排氣口，并且因而形成排氣口所在的區(qū)與其它區(qū)的排氣時間彼此不同。因此，襯底上的氣體的停留持續(xù) 時間變得不同，從而降低了薄膜的沉積均勻性。具體來說，當使用大約20毫托或更小的低壓工藝時，引入到反應室中的原料減少，從而使得難以改善使用氣體的沉積均勻性。
[0007] 為了解決這個局限性，嘗試了許多方法，并且最有代表性的方法是安裝歧管的方法和在腔室的側表面上形成至少一個排氣口的方法。但是，因為在腔室的下部的中心部分上裝備了一根軸桿，所以排氣設備是安裝在腔室的側表面上。并且，甚至在安裝渦輪泵以執(zhí) 行低壓工藝的情況下，因為在腔室的下側的中心部分上裝備了軸桿，所以必須在腔室的側表面上裝備渦輪泵。當在腔室的側表面上裝備排氣設備時，在使腔室的內(nèi)部壓力均勻地保持均勻方面存在局限性。并且，當幾個組件被插入到腔室中時，等離子體的均勻性可能會受到影響。
[0008] 同時，1997-0003557號韓國公開專利揭示了一種電容耦合等離子體設備，包含上部反應器電極和位于上部反應器電極的下側上的下部反應器電極，并且韓國專利 10-0963519號揭示了一種電感耦合等離子體設備，包含位于腔室的上部部分上并且將源氣體引入到腔室中的氣體噴灑部分、得到電源功率供應的天線和固定襯底并且得到偏壓功率供應的靜電卡盤。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明提供一種襯底處理設備，可以防止襯底或沉積在襯底上的薄膜受到損壞。 [0010] 本發(fā)明還提供一種襯底處理設備，可以改善沉積在襯底上的薄膜的均勻性。
[0011] 根據(jù)一個示范性實施例，一種襯墊組合件包含：側面襯墊，具有圓柱形形狀，并且上部部分和下部部分是敞開的；中間襯墊，安置在所述側面襯墊下方，并且具有在垂直方向中穿過其中的多個第一孔；以及下部襯墊，安置在所述中間襯墊下方，其中所述多個第一孔在多個區(qū)中形成為不同尺寸和數(shù)目。
[0012] 所述襯墊組合件可包含在所述側面襯墊上的上部襯墊。
[0013] 所述下部襯墊和所述中間襯墊可以分別具有比其中心部分處的側面襯墊的直徑小的尺寸的開口。
[0014] 所述襯墊組合件可包含從下部襯墊的內(nèi)側向上突出并且接觸所述中間襯墊的突起。這里，所述突起里面可以形成有多個第二孔。
[0015] 當從一個區(qū)往與其相反的其它區(qū)時，所述第一孔的尺寸或數(shù)目可以增加。
[0016] 根據(jù)另一示范性實施例，一種襯底處理設備包含：腔室，具備反應空間和在其下側表面的排氣口；襯底支撐物，安置在腔室中用以支撐襯底；氣體供應組合件，用于將處理氣體供應到所述腔室中；等離子體產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生所述處理氣體的等離子體；以及襯墊組合件，安置在所述腔室中，其中所述襯墊組合件包含：側面襯墊，所述側面襯墊具有圓柱形形狀，并且上部部分和下部部分是敞開的；中間襯墊，安置在所述側面襯墊下方，并且具有在垂直方向中穿過其中的多個第一孔；以及下部襯墊，安置在所述中間襯墊下方，并且所述多個第一孔在多個區(qū)中形成為不同尺寸和數(shù)目。
[0017] 所述氣體供應組合件可包含：第一噴淋頭；第二噴淋頭，包括安置在所述第一噴淋頭下方同時與所述第一噴淋頭間隔開的第一主體，以及具有多個第一噴灑孔和第二噴灑孔的第二主體；連接管，在垂直方向中延伸以便連接在所述第一主體與所述第二噴灑孔之間。
[0018] 所述等離子體產(chǎn)生單元可包含功率供應單元，向所述第一噴淋頭、所述第一主體和所述第二主體中的至少一者施加功率。
[0019] 所述功率供應單元可以形成在所述第一噴淋頭與所述第二主體之間的用于產(chǎn)生第一等離子體的區(qū)和在所述第一主體與所述第二主體之間的用于產(chǎn)生第二等離子體的區(qū)，并且可以施加功率，以使得所述第一等離子體和第二等離子體中的一者具有較高離子能量和密度，并且其中的另一者具有較低離子能量和密度。
[0020] 所述氣體噴灑組合件在其內(nèi)側或外側可包含噴淋頭，所述噴淋頭被供應有功率用于產(chǎn)生等離子體以便形成第一等離子體區(qū)。
[0021] 所述襯底處理設備可以進一步包含：等離子體產(chǎn)生管，在所述腔室內(nèi)部中沿著所述腔室的縱向方向延伸，并且穿過所述噴淋頭；以及天線，安置成包圍所述等離子體產(chǎn)生管的外圓周表面，并且被供應有功率用于產(chǎn)生等離子體。
[0022] 所述噴淋頭可包含：被供應有功率的第一噴淋頭，和安置在所述第一噴淋頭下方同時與所述第一噴淋頭間隔開并且接地的第二噴淋頭，并且第一等離子體區(qū)可以是所述第一噴淋頭與所述第二噴淋頭之間的區(qū)。
[0023] 所述襯底處理設備可以進一步包含：排氣單元，連接到所述排氣口，并且安置在所述腔室的外側部分上以便對所述腔室的內(nèi)部進行排氣；以及過濾器單元，安置在所述等離子體產(chǎn)生單元與所述襯底支撐單元之間，以便阻斷所述處理氣體的等離子體的一部分。
[0024] 所述下部襯墊和所述中間襯墊可以具有開口，所述開口的直徑比中心部分處的側面襯墊的直徑小，并且分別接納用于支撐所述襯底支撐物的軸桿。
[0025] 所述襯底處理設備可以進一步包含從所述下部襯墊的內(nèi)側向上突出并且接觸所述中間襯墊的突起，其中所述突起里面形成有多個第二孔。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 通過結合附圖進行的以下描述可以更詳細地理解示范性實施例，其中：
[0027] 圖1到圖3是圖解說明根據(jù)第一到第三實施例的襯底處理設備的橫截面圖。
[0028] 圖4到圖6是圖解說明根據(jù)第四到第六實施例的襯底處理設備的橫截面圖。
[0029] 圖7是圖解說明根據(jù)第七實施例的襯底處理設備的橫截面圖。
[0030] 圖8到圖10是圖解說明根據(jù)一實施例的襯墊組合件的示意圖。
[0031] 圖11 (a)及（b)是圖解說明襯底處理設備的薄膜沉積的視圖。
[0032] 圖12和圖13是圖解說明根據(jù)第八和第九實施例的襯底處理設備的橫截面圖。

【具體實施方式】
[0033] 下文中將參看附圖詳細描述具體實施例。但是，本發(fā)明可以用不同形式實施，并且不應被解釋為限于本文所闡述的實施例。而是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明將是透徹并且完整的，并且這些實施例將把本發(fā)明的范圍完整地傳達給所屬領域的技術人員。
[0034] 圖1是圖解說明根據(jù)第一實施例的襯底處理設備的橫截面圖，并且圖2和圖3是圖解說明根據(jù)第二和第三實施例的襯底處理設備的橫截面圖。
[0035] 參看圖1，根據(jù)第一實施例的襯底處理設備可包含：腔室100,具有用于處理襯底S 的內(nèi)部空間；襯底支撐單元200,安置在腔室100內(nèi)部，用以將襯底S固定地支撐在其上；以及氣體噴灑組合件600,安置在腔室100內(nèi)部的襯底支撐單元200上面，用以噴灑原料氣體。這里，氣體噴灑組合件600可包含：第一噴淋頭300,安置在腔室100內(nèi)部的襯底支撐單元 200上面；第二噴淋頭400,包含在第一噴淋頭300下方在垂直方向上彼此間隔開并且噴灑原料氣體的第一主體410和第二主體420 ;第一氣體供應管線510,向第一噴淋頭300的內(nèi) 部或下側供應原料氣體；第二氣體供應管線520,將原料氣體供應到第一主體410與第二主體420之間的間隙中；以及第一功率供應單元460,向第二主體420施加功率。并且，穿過第一氣體供應管線510和第二氣體供應管線520供應的原料氣體可以彼此相同或不同。并且，原料氣體可以是用于在襯底S上沉積薄膜的沉積氣體，或者可以是用于蝕刻襯底S或薄膜的蝕刻氣體。
[0036] 圖1到圖3是圖解說明根據(jù)第一到第三實施例的襯底處理設備的橫截面圖。
[0037] 腔室100可以用中空的六面體形狀制造，并且里面可以具有某一內(nèi)部空間。腔室 100的形狀可以不限于六面體形狀，而是可以制造成對應于襯底S的形狀的多種形狀。雖然未圖示，但是可以在腔室100的一側處裝備一個裝載孔（未圖示），用于裝載和卸載襯底 S，并且還可以提供一個用于控制腔室100的內(nèi)部壓力的壓力控制單元（未圖示），和一個用于對腔室100的內(nèi)部進行排氣的排氣單元（未圖示）。這個腔室100可以接地。在根據(jù) 這個實施例的襯底處理設備中，因為腔室100接地，所以例如RF功率等功率被施加到第二噴淋頭400,并且第一噴淋頭300接地，腔室100、第二噴淋頭400和第一噴淋頭300可以彼此絕緣。因而，第一絕緣部件ll〇a可以安裝在第一噴淋頭300上方的上壁上，并且第二絕緣部件110b可以安裝在腔室100的內(nèi)側壁上，以便包圍第一噴淋頭300的上方。并且，第三絕緣部件ll〇c可以安裝在第一噴淋頭300與第一主體410之間的內(nèi)側壁上和第二主體 420下方。這里，可以使用包含絕緣材料（例如，陶瓷或派熱克斯玻璃）的板制造第一絕緣部件ll〇a到第三絕緣部件110c，或者可以通過涂布包含陶瓷或派熱克斯玻璃的材料而用涂膜的形式制造第一絕緣部件ll〇a到第三絕緣部件110c。
[0038] 襯底支撐單元200可以安置在腔室100中的第二噴淋頭400下方，并且可包含：襯底支撐物210,襯底S安放在上面；以及軸桿220, 一端連接到襯底支撐物210,而另一端從腔室100的下部部分突出，從而連接到第二功率供應單元230。襯底支撐物210可以是使用真空吸力固定地支撐襯底S的單元或使用靜電力固定地支撐襯底S的靜電卡盤。但是（不限于此），可以將能夠支撐襯底S的多種類別的單元用作襯底支撐物210。并且，雖然未圖示，但是可以在襯底支撐物210中安裝用于加熱襯底S的加熱器（未圖示）和用于冷卻襯底210或襯底S的冷卻管線（未圖示）。雖然未圖示，但是軸桿220的另一端可以連接到驅動單元（未圖示），所述驅動單元垂直地移動或旋轉軸桿220或襯底支撐物210。
[0039] 第一噴淋頭300可以安置在第一絕緣部件110a下方，第一絕緣部件110a是被安裝到腔室100中的上部壁上的。根據(jù)所述實施例的第一噴淋頭300可以用板形狀制造，并且可包含在垂直方向上連通的多個孔。第一噴淋頭300的上部部分可以連接到第一氣體供應管線510,第一氣體供應管線510供應原料氣體。因而，從第一氣體供應管線510供應的原料氣體可以擴散到第一絕緣部件ll〇a與第一噴淋頭300之間的區(qū)中，并且可以接著穿過在第一噴淋頭300中裝備的多個孔300a被噴灑到下側。第一噴淋頭300可以接地。為了這一點，第一噴淋頭300的至少一個末端可以接觸接地的腔室100的內(nèi)壁，或者可以不管腔室100而單獨接地。
[0040] 第二噴淋頭400可包含：第一主體410,安置在第一噴淋頭300下方，同時與第一噴淋頭300間隔開；第二主體420,安置在第一主體410下方，并且具有噴灑原料氣體的多個第一噴灑孔440a和多個第二噴灑孔440b ;多個連接管430,穿過第一主體410和第二主體420并且噴灑原料氣體；以及冷卻單元450,安置在第一主體中，用以冷卻第一主體410。這里，第一主體410與第二主體420之間未安置所述多個連接管430的區(qū)可以是空白空間，并且第一主體410與第二主體420之間的空白空間可以與在第二主體420中裝備的所述多個第一噴灑孔440a連通。并且，第二氣體供應管線520的至少一個末端可以插入到腔室 100同時穿過腔室100的側壁，從而在第二噴淋頭400的第一主體410與第二主體420之間供應原料氣體。但是（不限于此），第二氣體供應管線520可以從腔室100的上側延伸到下偵牝從而允許第二氣體供應管線520的一端位于第二噴淋頭400的第一主體410與第二主體420之間的空間處。
[0041] 第一主體410可以安置在第一噴淋頭300下方，同時與第一噴淋頭300間隔開，并且可以連接到第一功率供應單元460,第一功率供應單元460施加例如RF功率等功率來產(chǎn) 生等離子體。為了這一點，第一功率供應單元460的至少一個末端可以穿透腔室100和有待連接到第一主體440的第三絕緣部件110c。并且，當功率被供應到第一主體410時，可能會在第一主體410中產(chǎn)生不必要的熱。因此，冷卻單元450可以插入到第一主體410中。冷卻單元450可包含一根導管，例如水或氮氣等冷卻介質在這根導管中流動。
[0042] 第二主體420可以安置在第一主體410下方，同時與第一主體410間隔開，并且第二主體420的至少一個末端可以接觸接地的腔室100的內(nèi)側壁，或者可以不管腔室100而單獨接地?？梢栽诘诙黧w420中裝備多個第一噴灑孔440a和多個第二噴灑孔440b。第一噴灑孔440a和第二噴灑孔440b的上部部分和下部部分分別敞開，并且第一噴灑孔440a 和第二噴灑孔440b可以彼此間隔開地安置在第二主體420上。也就是說，所述多個第一噴灑孔440a可以位于，或者第一噴灑孔440a可以位于所述多個第二噴灑孔440b之間。換言之，第一噴灑孔440a和第二噴灑孔440b可以交替地安置在第二主體420上。這里，所述多個第一噴灑孔440a可以是一條流道，在第一主體410與第二主體420之間產(chǎn)生的等離子體穿過這條流道被噴灑到第二主體420的下側。并且，所述多個第二噴灑孔440a可以是一個空間，下文描述的連接管430插入到這個空間中。
[0043] 連接管430可以制造成導管形狀，上部部分和下部部分敞開并且具有內(nèi)部空間，并且連接管430可以插入到第一主體410和第二主體420中，以便在垂直方向上穿透第一主體410和第二主體420。也就是說，連接管430可以穿透第一主體410,并且其一端可以插入到在第二主體420中裝備的第二噴灑孔440b中。因而，連接管430可以變成位于第二主體420上的所述多個第一噴灑孔440b之間。連接管430可以是一條流道，在第一噴淋頭 300與第一主體410之間產(chǎn)生的等離子體穿過這條流道移動到第二主體420的下側。并且，連接管430的位于第一主體410處的區(qū)可以形成為直徑小于在第一主體410下方并且插入到第二主體420的第二噴灑孔440b中的區(qū)的直徑。優(yōu)選地，連接管430的在第一主體410 下方并且插入到第二主體420的第二噴灑孔440b中的區(qū)的直徑可以彼此相等，在第一主體 410下方并且插入到第二噴灑孔440b中的區(qū)的直徑可以形成為小于位于第一主體410中的區(qū)的直徑。舉例來說，連接管430可以被制造成具有T形的橫截面。但是（不限于此），連接管430可以制造成具有在第一主體410與第二主體420之間連接的多種形狀，并且具有一個內(nèi)部空間，原料氣體在這個內(nèi)部空間中流動。并且，連接管430可以使用包含例如陶瓷或派熱克斯玻璃等絕緣材料的板制造，或者可以通過涂布包含陶瓷或派熱克斯玻璃的材料而制造成涂膜的形式，以便在第一主體410與第二主體420之間絕緣。連接管430的內(nèi)徑和在第二主體420中裝備的第一噴灑孔440a的尺寸可以等于或大于大約0. 01英寸。這是為了防止在向第二噴淋頭400施加功率時產(chǎn)生電弧，并且抑制寄生等離子體的產(chǎn)生。
[0044] 下文中，將詳細描述在第一噴淋頭300與第二噴淋頭400之間和第二噴淋頭400 的第一主體410與第二主體420之間的空間中產(chǎn)生等離子體的工藝。
[0045] 當經(jīng)由第一噴淋頭300從第一氣體供應管線510供應原料氣體時，可以穿過多個孔300a向第一噴淋頭300的下側噴灑原料氣體。在這種情況下，當通過第一功率供應單元 460向第二噴淋頭400的第一主體410供應RF功率并且第一噴淋頭300接地時，由于第一噴淋頭300與第一主體410之間的空間中的原料氣體的排出，可以產(chǎn)生第一等離子體。下文中，第一噴淋頭300與第二噴淋頭400之間優(yōu)選是第一噴淋頭300與第一主體410之間的空間將被稱作"第一等離子體區(qū)P1 "，并且在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的等離子體將被稱作第一等離子體。因為第一等離子體區(qū)P1是通過其中上部部分（即，第一噴淋頭300)接地并且RF功率施加到下部部分（S卩，第一主體410)的結構定義的，所以在第一等離子體區(qū)P1 中產(chǎn)生的第一等離子體的密度和離子能量可能較高。這里，第一等離子體可以是當上部部分接地并且下部部分被施加RF功率時產(chǎn)生的反應性離子沉積（Reactive Ion Deposition, RID)型等離子體，并且密度和離子能量可能較高，并且鞘層區(qū)較寬。在第一等離子體區(qū)PI 中產(chǎn)生的第一等離子體可以穿過連接管430移動到第二噴淋頭400的下側。下文中，第二噴淋頭400的下側（即，第二主體420與襯底支撐物210之間的區(qū)）將被稱作"反應區(qū)R"。這里，第一等離子體具有高密度和高離子能量的特性。
[0046] 并且，當原料氣體從第二氣體供應管線520供應到第二噴淋頭400 (即，第一主體 410與第二主體420之間的間隙）時，原料氣體可以擴散到第一主體410與第二主體420之間的空間中。在這種情況下，當通過第一功率供應單元460向第二噴淋頭400的第一主體 410供應RF功率并且第二主體420接地時，可以在第一主體410與第二主體420之間的空間中產(chǎn)生第二等離子體。這里，第二等離子體可以是當RF功率施加到其上部部分并且其下部部分接地時產(chǎn)生的等離子體增強CVD (Plasma Enhanced CVD，PE-CVD)型等離子體，并且可能等離子體密度較低，而且鞘層區(qū)較寬。并且，處理速度可能較高。
[0047] 下文中，第二噴淋頭400的第一主體410與第二主體420之間的空間將被稱作"第二等離子體區(qū)P2"，并且在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的等離子體將被稱作第二等離子體。因為第二等離子體區(qū)P2是通過其中下部部分（即，第二主體420)接地并且RF功率施加到上部部分（即，第一主體410)的結構定義的，所以在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的第二等離子體的密度和離子能量與第一等離子體相比可能相對較低。此后，在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的第二等離子體可以穿過在第二主體420中裝備的多個第一噴灑孔440a移動到反應區(qū)R。
[0048] 因而，因為分別穿過第一噴淋頭300和第二噴淋頭400噴灑原料氣體，所以可以用時間共享的方式噴灑原料氣體。并且，因為向第一噴淋頭300施加功率和向第二噴淋頭400 施加功率是獨立控制的，所以在第一噴淋頭300與第二噴淋頭400之間的第一等離子體區(qū) P1和第二噴淋頭400內(nèi)部的第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的等離子體可以獨立控制。因此，可以獲得具有良好階梯覆蓋率的膜。
[0049] 在這種情況下，因為偏壓功率是通過第二功率供應單元230施加到上面安放襯底 S的襯底支撐物210的，所以向反應區(qū)R移動的第一和第二等離子體的離子可能入射到襯底S的表面上或者與所述表面碰撞，由此蝕刻在襯底S上安置的薄膜或者在襯底S上沉積薄膜。如上所述，在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的第一等離子體具有高密度和高離子能量的特性，并且在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的第二等離子體的密度和離子能量與第一等離子體相比可能較低。因而，當像相關技術一樣只使用第一等離子體時，襯底S或在襯底S上形成的薄膜可能會損壞。另一方面，當只使用第二等離子體時，處理速度可能較慢。但是，與實施例一樣，當具有高密度和離子能量的第一等離子體和與第一等離子體相比具有低密度和離子能量的第二等離子體一起產(chǎn)生時，通過第一等離子體與第二等離子體的相互作用可以防止襯底S或薄膜受到損壞，并且可以改善處理速度。
[0050] 如圖1中所示，已描述第一噴淋頭300是安置在第一絕緣部件110a下方，同時與第一絕緣部件ll〇a間隔開，并且在第一噴淋頭300中裝備了多個孔300a。但是（不限于此），與圖2中所示的第二實施例一樣，第一噴淋頭300可以安置在下方以便接觸第一絕緣部件ll〇a的下部部分，并且可以不裝備多個孔300a。在這種情況下，第一氣體供應管線510 可以向第一噴淋頭300的下側噴灑原料氣體。
[0051] 并且，如圖1和圖2中所示，第二噴淋頭400的第一主體410可以連接到第一功率供應單元460,并且可以向第一主體410供應RF功率，并且第一噴淋頭300和第二主體420 接地。但是（不限于此），與圖3所示的第三實施例一樣，第二噴淋頭400的第一主體410 可以接地，并且用于施加例如RF功率的第三功率供應單元310可以連接到安置在第一主體 410上的第一噴淋頭300。并且，第四功率供應單元470可以連接到第一主體410下方的第二主體420。因而，因為第一等離子體區(qū)P1具有其中上部部分（即，第一噴淋頭300)被供應功率并且下部部分（即，第一主體410)接地的結構，所以在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的第一等離子體的密度和離子能量比第二等離子體低。并且，因為第二等離子體區(qū)P2具有其中上部部分（第一主體）接地并且下部部分（第二主體420)被供應功率的結構，所以在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的第二等離子體的密度和離子能量比在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的第一等離子體高。在這種情況下，如圖3中所示，可以將冷卻單元300b插入到第一噴淋頭300中，以便冷卻第一噴淋頭300。
[0052] 下文中，將參看圖1描述根據(jù)第一實施例的襯底處理設備的操作和襯底處理方法。
[0053] 首先，襯底S可以被裝載到腔室100中，并且可以安放在襯底支撐物210上。襯底 S可以是晶片（但不限于此），并且可包含玻璃襯底、聚合物襯底、塑料襯底、金屬襯底和其它多種類別的襯底S。
[0054] 當襯底S安放在襯底支撐物310上時，可以通過第一氣體供應管線510向第一噴淋頭300的上側供應原料氣體，并且可以通過第二氣體供應管線520在第二噴淋頭400的第一主體410與第二主體420之間供應原料氣體。原料氣體可包含SiH 4、TE0S、02、Ar、He、 ΝΗ3、Ν20、Ν 2和CaHb之一，但不限于此，可以包含多種類別的原料氣體。在這個實施例中，用于蝕刻安置在襯底上的薄膜的蝕刻氣體可以用作原料氣體。
[0055] 通過第一功率供應單元460向第二噴淋頭400的第一主體410供應RF功率，并且第一噴淋頭300和第二噴淋頭400的第二主體420可以分別接地。因而，從第一氣體供應管線510供應的原料氣體可以通過在第一噴淋頭300中裝備的多個孔300a噴灑到第一噴淋頭300的下側，即第一等離子體區(qū)P1。此后，可以通過接地的第一噴淋頭300和被供應 RF功率的第一主體410在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生具有高密度和離子能量的第一等離子體。在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的第一等離子體可以通過連接管430移動到反應區(qū)R。這里，因為連接管430如上所述從第一主體410的內(nèi)部延伸到安置在第一主體410下方的第二主體420的內(nèi)部，所以可以通過連接管430將在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的第一等離子體均勻地噴灑到反應區(qū)R，從而使得反應區(qū)R中的第一等離子體的密度是均勻的。
[0056] 并且，從第二氣體供應管線520提供的原料氣體可以在第二噴淋頭400的第一主體410與第二主體420之間的區(qū)中（S卩，在整個第二等離子體區(qū)P2上）均勻地擴散。此后，可以通過被供應RF功率的第一主體410和接地的第二主體420在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn) 生第二等離子體。在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的第二等離子體可以通過多個第一噴灑孔 440a移動到反應區(qū)R，并且可以通過多個第一噴灑孔440a在整個反應區(qū)R上均勻地擴散。
[0057] 由于第一等離子體與第二等離子體之間的相互作用，移動到反應區(qū)R的第一等離子體和第二等離子體的例如密度和離子能量等特性可能會發(fā)生變化。也就是說，移動到反應區(qū)R的第一等離子體的密度和離子能量與第一等離子體處在第一等離子體區(qū)P1中時相比可能減少，這是因為在反應區(qū)R中遇到的第二等離子體的偏移效應引起的。并且，移動到反應區(qū)R的第二等離子體的密度和離子能量與第二等離子體處在第二等離子體區(qū)P2中時相比可能增加，這是因為在反應區(qū)R中遇到的第一等離子體引起的。
[0058] 此后，反應區(qū)R的第一等離子體離子和第二等離子體離子可能會入射到被供應偏壓功率的襯底S上或者與其發(fā)生碰撞，由此蝕刻在襯底S上形成的薄膜。雖然未圖示，具備多個開口的掩模（未圖示）可以安置在襯底S上，第一等離子體和第二等離子體的離子可以通過掩模（未圖示）的多個開口入射到襯底S上，從而蝕刻在襯底S上形成的薄膜。在這個實施例中，因為具有高密度和離子能量的等離子體與具有低密度和離子能量的等離子體在一起使用，而不是像相關技術中一樣只使用具有高密度和離子能量的等離子體與具有低密度和離子能量的等離子體中的一個，所以可以防止薄膜或襯底S受到被引導向襯底S 的離子的損壞，并且可以縮短處理時間。
[0059] 到目前為止，已舉例說明了根據(jù)圖1的第一實施例的襯底處理設備，但根據(jù)圖2的第二實施例的襯底處理設備和根據(jù)圖3的第三實施例的襯底處理設備的操作和等離子體產(chǎn)生過程類似于第一實施例的襯底處理設備的操作和等離子體產(chǎn)生過程。但是，在圖2的第二實施例中，可以向第一噴淋頭300的下側噴灑從第一氣體供應管線230供應的原料氣體。并且，在圖3的第三實施例中，第一噴淋頭300和第二噴淋頭400的第二主體420可以接地，并且第二噴淋頭400的第一主體410可以連接到功率供應單元470。因而，可以在第一噴淋頭300與第一主體410之間產(chǎn)生第一等離子體，并且可以在第一主體410與第二主體420之間產(chǎn)生第二等離子體。在這種情況下，與第一等離子體相比，第二等離子體的密度和離子能量可能相對較高。因而，與在第一噴淋頭300與第一主體410之間產(chǎn)生的第一等離子體相比，在第一主體410與第二主體420之間產(chǎn)生的第二等離子體的密度和離子能量可能相對較高。
[0060] 圖4是圖解說明根據(jù)第四實施例的襯底處理設備的橫截面圖，并且圖5和圖6是圖解說明根據(jù)第五和第六實施例的襯底處理設備的橫截面圖。
[0061] 參看圖4，根據(jù)第四實施例的襯底處理設備可包含：腔室100，具有用于處理襯底S 的內(nèi)部空間；襯底支撐單元200,安置在腔室100內(nèi)部，用以將襯底S固定地支撐在其上；第一噴淋頭300和第二噴淋頭400,安置在腔室100內(nèi)部的襯底支撐單元200上用以噴灑原料氣體，并且彼此垂直地間隔開；等離子體產(chǎn)生管710,穿透安置在垂直方向上的第一噴淋頭 300和第二噴淋頭400,并且在其中產(chǎn)生等離子體；天線720,圍繞等離子體產(chǎn)生管710的外圓周表面卷繞；以及多個磁場產(chǎn)生單元800,安置在腔室100內(nèi)部和外部中的至少一者。并且，襯底處理設備可以進一步包含：第一原料供應線510,其一端連接到第一噴淋頭300以向第一噴淋頭300供應原料氣體；第二原料供應線520,其一端連接到等離子體產(chǎn)生管710 以向等離子體產(chǎn)生管720供應原料氣體；第一功率供應單元330,用于向第一噴淋頭300施加功率；第二功率供應單元730,用于向天線720施加功率；以及第三功率供應單元230,用于向襯底支撐單元200供應偏壓功率。這里，根據(jù)在襯底S上形成的薄膜的類型和蝕刻類型，供應到第一噴淋頭300和等離子體產(chǎn)生管710的原料氣體可以彼此相同或不同。舉例來說，為了在襯底S上形成氧化物（Si0 2)膜，可以向第一噴淋頭300供應02或N20氣體以形成等離子體，并且可以將SiH 4或TEOS氣體注入到等離子體產(chǎn)生管710中以形成等離子體。在蝕刻的情況下，可以向第一噴淋頭300和等離子體產(chǎn)生管710供應XF系列（NF 3、F2、C3F8 和SF6)以及02。并且，可以向第一噴淋頭300和等離子體產(chǎn)生管710供應例如等惰性氣體。蝕刻氣體的實例可包含 nf3、f2、BC13、ch4、Cl2、cf 4、chf3、ch2f2、c2f 6、c3f8、c4f8、 C 5F8和C4F6。不限于此，可以使用SiH4、TEOS、0 2、NH4、N20和CaHb (碳氧化合物）形成薄膜，并且可以使用例如He、Ar和N2等惰性氣體作為輔助氣體以便傳送原料和產(chǎn)生等離子體。
[0062] 腔室100可以制造成中空的六面體形狀，并且里面可以具有某一內(nèi)部空間。這個腔室100可以接地。在這個實施例中，因為第一噴淋頭300和第二噴淋頭400、等離子體產(chǎn) 生管710和多個磁性產(chǎn)生單元800安置在腔室100的上側，所以第一噴淋頭300和第二噴淋頭400、等離子體產(chǎn)生管710和多個磁性產(chǎn)生單元800之間有必要絕緣。因此，第一絕緣部件110可以安裝在腔室100的內(nèi)側壁上，這個內(nèi)側壁上安置著第一噴淋頭300和第二噴淋頭400、等離子體產(chǎn)生管710和多個磁性產(chǎn)生單元800,并且第二絕緣部件110b可以安裝在腔室100的上部壁上。并且，第三絕緣部件ll〇c可以安裝在第一噴淋頭300的上表面上。
[0063] 襯底支撐單元200可以安置在腔室100中的第二噴淋頭400下方，并且可包含：襯底支撐物210,襯底S安放在上面；以及軸桿220, 一端連接到襯底支撐物210,而另一端從腔室100的下部部分突出，從而連接到第三功率供應單元230。
[0064] 第一噴淋頭300可以在襯底支撐單元200上在腔室100的寬度方向上延伸，并且可以通過多個第一噴灑孔300a噴灑原料氣體。并且，第一噴淋頭300可以連接到用于供應原料氣體的第一原料供應線510和施加功率以便產(chǎn)生等離子體的第一功率供應單元320。第二噴淋頭400可以位于腔室100中的第一噴淋頭300與襯底支撐物210之間，并且可以沿第一噴淋頭300的延伸方向安置以便接地。并且，可以在第二噴淋頭400中裝備多個第二噴灑孔400a。第二噴灑孔400可以位于在第一噴淋頭300中裝備的第一噴灑孔300a的正下方。第一噴灑孔300a和第二噴灑孔400a可以彼此連通，以使得穿過第一噴灑孔300a 的原料氣體可以被引入到第二噴灑孔400a中。不限于此，第一噴灑孔300a和第二噴灑孔 400a也可以安置成彼此交替。這里，第一噴灑孔300a和第二噴灑孔400a的大小可以分別等于或大于大約〇. 01英寸。這是為了防止當向第一噴淋頭300施加功率時在第一噴淋頭 300和第二噴淋頭400中發(fā)生電弧，并且抑制寄生等離子體的產(chǎn)生。
[0065] 下文中，將描述在第一噴淋頭300與第二噴淋頭400之間的空間中產(chǎn)生等離子體的工藝。
[0066] 當從第一氣體供應管線510向第一噴淋頭300供應原料氣體時，可以通過多個第一孔300a向第一噴淋頭300與第二噴淋頭400之間的空間噴灑原料氣體。在這種情況下，當?shù)谝还β使獑卧?20向第一噴淋頭300供應RF功率并且第二噴淋頭400接地時，由于第一噴淋頭300與第二噴淋頭400之間的空間中的原料氣體的排出，可以產(chǎn)生等離子體，優(yōu) 選是電容f禹合等離子體（Capacitive Coupled Plasma, CCP)。下文中，第一噴淋頭300與第二噴淋頭400之間的空間將被稱作"第一等離子體區(qū)ΡΓ'。在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的等離子體氣體可以通過第二噴淋頭400的多個第二噴灑孔400a移動到第二噴淋頭400 的下側。在這種情況下，因為偏壓功率被施加到上面安放著襯底S的襯底支撐物210,所以第二噴淋頭400與襯底S之間的范圍內(nèi)的等離子體的陽離子可以入射到襯底S的表面上或者與其發(fā)生碰撞，由此蝕刻襯底S或在襯底S上安置的薄膜。這里，因為某一低DC功率被施加到襯底支撐物210,所以可能不產(chǎn)生由于第二噴淋頭400和襯底支撐物210引起的單獨的等離子體。下文中，第二噴淋頭400與襯底S之間的區(qū)將被稱作"反應區(qū)R"。因而，在從下文描述的等離子體產(chǎn)生管710產(chǎn)生的共振等離子體到達襯底S時，在第一等離子體區(qū)P1 中產(chǎn)生的CCP可以補償密度降低。也就是說，在等離子體產(chǎn)生管710中產(chǎn)生的共振等離子體的密度往往會隨著離天線720變遠而減小。因此，從等離子體產(chǎn)生管710產(chǎn)生的共振等離子體的密度在到達襯底S時可能會減小。因而，在這個實施例中，可以另外產(chǎn)生CCP以補償共振等離子體的物理密度的降低。并且，在等離子體產(chǎn)生管710中產(chǎn)生的共振等離子體的離子能量和移動速度可能較高。因而，當只使用共振等離子體時，襯底S或在襯底S上形成的薄膜可能會損壞。但是，與所述實施例一樣，當在等離子體區(qū)P1中一起產(chǎn)生與共振等離子體相比具有低密度和離子能量的CCP時，通過共振等離子體與CCP的相互作用可以防止襯底S或薄膜遭到損壞。
[0067] 等離子體產(chǎn)生管710可以制造成具有內(nèi)部空間的導管形狀，并且天線720可以圍繞其外圓周表面卷繞。等離子體產(chǎn)生管710可以在腔室100的縱向方向上延伸，并且可以在垂直方向上穿透第一噴淋頭300和第二噴淋頭400。也就是說，等離子體產(chǎn)生管710可以從第一噴淋頭300的上側延伸到第二噴淋頭400的下部部分，并且等離子體產(chǎn)生管710的下部部分可以不從第二噴淋頭400的下部部分突出。在這個實施例中，可以裝備多個等離子體產(chǎn)生管710,并且這些等離子體產(chǎn)生管710可以彼此間隔開安置。等離子體產(chǎn)生管710 可以使用例如派熱克斯玻璃和陶瓷等絕緣材料制造。舉例來說，可以使用派熱克斯玻璃和陶瓷將等離子體產(chǎn)生管710制造成絕緣容器。天線720可以圍繞等離子體產(chǎn)生管710 (即，絕緣容器）的外圓周表面卷繞，并且其一端可以連接到第二功率供應單元730。根據(jù)所述實施例的天線720可以由銅（Cu)形成，并且可以圍繞等離子體產(chǎn)生管710的外圓周表面成螺旋形卷繞。但是，天線720的形狀不限于上述螺旋形狀，而是可包含例如名古屋（Nagoya) 型、半名古屋（half-Nagoya)型、雙腿（double-leg)型、雙倍半阻（double half-turn)型、波斯維爾（Boswell)(雙鞍座）型、障子（Shoji)型和同相（phased)型。當激發(fā)頻率波長是λ時，天線720可以具有λ/2的整數(shù)倍的長度。這是為了當施加RF功率時減少不穩(wěn)定等離子體的產(chǎn)生，方法是通過分別圍繞多個等離子體產(chǎn)生管710卷繞天線720,并且因而迅速匹配多個天線720的阻抗。
[0068] 下文中，將描述在等離子體產(chǎn)生管710內(nèi)部產(chǎn)生等離子體的工藝。
[0069]當可以從第二原料供應線520向等離子體產(chǎn)生管710供應原料氣體并且通過第二功率供應單元向天線720施加RF功率時，由于原料氣體排出，可以在等離子體產(chǎn)生管710 中產(chǎn)生等離子體。下文中，等離子體產(chǎn)生管710的內(nèi)部將被稱作"第二等離子體區(qū)Ρ2"。在這種情況下，因為天線720圍繞等離子體產(chǎn)生管710成螺旋形卷繞，并且天線720的長度是 λ / 2的整數(shù)倍，并且在等離子體產(chǎn)生管710內(nèi)部的狹窄空間中執(zhí)行反應，所以可以在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生具有高密度的共振等離子體。由于施加到襯底支撐物210上的偏壓功率，所以在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的共振等離子體的陽離子可以入射到在襯底支撐物210上安放的襯底S的表面上或與其發(fā)生碰撞。因而，可以在襯底S上形成薄膜，或者可以蝕刻襯底S或在襯底S上形成的薄膜。
[0070] 因而，在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的共振等離子體可以具有高密度的特性，并且可以具有改善處理速度的效應，因為朝向襯底S的離子能量和等離子體密度較高。但是，在共振等離子體到達襯底S時，密度可以減小。在這種情況下，在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的 CCP可以補償密度的降低。因此，可以防止與襯底S發(fā)生反應的等離子體的總密度降低。并且，在等離子體產(chǎn)生管710中產(chǎn)生的共振等離子體的離子能量和移動速度可能較高。因而，當只使用共振等離子體時，襯底S或在襯底S上形成的薄膜可能會損壞。但是，與所述實施例一樣，當在等離子體區(qū)P1中一起產(chǎn)生與共振等離子體相比具有低密度和離子能量的CCP 時，通過共振等離子體與CCP的相互作用可以防止襯底S或薄膜遭到損壞。
[0071] 磁場產(chǎn)生單元800可以安置在腔室100內(nèi)部和外部，以便產(chǎn)生磁場，以使得在第一等離子體區(qū)P1和第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的等離子體可以均勻地擴散。磁場產(chǎn)生單元 800可以安置在腔室100的內(nèi)部和外部中的至少一者上。安置在腔室100內(nèi)部的磁場產(chǎn)生單元800可以位于在第一噴淋頭300上安裝的第三絕緣部件110c上。也就是說，安置在腔室100內(nèi)部的磁場產(chǎn)生單元800可以安裝在在腔室100內(nèi)部的上壁上安裝的第二絕緣部件 ll〇b與在第一噴淋頭300的上部部分上安裝的第三絕緣部件110c之間。并且，磁場產(chǎn)生單元800可以在多個等離子體產(chǎn)生管710之間彼此間隔開安置。安置在腔室100外部的磁場產(chǎn)生單元800可以包圍腔室100,并且可以安置在腔室100的上側和下側。安置在腔室100 外部的磁場產(chǎn)生單元800的位置可以變化。磁場產(chǎn)生單元800可以由電磁線圈形成。這里，磁場產(chǎn)生單元800可以制造成線圈型。安置在腔室100內(nèi)部的磁場產(chǎn)生單元800可以包圍等離子體產(chǎn)生管710,并且安置在腔室100外部的磁場產(chǎn)生單元800可以包圍腔室100。當功率施加到磁場產(chǎn)生單元800時，可以在腔室100外部和內(nèi)部產(chǎn)生磁場。磁場可以允許在第一等離子體區(qū)P1和第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的等離子體均勻地擴散。舉例來說，當未安裝磁場產(chǎn)生單元800時，等離子體密度可能在第二等離子體產(chǎn)生管710內(nèi)部較高，而可能在對應于第二噴淋頭400的下側的反應區(qū)R中較低。因此，磁場產(chǎn)生單元800可以安裝在腔室100外部和內(nèi)部以形成磁場，由此誘導共振等離子體根據(jù)磁場的磁通量執(zhí)行線性運動。因而，等離子體產(chǎn)生管710內(nèi)部的共振等離子體可以移動到外部，以便在整個反應區(qū)R 上均勻地擴散。
[0072] 已描述了等離子體產(chǎn)生管710從第一噴淋頭300的上側延伸到第二噴淋頭400的下部部分。但是，不限于此，與圖5的第五實施例一樣，等離子體產(chǎn)生管710可以從第一噴淋頭300的上側延伸到第一噴淋頭300的下部部分。也就是說，等離子體產(chǎn)生管710可以安置成不從第一噴淋頭300的下部部分突出。并且，與圖6的第六實施例一樣，雖然第二噴淋頭400不是安裝在第一噴淋頭300下方，但是等離子體產(chǎn)生管710可以從第一噴淋頭300 的上側延伸到第一噴淋頭300的下部部分。
[0073] 并且，圖4到圖6中已經(jīng)描述，磁場產(chǎn)生單元800安置在腔室100的內(nèi)部和外部上。但是，不限于此，在圖4到圖6的第四到第六實施例中，磁場產(chǎn)生單元800也可以安置在腔室100的內(nèi)部和外部中的一者上。
[0074] 下文中，將參看圖4描述根據(jù)第四實施例的襯底處理設備的操作和襯底處理方法。
[0075] 首先，襯底S可以被裝載到腔室100中，并且可以安放在安置在腔室100中的襯底支撐物210上。當襯底S安放在襯底支撐物310上時，原料氣體可以通過第一氣體供應管線510供應到第一噴淋頭300,并且可以使用第一功率供應單元320將RF功率施加到第一噴淋頭300。在這種情況下，第二噴淋頭400可以接地。并且，偏壓功率可以施加到襯底支撐物210,并且功率可以施加到安置在腔室內(nèi)部和外部的多個磁場產(chǎn)生單元800以產(chǎn)生磁場。因而，原料氣體可以通過第一噴淋頭300的多個第一孔300a噴灑到所述空間（即第一噴淋頭300與第二噴淋頭400之間的第一等離子體區(qū)P1)。因為施加到第一噴淋頭300和第二噴淋頭400的RF功率接地，所以可以在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生CCP。此后，在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的CCP可以通過第二噴淋頭400的多個第二噴灑孔400a移動到第二噴淋頭400的下側，S卩，反應區(qū)R。
[0076] 原料氣體可以通過第一原料供應線510供應到第一噴淋頭300,并且RF功率可以施加到第一噴淋頭300。在這種情況下，原料氣體可以通過第二原料供應線520供應到等離子體產(chǎn)生管710,并且可以使用第二功率供應單元730將RF功率施加到圍繞等離子體產(chǎn) 生管710卷繞的天線720。因而，可以在等離子體產(chǎn)生管710的內(nèi)部（即，第二等離子體區(qū) P2)中產(chǎn)生共振等離子體。在這種情況下，在等離子體產(chǎn)生管710的內(nèi)部（即，第二等離子體區(qū)P2)產(chǎn)生的共振等離子體可以移動到反應區(qū)R，同時通過磁場產(chǎn)生單元800產(chǎn)生的磁場的磁通量執(zhí)行線性運動。因此，在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的共振等離子體可以在整個反應區(qū)R上均勻地擴散。
[0077] 因而，在第一等離子體區(qū)P1和第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的等離子體可以在襯底S 上形成薄膜，或者可以蝕刻襯底S或薄膜。也就是說，在第一等離子體區(qū)P1和第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的等離子體的陽離子可以入射到被供應偏壓功率的襯底S上或者與其發(fā)生碰撞，由此在襯底S上形成薄膜或者蝕刻襯底S或薄膜。
[0078] 同時，在共振等離子體移動襯底S時，在第二等離子體區(qū)P2中產(chǎn)生的共振等離子體的密度可能會降低。在這種情況下，在第一等離子體區(qū)P1中產(chǎn)生的CCP可以補償密度的降低。因此，可以防止處理速度由于共振等離子體密度的降低而降低，并且與相關技術相比襯底處理時間可以縮短。并且，在等離子體產(chǎn)生管710中產(chǎn)生的共振等離子體的離子能量和等離子體密度可能較高。因而，當只使用共振等離子體時，襯底S或在襯底S上形成的薄膜可能會損壞。但是，與所述實施例一樣，當在等離子體區(qū)P1中一起產(chǎn)生與共振等離子體相比具有低密度和離子能量的CCP時，通過共振等離子體與CCP的相互作用可以防止襯底 S或薄膜遭到損壞。因此，可以形成具有良好膜品質的薄膜。
[0079] 圖7是圖解說明根據(jù)第七實施例的襯底處理設備的橫截面圖。并且，圖8是圖解說明用于根據(jù)實施例的襯底處理設備中的襯墊組合件的分解透視圖。圖9是組合件的透視圖，并且圖10是中間襯墊的平面圖。
[0080] 參看圖7,根據(jù)第七實施例的襯底處理設備可包含：腔室100,裝備有某一反應空間；襯底支撐單元200,安置在腔室100的下部部分以支撐襯底S ;噴淋頭310,用于將處理氣體噴灑到腔室100中；氣體供應管線510,用于供應處理氣體；排氣單元900,安置在腔室 100外部以從腔室100的內(nèi)部排氣；以及襯墊組合件1000,裝備在腔室100內(nèi)部以保護腔室 100的內(nèi)側壁并且允許腔室100中的氣流變均勻。
[0081] 腔室100可包含某一反應區(qū)，并且可以維持氣密性。腔室100可包含：反應部分 l〇〇a，包含基本上圓形的平面部分和從平面部分朝上延伸的側壁部分；以及蓋板100b，安置在反應部分l〇〇a上以氣密地密封腔室100并且具有基本上圓形的形狀。排氣口 120可以形成在腔室100的側表面中（例如，在襯底支撐物210下方），并且排氣口 120可以連接到包含排氣管線和排氣設備的排氣單元900。
[0082] 襯底支撐單元200可以裝備在腔室100內(nèi)部，并且可以安置在與噴淋頭300相反的位置。也就是說，噴淋頭300可以裝備在腔室100的內(nèi)部的上側，并且襯底支撐單元200 可以裝備在腔室100的內(nèi)部的下側。
[0083] 噴淋頭310可以將例如沉積氣體和蝕刻氣體等處理氣體噴灑到腔室100中，并且功率供應單元320可以向噴淋頭310施加高頻功率。噴淋頭310可以安置在腔室100的與襯底支撐物210相反的上部部分的位置，并且可以向腔室100的下側噴灑處理氣體。噴淋頭310里面可以具有某一空間。噴淋頭310可以連接到其上側的處理氣體供應線510,并且用于向襯底S噴灑處理氣體的多個噴灑孔312可以形成在噴淋頭310的下側。并且，噴淋頭310可以進一步具備分配板314,用于均勻地分配從氣體供應管線510供應的處理氣體。分配板314可以接近氣體流入部分（處理氣體被引入到這個氣體流入部分）連接到處理氣體供應線510,并且可以具有某一板形狀。也就是說，分配板314可以與噴淋頭310的上側表面間隔開某一間隙。并且，分配板314里面可以具備多個通孔。由于分配板314的作用，從處理氣體供應線510供應的處理氣體可以均勻地分配在噴淋頭310中，并且因而可以通過噴淋頭310的噴灑孔312均勻地噴灑到下側。并且，噴淋頭310可以使用例如鋁等導電材料來制造，并且可以與腔室100的側壁和蓋板l〇〇b間隔開某一間隙?？梢栽趪娏茴^310 與腔室100的側壁l〇〇a和蓋板100b之間裝備絕緣體330,以便使噴淋頭310與腔室100絕緣。因為噴淋頭310是用導電材料制造的，所以可以從功率供應單元320給噴淋頭310供應高頻功率，以用作等離子體產(chǎn)生單元的上部電極。功率供應單元320可以通過腔室100 的側壁和絕緣體340連接到噴淋頭310,并且可以供應高頻功率以便向噴淋頭310產(chǎn)生等離子體。功率供應單元320可包含高頻電源（未圖示）和匹配器（未圖示）。舉例來說，高頻電源可以產(chǎn)生大約13. 56MHz的高頻功率，并且匹配器可以檢測腔室100的阻抗，以便產(chǎn)生阻抗的虛數(shù)分量（與阻抗的虛數(shù)分量的相位相反），由此將最大功率供應到腔室100中，以使得阻抗與實數(shù)分量的純電阻相同，并且因而產(chǎn)生最優(yōu)的等離子體。另一方面，因為高頻功率被施加到噴淋頭310,所以腔室100可以接地，從而在腔室100中產(chǎn)生處理氣體的等離子體。
[0084] 處理氣體供應線510可以供應多種處理氣體，舉例來說，蝕刻氣體和薄膜沉積氣體。蝕刻氣體可包含NH 3和NF3，并且薄膜沉積氣體可包含SiH4和PH3。并且，除了蝕刻氣體和薄膜沉積氣體之外還可以供應例如H 2和Ar等惰性氣體。并且，可以在處理氣體供應源與處理氣體供應導管之間裝備用于控制處理氣體的供應的閥和質量流控制器。
[0085] 排氣單元900可以連接到在腔室100的側表面的下部部分處形成的排氣口 120。排氣單元900可包含連接到排氣口 120的排氣導管910,和用于通過排氣導管910對腔室 100的內(nèi)部進行排氣的排氣裝置920。在這種情況下，排氣裝置920可包含例如渦輪分子泵等真空泵，并且因而可經(jīng)配置以將腔室100的內(nèi)部真空抽吸成大約0. 1毫托或更小的某一壓力（即，某一減壓氣氛）。同時，還可在腔室100的被軸桿220穿透的下部部分處裝備排氣單元900。因為排氣單元900是在腔室100的下側裝備的，所以處理氣體的一部分也可以通過腔室100的下側排出。
[0086] 如圖8到圖10中所示，襯墊組合件1000可包含具有基本上圓柱形形狀的側面襯墊1100、在側面襯墊1100的上側裝備的上部襯墊1200、在側面襯墊1100的下側裝備的下部襯墊1300和在下部襯墊1200與上部襯墊1300之間裝備的中間襯墊1400。
[0087] 側面襯墊1100可以制造成上部部分和下部部分敞開的基本上圓柱形形狀。側面襯墊1100可以安裝在襯底處理設備的反應室中以保護反應室的內(nèi)側表面免受處理氣體或等離子體的損壞。側面襯墊1100可以制造成從其上部部分到下部部分具有相同直徑。側面襯墊1100可以制造成隨著接近其下部部分而具有較小直徑，也就是說，側面襯墊1100可以朝向內(nèi)部向下傾斜。當側面襯墊1100制造成朝向內(nèi)部向下傾斜時，反應氣體或等離子體流可以被引導向在反應室的內(nèi)部的下側裝備的襯底支撐物周圍，并且由于排氣區(qū)域減小，所以可以實現(xiàn)高速排氣。此外，當側面襯墊制造成朝向內(nèi)部向下傾斜時，與反應室的內(nèi)側表面的接觸面積可以減小，并且因而可以防止在側面襯墊1100被等離子體加熱到高溫時聚合物沉積在側面襯墊1100的壁表面上。同時，側面襯墊1100可以制造成內(nèi)徑大于襯底支撐物的直徑。也就是說，當側面襯墊1100具有垂直形狀或者甚至向下傾斜的形狀時，側面襯墊1100的最小內(nèi)徑可以大于襯底支撐物的直徑。這是因為襯底支撐物是在側面襯墊 1100內(nèi)部裝備的，并且在垂直方向中移動。可以在側面襯墊1100的至少一個區(qū)上形成插孔 1120,用以接納測量壓力等等用的測量裝置。插孔1120可以在垂直方向中形成在相同直線上的至少兩個區(qū)中。并且，插孔1100可以在水平方向中形成在彼此面對的兩個區(qū)上。也就是說，插入到一個插孔1120中的測量裝置可以插入到其它插孔1120中。插孔1120可以具有相同或不同尺寸。舉例來說，兩個插孔1120可以形成為在垂直方向中具有相同尺寸，而在水平方向中具有不同尺寸。
[0088] 上部襯墊1200可以制造成基本上環(huán)形的形狀，并且可以耦合到側面襯墊1100的上部部分。也就是說，上部襯墊1200可以具有在其中心部分處形成的開口，并且可以包含具有某一寬度以包圍所述開口的圓形板，這個圓形板的尺寸基本上與側面襯墊1100的上部部分的開口的尺寸相同。上部襯墊1200可以在其中心部分處具有一個開口，使得反應室中的反應空間的中心部分敞開，從而允許反應氣體或等離子體集中在反應室的中心部分上。也就是說，側面襯墊1100可以與反應室的內(nèi)側壁間隔開某一間隙，并且上部襯墊1200 的外表面可以接觸反應室的內(nèi)側壁，由此在側面襯墊1100與反應室的內(nèi)側壁之間隔出一個空間，并且在側面襯墊1100內(nèi)部隔出一個空間。并且，上部襯墊1200可以具有一個突起 1220,從內(nèi)部下表面向下突出，并且寬度與側面襯墊1100相同。也就是說，突起1220可以固定地接觸側面襯墊1100的上表面，從而允許上部襯墊1200固定在側面襯墊1100上。并且，上部襯墊1200的內(nèi)部下表面可以固定地接觸側面襯墊1100,而不是形成突起1220。同時，當側面襯墊1100完全粘附到腔室的內(nèi)壁上時，可能不需要上部襯墊1200,并且側面襯墊1100和上部襯墊1200可以一體地形成。
[0089] 下部襯墊1300可以制造成在其中心部分處具有一個開口的基本上圓形板的形狀，并且可以固定地耦合到側面襯墊1100的下部部分。這里，下部襯墊1300的開口的直徑可以比上部襯墊1200的開口小。也就是說，上部襯墊1200的開口的直徑尺寸可以與側面襯墊1100的內(nèi)徑相同，并且下部襯墊1300的開口的直徑可以比側面襯墊1100的內(nèi)徑小。這是因為通過上部襯墊1200的開口從噴淋頭噴灑的處理氣體被允許引入到側面襯墊1100內(nèi) 部的空間中，并且襯底支撐物的軸桿通過下部襯墊1300的開口插入。并且，下部襯墊1300 的直徑可以大于側面襯墊1100的直徑，舉例來說，下部襯墊1300的直徑可以與反應室的內(nèi) 徑相同。也就是說，側面襯墊1100可以與反應室的內(nèi)側壁間隔開某一間隙，并且下部襯墊 1300可以接觸反應室的內(nèi)側壁。并且，下部襯墊1300的下部表面的至少一部分可以接觸反應室的下部表面。并且，下部襯墊1300可以具有突起1320,從其內(nèi)側向上突出某一高度。突起1320里面可以形成有多個孔1340。所述多個孔1340可以在整個區(qū)上具有相同尺寸和形狀。但是，所述多個孔1340可以對于每個區(qū)具有不同尺寸和形狀。舉例來說，所述多個孔 1340可以在接近在反應室的側表面上形成的排氣口的一個區(qū)處形成為較小尺寸，并且可以在遠離排氣口的一個區(qū)處形成為較大尺寸。并且，突起1320的高度可以根據(jù)下部襯墊1300 與中間襯墊1400之間的距離而調整，并且優(yōu)選地可以與排氣口相同。
[0090] 可以在上部襯墊1200與下部襯墊1300之間裝備中間襯墊1400。優(yōu)選地，下部襯墊1300與中間襯墊1400之間的間隙可以至少與排氣口的尺寸相同。中間襯墊1400可以在其中心部分處具有一個開口，這個開口的尺寸與下部襯墊1300的開口相同。這是因為，用于支撐襯底支撐物210的軸桿220是通過中間襯墊1400和下部襯墊1300的開口定位的。中間襯墊1400可以制造成在其中心部分處具有一個開口的基本上圓形的板形狀。中間襯墊1400的開口和圓形板的尺寸可以與下部襯墊1300的開口和圓形板相同。因此，中間襯墊1400的外表面可以接觸反應室的內(nèi)側壁。并且，側面襯墊1100的下部表面可以接觸中間襯墊1400的上表面的某一區(qū)。中間襯墊1400里面可以形成有多個孔1420。除了所述多個孔1420之外，還可以形成多種形狀的通孔，例如狹縫形狀。也就是說，因為中間襯墊 1400的上側的處理氣體需要流到中間襯墊1400的下側，所以可以在中間襯墊1400中形成多個孔1420。這里，所述多個孔1420可以對于每個區(qū)具有不同尺寸和數(shù)目。舉例來說，接近連接到排氣設備上的排氣口的孔1420形成的尺寸和數(shù)目可以較小，而遠離排氣口的孔 1420形成的尺寸和數(shù)目可以較大。換句話說，當在整個區(qū)上孔1420的尺寸相等時，各個區(qū) 中的孔1420的數(shù)目可以不同。另一方面，當在整個區(qū)上孔1420的數(shù)目相等時，各個區(qū)中的孔1420的尺寸可以不同。也就是說，接近排氣口的區(qū)的排氣壓力和速度可以大于遠離排氣口的區(qū)的排氣壓力和速度，但通過調整中間襯墊1400的孔的尺寸和數(shù)目，整個區(qū)上的排氣壓力和速度可以是相同的。
[0091] 同時，襯墊組合件1000可以用陶瓷或例如鋁或不銹鋼等金屬材料制造。襯墊組合件1000用金屬材料制造，可以涂覆上例如Y 2〇3和A1A等陶瓷。
[0092] 如上所述，包含根據(jù)所述實施例的襯墊組合件1000的襯底處理設備可以執(zhí)行排氣，方法是通過在襯底支撐物210下方裝備下部襯墊1300和中間襯墊1400,并且在其間的腔室100的側表面上形成排氣口 120。中間襯墊1400可以具有不同尺寸和數(shù)目的孔1420。孔1420的尺寸和數(shù)目可以隨著遠離排氣口 120而增加，從而允許中間襯墊1400的上側的氣體通過中間襯墊1400的孔1420流到中間襯墊1400的下側，然后被排出。因此，腔室100 內(nèi)部的氣流可以作為整體均勻地受到控制，方法是通過相對于更接近排氣口 120的區(qū)的快速氣流減少氣體的排出量，而相對于遠離排氣口 120的區(qū)的緩慢氣流增加氣體的排出量。因而，可以改善襯底S上的薄膜的沉積均勻性，并且可以抑制顆粒的產(chǎn)生。也就是說，當比較圖11A中所示的未使用中間襯墊的相關技術與圖11B中所示的使用了中間襯墊的本發(fā)明時，可以看出，本發(fā)明的沉積均勻性與相關技術相比得到改善。因為腔室100內(nèi)部的氣流是均勻的，所以處理氣體停留在襯底S上的所有區(qū)中的持續(xù)時間可以變成彼此相等，由此改善了薄膜的沉積均勻性。并且，因為處理氣體停留在一個區(qū)中的持續(xù)時間未增加，所以可以抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0093] 圖12是圖解說明包含接地板340的根據(jù)第八實施例的襯底處理設備的橫截面圖。接地板340可以與噴淋頭310間隔開某一間隙，并且可以連接到腔室100的側表面。腔室 100可以連接到接地端子，并且因而接地板340也可以維持地面電位。同時，噴淋頭310與接地板340之間的間隙可以變成用于將通過噴淋頭310噴灑的處理氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)的反應空間。也就是說，當可以通過噴淋頭310噴灑處理氣體并且噴淋頭被供應高頻功率時，接地板340可以維持接地狀態(tài)，并且其間可以出現(xiàn)電位差，由此在反應空間中將處理氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)。在這種情況下，噴淋頭310與接地板340之間的間隙（即，反應空間的垂直間隙）可以維持在其中可以激發(fā)等離子體的最小間隙。舉例來說，所述間隙可以維持在大約3mm或更大的尺寸。在反應空間中激發(fā)的處理氣體需要噴灑到襯底S上。為了這一點，接地板340可以制造成具有在垂直方向中穿透的多個孔342的某一板形狀。因而，可以防止在反應空間中產(chǎn)生的等離子體直接接觸襯底S，并且因而可以減小等離子體對襯底S造成的損害。并且，接地板340可以用以通過在反應空間中限制等離子體而降低電子溫度。
[0094] 圖13是圖解說明根據(jù)第九實施例的襯底處理設備的橫截面圖，包含位于襯底支撐單元200與噴淋頭310之間的過濾器單元950。過濾器單元950可以裝備在接地板340 與襯底支撐單元200之間，并且過濾器單元950的側表面可以連接到腔室100的側壁。因此，過濾器單元950可以維持地面電位。過濾器單元950可以對在等離子體產(chǎn)生單元中產(chǎn) 生的等離子體的離子、電子和光進行過濾。也就是說，當在等離子體產(chǎn)生單元中產(chǎn)生的等離子體穿過過濾器時，可以阻斷離子、電子和光，從而僅允許反應物質與襯底S發(fā)生反應。過濾器單元950可以允許等離子體與過濾器單元950至少發(fā)生一次碰撞，并且接著被應用于襯底S。因而，當?shù)入x子體與地面電位的過濾器單元950發(fā)生碰撞時，可以吸收具有高能量的離子和電子。并且，等離子體的光與過濾器單元950發(fā)生碰撞時可以不透過過濾器單元 950。過濾器單元950可以制備成多種形狀。舉例來說，過濾器單元950可以使用里面形成有多個孔952的單個板形成，或者可以在多層中安置里面形成有孔的板，并且每個板的孔 952可以形成為彼此不對準。或者，過濾器單元950可以形成為其中多個孔952具有某一折射路徑的板形狀。
[0095] 根據(jù)一實施例，在對應于電極部件的內(nèi)部或外部的第一等離子體區(qū)中產(chǎn)生第一等離子體，并且在第二等離子體區(qū)（就是第二噴淋頭的內(nèi)部）中產(chǎn)生第二等離子體。這里，第一等離子體和第二等離子體中的一者的離子能量和密度較高，并且另一者的離子能量和密度與其相比較低。因此，因為使用具有不同離子能量和密度的第一等離子體和第二等離子體，所以與相關技術相比可以改善襯底處理速度，并且可以減少襯底或薄膜的損壞。
[0096] 根據(jù)另一實施例，因為使用具有高離子能量和密度的共振等離子體，所以襯底處理速度與相關技術相比可以得到改善。同時，當共振等離子體在移動襯底時，共振等離子體的密度可以降低。在這種情況下，與共振等離子體相比具有低離子能量和等離子體密度的電容稱合等離子體（Capacitive Coupled Plasma, CCP)在一起形成，由此補償共振等離子體的密度的降低。并且，可以防止襯底和薄膜受到損壞，方法是通過形成共振等離子體和 CCP并且控制入射到襯底中或與襯底發(fā)生碰撞的離子能量。
[0097] 根據(jù)又一實施例，在襯底支撐物下方裝備下部襯墊和中間襯墊，并且在其間的反應室的側表面上形成排氣口，以便對反應室進行排氣。中間襯墊具有不同尺寸或數(shù)目的孔。在更遠離排氣口的區(qū)上形成更大尺寸和數(shù)目的孔。因此，雖然接近排氣口的區(qū)上的氣流較快，但是允許氣體的排出量減少。另一方面，雖然遠離排氣口的區(qū)上的氣流較慢，但是允許氣體的排出量增加。因而，氣流可以在反應室中作為整體受到控制。因為可以允許氣流在反應室中是均勻的，所以可以改善襯底上的薄膜的沉積均勻性，并且可以抑制顆粒的產(chǎn)生。 [〇〇98] 雖然參看具體實施例描述了襯墊組合件和包含襯墊組合件的襯底處理設備，但是襯墊組合件和襯底處理設備不限于此。因此，所屬領域的技術人員將容易理解，在不脫離通過所附權利要求書定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行各種修改和變化。
【權利要求】
1. 一種襯墊組合件，其特征在于，包括：側面襯墊，具有圓柱形形狀，并且上部部分和下部部分是敞開的；中間襯墊，安置在所述側面襯墊下方，并且具有在垂直方向中穿過其中的多個第一孔；以及下部襯墊，安置在所述中間襯墊下方，其中所述多個第一孔在多個區(qū)中形成為不同尺寸和數(shù)目。
2. 根據(jù)權利要求1所述的襯墊組合件，進一步包括在所述側面襯墊上的上部襯墊。
3. 根據(jù)權利要求1所述的襯墊組合件，其中所述下部襯墊和所述中間襯墊分別具有比在其中心部分處的所述側面襯墊的直徑的尺寸小的開口。
4. 根據(jù)權利要求3所述的襯墊組合件，包括從所述下部襯墊的內(nèi)側向上突出并且接觸所述中間襯墊的突起，其中所述突起里面形成有多個第二孔。
5. 根據(jù)權利要求3所述的襯墊組合件，其中當從一個區(qū)往與其相反的其它區(qū)時，所述第一孔的尺寸或數(shù)目增加。
6. -種襯底處理設備，其特征在于，包括：腔室，具備反應空間和在其下側表面的排氣口；襯底支撐物，安置在腔室中用以支撐襯底；氣體供應組合件，用于將處理氣體供應到所述腔室中；等離子體產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生所述處理氣體的等離子體；以及襯墊組合件，安置在所述腔室中，其中所述襯墊組合件包括：側面襯墊，具有圓柱形形狀，并且上部部分和下部部分是敞開的；中間襯墊，安置在所述側面襯墊下方，并且具有在垂直方向中穿過其中的多個第一孔；以及下部襯墊，安置在所述中間襯墊下方，并且所述多個第一孔在多個區(qū)中形成為不同尺寸和數(shù)目。
7. 根據(jù)權利要求6所述的襯底處理設備，其中所述氣體供應組合件包括：第一噴淋頭；第二噴淋頭，包括安置在所述第一噴淋頭下方同時與所述第一噴淋頭間隔開的第一主體，以及具有多個第一噴灑孔和第二噴灑孔的第二主體；連接管，在垂直方向中延伸以便連接在所述第一主體與所述第二噴灑孔之間。
8. 根據(jù)權利要求7所述的襯底處理設備，其中所述等離子體產(chǎn)生單元包括向所述第一噴淋頭、所述第一主體和所述第二主體施加功率的功率供應單元。
9. 根據(jù)權利要求8所述的襯底處理設備，其中所述功率供應單元形成在所述第一噴淋頭與所述第二主體之間的用于產(chǎn)生第一等離子體的區(qū)和在所述第一主體與所述第二主體之間的用于產(chǎn)生第二等離子體的區(qū)，并且施加功率，以使得所述第一等離子體和第二等離子體中的一者具有較高離子能量和密度，而其中的另一者具有較低離子能量和密度。
10. 根據(jù)權利要求6所述的襯底處理設備，其中所述氣體噴灑組合件在其內(nèi)側或外側包括噴淋頭，所述噴淋頭被供應有功率用于產(chǎn)生等離子體以形成第一等離子體區(qū)。
11. 根據(jù)權利要求10所述的襯底處理設備，進一步包括：等離子體產(chǎn)生管，在所述腔室內(nèi)部沿著所述腔室的縱向方向延伸并且穿過所述噴淋頭；以及天線，被安置成包圍所述等離子體產(chǎn)生管的外圓周表面并且被供應有功率用于產(chǎn)生等離子體。
12. 根據(jù)權利要求11所述的襯底處理設備，其中所述噴淋頭包括被供應有功率的第一噴淋頭，和安置在所述第一噴淋頭下方同時與所述第一噴淋頭間隔開并且接地的第二噴淋頭，并且所述第一等離子體區(qū)是所述第一噴淋頭與所述第二噴淋頭之間的一個區(qū)。
13. 根據(jù)權利要求6所述的襯底處理設備，進一步包括：排氣單元，連接到所述排氣口并且安置在所述腔室的外側部分上，以便使所述腔室的內(nèi)部排氣；以及過濾器單元，安置在所述等離子體產(chǎn)生單元與所述襯底支撐單元之間，以便阻斷所述處理氣體的所述等離子體的一部分。
14. 根據(jù)權利要求6所述的襯底處理設備，其中所述下部襯墊和所述中間襯墊具有開口，所述開口的直徑比在中心部分的所述側面襯墊的直徑小，并且分別接納用于支撐所述襯底支撐物的軸桿。
15. 根據(jù)權利要求14所述的襯底處理設備，進一步包括從所述下部襯墊的內(nèi)側向上突出并且接觸所述中間襯墊的突起，其中所述突起里面形成有多個第二孔。
【文檔編號】H01J37/32GK104060238SQ201410108752
【公開日】2014年9月24日申請日期:2014年3月21日優(yōu)先權日:2013年3月22日
【發(fā)明者】徐映水, 韓泳琪, 李埈爀, 辛宇植, 明魯善申請人:燦美工程股份有限公司

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