一種等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯的制作方法
【專利摘要】等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，包括圓筒狀的本體，本體上設(shè)有取送待刻蝕晶片的傳送片口，本體的外壁與等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室適配，本體底部設(shè)有一圈向內(nèi)延伸的環(huán)形底板，環(huán)形底板與待刻蝕晶片的位置匹配，環(huán)形底板上均勻地分布有勻流槽孔；本體的頂部設(shè)有與反應(yīng)腔室連接的固定法蘭。本實用新型具有能夠均勻反應(yīng)腔室內(nèi)刻蝕氣體，反應(yīng)腔室內(nèi)的純凈度好，反應(yīng)腔室的使用壽命長的優(yōu)點。
【專利說明】—種等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及等離子體刻蝕【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種干法等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯。
【背景技術(shù)】
[0002]刻蝕是半導(dǎo)體、微電子及LED制造過程中的一個重要工序，刻蝕是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片或者藍(lán)寶石襯底表面去除不需要的材料的過程。隨著半導(dǎo)體器件的集成度提高，半導(dǎo)體器件的線寬越來越小，關(guān)鍵尺寸的控制也越來越重要，對刻蝕工藝的要求也越來越高。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。干法刻蝕即等離子體刻蝕，通常在等離子體處理裝置中通入刻蝕氣體，并電離刻蝕氣體成等離子體，利用所述等離子體對待刻蝕的晶圓進(jìn)行刻蝕?，F(xiàn)有的等離子體刻蝕方法通常在待刻蝕表面形成光刻膠圖形，以該光刻膠圖形為掩膜對待刻蝕層進(jìn)行刻蝕。干法刻蝕由于各項異性好，選擇比高，可控性好，靈活性高，重復(fù)形好，易實現(xiàn)自動化，潔凈度高的優(yōu)點成為當(dāng)今最常用的刻蝕工藝之一。
[0003]干法等離子體刻蝕設(shè)備中，反應(yīng)腔室是用于進(jìn)行等離子體刻蝕的核心部件。腔室內(nèi)工藝氣體的均勻分布是保證等離子體均勻分布的關(guān)鍵因素，而等離子體的均勻分布則是影響刻蝕均勻性的關(guān)鍵。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有的等離子體刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)包括圓筒狀反應(yīng)腔體A3和蓋在反應(yīng)腔體A3上面的石英蓋A4，石英蓋A4的中央位置設(shè)有進(jìn)氣孔，反應(yīng)腔體A3的側(cè)壁Al、底壁A2及石英蓋A4形成了反應(yīng)腔室。待刻蝕的基片A6放置在反應(yīng)腔室內(nèi)底壁A2的中央位置。這種等離子體刻蝕裝置中，石英蓋A4為圓形板狀，現(xiàn)有技術(shù)中石英蓋A4的中央有一個進(jìn)氣孔A5.根據(jù)流體的特性，當(dāng)刻蝕氣體由石英蓋A4中央的進(jìn)氣孔A5進(jìn)入反應(yīng)腔室時，氣體趨于直接沖擊底壁A2中間位置，不易于向周圍擴(kuò)散，于是就造成了中間位置的氣體密度較大，而越靠近側(cè)壁Al位置,氣體密度越小。
[0005]另外，這種等離子刻蝕設(shè)備在刻蝕過程中，不可避免地會產(chǎn)生很多刻蝕沉積物并聚集附著在腔室內(nèi)壁上，造成腔室的污染和損傷，且難以去除導(dǎo)致反應(yīng)腔室內(nèi)刻蝕環(huán)境的不穩(wěn)定性且加快了設(shè)備的損耗。
實用新型內(nèi)容
[0006]為了克服現(xiàn)有的等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔體內(nèi)刻蝕氣體的均勻性差及容易造成腔室污染和損傷的缺點，本實用新型提供了一種能夠均勻反應(yīng)腔室內(nèi)刻蝕氣體的等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯。
[0007]等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，包括圓筒狀的本體，本體上設(shè)有取送待刻蝕晶片的傳送片口，本體的外壁與等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室適配，本體底部設(shè)有一圈向內(nèi)延伸的環(huán)形底板，環(huán)形底板與待刻蝕晶片的位置匹配，環(huán)形底板上均勻地分布有勻流槽孔；本體的頂部設(shè)有與反應(yīng)腔室連接的固定法蘭。[0008]進(jìn)一步，反應(yīng)腔室一側(cè)設(shè)有抽真空室，內(nèi)襯底板分隔所述的反應(yīng)腔室和抽真空室，抽真空室與抽真空泵連接。
[0009]進(jìn)一步，勻流槽由呈同心圓排布的槽孔組成，同一個圓周上等間隔地分布有多個槽孔。槽孔為圓弧形，槽孔的寬度約為1.5_。圓弧形槽孔的圓心角小于或等于20°。
[0010]進(jìn)一步，傳送片口高出環(huán)形底板的頂面。
[0011]進(jìn)一步，外壁上開設(shè)有觀察孔。
[0012]本實用新型的有益效果在于:
[0013]1、內(nèi)襯底板上設(shè)有勻流槽孔，抽真空時，反應(yīng)腔室的氣體經(jīng)勻流槽孔進(jìn)入抽真空室內(nèi)，勻流槽孔的數(shù)量多，相比一般常用的圓孔形內(nèi)襯，氣流通過的面積大，高真空的抽取能力強(qiáng)，提高了片盤周圍氣體的均勻性。
[0014]2、內(nèi)襯安裝于等離子體刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室內(nèi)，能夠有效防止或減少刻蝕沉積物積聚或附著在反應(yīng)腔室的內(nèi)壁上，能夠延長腔室的使用壽命。內(nèi)襯通過固定法蘭安裝于反應(yīng)腔室內(nèi)，因此內(nèi)襯更換、安裝方便，只需要定時更換或清洗內(nèi)襯即可保持刻蝕環(huán)境的純凈性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的示意圖。
[0016]圖2是本實用新型的立體圖。
[0017]圖3是本實用新型的正視圖。
[0018]圖4是勻流槽孔的示意圖。
[0019]圖5是勻流槽孔安裝于反應(yīng)腔室內(nèi)的示意圖。
【具體實施方式】
[0020]如圖2-5所示，等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，包括圓筒狀的本體1，本體I上設(shè)有取送待刻蝕晶片的傳送片口 5，本體I的外壁與等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室7適配，本體I底部設(shè)有一圈向內(nèi)延伸的環(huán)形底板2，環(huán)形底板2與待刻蝕晶片9的位置匹配，環(huán)形底板2上均勻地分布有勻流槽4 ;本體I的頂部設(shè)有與反應(yīng)腔室7連接的固定法蘭3。環(huán)形底板2與待刻蝕晶片9的位置匹配指的是環(huán)形底板2的頂面與待刻蝕晶片9齊平。
[0021]反應(yīng)腔室7 —側(cè)設(shè)有抽真空室8，內(nèi)襯底板分隔所述的反應(yīng)腔室7和抽真空室8，抽真空室8與抽真空泵連接。
[0022]勻流槽4由呈同心圓排布的槽孔組成，同一個圓周上等間隔地分布有多個槽孔。槽孔為圓弧形，槽孔的寬度約為1.5_。圓弧形槽孔的圓心角小于或等于20°。當(dāng)然，槽孔也可以是圓形孔或者方形孔或者橢圓形孔等其他形狀。
[0023]傳送片口 5高出環(huán)形底板2的頂面。
[0024]外壁上開設(shè)有觀察孔6。內(nèi)襯的觀察孔6與反應(yīng)腔室上的觀察窗口一一對位。
[0025]本實用新型的有益效果在于:
[0026]1、內(nèi)襯底板上設(shè)有勻流槽，抽真空時，反應(yīng)腔室的氣體經(jīng)勻流槽4孔進(jìn)入抽真空室內(nèi)，氣流通過的面積大，高真空的抽取能力強(qiáng)，提高了片盤周圍氣體的均勻性。
[0027]2、內(nèi)襯安裝于等離子體刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室內(nèi)，能夠有效防止或減少刻蝕沉積物積聚或附著在反應(yīng)腔室的內(nèi)壁上，能夠延長腔室的使用壽命。內(nèi)襯通過固定法蘭安裝于反應(yīng)腔室內(nèi)，因此內(nèi)襯更換、安裝方便，只需要定時更換或清洗內(nèi)襯即可保持刻蝕環(huán)境的純凈性。
[0028]本說明書實施例所述的內(nèi)容僅僅是對實用新型構(gòu)思的實現(xiàn)形式的列舉，本實用新型的保護(hù)范圍不應(yīng)當(dāng)被視為僅限于實施例所陳述的具體形式，本實用新型的保護(hù)范圍也及于本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本實用新型構(gòu)思所能夠想到的等同技術(shù)手段。
【權(quán)利要求】
1.等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，其特征在于:包括圓筒狀的本體，本體上設(shè)有取送待刻蝕晶片的傳送片口，本體的外壁與等離子刻蝕設(shè)備的反應(yīng)腔室適配，本體底部設(shè)有一圈向內(nèi)延伸的環(huán)形底板，環(huán)形底板與待刻蝕晶片的位置匹配，環(huán)形底板上均勻地分布有勻流槽孔；本體的頂部設(shè)有與反應(yīng)腔室連接的固定法蘭。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，其特征在于:反應(yīng)腔室一側(cè)設(shè)有抽真空室，內(nèi)襯底板分隔所述的反應(yīng)腔室和抽真空室,抽真空室與抽真空泵連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，其特征在于:勻流槽由呈同心圓排布的槽孔組成，同一個圓周上等間隔地分布有多個槽孔。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，其特征在于:槽孔為圓弧形，槽孔的寬度約為1.5mm,圓弧形槽孔的圓心角小于或等于20°。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，其特征在于:傳送片口高出環(huán)形底板的頂面。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體刻蝕設(shè)備的腔室內(nèi)襯，其特征在于:外壁上開設(shè)有觀察孔。
【文檔編號】H01J37/32GK203481181SQ201320335702
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年6月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月8日
【發(fā)明者】張欽亮, 平志韓, 蘇靜洪, 王謨, 祝啟蒙 申請人:天通吉成機(jī)器技術(shù)有限公司