離子源以及離子注入裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明揭示了一種離子源以及離子注入裝置，所述離子源具有真空室，所述真空室包括：等離子體形成容器；第一陰極，設(shè)置在所述等離子體形成容器的一側(cè)面，用于放出電子；第一旁熱式陰極，所述第一陰極放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器；第二陰極，設(shè)置在與所述第一陰極相對(duì)的所述等離子體形成容器的側(cè)面，用于放出電子；第二旁熱式陰極，所述第二陰極放出的電子碰撞所述第二旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器。本發(fā)明的離子源，當(dāng)所述第一陰極或第二陰極損壞時(shí)，只需改變所述第一陰極和第二陰極的通電方式，就可以使所述離子源繼續(xù)產(chǎn)生等離子體，避免打開(kāi)真空室進(jìn)行維護(hù)，從而提高產(chǎn)能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】離子源以及離子注入裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種離子源以及離子注入裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]離子束薄膜沉積和離子束材料改性是材料科學(xué)新興發(fā)展起來(lái)的一個(gè)重要分支，離子束技術(shù)的研究和推廣已取得了巨大的成就，其標(biāo)志之一是離子注入半導(dǎo)體摻雜已成為超大規(guī)模集成電路微細(xì)加工的關(guān)鍵工藝。其中，離子源是產(chǎn)生所需離子的關(guān)鍵部件。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中離子源的示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的離子源100包括一真空室110，真空室110位于支撐盤(pán)120上。真空室110內(nèi)具有用于產(chǎn)生離子的等離子體形成容器130，通過(guò)氣體導(dǎo)入管140從真空室110外向等離子體形成容器130導(dǎo)入可電離氣體。
[0004]此外，如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中等離子體形成容器130的一側(cè)面中具有用于放出電子的第一陰極131，在第一陰極131的正負(fù)極之間接入直流工作電壓VI，使電流流過(guò)第一陰極131，對(duì)第一陰極131進(jìn)行加熱，從第一陰極131放出電子。第一旁熱式陰極132設(shè)置于第一陰極131旁，并使第一旁熱式陰極132連接更正的電位(一般要再接入一直流工作電壓V2),將所述第一陰極131放出的電子拉向第一旁熱式陰極132,并碰撞所述第一旁熱式陰極132。當(dāng)所述第一陰極131放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極132時(shí)，所述第一旁熱式陰極132被加熱，并從所述第一旁熱式陰極132放出更多的電子，進(jìn)入所述等離子體形成容器130內(nèi)部。
[0005]等離子體形成容器130的壁面上具有至少一氣體進(jìn)入口 135，氣體進(jìn)入口 135連接氣體導(dǎo)入管140。以向等離子體形成容器130導(dǎo)入可電離氣體，如磷化氫、三氟化硼等。當(dāng)電子進(jìn)入所述等離子體形成容器130后，與所述可電離氣體碰撞，引起可電離氣體的電離，在所述等離子體形成容器130內(nèi)生成等離子體。最終，所述等離子體從開(kāi)口部136流出。
[0006]在與所述第一陰極131相對(duì)的所述等離子體形成容器130的側(cè)面設(shè)置有一反射電極137，所述反射電極137的電位與第一旁熱式陰極132的電位相同，以反射電子，從而提高可電離氣體與電子碰撞的效率。
[0007]但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，第一陰極131 —般為燈絲，在工作過(guò)程中，所述燈絲很容易消耗，造成燈絲的接力能力變差，或者斷線，則必須停止離子源工作，打開(kāi)真空室110，以進(jìn)行維護(hù)，從而影響產(chǎn)能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于，提供一種離子源以及離子注入裝置，能夠提高離子源的使用時(shí)間，從而提聞廣能效率。
[0009]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種離子源，所述離子源具有一真空室，所述真空室包括一等離子體形成容器，所述等離子體形成容器包括:
[0010]兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面；
[0011]第一陰極，設(shè)置在所述等離子體形成容器的一側(cè)面中，用于放出電子；
[0012]第一旁熱式陰極，所述第一陰極放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器；
[0013]第二陰極，設(shè)置在所述等離子體形成容器的另一側(cè)面中，用于放出電子；
[0014]第二旁熱式陰極，所述第二陰極放出的電子碰撞所述第二旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器。
[0015]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述第一陰極通電，所述第二陰極不通電；或，所述第二陰極通電，所述第一陰極不通電。
[0016]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述離子源還具有一電源連接端，所述電源連接端具有第一陰極接入端、第一陰極接出端、第二陰極接入端以及第二陰極接出端，所述第一陰極接入端和第一陰極接出端分別連接第一陰極的正極和負(fù)極，所述第二陰極接入端和第二陰極接出端分別連接第二陰極的正極和負(fù)極；當(dāng)在所述第一陰極接入端和第一陰極接出端施加工作電壓時(shí)，所述第一陰極通電，當(dāng)在所述第二陰極接入端和第二陰極接出端施加工作電壓時(shí)，所述第二陰極通電。
[0017]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述電源連接端還具有第一旁熱式陰極連接端和第二旁熱式陰極連接端，所述第一旁熱式陰極連接端和第二旁熱式陰極連接端分別連接所述第一旁熱式陰極和第二旁熱式陰極。
[0018]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述電源連接端設(shè)置于所述真空室的外部。
[0019]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述第一旁熱式陰極和第二旁熱式陰極的電位相等。
[0020]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述第一旁熱式陰極和第二旁熱式陰極的電壓均為300V ?600V。
[0021]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述等離子體形成容器具有兩個(gè)相對(duì)的壁面，所述壁面與所述側(cè)面垂直設(shè)置，所述離子源還包括一氣體進(jìn)入口和一開(kāi)口部，所述氣體進(jìn)入口設(shè)置于所述等離子體形成容器的一壁面中，為所述等離子體形成容器提供可電離氣體，所述開(kāi)口部位于所述等離子體形成容器的另一壁面中。
[0022]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述第一旁熱式陰極為一端開(kāi)口的筒狀，所述第一陰極設(shè)置于所述第一旁熱式陰極的內(nèi)部。
[0023]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述第一旁熱式陰極間隙置于所述等離子體形成容器的側(cè)面中，所述間隙為3mm?5mm。
[0024]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述第二旁熱式陰極為一端開(kāi)口的筒狀，所述第二陰極設(shè)置于所述第二旁熱式陰極的內(nèi)部。
[0025]進(jìn)一步的，在所述離子源中，所述第二旁熱式陰極間隙置于所述等離子體形成容器的側(cè)面中，所述間隙為3mm?5mm。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種離子注入裝置，包括所述的離子源。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的離子源以及離子注入裝置源具有以下優(yōu)點(diǎn):在所述離子源中，具有相對(duì)于所述等離子體形成容器對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一陰極和第二陰極，所述第一陰極和第二陰極旁各自設(shè)置有一第一旁熱式陰極和一第二旁熱式陰極，與現(xiàn)有技術(shù)相t匕，將現(xiàn)有技術(shù)中所述反射電極去除，在原來(lái)所述反射電極的位置設(shè)置所述第二陰極，并在所述第二陰極與所述等離子體形成容器之間設(shè)置所述第二旁熱式陰極，當(dāng)所述第一陰極通電時(shí)，所述第一陰極發(fā)射電子，所述第二陰極不通電，所述第二旁熱式陰極可以反射電子，以提高可電離氣體與電子碰撞的效率；當(dāng)所述第一陰極損傷時(shí)，不需要停止所述離子源工作，只需將所述第二陰極通電，所述第二陰極發(fā)射電子，所述第一陰極不通電，所述第一旁熱式陰極可以反射電子，從而可以繼續(xù)產(chǎn)生等離子體，避免打開(kāi)真空室進(jìn)行維護(hù)，從而提高產(chǎn)能。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中離子源的示意圖；
[0029]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中離子源中等離子體形成容器的示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中離子源的示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中離子源中等離子體形成容器的示意圖；
[0032]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例中離子源中電源連接端的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的離子源以及離子注入裝置進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0034]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0035]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0036]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種離子源，所述離子源具有真空室，所述真空室包括:等離子體形成容器；第一陰極，設(shè)置在所述等離子體形成容器的一側(cè)面，用于放出電子；第一旁熱式陰極，所述第一陰極放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器；第二陰極，設(shè)置在與所述第一陰極相對(duì)的所述等離子體形成容器的側(cè)面，用于放出電子；第二旁熱式陰極，所述第二陰極放出的電子碰撞所述第二旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器。所述離子源將現(xiàn)有技術(shù)中所述反射電極去除，在原來(lái)所述反射電極的位置設(shè)置所述第二陰極，并在所述第二陰極與所述等離子體形成容器之間設(shè)置所述第二旁熱式陰極，當(dāng)所述第一陰極通電時(shí)，所述第一陰極發(fā)射電子，所述第二陰極不通電，所述第二旁熱式陰極可以反射電子，以提高可電離氣體與電子碰撞的效率；當(dāng)所述第一陰極損傷時(shí)，不需要停止所述離子源工作，只需將所述第二陰極通電，所述第二陰極發(fā)射電子，所述第一陰極不通電，所述第一旁熱式陰極可以反射電子，從而可以繼續(xù)產(chǎn)生等離子體，避免打開(kāi)真空室進(jìn)行維護(hù)，從而提高產(chǎn)能。
[0037]以下列舉所述離子源以及離子注入裝置的實(shí)施例，以清楚說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實(shí)施例，其他通過(guò)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0038]請(qǐng)結(jié)合圖3-圖5，具體說(shuō)明本發(fā)明的離子源。其中，圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中離子源的示意圖，圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中離子源中等離子體形成容器的示意圖，圖5為本發(fā)明一實(shí)施例中離子源中電源連接端的示意圖。
[0039]如圖3所示，本發(fā)明中的離子源200包括一真空室210，所述真空室210內(nèi)具有用于產(chǎn)生離子的等離子體形成容器230，較佳的，所述離子源200還包括支撐盤(pán)220、氣體導(dǎo)入管240等必要的部件，但此為本領(lǐng)域的公知常識(shí)，在此不作贅述。
[0040]如圖4所示，所述等離子體形成容器230具有兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面，所述等離子體形成容器230的一側(cè)面具有用于放出電子的第一陰極231，用于放出電子。第一旁熱式陰極232設(shè)置于所述第一陰極231旁，所述第一陰極231放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極232后，進(jìn)入所述等離子體形成容器230。第二陰極233設(shè)置在與所述第一陰極231相對(duì)的所述等離子體形成容器230的側(cè)面，用于放出電子。第二旁熱式陰極234設(shè)置于所述第二陰極233旁，所述第二陰極233放出的電子碰撞所述第二旁熱式陰極234后，進(jìn)入所述等離子體形成容器230。
[0041]在本實(shí)施例中，所述第一旁熱式陰極232和第二旁熱式陰極234均為一端開(kāi)口的筒狀，所述第一陰極231設(shè)置于筒狀的所述第一旁熱式陰極232的內(nèi)部，所述第二陰極233設(shè)置于筒狀的所述第二旁熱式陰極234的內(nèi)部。但所述第一旁熱式陰極232和第二旁熱式陰極234并不限于為一端開(kāi)口的筒狀，所述第一旁熱式陰極232和第二旁熱式陰極234還可以為板狀，設(shè)置在所述第一陰極231和第二陰極233的一旁，亦可以被電子碰撞后發(fā)出熱量，并向進(jìn)入所述等離子體形成容器230放出電子，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0042]其中，所述第一旁熱式陰極232間隙置于所述等離子體形成容器230的側(cè)面中，所述間隙Wl不宜過(guò)大，過(guò)大會(huì)漏氣，降低解離的效率，但所述所述間隙Wl也不宜過(guò)小，過(guò)小會(huì)造成所述等離子體形成容器230的側(cè)面與所述第一旁熱式陰極232之間短路，所以，所述間隙Wl較佳的為3mm?5mm，優(yōu)選4mm。同理，所述第二旁熱式陰極234間隙置于所述等離子體形成容器230的側(cè)面中，所述間隙W2較佳的為3mm?5mm,優(yōu)選4mm。
[0043]所述等離子體形成容器具有兩個(gè)相對(duì)的壁面，所述壁面與所述側(cè)面垂直設(shè)置，所述離子源200還包括一氣體進(jìn)入口 235和一開(kāi)口部236，所述氣體進(jìn)入口 235設(shè)置于所述等離子體形成容器230的壁面，為所述等離子體形成容器提供可電離氣體，所述開(kāi)口部236位于與所述氣體進(jìn)入口 235相對(duì)的所述等離子體形成容器230的壁面。當(dāng)電子進(jìn)入所述等離子體形成容器230后，與所述可電離氣體碰撞，引起可電離氣體的電離，在所述等離子體形成容器230內(nèi)生成等離子體，所述等離子體從開(kāi)口部236流出。
[0044]如圖4所示，本實(shí)施例的所述離子源200將現(xiàn)有技術(shù)中所述反射電極去除，在原來(lái)所述反射電極的位置設(shè)置所述第二陰極233，并在所述第二陰極233與所述等離子體形成容器230之間設(shè)置所述第二旁熱式陰極234。當(dāng)所述第一陰極231通電時(shí)，所述第二陰極233不通電，在第一陰極231的正負(fù)極之間接入直流工作電壓VI，使電流流過(guò)第一陰極231，對(duì)第一陰極231進(jìn)行加熱，從第一陰極231放出電子。第一旁熱式陰極232設(shè)置于第一陰極231旁，并使第一旁熱式陰極232連接更正的電位(一般要再接入一直流工作電壓V2),將所述第一陰極231放出的電子拉向第一旁熱式陰極232,并碰撞所述第一旁熱式陰極232。當(dāng)所述第一陰極231放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極232時(shí)，所述第一旁熱式陰極232被加熱，并從所述第一旁熱式陰極232放出更多的電子，進(jìn)入所述等離子體形成容器230內(nèi)部。此時(shí)，所述第二旁熱式陰極234連接正電位，以反射電子，以提高可電離氣體與電子碰撞的效率。較佳的，所述第一旁熱式陰極232和第二旁熱式陰極234的電位相等，可以降低電路的復(fù)雜程度。優(yōu)選的，所述第一旁熱式陰極232和第二旁熱式陰極234的電壓均為300V?600V。
[0045]當(dāng)所述第一陰極231損傷時(shí)，不需要停止所述離子源230工作，只需將所述第二陰極233通電，所述第一陰極231不通電，在第二陰極233的正負(fù)極之間接入直流工作電壓VI，使電流流過(guò)第二陰極233，對(duì)第二陰極233進(jìn)行加熱，從第二陰極233放出電子。第二旁熱式陰極234設(shè)置于第二陰極233旁，并使第二旁熱式陰極234連接更正的電位(一般要再接入一直流工作電壓V2)，將所述第二陰極233放出的電子拉向第二旁熱式陰極234，并碰撞所述第二旁熱式陰極234。當(dāng)所述第二陰極233放出的電子碰撞所述第二旁熱式陰極234時(shí)，所述第二旁熱式陰極234被加熱，并從所述第二旁熱式陰極234放出更多的電子，進(jìn)入所述等離子體形成容器230內(nèi)部。此時(shí)，所述第一旁熱式陰極232連接正電位，以反射電子，以提聞可電尚氣體與電子碰撞的效率。
[0046]所以，當(dāng)所述第一陰極231或第二陰極233損壞時(shí)，只需改變所述第一陰極231和第二陰極233的通電方式，就可以使所述離子源230繼續(xù)產(chǎn)生等離子體，避免打開(kāi)真空室210進(jìn)行維護(hù)，從而提高產(chǎn)能。
[0047]較佳的，所述離子源230還具有一電源連接端250，所述電源連接端250用于向所述第一陰極231、第一旁熱式陰極232、第二陰極233以及第二旁熱式陰極234提供電位。所述電源連接端250設(shè)置于所述真空室210的外部。例如，在本實(shí)施例中，所述電源連接端250設(shè)置于所述支撐盤(pán)220背離所述真空室210的一側(cè)，從而實(shí)現(xiàn)不打開(kāi)所述真空室210即可以切換所述第一陰極231和第二陰極233的導(dǎo)電方式。
[0048]如圖5所示，所述電源連接端250具有第一陰極接入端251、第一陰極接出端252、第二陰極接入端253以及第二陰極接出端254，所述第一陰極接入端251和第一陰極接出端252分別連接第一陰極231的正極和負(fù)極，所述第二陰極接入端253和第二陰極接出端254分別連接第二陰極253的正極和負(fù)極。當(dāng)在所述第一陰極接入端251和第一陰極接出端252施加工作電壓時(shí)，所述第一陰極231通電；或，當(dāng)在所述第二陰極接入端253和第二陰極接出端254施加工作電壓時(shí)，所述第二陰極233通電。
[0049]所述電源連接端250還具有第一旁熱式陰極連接端255和第二旁熱式陰極連接端256，所述第一旁熱式陰極連接端255和第二旁熱式陰極連接端256分別連接所述第一旁熱式陰極232和第二旁熱式陰極234，以為所述第一旁熱式陰極232和第二旁熱式陰極234提供電位。
[0050]本實(shí)施例的所述離子源200可以用于離子注入裝置，以對(duì)半導(dǎo)體晶圓(wafer)進(jìn)行離子注入工藝。
[0051]綜上所述，本發(fā)明提供一種離子源以及離子注入裝置，所述離子源具有真空室，所述真空室包括:等離子體形成容器；第一陰極，設(shè)置在所述等離子體形成容器的一側(cè)面，用于放出電子；第一旁熱式陰極，所述第一陰極放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器；第二陰極，設(shè)置在與所述第一陰極相對(duì)的所述等離子體形成容器的側(cè)面，用于放出電子；第二旁熱式陰極，所述第二陰極放出的電子碰撞所述第二旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的離子源具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0052]本發(fā)明的離子源以及離子注入裝置，將現(xiàn)有技術(shù)中所述反射電極去除，在原來(lái)所述反射電極的位置設(shè)置所述第二陰極，并在所述第二陰極與所述等離子體形成容器之間設(shè)置所述第二旁熱式陰極，當(dāng)所述第一陰極通電時(shí)，所述第一陰極發(fā)射電子，所述第二陰極不通電，所述第二旁熱式陰極可以反射電子，以提高可電離氣體與電子碰撞的效率；當(dāng)所述第一陰極損傷時(shí)，不需要停止所述離子源工作，只需將所述第二陰極通電，所述第二陰極發(fā)射電子，所述第一陰極不通電，所述第一旁熱式陰極可以反射電子，從而可以繼續(xù)產(chǎn)生等離子體，避免打開(kāi)真空室進(jìn)行維護(hù)，從而提高產(chǎn)能。
[0053]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種離子源，所述離子源具有一真空室，所述真空室包括一等離子體形成容器，所述等離子體形成容器包括: 兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面； 第一陰極，設(shè)置在所述等離子體形成容器的一側(cè)面中，用于放出電子； 第一旁熱式陰極，所述第一陰極放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器； 第二陰極，設(shè)置在所述等離子體形成容器的另一側(cè)面中，用于放出電子； 第二旁熱式陰極，所述第二陰極放出的電子碰撞所述第二旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器。
2.如權(quán)利要求1所述的離子源，其特征在于，所述第一陰極通電，所述第二陰極不通電；或，所述第二陰極通電，所述第一陰極不通電。
3.如權(quán)利要求2所述的離子源，其特征在于，所述離子源還具有一電源連接端，所述電源連接端具有第一陰極接入端、第一陰極接出端、第二陰極接入端以及第二陰極接出端，所述第一陰極接入端和第一陰極接出端分別連接第一陰極的正極和負(fù)極，所述第二陰極接入端和第二陰極接出端分別連接第二陰極的正極和負(fù)極；當(dāng)在所述第一陰極接入端和第一陰極接出端施加工作電壓時(shí)，所述第一陰極通電，當(dāng)在所述第二陰極接入端和第二陰極接出端施加工作電壓時(shí)，所述第二陰極通電。
4.如權(quán)利要求3所述的離子源，其特征在于，所述電源連接端還具有第一旁熱式陰極連接端和第二旁熱式陰極連接端，所述第一旁熱式陰極連接端和第二旁熱式陰極連接端分別連接所述第一旁熱式陰極和第二旁熱式陰極。
5.如權(quán)利要求3所述的離子源，其特征在于，所述電源連接端設(shè)置于所述真空室的外部。
6.如權(quán)利要求1所述的離子源，其特征在于，所述第一旁熱式陰極和第二旁熱式陰極的電位相等。
7.如權(quán)利要求6所述的離子源，其特征在于，所述第一旁熱式陰極和第二旁熱式陰極的電壓均為300V?600V。
8.如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的離子源，其特征在于，所述等離子體形成容器具有兩個(gè)相對(duì)的壁面，所述壁面與所述側(cè)面垂直設(shè)置，所述離子源還包括一氣體進(jìn)入口和一開(kāi)口部，所述氣體進(jìn)入口設(shè)置于所述等離子體形成容器的一壁面中，為所述等離子體形成容器提供可電離氣體，所述開(kāi)口部位于所述等離子體形成容器的另一壁面中。
9.如權(quán)利要求1所述的離子源，其特征在于，所述第一旁熱式陰極為一端開(kāi)口的筒狀，所述第一陰極設(shè)置于所述第一旁熱式陰極的內(nèi)部。
10.如權(quán)利要求9所述的離子源，其特征在于，所述第一旁熱式陰極間隙置于所述等離子體形成容器的側(cè)面中，所述間隙為3_?5_。
11.如權(quán)利要求1所述的離子源，其特征在于，所述第二旁熱式陰極為一端開(kāi)口的筒狀，所述第二陰極設(shè)置于所述第二旁熱式陰極的內(nèi)部。
12.如權(quán)利要求11所述的離子源，其特征在于，所述第二旁熱式陰極間隙置于所述等離子體形成容器的側(cè)面中，所述間隙為3mm?5_。
13.一種離子注入裝置，包括如權(quán)利要求1-12中任意一項(xiàng)所述的離子源。
【文檔編號(hào)】H01J37/08GK104425198SQ201310365575
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月20日
【發(fā)明者】許飛, 秦斌, 汪東, 周智, 於鵬飛 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司