技術(shù)編號：2854523
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明揭示了一種離子源以及離子注入裝置，所述離子源具有真空室，所述真空室包括等離子體形成容器；第一陰極，設(shè)置在所述等離子體形成容器的一側(cè)面，用于放出電子；第一旁熱式陰極，所述第一陰極放出的電子碰撞所述第一旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器；第二陰極，設(shè)置在與所述第一陰極相對的所述等離子體形成容器的側(cè)面，用于放出電子；第二旁熱式陰極，所述第二陰極放出的電子碰撞所述第二旁熱式陰極后，進(jìn)入所述等離子體形成容器。本發(fā)明的離子源，當(dāng)所述第一陰極或第二陰極損壞時，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。