等離子處理裝置以及等離子處理方法
等離子處理裝置以及等離子處理方法
【專利摘要】提供一種在蝕刻處理中精密地檢測(cè)處理對(duì)象的膜的剩余厚度的等離子處理裝置或者方法。檢測(cè)在處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度，從在上述處理中的任意時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間系列數(shù)據(jù)，使用與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間序列數(shù)據(jù)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)、和使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的基本微分波形圖案數(shù)據(jù)而制成的檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度，使用該剩余膜厚度判定達(dá)到上述處理的目標(biāo)。
【專利說(shuō)明】等離子處理裝置以及等離子處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體集成電路的制造等中對(duì)基板狀的樣品進(jìn)行蝕刻處理時(shí)檢測(cè)蝕刻結(jié)束點(diǎn)的等離子處理裝置或者等離子處理方法，特別涉及對(duì)包含在配置于真空容器內(nèi)的處理室內(nèi)的半導(dǎo)體晶片等基板狀的樣品的上表面預(yù)先設(shè)置的處理對(duì)象的膜的膜構(gòu)造，使用在處理室內(nèi)形成的等離子一邊進(jìn)行蝕刻一邊檢測(cè)處理的狀態(tài)的等離子處理裝置以及等離子處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在從半導(dǎo)體晶片等基板狀的樣品制造半導(dǎo)體器件的工序中，在形成于該晶片的表面上的各種材料的膜層、特別是介電材料的膜層的除去或者在該膜處的圖案形成中，廣泛使用采用形成于真空容器內(nèi)的處理室的等離子的干蝕刻技術(shù)。在使用了這種等離子的蝕刻處理裝置中，一般是使電場(chǎng)或者磁場(chǎng)作用于導(dǎo)入到作為真空容器內(nèi)的處理用空間的處理室內(nèi)的處理氣體而使其等離子化，使得到的等離子內(nèi)的離子等帶電粒子或高活性的粒子(基，radical)與包含預(yù)先配置于晶片表面的處理對(duì)象的膜層的膜構(gòu)造反應(yīng)，從而對(duì)該處理對(duì)象的膜進(jìn)行蝕刻加工。
[0003]在這種晶片的蝕刻處理中，已知在所形成的等離子的發(fā)光中的特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度伴隨被處理膜的蝕刻進(jìn)程而變化。因而，知道這樣的技術(shù)，在處理中檢測(cè)來(lái)自這種處理中的等離子的特定波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度的變化，根據(jù)其檢測(cè)的結(jié)果檢測(cè)膜通過(guò)蝕刻被除去或者達(dá)到了所希望的深度的蝕刻的終點(diǎn)。
[0004]特別是為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件更高的集成化、加工的微細(xì)化，重要的是在蝕刻處理的工序中使被處理膜的剩余厚度在規(guī)定值時(shí)結(jié)束處理。作為使這種被處理膜的厚度成為規(guī)定值而結(jié)束蝕刻處理的技術(shù)，已知有如下技術(shù)，利用與伴隨蝕刻的進(jìn)程而被處理膜的剩余厚度減少相應(yīng)地來(lái)自包含被處理膜的晶片表面的光形成干涉的波形這一現(xiàn)象，使用干涉的光(干涉光)的強(qiáng)度的變化來(lái)檢測(cè)剩余膜厚度。
[0005]例如，在專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了檢測(cè)干涉光的至少2種波長(zhǎng)，使用這些多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度值來(lái)檢測(cè)被處理膜的剩余厚度的技術(shù)。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了以下技術(shù)，即、檢測(cè)多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光，通過(guò)比較與預(yù)先求得的多個(gè)波長(zhǎng)的將波長(zhǎng)作為參數(shù)的干涉光的強(qiáng)度有關(guān)的數(shù)據(jù)的圖案和與實(shí)際得到的干涉光的強(qiáng)度有關(guān)的數(shù)據(jù)，檢測(cè)被處理膜的剩余厚度。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2001-085388號(hào)公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2003-083720號(hào)公報(bào)
[0008]上述以往技術(shù)在以下方面考慮不足，所以產(chǎn)生了問(wèn)題。
[0009]例如，知道通過(guò)LPCVD (低壓化學(xué)氣相沉積，Low Pressure Chemical VaporDeposit1n)成膜的氧化膜的厚度的重現(xiàn)性低，該重現(xiàn)性為10%左右。另一方面，在蝕刻工序中，即使被處理膜的厚度具有這種偏差，在專利文獻(xiàn)I或?qū)＠墨I(xiàn)2公開(kāi)的技術(shù)中，也可以通過(guò)檢測(cè)與剩余膜厚度的絕對(duì)值相應(yīng)的干涉光的強(qiáng)度的變化，高精度地檢測(cè)被處理膜的剩余厚度。
[0010]但是，在被處理膜的下層的膜即基底膜的膜是透過(guò)光的材質(zhì)、且對(duì)于每個(gè)樣品其厚度具有大的偏差的情況下，例如即使被處理膜的剩余厚度相同，在各個(gè)晶片中得到的干涉光的強(qiáng)度也不同，所以產(chǎn)生了不能準(zhǔn)確地檢測(cè)被處理膜的剩余厚度的問(wèn)題。這種問(wèn)題在上述以往技術(shù)中沒(méi)有被考慮。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]本發(fā)明的目的在于提供一種使用等離子在蝕刻處理中精密地檢測(cè)處理對(duì)象的膜的剩余厚度、或者能夠?qū)ζ溥M(jìn)行調(diào)節(jié)的半導(dǎo)體晶片等的等離子處理裝置以及等離子處理方法。
[0012]上述目的通過(guò)以下的等離子處理裝置或等離子處理方法實(shí)現(xiàn)，是具備配置在真空容器的內(nèi)部的處理室、以及配置在該處理室內(nèi)且將晶片載置在其上表面的樣品臺(tái)，使用在上述處理室內(nèi)形成的等離子處理包含在預(yù)先形成在上述晶片上表面的膜構(gòu)造中的處理對(duì)象膜的等離子處理裝置以及等離子處理方法，檢測(cè)在上述處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度，從在上述處理中的任意的時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間序列數(shù)據(jù)，使用將與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間系列數(shù)據(jù)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)和檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度，上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的基本微分波形圖案數(shù)據(jù)而制成，使用該剩余膜厚度來(lái)判定到達(dá)上述處理的目標(biāo)。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施例的等離子處理裝置的構(gòu)成的概略的圖。
[0014]圖2是示意性地表示圖1所示的等離子處理裝置中作為蝕刻處理對(duì)象的晶片上的膜構(gòu)造的圖。
[0015]圖3是表示圖2所示的膜構(gòu)造的干涉光的強(qiáng)度的值和基底膜的厚度關(guān)系的圖表。
[0016]圖4是表示檢測(cè)圖1所示的實(shí)施例的等離子處理裝置的蝕刻量的動(dòng)作的流程的流程圖。
[0017]圖5是表示在圖1所示的實(shí)施例中進(jìn)行了蝕刻處理的晶片的效果的圖表。
[0018](符號(hào)說(shuō)明)
[0019]1:等尚子處理裝置；2:真空處理室；3:等尚子；4:晶片；5:樣品臺(tái)；8:受:光器；9:蝕刻量檢測(cè)裝置；10:分光器；12 --第I數(shù)字濾波器；13:微分器；14 --第2數(shù)字濾波器；15:第I微分波形比較器；16:第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)；17:第2微分波形比較器；18:第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)；19:適合系數(shù)計(jì)算器；20:適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)制作器；21:適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)；22:第3微分波形比較器；23:剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器；24:回歸分析器；24:終點(diǎn)判定器；26:顯示器；201:多晶硅膜；202:氧化膜；203:基板；211:基底膜；212:基底膜。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下，使用【專利附圖】
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【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0021][實(shí)施例1]
[0022]以下，用圖1至圖5說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
[0023]圖1示出本發(fā)明的實(shí)施例的等離子處理裝置I。圖1是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施例的等離子處理裝置的構(gòu)成的概略的圖。
[0024]等離子處理裝置I具備配置在真空容器內(nèi)部的真空處理室2。另外，真空容器下部雖然未圖示，但與具有渦輪分子泵等的真空泵的排氣裝置連結(jié)。另外，其構(gòu)成為在具有圓筒形的真空容器的上方以及周圍配置未圖示的供給高頻電力的同軸纜線和天線或者傳播微波的波導(dǎo)管等電場(chǎng)的發(fā)生單元或者螺線管線圈等磁場(chǎng)的發(fā)生單元，可以向真空處理室2內(nèi)部供給電場(chǎng)或者磁場(chǎng)。
[0025]本實(shí)施例的等離子處理裝置I的真空容器的外側(cè)側(cè)壁經(jīng)由作為開(kāi)口的門與未圖示的其它真空容器連結(jié)。作為樣品的晶片4被搬運(yùn)到該其它真空容器內(nèi)部的經(jīng)過(guò)減壓的搬運(yùn)室內(nèi)，在真空處理室2之間被交換。
[0026]另外，在真空處理室2的下部的中央部，配置有在其上表面放置了晶片4的樣品臺(tái)5，該晶片4具有圓筒形狀。進(jìn)而，真空容器與未圖示的氣體供給用的供給管連結(jié)，氣體供給管與配置于真空處理室2的上部或者頂面的多個(gè)氣體導(dǎo)入孔連通。
[0027]將樣品4從搬運(yùn)室內(nèi)放置并保持在未圖示的機(jī)械臂等的搬運(yùn)裝置的前端部上，通過(guò)門搬入真空處理室2內(nèi)部，在樣品臺(tái)5的上方遞送至此。其后，機(jī)械臂從真空處理室2退出，門通過(guò)門閥氣密地堵塞而密封真空處理室2內(nèi)部。
[0028]進(jìn)而，在由作為晶片4的載置面的樣品臺(tái)5的電介質(zhì)構(gòu)成的上表面，晶片4通過(guò)靜電被吸附而保持。在晶片4的背面和樣品臺(tái)5的載置面之間供給He等熱傳導(dǎo)用的氣體，促進(jìn)晶片4和樣品臺(tái)5之間的熱傳導(dǎo)。
[0029]從氣體導(dǎo)入孔向真空處理室2內(nèi)部導(dǎo)入通過(guò)與氣體源連結(jié)的氣體供給管供給的處理用的氣體，并且通過(guò)排氣裝置的動(dòng)作對(duì)真空處理室2內(nèi)部排氣，真空處理室2內(nèi)部通過(guò)氣體的供給量速度和排氣量速度的平衡減壓到適合于半導(dǎo)體晶片等基板狀的樣品的處理的真空度的壓力。在該狀態(tài)下，從電場(chǎng)或者磁場(chǎng)的發(fā)生單元向真空處理室2內(nèi)部供給電場(chǎng)或者磁場(chǎng)，激發(fā)處理用氣體的粒子形成等離子3。在樣品臺(tái)5上的晶片4的上表面預(yù)先形成的層疊了多個(gè)膜的膜構(gòu)造通過(guò)包含在該等離子3中的帶電粒子或者具有高的反應(yīng)性的粒子(活性粒子)而被蝕刻。
[0030]包含在該等離子3中的受到激發(fā)的粒子將被提高的能量作為光釋放，所以等離子3產(chǎn)生發(fā)光。在真空處理室2的上方的頂面即真空容器的上部，配置用于接收該等離子的發(fā)光并進(jìn)行檢測(cè)的受光器等具有透光性部件的受光器8。等離子3的發(fā)光在直接或者由晶片上表面反射后，被受光器8接收，作為信號(hào)傳遞到與它電氣、光學(xué)連結(jié)或者連接的蝕刻量檢測(cè)裝置9。
[0031]用圖2說(shuō)明在本實(shí)施例中進(jìn)行蝕刻處理的膜構(gòu)造的典型的例子。圖2是示意性地表示圖1所示的等離子處理裝置中作為蝕刻處理對(duì)象的晶片上的膜構(gòu)造的圖。
[0032]如圖2(A)所示，本實(shí)施例的處理對(duì)象的膜構(gòu)造構(gòu)成為具有作為被處理膜的多晶硅膜201和作為在其下方與邊界接觸而配置的膜層即基底膜的氧化膜202和硅基板203。對(duì)這種構(gòu)成的膜構(gòu)造入射的來(lái)自等離子的光在各膜間的邊界或者界面部反射而發(fā)出反射光。在該反射光中存在在多晶硅膜201表面反射的反射光221、在多晶硅膜201和氧化膜202的邊界反射的反射光222、以及在氧化膜202和硅基板203的邊界反射的反射光223。
[0033]在這些反射光之間產(chǎn)生光程差，所以形成干涉光。另外，伴隨蝕刻的進(jìn)程作為被處理膜的多晶硅膜201的膜的厚度減少，所以發(fā)生各反射光的光程差變化而對(duì)于該光的每個(gè)波長(zhǎng)其強(qiáng)度變化的周期不同的干涉現(xiàn)象。這樣強(qiáng)度變化的干涉光在圖1的真空處理室2的上部經(jīng)由面向等離子3的受光器 8傳遞到蝕刻量檢測(cè)裝置9的分光器10。蝕刻量檢測(cè)裝置9從所傳遞的干涉光的信號(hào)中檢測(cè)干涉光的強(qiáng)度的值及其變化的量，根據(jù)其結(jié)果判定作為被處理膜的多晶硅膜201的蝕刻深度、剩余膜厚度等蝕刻量、到達(dá)處理的終點(diǎn)。
[0034]如圖1所示，本實(shí)施例的蝕刻量檢測(cè)裝置9具備:分光器10 ;第I數(shù)字濾波器12 ；微分器13 ;第2數(shù)字濾波器14 ;第I微分波形比較器15 ;第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16 ;第2微分波形比較器17 ;第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18 ;根據(jù)這些微分波形比較器的結(jié)果求比例的適合系數(shù)計(jì)算器19 ;使用適合系數(shù)計(jì)算器19計(jì)算出的適合系數(shù)制成適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)的適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)制作器20;適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21 ;第3微分波形比較器22 ;根據(jù)來(lái)自該第3微分波形比較器22的輸出計(jì)算被處理膜的剩余膜厚度并將它按照時(shí)間系列進(jìn)行記錄的剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23 ;使用由該剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23記錄的剩余膜厚度的時(shí)間系列數(shù)據(jù)計(jì)算當(dāng)前的剩余膜厚度的值的回歸分析器24 ;根據(jù)當(dāng)前的剩余膜厚度的值判定蝕刻的結(jié)束的終點(diǎn)判定器25 ;顯示終點(diǎn)判定器25的判定結(jié)果的顯示器26。
[0035]而且，本實(shí)施例的蝕刻量檢測(cè)裝置9除了顯示器26外，可以是通過(guò)有線或者無(wú)線通信線路連接有包含各個(gè)實(shí)現(xiàn)多個(gè)功能的微處理器等半導(dǎo)體器件的檢測(cè)用組件的檢測(cè)裝置，也可以由能夠?qū)崿F(xiàn)這些多個(gè)功能的I個(gè)半導(dǎo)體器件構(gòu)成。包含半導(dǎo)體器件的檢測(cè)用組件構(gòu)成為可通信地連接微處理器等運(yùn)算器、用于與外部對(duì)信號(hào)進(jìn)行通信的通信接口、存儲(chǔ)信號(hào)、數(shù)據(jù)、軟件的RAM、ROM、或者硬盤驅(qū)動(dòng)器、DC-ROM驅(qū)動(dòng)器等存儲(chǔ)裝置。
[0036]形成在真空處理室2內(nèi)的等離子3的發(fā)光在晶片4的上表面反射，通過(guò)受光器8傳遞到分光裝置10。通過(guò)接收到來(lái)自受光器8的信號(hào)的分光裝置10將干涉光的信號(hào)分光為規(guī)定的頻率，將各個(gè)波長(zhǎng)的強(qiáng)度變換為數(shù)字信號(hào)而輸出。
[0037]通過(guò)分光器10將在晶片4的處理中的任意時(shí)刻作為采樣信號(hào)輸出的多個(gè)特定波長(zhǎng)的信號(hào)作為時(shí)間系列數(shù)據(jù)yij存儲(chǔ)在未圖示的RAM等存儲(chǔ)裝置中。該時(shí)間系列數(shù)據(jù)yij傳遞到第I數(shù)據(jù)濾波器12進(jìn)行平滑化處理，作為平滑化時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yij存儲(chǔ)到RAM等存儲(chǔ)裝置。
[0038]接著，將平滑化時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yij傳遞到微分器13，計(jì)算該時(shí)間微分(微系數(shù))值(I階微分值或者2階微分值)的時(shí)間系列數(shù)據(jù)dij，存儲(chǔ)到RAM等的存儲(chǔ)裝置。微系數(shù)值的時(shí)間系列數(shù)據(jù)dij用第2數(shù)字濾波器14進(jìn)行平滑化處理，作為平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij存儲(chǔ)在RAM等的存儲(chǔ)裝置中。而后根據(jù)該平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij求出表示干涉光的強(qiáng)度的微分值的波長(zhǎng)依賴性(將波長(zhǎng)作為參數(shù))的微分波形的圖案(實(shí)圖案)。
[0039]在此，說(shuō)明平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Di的計(jì)算。在本實(shí)施例中，例如使用2階巴特沃斯(Butterworth)型的低通濾波器作為數(shù)字濾波器電路12。通過(guò)2階巴特沃斯型的低通濾波器進(jìn)行平滑化處理的平滑化時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yi用式(I)求得。
[0040]Yi=bl.yi+b2.yi_l+b3.yi_2_[a2.Yi_l+a3.Yi_2]…(I)
[0041]在此，系數(shù)b、a因采樣頻率以及截止頻率不同而數(shù)值不同。另外，本實(shí)施例中的數(shù)字濾波器的系數(shù)值例如使用 a2=-l.143，a3=0.4128, bl=0.067455，b2=_0.013491，b3=0.067455 (采樣頻率10Hz，截止頻率1Hz)。2階微系數(shù)值的時(shí)間系列數(shù)據(jù)di通過(guò)微分器13使用5個(gè)點(diǎn)的時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yi的多項(xiàng)式適合平滑化微分法來(lái)根據(jù)式(2)如以下那樣計(jì)算。
[0042]j=2
[0043]di=Xwj.Yi +j(2)
[0044]j=-2
[0045]在此,有關(guān)權(quán)重系數(shù)w 為 w_2=2, W^1=-1, w0=-2, W1=-1, w2=2。
[0046]使用上述微系數(shù)值的時(shí)間系列數(shù)據(jù)di，例如通過(guò)2階巴特沃斯型低通濾波器從式
(3)中如以下那樣求出平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Di作為數(shù)字濾波器電路14。
[0047]Di=bl.di+b2.di_l+b3.di_2-[a2.Di_l+a3.Di_2]...(3)
[0048]在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16中，在晶片4的處理之前預(yù)先存儲(chǔ)相對(duì)于被配置在具有規(guī)定的膜厚度的基底的氧化膜上方并且作為成為蝕刻量測(cè)定的對(duì)象的被處理膜的多晶硅的蝕刻處理中的剩余膜厚度的量(剩余膜量)的干涉光的強(qiáng)度的微分波形圖案數(shù)據(jù)值Plsj0在第I微分波形比較器15中，比較作為在晶片4的處理中實(shí)際得到的干涉光的微分波形數(shù)據(jù)的實(shí)圖案和存儲(chǔ)在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16中的微分波形圖案數(shù)據(jù)值Plsjdf算兩圖案之間的差值。
[0049]同樣，在第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中，預(yù)先設(shè)定相對(duì)于被配置在具有與上述第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16不同的規(guī)定的膜厚度的基底的氧化膜上方并且作為成為蝕刻量測(cè)定的對(duì)象的被處理膜的多晶硅的剩余膜量的干涉強(qiáng)度的微分波形圖案數(shù)據(jù)值P2sj。在第2微分波形比較器17中，比較作為在晶片4的處理中實(shí)際得到的干涉光的微分波形數(shù)據(jù)的實(shí)圖案和存儲(chǔ)在第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中的微分波形圖案數(shù)據(jù)值P2sj，計(jì)算兩圖案之間的差值。在本實(shí)施例中，作為存儲(chǔ)在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16和第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中用于檢測(cè)剩余膜量的厚度的數(shù)據(jù)而注冊(cè)的微分波形數(shù)據(jù)的每一個(gè)被用于相對(duì)于在任意的范圍具有作為偏差的基底膜的氧化膜202的膜厚度的上限以及下限值或者接近它們的值的膜厚度的氧化膜202的上方配置的并且作為成為蝕刻量測(cè)定的對(duì)象的被處理膜的多晶硅的蝕刻處理中的剩余膜厚度的量(剩余膜量)的干涉光的強(qiáng)度的微分波形圖案數(shù)據(jù)。
[0050]另一方面，圖2 (B)表示作為基底膜的氧化膜211、212的膜的厚度不同的晶片的剖面。已知通過(guò)LPCVD (低壓化學(xué)氣相沉積)成膜的氧化膜的膜的厚度的重現(xiàn)性低，其重現(xiàn)性可以說(shuō)大概為10%左右。
[0051]在這樣作為基底膜的氧化膜211、212的膜的厚度不同的情況下發(fā)生問(wèn)題。即使作為被處理膜的多晶硅的剩余膜量相同的情況下，當(dāng)作為基底膜的氧化膜211、212的膜的厚度不同時(shí)，如圖2 (C)所示，在作為基底膜的氧化膜和基板的邊界反射的光223和其他的反射光221、222的光程差不同。在干涉中，由該光程差決定干涉光的強(qiáng)度的極大極小，所以即使是在相同的多晶硅膜201的厚度處干涉光的強(qiáng)度的值也不同，根據(jù)干涉光的強(qiáng)度高精度檢測(cè)膜厚度是困難的。
[0052]圖3圖示了在光的波長(zhǎng)700nm處被處理膜是多晶硅、作為基底膜的氧化膜的膜厚度值是50nm、60nm、70nm的情況下的相對(duì)于多晶娃的剩余膜厚度的干涉強(qiáng)度的變化。圖3是表示圖2所示的膜構(gòu)造的干涉光的強(qiáng)度的值和基底膜的厚度的關(guān)系的圖表。
[0053]如圖3所示，如果基底氧化膜的膜厚度值不同，則干涉光的強(qiáng)度的變化不同。干涉光的強(qiáng)度的極小值在基底氧化膜的膜厚度值不同的晶片處多晶硅膜的剩余膜厚度不同。這意味著對(duì)于進(jìn)行利用干涉光的剩余膜厚度判定的裝置來(lái)說(shuō)，采用基底氧化膜的膜厚度值進(jìn)行判定的精度差。
[0054]在本實(shí)施例中，對(duì)于基底的氧化膜202的膜厚度的值不同的膜構(gòu)造，在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16以及第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中分別存儲(chǔ)與蝕刻處理對(duì)應(yīng)的微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)，將存儲(chǔ)在這些數(shù)據(jù)庫(kù)中的數(shù)據(jù)作為基本數(shù)據(jù)庫(kù)組合，重新制作圖案數(shù)據(jù)或者其數(shù)據(jù)庫(kù)，在膜厚度的檢測(cè)中使用該圖案數(shù)據(jù)，從而即使在基底氧化膜202的膜厚度的值發(fā)生偏差的情況下，也能夠高精度地判定其上方的多晶硅膜201的膜厚度或者終點(diǎn)。在圖1中，表示2個(gè)微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)，但也可以大于等于2個(gè)。
[0055]以下，在本實(shí)施例中，說(shuō)明將存儲(chǔ)在與不同膜厚度的氧化膜211、212各自相應(yīng)的微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)中的圖案數(shù)據(jù)作為基本數(shù)據(jù)進(jìn)行組合而計(jì)算膜厚度檢測(cè)用的微分波形的構(gòu)成。在第I微分波形比較器15以及第2微分波形比較器17的每一個(gè)中，求出存儲(chǔ)在第I微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)16、第2微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)18每一個(gè)中的微分波形數(shù)據(jù)的圖案、和在制造半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品用的晶片4的處理中得到的微分波形數(shù)據(jù)的實(shí)圖案的最小殘差σ sl(t)和os2 (t)。本例子的殘差如以下所示那樣使用各時(shí)間系列數(shù)據(jù)值的平方誤差的大小。
[0056]在傳遞該最小殘差σ si (t)和σ s2 (t)的值的適合系數(shù)計(jì)算器19中，用以下的式(4)計(jì)算適合系數(shù)a (t)輸出這兩個(gè)最小殘差之比。
[0057]a (t) = o s2(t)/(o sl(t) + o S2(t))…(4)
[0058]適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)制作器20使用所接收到的適合系數(shù)a (t)的值和微分波形圖案數(shù)據(jù)值Plsj以及P2sj，用下式(5)制成適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21而輸出到存儲(chǔ)裝置中來(lái)存儲(chǔ)。
[0059]NDBsj= a (t).Plsj+(l-a ⑴).P2sj…(5)
[0060]以下，第3微分波形比較器22比較適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21和實(shí)圖案，求出任意時(shí)刻的多晶硅膜的剩余膜厚度(瞬時(shí)膜厚度)，存儲(chǔ)到剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23中?；貧w分析器24使用記錄在剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23中的當(dāng)前時(shí)刻(任意的時(shí)刻)和在過(guò)去的多個(gè)時(shí)刻處的剩余膜厚度(瞬時(shí)膜厚度)，通過(guò)回歸運(yùn)算計(jì)算當(dāng)前的剩余膜厚度(計(jì)算膜厚度)。
[0061]將作為通過(guò)該回歸運(yùn)算所計(jì)算出的結(jié)果的剩余膜厚度傳遞到終點(diǎn)判定器25，終點(diǎn)判定器25比較預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)剩余厚度值和當(dāng)前的剩余膜厚度(計(jì)算)來(lái)判定目標(biāo)剩余膜厚度值是否小于等于當(dāng)前的剩余膜厚度(計(jì)算)。當(dāng)判定為小于等于目標(biāo)的情況下，判定為被處理膜的蝕刻量為規(guī)定值(達(dá)到修訂)，將結(jié)束蝕刻處理的指令發(fā)送到等離子處理裝置I。進(jìn)而，將該判定的結(jié)果傳遞到顯示器26，將該結(jié)果顯示在具有液晶或者CRT的顯示器26上來(lái)報(bào)告給使用者。而且，在顯示器26上還報(bào)告等離子處理裝置I的運(yùn)轉(zhuǎn)、動(dòng)作中的異常、動(dòng)作的錯(cuò)誤的信息。
[0062]接著，使用圖4的流程圖說(shuō)明在圖1的蝕刻量檢測(cè)裝置9中進(jìn)行蝕刻處理時(shí)求出被處理膜的蝕刻量的順序。圖4是表示檢測(cè)圖1所示的實(shí)施例的等離子處理裝置的蝕刻量的動(dòng)作的流程的流程圖。主要表示蝕刻量檢測(cè)裝置9的動(dòng)作的流程。
[0063]在本實(shí)施例中，在晶片4的處理之前，進(jìn)行作為被處理膜的多晶硅膜201的目標(biāo)的剩余膜厚度的值、和在其檢測(cè)或者判定中使用的存儲(chǔ)于第I微分波形圖案數(shù)據(jù)16和第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)中的圖案數(shù)據(jù)的設(shè)定(步驟300)。作為在這2個(gè)微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇的圖案數(shù)據(jù)，選擇并設(shè)定基底的氧化膜202為膜厚度不同的圖案數(shù)據(jù)。
[0064]另外，在本實(shí)施例中比較的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)是2個(gè)，但也可以大于等于2個(gè)。當(dāng)使用大于等于3個(gè)微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)的情況下，也可以從上述最小殘差osi (t)的更小的中選擇2個(gè)通過(guò)式(4)求出適合系數(shù)a (t)。
[0065]接著，使在真空處理室2內(nèi)開(kāi)始晶片4的處理而得到的干涉光的采樣(例如每
0.1?0.5秒)開(kāi)始(步驟301)。此時(shí)，伴隨蝕刻處理的開(kāi)始輸出采樣開(kāi)始命令。隨著蝕刻進(jìn)程，變化的多波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度傳遞到蝕刻量檢測(cè)裝置9的分光器10，用該光檢測(cè)器對(duì)每個(gè)規(guī)定的頻率檢測(cè)并輸出為與光的強(qiáng)度相應(yīng)的電壓的光檢測(cè)信號(hào)。
[0066]對(duì)分光器10的光檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行數(shù)字變換，取得作為與任意時(shí)刻對(duì)應(yīng)起來(lái)的數(shù)據(jù)信號(hào)的采樣信號(hào)yij。接著，對(duì)來(lái)自分光器10的多波長(zhǎng)輸出信號(hào)yij通過(guò)第I級(jí)數(shù)字濾波器電路12進(jìn)行平滑化，計(jì)算任意時(shí)刻的時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yij (步驟302)。
[0067]接著，向微分器13傳遞時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yij,通過(guò)S-G法(Savitzky - Golay method,移動(dòng)窗口擬和多項(xiàng)式法)計(jì)算時(shí)間系列的微系數(shù)dij (步驟303)。S卩，通過(guò)微分處理(S-G法)檢測(cè)信號(hào)波形的系數(shù)(I階或者2階)。
[0068]微系數(shù)dij傳遞到第2級(jí)數(shù)字濾波器電路14，計(jì)算平滑化(smoothing)微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij (步驟304)。所得到的平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij傳遞到第I微分波形比較器15以及第2微分波形比較器17。
[0069]在第I微分波形比較器15中，計(jì)算σ s (t) = V ( Σ (Di j-Plsj) 2/j)的值，成為最小的osl (t)(步驟305)。同樣，在第2微分波形比較器17中，計(jì)算σ s(t)= V (Σ (Dij-P2sj)2/j)的值，成為最小的 σ s2 (t)(步驟 306)。步驟 305、307 可以并行實(shí)施。所得到的osl (t)和os2 (t)傳遞到適合系數(shù)計(jì)算器19，根據(jù)它們計(jì)算適合系數(shù) a (t) = σ s2 (t) / ( σ si (t) + σ s2 (t))(步驟 307)。
[0070]向適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)制作器20傳遞所得到的適合系數(shù)a (t)，使用在第I微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)16中設(shè)定的微分波形數(shù)據(jù)圖案值以及在第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中設(shè)定的微分波形數(shù)據(jù)圖案值，通過(guò)式(5)制成適合微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中(步驟308)。第3微分波形比較器22對(duì)在步驟308中制成的適合微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21的數(shù)據(jù)值、和作為從在步驟304中制成的從平滑化微分系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij得到的微分波形圖案的實(shí)圖案的數(shù)據(jù)進(jìn)行圖案匹配，計(jì)算作為最適合的圖案數(shù)據(jù)而與成為最小的殘差的適合微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的剩余膜厚度作為該任意時(shí)刻(當(dāng)前時(shí)刻)處的瞬時(shí)膜厚度數(shù)據(jù)Zi (步驟309)。
[0071]使用在步驟309中在剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23中記錄的瞬時(shí)膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)Zi和處理中的過(guò)去的多個(gè)時(shí)刻處的瞬時(shí)膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)Zi，通過(guò)回歸分析器24計(jì)算當(dāng)前的計(jì)算膜厚度值并存儲(chǔ)(步驟310)。即，通過(guò)回歸分析器24的運(yùn)算，求I階回歸直線Y=Xa.t+Xb (Y:剩余膜量，t:蝕刻時(shí)間，Xa =Xa的絕對(duì)值是蝕刻速度，Xb初始膜厚度)，根據(jù)該回歸直線計(jì)算在當(dāng)前時(shí)刻處的蝕刻量(或者剩余膜量)，存儲(chǔ)到存儲(chǔ)裝置中(步驟310)。
[0072]而且，在步驟309中，比較的結(jié)果，實(shí)圖案的適合微分波形圖案數(shù)據(jù)的最小的殘差大于等于預(yù)先確定的閾值的情況下，也可以不將與成為該最小的殘差的適合微分波形圖案數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的膜厚度作為當(dāng)前時(shí)刻處的瞬時(shí)膜厚度數(shù)據(jù)Zi存儲(chǔ)。另外，也可以代替過(guò)去的處理中的時(shí)刻(例如緊挨當(dāng)前時(shí)刻之前的采樣時(shí)刻)的瞬時(shí)膜厚度數(shù)據(jù)Z1、經(jīng)過(guò)上述回歸運(yùn)算的結(jié)果，進(jìn)行在步驟310中的回歸分析器24的運(yùn)算作為當(dāng)前時(shí)刻的瞬時(shí)膜厚度Zi。
[0073]當(dāng)前的被處理膜的剩余膜量與預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)剩余膜厚度值(在步驟300中設(shè)定)比較，在判定為小于等于目標(biāo)剩余膜厚度值時(shí)，判定為達(dá)到了目標(biāo)，向等離子處理裝置I發(fā)送結(jié)束蝕刻處理的信號(hào)。當(dāng)判定為未達(dá)到的情況下，返回步驟302的處理(步驟311)。判定蝕刻的深度等蝕刻量(步驟311)，如果判定為其足夠，則最后進(jìn)行采樣結(jié)束的設(shè)定(步驟312)。
[0074]當(dāng)在步驟311中判定為達(dá)到了目標(biāo)的情況下，還可以不僅進(jìn)行結(jié)束蝕刻處理的控制，而且如進(jìn)行下一步驟的蝕刻處理那樣向等離子處理裝置I發(fā)送指令。例如，對(duì)于處理速度降低的過(guò)蝕刻處理、當(dāng)蝕刻處理對(duì)象的膜由多個(gè)膜層構(gòu)成的情況下適合于下層的層膜的處理，也可以改變等離子處理裝置I的運(yùn)行條件而實(shí)施該處理。
[0075]圖5表示本實(shí)施例的效果。圖5是表示在圖1所示的實(shí)施例中進(jìn)行了蝕刻處理的晶片效果的圖表。
[0076]在本圖中，表示在蝕刻基底氧化膜的厚度是60nm的晶片時(shí)的結(jié)果。圖5的0x50nm是與基底氧化膜的厚度是50nm的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)單獨(dú)的匹配結(jié)果，0x70nm是與基底氧化膜的厚度是70nm的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)單獨(dú)的匹配結(jié)果，適合DB (適合數(shù)據(jù)庫(kù))是基于本發(fā)明的結(jié)果，將基底氧化膜厚度是50nm和70nm的數(shù)據(jù)分別設(shè)定在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16和第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中，進(jìn)行圖案匹配的結(jié)果。
[0077]圖5 (B)是在被處理膜的剩余膜厚度30nm附近放大圖5 (A)的圖。在與作為圖5 (B)的0x70nm的基底氧化膜的厚度是70nm的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)單獨(dú)的匹配結(jié)果的情況下，檢測(cè)到在49.5秒處多晶硅的剩余膜量低于30nm。
[0078]在與作為圖5 (B)的0x50nm的基底氧化膜的厚度是50nm的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)單獨(dú)的匹配結(jié)果的情況下，檢測(cè)到在50.5秒處多晶硅的剩余膜量低于30nm。在把作為圖5(B)的適合DB的基底氧化膜的厚度是50nm和70nm的晶片分別設(shè)定在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)和第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)中的本發(fā)明算法中的處理結(jié)果中，檢測(cè)到在50.0秒處多晶娃的剩余膜量低于30nm。
[0079]在圖5 (B)中適合DB位于0x50nm和0x70nm正中間，表示基底氧化膜的膜厚度是60nm時(shí)的膜厚度推移。另外，基底氧化膜的膜厚度是50nm的結(jié)果知道最遲到達(dá)多晶硅的剩余膜量30nm。圖3所示的干涉強(qiáng)度的極小值取決于基底氧化膜的膜厚度值，隨著基底氧化膜的厚度變成70nm、60nm、50nm，極小值與多晶硅的剩余膜量增多相關(guān)。
[0080]另外，通過(guò)以上說(shuō)明，在本實(shí)施例中在基底氧化膜厚度的生產(chǎn)管理中也可以使用基底氧化膜的厚度信息。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子處理方法，是使用在處理室內(nèi)形成的等離子來(lái)對(duì)在載置于真空容器的內(nèi)部的上述處理室內(nèi)的晶片上表面預(yù)先形成的膜構(gòu)造所包含的處理對(duì)象的膜進(jìn)行處理的等離子處理方法，該等離子處理方法具備: 檢測(cè)在上述處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度的步驟； 從在上述處理中的任意的時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間系列數(shù)據(jù)的步驟； 使用與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間系列數(shù)據(jù)來(lái)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)的步驟； 使用比較了檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度的步驟，上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的基本微分波形圖案數(shù)據(jù)而制成；以及 使用上述剩余膜厚度來(lái)判定達(dá)到上述處理的目標(biāo)的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 在上述處理中的多個(gè)任意的時(shí)刻的每一個(gè)中，使用上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)制成上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和各時(shí)刻的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)后所得的結(jié)果，計(jì)算上述各時(shí)刻的剩余膜厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的等離子處理方法，其特征在于， 使用上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)的每一個(gè)、和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)的最小差的彼此的比率，內(nèi)插上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)，制成上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的等離子處理方法，其特征在于， 在上述任意的時(shí)刻，比較上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，在將它們的差成為最小的檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)的剩余膜厚度作為上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度進(jìn)行存儲(chǔ)，并且使用該任意的時(shí)刻的剩余膜厚度、和預(yù)先存儲(chǔ)的比上述處理中的上述任意的時(shí)刻靠前的時(shí)刻的上述剩余膜厚度，重新計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度， 使用上述重新計(jì)算出的上述剩余膜厚度來(lái)判定達(dá)到上述處理的目標(biāo)。
5.一種等離子處理裝置，具備配置在真空容器的內(nèi)部的處理室、以及配置在該處理室內(nèi)且將晶片載置在其上表面的樣品臺(tái)，該等離子處理裝置使用在上述處理室內(nèi)形成的等離子對(duì)在上述晶片的上表面預(yù)先形成的膜構(gòu)造所包含的處理對(duì)象的膜進(jìn)行處理， 檢測(cè)在上述處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度， 從在上述處理中的任意的時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間系列數(shù)據(jù)，使用與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間系列數(shù)據(jù)來(lái)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)和檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度，使用該剩余膜厚度來(lái)判定到達(dá)上述處理的目標(biāo)，上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的基本微分波形圖案數(shù)據(jù)而制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子處理裝置，其特征在于，在上述處理中的多個(gè)任意的時(shí)刻的每一個(gè)中，使用上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)制成上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和各時(shí)刻的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述各時(shí)刻的剩余膜厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或者6所述的等離子處理裝置，其特征在于， 使用上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)的每一個(gè)和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)的最小差的彼此的比率，內(nèi)插上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)，制成上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或者6所述的等離子處理裝置，其特征在于， 在上述任意的時(shí)刻，比較上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，在將它們的差成為最小的檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)的剩余膜厚度作為上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度進(jìn)行存儲(chǔ)，并且使用該任意的時(shí)刻的剩余膜厚度、和預(yù)先存儲(chǔ)的比上述處理中的上述任意的時(shí)刻靠前的時(shí)刻的上述剩余膜厚度，重新計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度，使用上述重新計(jì) 算的上述剩余膜厚度來(lái)判定達(dá)到上述處理的目標(biāo)。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK104078375SQ201310363078
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】中元茂, 臼井建人, 井上智己, 廣田侯然, 福地功祐 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立高新技術(shù)
【專利摘要】提供一種在蝕刻處理中精密地檢測(cè)處理對(duì)象的膜的剩余厚度的等離子處理裝置或者方法。檢測(cè)在處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度，從在上述處理中的任意時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間系列數(shù)據(jù)，使用與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間序列數(shù)據(jù)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)、和使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的基本微分波形圖案數(shù)據(jù)而制成的檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度，使用該剩余膜厚度判定達(dá)到上述處理的目標(biāo)。
【專利說(shuō)明】等離子處理裝置以及等離子處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體集成電路的制造等中對(duì)基板狀的樣品進(jìn)行蝕刻處理時(shí)檢測(cè)蝕刻結(jié)束點(diǎn)的等離子處理裝置或者等離子處理方法，特別涉及對(duì)包含在配置于真空容器內(nèi)的處理室內(nèi)的半導(dǎo)體晶片等基板狀的樣品的上表面預(yù)先設(shè)置的處理對(duì)象的膜的膜構(gòu)造，使用在處理室內(nèi)形成的等離子一邊進(jìn)行蝕刻一邊檢測(cè)處理的狀態(tài)的等離子處理裝置以及等離子處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在從半導(dǎo)體晶片等基板狀的樣品制造半導(dǎo)體器件的工序中，在形成于該晶片的表面上的各種材料的膜層、特別是介電材料的膜層的除去或者在該膜處的圖案形成中，廣泛使用采用形成于真空容器內(nèi)的處理室的等離子的干蝕刻技術(shù)。在使用了這種等離子的蝕刻處理裝置中，一般是使電場(chǎng)或者磁場(chǎng)作用于導(dǎo)入到作為真空容器內(nèi)的處理用空間的處理室內(nèi)的處理氣體而使其等離子化，使得到的等離子內(nèi)的離子等帶電粒子或高活性的粒子(基，radical)與包含預(yù)先配置于晶片表面的處理對(duì)象的膜層的膜構(gòu)造反應(yīng)，從而對(duì)該處理對(duì)象的膜進(jìn)行蝕刻加工。
[0003]在這種晶片的蝕刻處理中，已知在所形成的等離子的發(fā)光中的特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度伴隨被處理膜的蝕刻進(jìn)程而變化。因而，知道這樣的技術(shù)，在處理中檢測(cè)來(lái)自這種處理中的等離子的特定波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度的變化，根據(jù)其檢測(cè)的結(jié)果檢測(cè)膜通過(guò)蝕刻被除去或者達(dá)到了所希望的深度的蝕刻的終點(diǎn)。
[0004]特別是為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件更高的集成化、加工的微細(xì)化，重要的是在蝕刻處理的工序中使被處理膜的剩余厚度在規(guī)定值時(shí)結(jié)束處理。作為使這種被處理膜的厚度成為規(guī)定值而結(jié)束蝕刻處理的技術(shù)，已知有如下技術(shù)，利用與伴隨蝕刻的進(jìn)程而被處理膜的剩余厚度減少相應(yīng)地來(lái)自包含被處理膜的晶片表面的光形成干涉的波形這一現(xiàn)象，使用干涉的光(干涉光)的強(qiáng)度的變化來(lái)檢測(cè)剩余膜厚度。
[0005]例如，在專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了檢測(cè)干涉光的至少2種波長(zhǎng)，使用這些多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度值來(lái)檢測(cè)被處理膜的剩余厚度的技術(shù)。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了以下技術(shù)，即、檢測(cè)多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光，通過(guò)比較與預(yù)先求得的多個(gè)波長(zhǎng)的將波長(zhǎng)作為參數(shù)的干涉光的強(qiáng)度有關(guān)的數(shù)據(jù)的圖案和與實(shí)際得到的干涉光的強(qiáng)度有關(guān)的數(shù)據(jù)，檢測(cè)被處理膜的剩余厚度。
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2001-085388號(hào)公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2003-083720號(hào)公報(bào)
[0008]上述以往技術(shù)在以下方面考慮不足，所以產(chǎn)生了問(wèn)題。
[0009]例如，知道通過(guò)LPCVD (低壓化學(xué)氣相沉積，Low Pressure Chemical VaporDeposit1n)成膜的氧化膜的厚度的重現(xiàn)性低，該重現(xiàn)性為10%左右。另一方面，在蝕刻工序中，即使被處理膜的厚度具有這種偏差，在專利文獻(xiàn)I或?qū)＠墨I(xiàn)2公開(kāi)的技術(shù)中，也可以通過(guò)檢測(cè)與剩余膜厚度的絕對(duì)值相應(yīng)的干涉光的強(qiáng)度的變化，高精度地檢測(cè)被處理膜的剩余厚度。
[0010]但是，在被處理膜的下層的膜即基底膜的膜是透過(guò)光的材質(zhì)、且對(duì)于每個(gè)樣品其厚度具有大的偏差的情況下，例如即使被處理膜的剩余厚度相同，在各個(gè)晶片中得到的干涉光的強(qiáng)度也不同，所以產(chǎn)生了不能準(zhǔn)確地檢測(cè)被處理膜的剩余厚度的問(wèn)題。這種問(wèn)題在上述以往技術(shù)中沒(méi)有被考慮。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]本發(fā)明的目的在于提供一種使用等離子在蝕刻處理中精密地檢測(cè)處理對(duì)象的膜的剩余厚度、或者能夠?qū)ζ溥M(jìn)行調(diào)節(jié)的半導(dǎo)體晶片等的等離子處理裝置以及等離子處理方法。
[0012]上述目的通過(guò)以下的等離子處理裝置或等離子處理方法實(shí)現(xiàn)，是具備配置在真空容器的內(nèi)部的處理室、以及配置在該處理室內(nèi)且將晶片載置在其上表面的樣品臺(tái)，使用在上述處理室內(nèi)形成的等離子處理包含在預(yù)先形成在上述晶片上表面的膜構(gòu)造中的處理對(duì)象膜的等離子處理裝置以及等離子處理方法，檢測(cè)在上述處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度，從在上述處理中的任意的時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間序列數(shù)據(jù)，使用將與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間系列數(shù)據(jù)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)和檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度，上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的基本微分波形圖案數(shù)據(jù)而制成，使用該剩余膜厚度來(lái)判定到達(dá)上述處理的目標(biāo)。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施例的等離子處理裝置的構(gòu)成的概略的圖。
[0014]圖2是示意性地表示圖1所示的等離子處理裝置中作為蝕刻處理對(duì)象的晶片上的膜構(gòu)造的圖。
[0015]圖3是表示圖2所示的膜構(gòu)造的干涉光的強(qiáng)度的值和基底膜的厚度關(guān)系的圖表。
[0016]圖4是表示檢測(cè)圖1所示的實(shí)施例的等離子處理裝置的蝕刻量的動(dòng)作的流程的流程圖。
[0017]圖5是表示在圖1所示的實(shí)施例中進(jìn)行了蝕刻處理的晶片的效果的圖表。
[0018](符號(hào)說(shuō)明)
[0019]1:等尚子處理裝置；2:真空處理室；3:等尚子；4:晶片；5:樣品臺(tái)；8:受:光器；9:蝕刻量檢測(cè)裝置；10:分光器；12 --第I數(shù)字濾波器；13:微分器；14 --第2數(shù)字濾波器；15:第I微分波形比較器；16:第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)；17:第2微分波形比較器；18:第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)；19:適合系數(shù)計(jì)算器；20:適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)制作器；21:適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)；22:第3微分波形比較器；23:剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器；24:回歸分析器；24:終點(diǎn)判定器；26:顯示器；201:多晶硅膜；202:氧化膜；203:基板；211:基底膜；212:基底膜。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下，使用【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0021][實(shí)施例1]
[0022]以下，用圖1至圖5說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
[0023]圖1示出本發(fā)明的實(shí)施例的等離子處理裝置I。圖1是示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施例的等離子處理裝置的構(gòu)成的概略的圖。
[0024]等離子處理裝置I具備配置在真空容器內(nèi)部的真空處理室2。另外，真空容器下部雖然未圖示，但與具有渦輪分子泵等的真空泵的排氣裝置連結(jié)。另外，其構(gòu)成為在具有圓筒形的真空容器的上方以及周圍配置未圖示的供給高頻電力的同軸纜線和天線或者傳播微波的波導(dǎo)管等電場(chǎng)的發(fā)生單元或者螺線管線圈等磁場(chǎng)的發(fā)生單元，可以向真空處理室2內(nèi)部供給電場(chǎng)或者磁場(chǎng)。
[0025]本實(shí)施例的等離子處理裝置I的真空容器的外側(cè)側(cè)壁經(jīng)由作為開(kāi)口的門與未圖示的其它真空容器連結(jié)。作為樣品的晶片4被搬運(yùn)到該其它真空容器內(nèi)部的經(jīng)過(guò)減壓的搬運(yùn)室內(nèi)，在真空處理室2之間被交換。
[0026]另外，在真空處理室2的下部的中央部，配置有在其上表面放置了晶片4的樣品臺(tái)5，該晶片4具有圓筒形狀。進(jìn)而，真空容器與未圖示的氣體供給用的供給管連結(jié)，氣體供給管與配置于真空處理室2的上部或者頂面的多個(gè)氣體導(dǎo)入孔連通。
[0027]將樣品4從搬運(yùn)室內(nèi)放置并保持在未圖示的機(jī)械臂等的搬運(yùn)裝置的前端部上，通過(guò)門搬入真空處理室2內(nèi)部，在樣品臺(tái)5的上方遞送至此。其后，機(jī)械臂從真空處理室2退出，門通過(guò)門閥氣密地堵塞而密封真空處理室2內(nèi)部。
[0028]進(jìn)而，在由作為晶片4的載置面的樣品臺(tái)5的電介質(zhì)構(gòu)成的上表面，晶片4通過(guò)靜電被吸附而保持。在晶片4的背面和樣品臺(tái)5的載置面之間供給He等熱傳導(dǎo)用的氣體，促進(jìn)晶片4和樣品臺(tái)5之間的熱傳導(dǎo)。
[0029]從氣體導(dǎo)入孔向真空處理室2內(nèi)部導(dǎo)入通過(guò)與氣體源連結(jié)的氣體供給管供給的處理用的氣體，并且通過(guò)排氣裝置的動(dòng)作對(duì)真空處理室2內(nèi)部排氣，真空處理室2內(nèi)部通過(guò)氣體的供給量速度和排氣量速度的平衡減壓到適合于半導(dǎo)體晶片等基板狀的樣品的處理的真空度的壓力。在該狀態(tài)下，從電場(chǎng)或者磁場(chǎng)的發(fā)生單元向真空處理室2內(nèi)部供給電場(chǎng)或者磁場(chǎng)，激發(fā)處理用氣體的粒子形成等離子3。在樣品臺(tái)5上的晶片4的上表面預(yù)先形成的層疊了多個(gè)膜的膜構(gòu)造通過(guò)包含在該等離子3中的帶電粒子或者具有高的反應(yīng)性的粒子(活性粒子)而被蝕刻。
[0030]包含在該等離子3中的受到激發(fā)的粒子將被提高的能量作為光釋放，所以等離子3產(chǎn)生發(fā)光。在真空處理室2的上方的頂面即真空容器的上部，配置用于接收該等離子的發(fā)光并進(jìn)行檢測(cè)的受光器等具有透光性部件的受光器8。等離子3的發(fā)光在直接或者由晶片上表面反射后，被受光器8接收，作為信號(hào)傳遞到與它電氣、光學(xué)連結(jié)或者連接的蝕刻量檢測(cè)裝置9。
[0031]用圖2說(shuō)明在本實(shí)施例中進(jìn)行蝕刻處理的膜構(gòu)造的典型的例子。圖2是示意性地表示圖1所示的等離子處理裝置中作為蝕刻處理對(duì)象的晶片上的膜構(gòu)造的圖。
[0032]如圖2(A)所示，本實(shí)施例的處理對(duì)象的膜構(gòu)造構(gòu)成為具有作為被處理膜的多晶硅膜201和作為在其下方與邊界接觸而配置的膜層即基底膜的氧化膜202和硅基板203。對(duì)這種構(gòu)成的膜構(gòu)造入射的來(lái)自等離子的光在各膜間的邊界或者界面部反射而發(fā)出反射光。在該反射光中存在在多晶硅膜201表面反射的反射光221、在多晶硅膜201和氧化膜202的邊界反射的反射光222、以及在氧化膜202和硅基板203的邊界反射的反射光223。
[0033]在這些反射光之間產(chǎn)生光程差，所以形成干涉光。另外，伴隨蝕刻的進(jìn)程作為被處理膜的多晶硅膜201的膜的厚度減少，所以發(fā)生各反射光的光程差變化而對(duì)于該光的每個(gè)波長(zhǎng)其強(qiáng)度變化的周期不同的干涉現(xiàn)象。這樣強(qiáng)度變化的干涉光在圖1的真空處理室2的上部經(jīng)由面向等離子3的受光器 8傳遞到蝕刻量檢測(cè)裝置9的分光器10。蝕刻量檢測(cè)裝置9從所傳遞的干涉光的信號(hào)中檢測(cè)干涉光的強(qiáng)度的值及其變化的量，根據(jù)其結(jié)果判定作為被處理膜的多晶硅膜201的蝕刻深度、剩余膜厚度等蝕刻量、到達(dá)處理的終點(diǎn)。
[0034]如圖1所示，本實(shí)施例的蝕刻量檢測(cè)裝置9具備:分光器10 ;第I數(shù)字濾波器12 ；微分器13 ;第2數(shù)字濾波器14 ;第I微分波形比較器15 ;第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16 ;第2微分波形比較器17 ;第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18 ;根據(jù)這些微分波形比較器的結(jié)果求比例的適合系數(shù)計(jì)算器19 ;使用適合系數(shù)計(jì)算器19計(jì)算出的適合系數(shù)制成適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)的適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)制作器20;適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21 ;第3微分波形比較器22 ;根據(jù)來(lái)自該第3微分波形比較器22的輸出計(jì)算被處理膜的剩余膜厚度并將它按照時(shí)間系列進(jìn)行記錄的剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23 ;使用由該剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23記錄的剩余膜厚度的時(shí)間系列數(shù)據(jù)計(jì)算當(dāng)前的剩余膜厚度的值的回歸分析器24 ;根據(jù)當(dāng)前的剩余膜厚度的值判定蝕刻的結(jié)束的終點(diǎn)判定器25 ;顯示終點(diǎn)判定器25的判定結(jié)果的顯示器26。
[0035]而且，本實(shí)施例的蝕刻量檢測(cè)裝置9除了顯示器26外，可以是通過(guò)有線或者無(wú)線通信線路連接有包含各個(gè)實(shí)現(xiàn)多個(gè)功能的微處理器等半導(dǎo)體器件的檢測(cè)用組件的檢測(cè)裝置，也可以由能夠?qū)崿F(xiàn)這些多個(gè)功能的I個(gè)半導(dǎo)體器件構(gòu)成。包含半導(dǎo)體器件的檢測(cè)用組件構(gòu)成為可通信地連接微處理器等運(yùn)算器、用于與外部對(duì)信號(hào)進(jìn)行通信的通信接口、存儲(chǔ)信號(hào)、數(shù)據(jù)、軟件的RAM、ROM、或者硬盤驅(qū)動(dòng)器、DC-ROM驅(qū)動(dòng)器等存儲(chǔ)裝置。
[0036]形成在真空處理室2內(nèi)的等離子3的發(fā)光在晶片4的上表面反射，通過(guò)受光器8傳遞到分光裝置10。通過(guò)接收到來(lái)自受光器8的信號(hào)的分光裝置10將干涉光的信號(hào)分光為規(guī)定的頻率，將各個(gè)波長(zhǎng)的強(qiáng)度變換為數(shù)字信號(hào)而輸出。
[0037]通過(guò)分光器10將在晶片4的處理中的任意時(shí)刻作為采樣信號(hào)輸出的多個(gè)特定波長(zhǎng)的信號(hào)作為時(shí)間系列數(shù)據(jù)yij存儲(chǔ)在未圖示的RAM等存儲(chǔ)裝置中。該時(shí)間系列數(shù)據(jù)yij傳遞到第I數(shù)據(jù)濾波器12進(jìn)行平滑化處理，作為平滑化時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yij存儲(chǔ)到RAM等存儲(chǔ)裝置。
[0038]接著，將平滑化時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yij傳遞到微分器13，計(jì)算該時(shí)間微分(微系數(shù))值(I階微分值或者2階微分值)的時(shí)間系列數(shù)據(jù)dij，存儲(chǔ)到RAM等的存儲(chǔ)裝置。微系數(shù)值的時(shí)間系列數(shù)據(jù)dij用第2數(shù)字濾波器14進(jìn)行平滑化處理，作為平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij存儲(chǔ)在RAM等的存儲(chǔ)裝置中。而后根據(jù)該平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij求出表示干涉光的強(qiáng)度的微分值的波長(zhǎng)依賴性(將波長(zhǎng)作為參數(shù))的微分波形的圖案(實(shí)圖案)。
[0039]在此，說(shuō)明平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Di的計(jì)算。在本實(shí)施例中，例如使用2階巴特沃斯(Butterworth)型的低通濾波器作為數(shù)字濾波器電路12。通過(guò)2階巴特沃斯型的低通濾波器進(jìn)行平滑化處理的平滑化時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yi用式(I)求得。
[0040]Yi=bl.yi+b2.yi_l+b3.yi_2_[a2.Yi_l+a3.Yi_2]…(I)
[0041]在此，系數(shù)b、a因采樣頻率以及截止頻率不同而數(shù)值不同。另外，本實(shí)施例中的數(shù)字濾波器的系數(shù)值例如使用 a2=-l.143，a3=0.4128, bl=0.067455，b2=_0.013491，b3=0.067455 (采樣頻率10Hz，截止頻率1Hz)。2階微系數(shù)值的時(shí)間系列數(shù)據(jù)di通過(guò)微分器13使用5個(gè)點(diǎn)的時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yi的多項(xiàng)式適合平滑化微分法來(lái)根據(jù)式(2)如以下那樣計(jì)算。
[0042]j=2
[0043]di=Xwj.Yi +j(2)
[0044]j=-2
[0045]在此,有關(guān)權(quán)重系數(shù)w 為 w_2=2, W^1=-1, w0=-2, W1=-1, w2=2。
[0046]使用上述微系數(shù)值的時(shí)間系列數(shù)據(jù)di，例如通過(guò)2階巴特沃斯型低通濾波器從式
(3)中如以下那樣求出平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Di作為數(shù)字濾波器電路14。
[0047]Di=bl.di+b2.di_l+b3.di_2-[a2.Di_l+a3.Di_2]...(3)
[0048]在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16中，在晶片4的處理之前預(yù)先存儲(chǔ)相對(duì)于被配置在具有規(guī)定的膜厚度的基底的氧化膜上方并且作為成為蝕刻量測(cè)定的對(duì)象的被處理膜的多晶硅的蝕刻處理中的剩余膜厚度的量(剩余膜量)的干涉光的強(qiáng)度的微分波形圖案數(shù)據(jù)值Plsj0在第I微分波形比較器15中，比較作為在晶片4的處理中實(shí)際得到的干涉光的微分波形數(shù)據(jù)的實(shí)圖案和存儲(chǔ)在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16中的微分波形圖案數(shù)據(jù)值Plsjdf算兩圖案之間的差值。
[0049]同樣，在第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中，預(yù)先設(shè)定相對(duì)于被配置在具有與上述第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16不同的規(guī)定的膜厚度的基底的氧化膜上方并且作為成為蝕刻量測(cè)定的對(duì)象的被處理膜的多晶硅的剩余膜量的干涉強(qiáng)度的微分波形圖案數(shù)據(jù)值P2sj。在第2微分波形比較器17中，比較作為在晶片4的處理中實(shí)際得到的干涉光的微分波形數(shù)據(jù)的實(shí)圖案和存儲(chǔ)在第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中的微分波形圖案數(shù)據(jù)值P2sj，計(jì)算兩圖案之間的差值。在本實(shí)施例中，作為存儲(chǔ)在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16和第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中用于檢測(cè)剩余膜量的厚度的數(shù)據(jù)而注冊(cè)的微分波形數(shù)據(jù)的每一個(gè)被用于相對(duì)于在任意的范圍具有作為偏差的基底膜的氧化膜202的膜厚度的上限以及下限值或者接近它們的值的膜厚度的氧化膜202的上方配置的并且作為成為蝕刻量測(cè)定的對(duì)象的被處理膜的多晶硅的蝕刻處理中的剩余膜厚度的量(剩余膜量)的干涉光的強(qiáng)度的微分波形圖案數(shù)據(jù)。
[0050]另一方面，圖2 (B)表示作為基底膜的氧化膜211、212的膜的厚度不同的晶片的剖面。已知通過(guò)LPCVD (低壓化學(xué)氣相沉積)成膜的氧化膜的膜的厚度的重現(xiàn)性低，其重現(xiàn)性可以說(shuō)大概為10%左右。
[0051]在這樣作為基底膜的氧化膜211、212的膜的厚度不同的情況下發(fā)生問(wèn)題。即使作為被處理膜的多晶硅的剩余膜量相同的情況下，當(dāng)作為基底膜的氧化膜211、212的膜的厚度不同時(shí)，如圖2 (C)所示，在作為基底膜的氧化膜和基板的邊界反射的光223和其他的反射光221、222的光程差不同。在干涉中，由該光程差決定干涉光的強(qiáng)度的極大極小，所以即使是在相同的多晶硅膜201的厚度處干涉光的強(qiáng)度的值也不同，根據(jù)干涉光的強(qiáng)度高精度檢測(cè)膜厚度是困難的。
[0052]圖3圖示了在光的波長(zhǎng)700nm處被處理膜是多晶硅、作為基底膜的氧化膜的膜厚度值是50nm、60nm、70nm的情況下的相對(duì)于多晶娃的剩余膜厚度的干涉強(qiáng)度的變化。圖3是表示圖2所示的膜構(gòu)造的干涉光的強(qiáng)度的值和基底膜的厚度的關(guān)系的圖表。
[0053]如圖3所示，如果基底氧化膜的膜厚度值不同，則干涉光的強(qiáng)度的變化不同。干涉光的強(qiáng)度的極小值在基底氧化膜的膜厚度值不同的晶片處多晶硅膜的剩余膜厚度不同。這意味著對(duì)于進(jìn)行利用干涉光的剩余膜厚度判定的裝置來(lái)說(shuō)，采用基底氧化膜的膜厚度值進(jìn)行判定的精度差。
[0054]在本實(shí)施例中，對(duì)于基底的氧化膜202的膜厚度的值不同的膜構(gòu)造，在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16以及第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中分別存儲(chǔ)與蝕刻處理對(duì)應(yīng)的微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)，將存儲(chǔ)在這些數(shù)據(jù)庫(kù)中的數(shù)據(jù)作為基本數(shù)據(jù)庫(kù)組合，重新制作圖案數(shù)據(jù)或者其數(shù)據(jù)庫(kù)，在膜厚度的檢測(cè)中使用該圖案數(shù)據(jù)，從而即使在基底氧化膜202的膜厚度的值發(fā)生偏差的情況下，也能夠高精度地判定其上方的多晶硅膜201的膜厚度或者終點(diǎn)。在圖1中，表示2個(gè)微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)，但也可以大于等于2個(gè)。
[0055]以下，在本實(shí)施例中，說(shuō)明將存儲(chǔ)在與不同膜厚度的氧化膜211、212各自相應(yīng)的微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)中的圖案數(shù)據(jù)作為基本數(shù)據(jù)進(jìn)行組合而計(jì)算膜厚度檢測(cè)用的微分波形的構(gòu)成。在第I微分波形比較器15以及第2微分波形比較器17的每一個(gè)中，求出存儲(chǔ)在第I微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)16、第2微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)18每一個(gè)中的微分波形數(shù)據(jù)的圖案、和在制造半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品用的晶片4的處理中得到的微分波形數(shù)據(jù)的實(shí)圖案的最小殘差σ sl(t)和os2 (t)。本例子的殘差如以下所示那樣使用各時(shí)間系列數(shù)據(jù)值的平方誤差的大小。
[0056]在傳遞該最小殘差σ si (t)和σ s2 (t)的值的適合系數(shù)計(jì)算器19中，用以下的式(4)計(jì)算適合系數(shù)a (t)輸出這兩個(gè)最小殘差之比。
[0057]a (t) = o s2(t)/(o sl(t) + o S2(t))…(4)
[0058]適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)制作器20使用所接收到的適合系數(shù)a (t)的值和微分波形圖案數(shù)據(jù)值Plsj以及P2sj，用下式(5)制成適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21而輸出到存儲(chǔ)裝置中來(lái)存儲(chǔ)。
[0059]NDBsj= a (t).Plsj+(l-a ⑴).P2sj…(5)
[0060]以下，第3微分波形比較器22比較適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21和實(shí)圖案，求出任意時(shí)刻的多晶硅膜的剩余膜厚度(瞬時(shí)膜厚度)，存儲(chǔ)到剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23中?；貧w分析器24使用記錄在剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23中的當(dāng)前時(shí)刻(任意的時(shí)刻)和在過(guò)去的多個(gè)時(shí)刻處的剩余膜厚度(瞬時(shí)膜厚度)，通過(guò)回歸運(yùn)算計(jì)算當(dāng)前的剩余膜厚度(計(jì)算膜厚度)。
[0061]將作為通過(guò)該回歸運(yùn)算所計(jì)算出的結(jié)果的剩余膜厚度傳遞到終點(diǎn)判定器25，終點(diǎn)判定器25比較預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)剩余厚度值和當(dāng)前的剩余膜厚度(計(jì)算)來(lái)判定目標(biāo)剩余膜厚度值是否小于等于當(dāng)前的剩余膜厚度(計(jì)算)。當(dāng)判定為小于等于目標(biāo)的情況下，判定為被處理膜的蝕刻量為規(guī)定值(達(dá)到修訂)，將結(jié)束蝕刻處理的指令發(fā)送到等離子處理裝置I。進(jìn)而，將該判定的結(jié)果傳遞到顯示器26，將該結(jié)果顯示在具有液晶或者CRT的顯示器26上來(lái)報(bào)告給使用者。而且，在顯示器26上還報(bào)告等離子處理裝置I的運(yùn)轉(zhuǎn)、動(dòng)作中的異常、動(dòng)作的錯(cuò)誤的信息。
[0062]接著，使用圖4的流程圖說(shuō)明在圖1的蝕刻量檢測(cè)裝置9中進(jìn)行蝕刻處理時(shí)求出被處理膜的蝕刻量的順序。圖4是表示檢測(cè)圖1所示的實(shí)施例的等離子處理裝置的蝕刻量的動(dòng)作的流程的流程圖。主要表示蝕刻量檢測(cè)裝置9的動(dòng)作的流程。
[0063]在本實(shí)施例中，在晶片4的處理之前，進(jìn)行作為被處理膜的多晶硅膜201的目標(biāo)的剩余膜厚度的值、和在其檢測(cè)或者判定中使用的存儲(chǔ)于第I微分波形圖案數(shù)據(jù)16和第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)中的圖案數(shù)據(jù)的設(shè)定(步驟300)。作為在這2個(gè)微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)中選擇的圖案數(shù)據(jù)，選擇并設(shè)定基底的氧化膜202為膜厚度不同的圖案數(shù)據(jù)。
[0064]另外，在本實(shí)施例中比較的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)是2個(gè)，但也可以大于等于2個(gè)。當(dāng)使用大于等于3個(gè)微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)的情況下，也可以從上述最小殘差osi (t)的更小的中選擇2個(gè)通過(guò)式(4)求出適合系數(shù)a (t)。
[0065]接著，使在真空處理室2內(nèi)開(kāi)始晶片4的處理而得到的干涉光的采樣(例如每
0.1?0.5秒)開(kāi)始(步驟301)。此時(shí)，伴隨蝕刻處理的開(kāi)始輸出采樣開(kāi)始命令。隨著蝕刻進(jìn)程，變化的多波長(zhǎng)的發(fā)光強(qiáng)度傳遞到蝕刻量檢測(cè)裝置9的分光器10，用該光檢測(cè)器對(duì)每個(gè)規(guī)定的頻率檢測(cè)并輸出為與光的強(qiáng)度相應(yīng)的電壓的光檢測(cè)信號(hào)。
[0066]對(duì)分光器10的光檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行數(shù)字變換，取得作為與任意時(shí)刻對(duì)應(yīng)起來(lái)的數(shù)據(jù)信號(hào)的采樣信號(hào)yij。接著，對(duì)來(lái)自分光器10的多波長(zhǎng)輸出信號(hào)yij通過(guò)第I級(jí)數(shù)字濾波器電路12進(jìn)行平滑化，計(jì)算任意時(shí)刻的時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yij (步驟302)。
[0067]接著，向微分器13傳遞時(shí)間系列數(shù)據(jù)Yij,通過(guò)S-G法(Savitzky - Golay method,移動(dòng)窗口擬和多項(xiàng)式法)計(jì)算時(shí)間系列的微系數(shù)dij (步驟303)。S卩，通過(guò)微分處理(S-G法)檢測(cè)信號(hào)波形的系數(shù)(I階或者2階)。
[0068]微系數(shù)dij傳遞到第2級(jí)數(shù)字濾波器電路14，計(jì)算平滑化(smoothing)微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij (步驟304)。所得到的平滑化微系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij傳遞到第I微分波形比較器15以及第2微分波形比較器17。
[0069]在第I微分波形比較器15中，計(jì)算σ s (t) = V ( Σ (Di j-Plsj) 2/j)的值，成為最小的osl (t)(步驟305)。同樣，在第2微分波形比較器17中，計(jì)算σ s(t)= V (Σ (Dij-P2sj)2/j)的值，成為最小的 σ s2 (t)(步驟 306)。步驟 305、307 可以并行實(shí)施。所得到的osl (t)和os2 (t)傳遞到適合系數(shù)計(jì)算器19，根據(jù)它們計(jì)算適合系數(shù) a (t) = σ s2 (t) / ( σ si (t) + σ s2 (t))(步驟 307)。
[0070]向適合圖案數(shù)據(jù)庫(kù)制作器20傳遞所得到的適合系數(shù)a (t)，使用在第I微分波形數(shù)據(jù)庫(kù)16中設(shè)定的微分波形數(shù)據(jù)圖案值以及在第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中設(shè)定的微分波形數(shù)據(jù)圖案值，通過(guò)式(5)制成適合微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中(步驟308)。第3微分波形比較器22對(duì)在步驟308中制成的適合微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21的數(shù)據(jù)值、和作為從在步驟304中制成的從平滑化微分系數(shù)時(shí)間系列數(shù)據(jù)Dij得到的微分波形圖案的實(shí)圖案的數(shù)據(jù)進(jìn)行圖案匹配，計(jì)算作為最適合的圖案數(shù)據(jù)而與成為最小的殘差的適合微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)21的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的剩余膜厚度作為該任意時(shí)刻(當(dāng)前時(shí)刻)處的瞬時(shí)膜厚度數(shù)據(jù)Zi (步驟309)。
[0071]使用在步驟309中在剩余膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)記錄器23中記錄的瞬時(shí)膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)Zi和處理中的過(guò)去的多個(gè)時(shí)刻處的瞬時(shí)膜厚度時(shí)間系列數(shù)據(jù)Zi，通過(guò)回歸分析器24計(jì)算當(dāng)前的計(jì)算膜厚度值并存儲(chǔ)(步驟310)。即，通過(guò)回歸分析器24的運(yùn)算，求I階回歸直線Y=Xa.t+Xb (Y:剩余膜量，t:蝕刻時(shí)間，Xa =Xa的絕對(duì)值是蝕刻速度，Xb初始膜厚度)，根據(jù)該回歸直線計(jì)算在當(dāng)前時(shí)刻處的蝕刻量(或者剩余膜量)，存儲(chǔ)到存儲(chǔ)裝置中(步驟310)。
[0072]而且，在步驟309中，比較的結(jié)果，實(shí)圖案的適合微分波形圖案數(shù)據(jù)的最小的殘差大于等于預(yù)先確定的閾值的情況下，也可以不將與成為該最小的殘差的適合微分波形圖案數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的膜厚度作為當(dāng)前時(shí)刻處的瞬時(shí)膜厚度數(shù)據(jù)Zi存儲(chǔ)。另外，也可以代替過(guò)去的處理中的時(shí)刻(例如緊挨當(dāng)前時(shí)刻之前的采樣時(shí)刻)的瞬時(shí)膜厚度數(shù)據(jù)Z1、經(jīng)過(guò)上述回歸運(yùn)算的結(jié)果，進(jìn)行在步驟310中的回歸分析器24的運(yùn)算作為當(dāng)前時(shí)刻的瞬時(shí)膜厚度Zi。
[0073]當(dāng)前的被處理膜的剩余膜量與預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)剩余膜厚度值(在步驟300中設(shè)定)比較，在判定為小于等于目標(biāo)剩余膜厚度值時(shí)，判定為達(dá)到了目標(biāo)，向等離子處理裝置I發(fā)送結(jié)束蝕刻處理的信號(hào)。當(dāng)判定為未達(dá)到的情況下，返回步驟302的處理(步驟311)。判定蝕刻的深度等蝕刻量(步驟311)，如果判定為其足夠，則最后進(jìn)行采樣結(jié)束的設(shè)定(步驟312)。
[0074]當(dāng)在步驟311中判定為達(dá)到了目標(biāo)的情況下，還可以不僅進(jìn)行結(jié)束蝕刻處理的控制，而且如進(jìn)行下一步驟的蝕刻處理那樣向等離子處理裝置I發(fā)送指令。例如，對(duì)于處理速度降低的過(guò)蝕刻處理、當(dāng)蝕刻處理對(duì)象的膜由多個(gè)膜層構(gòu)成的情況下適合于下層的層膜的處理，也可以改變等離子處理裝置I的運(yùn)行條件而實(shí)施該處理。
[0075]圖5表示本實(shí)施例的效果。圖5是表示在圖1所示的實(shí)施例中進(jìn)行了蝕刻處理的晶片效果的圖表。
[0076]在本圖中，表示在蝕刻基底氧化膜的厚度是60nm的晶片時(shí)的結(jié)果。圖5的0x50nm是與基底氧化膜的厚度是50nm的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)單獨(dú)的匹配結(jié)果，0x70nm是與基底氧化膜的厚度是70nm的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)單獨(dú)的匹配結(jié)果，適合DB (適合數(shù)據(jù)庫(kù))是基于本發(fā)明的結(jié)果，將基底氧化膜厚度是50nm和70nm的數(shù)據(jù)分別設(shè)定在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)16和第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)18中，進(jìn)行圖案匹配的結(jié)果。
[0077]圖5 (B)是在被處理膜的剩余膜厚度30nm附近放大圖5 (A)的圖。在與作為圖5 (B)的0x70nm的基底氧化膜的厚度是70nm的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)單獨(dú)的匹配結(jié)果的情況下，檢測(cè)到在49.5秒處多晶硅的剩余膜量低于30nm。
[0078]在與作為圖5 (B)的0x50nm的基底氧化膜的厚度是50nm的微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)單獨(dú)的匹配結(jié)果的情況下，檢測(cè)到在50.5秒處多晶硅的剩余膜量低于30nm。在把作為圖5(B)的適合DB的基底氧化膜的厚度是50nm和70nm的晶片分別設(shè)定在第I微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)和第2微分波形圖案數(shù)據(jù)庫(kù)中的本發(fā)明算法中的處理結(jié)果中，檢測(cè)到在50.0秒處多晶娃的剩余膜量低于30nm。
[0079]在圖5 (B)中適合DB位于0x50nm和0x70nm正中間，表示基底氧化膜的膜厚度是60nm時(shí)的膜厚度推移。另外，基底氧化膜的膜厚度是50nm的結(jié)果知道最遲到達(dá)多晶硅的剩余膜量30nm。圖3所示的干涉強(qiáng)度的極小值取決于基底氧化膜的膜厚度值，隨著基底氧化膜的厚度變成70nm、60nm、50nm，極小值與多晶硅的剩余膜量增多相關(guān)。
[0080]另外，通過(guò)以上說(shuō)明，在本實(shí)施例中在基底氧化膜厚度的生產(chǎn)管理中也可以使用基底氧化膜的厚度信息。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子處理方法，是使用在處理室內(nèi)形成的等離子來(lái)對(duì)在載置于真空容器的內(nèi)部的上述處理室內(nèi)的晶片上表面預(yù)先形成的膜構(gòu)造所包含的處理對(duì)象的膜進(jìn)行處理的等離子處理方法，該等離子處理方法具備: 檢測(cè)在上述處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度的步驟； 從在上述處理中的任意的時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間系列數(shù)據(jù)的步驟； 使用與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間系列數(shù)據(jù)來(lái)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)的步驟； 使用比較了檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度的步驟，上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的基本微分波形圖案數(shù)據(jù)而制成；以及 使用上述剩余膜厚度來(lái)判定達(dá)到上述處理的目標(biāo)的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于， 在上述處理中的多個(gè)任意的時(shí)刻的每一個(gè)中，使用上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)制成上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和各時(shí)刻的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)后所得的結(jié)果，計(jì)算上述各時(shí)刻的剩余膜厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的等離子處理方法，其特征在于， 使用上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)的每一個(gè)、和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)的最小差的彼此的比率，內(nèi)插上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)，制成上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的等離子處理方法，其特征在于， 在上述任意的時(shí)刻，比較上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，在將它們的差成為最小的檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)的剩余膜厚度作為上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度進(jìn)行存儲(chǔ)，并且使用該任意的時(shí)刻的剩余膜厚度、和預(yù)先存儲(chǔ)的比上述處理中的上述任意的時(shí)刻靠前的時(shí)刻的上述剩余膜厚度，重新計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度， 使用上述重新計(jì)算出的上述剩余膜厚度來(lái)判定達(dá)到上述處理的目標(biāo)。
5.一種等離子處理裝置，具備配置在真空容器的內(nèi)部的處理室、以及配置在該處理室內(nèi)且將晶片載置在其上表面的樣品臺(tái)，該等離子處理裝置使用在上述處理室內(nèi)形成的等離子對(duì)在上述晶片的上表面預(yù)先形成的膜構(gòu)造所包含的處理對(duì)象的膜進(jìn)行處理， 檢測(cè)在上述處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度， 從在上述處理中的任意的時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間系列數(shù)據(jù)，使用與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間系列數(shù)據(jù)來(lái)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)和檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度，使用該剩余膜厚度來(lái)判定到達(dá)上述處理的目標(biāo)，上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的基本微分波形圖案數(shù)據(jù)而制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子處理裝置，其特征在于，在上述處理中的多個(gè)任意的時(shí)刻的每一個(gè)中，使用上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)制成上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和各時(shí)刻的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)所得的結(jié)果，計(jì)算上述各時(shí)刻的剩余膜厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或者6所述的等離子處理裝置，其特征在于， 使用上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)的每一個(gè)和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)的最小差的彼此的比率，內(nèi)插上述2個(gè)基本微分波形圖案數(shù)據(jù)，制成上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或者6所述的等離子處理裝置，其特征在于， 在上述任意的時(shí)刻，比較上述檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)和上述實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，在將它們的差成為最小的檢測(cè)用微分波形圖案數(shù)據(jù)的剩余膜厚度作為上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度進(jìn)行存儲(chǔ)，并且使用該任意的時(shí)刻的剩余膜厚度、和預(yù)先存儲(chǔ)的比上述處理中的上述任意的時(shí)刻靠前的時(shí)刻的上述剩余膜厚度，重新計(jì)算上述任意的時(shí)刻的剩余膜厚度，使用上述重新計(jì) 算的上述剩余膜厚度來(lái)判定達(dá)到上述處理的目標(biāo)。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK104078375SQ201310363078
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】中元茂, 臼井建人, 井上智己, 廣田侯然, 福地功祐 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立高新技術(shù)
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