技術(shù)編號(hào)：2854498
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。提供一種在蝕刻處理中精密地檢測(cè)處理對(duì)象的膜的剩余厚度的等離子處理裝置或者方法。檢測(cè)在處理中從上述晶片表面得到的多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度，從在上述處理中的任意時(shí)刻檢測(cè)到的上述多個(gè)波長(zhǎng)的干涉光的強(qiáng)度檢測(cè)它們的時(shí)間微分的時(shí)間系列數(shù)據(jù)，使用與上述多個(gè)波長(zhǎng)有關(guān)的上述時(shí)間序列數(shù)據(jù)檢測(cè)將波長(zhǎng)作為參數(shù)的實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)，使用比較了該實(shí)微分波形圖案數(shù)據(jù)、和使用在上述晶片的處理之前預(yù)先具有2種不同的基底膜的厚度的膜構(gòu)造的上述處理對(duì)象的膜的剩余厚度和將上述干涉光的波長(zhǎng)作為參數(shù)的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。