專利名稱：場發(fā)射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射裝置。
背景技術(shù)：
場發(fā)射裝置是場發(fā)射電子器件，如場發(fā)射顯示器的重要元件?，F(xiàn)有技術(shù)中的場發(fā)射裝置通常包括一絕緣基底；一設(shè)置于該絕緣基底上的陰極電極；多個設(shè)置于陰極電極上的電子發(fā)射體；一設(shè)置于該絕緣基底上的第一絕緣隔離層，所述第一絕緣隔離層具有通孔，所述電子發(fā)射體通過該通孔暴露，以使電子發(fā)射體發(fā)射的電子通過該通孔射出；以及一陽極電極，所述陽極電極與陰極電極間隔設(shè)置。當(dāng)所述場發(fā)射裝置工作時，向陽極電極施加一高電位，向陰極電極施加一低電位。所以電子發(fā)射體發(fā)射的電子通過該通孔射陽極。然而，電子發(fā)射體發(fā)射的電子會與真空中游尚的氣體分子碰撞，從而使氣體分子電離產(chǎn)生離子。而且，該離子會向處于低電位的陰極電極方向運(yùn)動。由于所述場發(fā)射裝置的電子發(fā)射體通過所述通孔暴露，所以該電子發(fā)射體很容易受到該離子的轟擊，從而導(dǎo)致電子發(fā)射體損壞。

發(fā)明內(nèi)容
綜上所述，確有必要提供一種可以有效避免離子轟擊電子發(fā)射體的場發(fā)射裝置?！N場發(fā)射裝置，其包括:一絕緣基底；一電子引出電極，該電子引出電極設(shè)置于該絕緣基底的一表面；一二次電子發(fā)射層，該二次電子發(fā)射層設(shè)置于該電子引出電極的表面；一陰極電極，該陰極電極通過一第一絕緣隔離層與該電子引出電極間隔設(shè)置，所述電子引出電極設(shè)置在陰極電極與絕緣基底之間，該陰極電極具有一表面至少部分與該電子引出電極面對設(shè)置，該陰極電極具有一第一開口，該第一開口定義一電子出射部；一電子發(fā)射層，該電子發(fā)射層設(shè)置在陰極電極面對該電子引出電極設(shè)置的部分表面；一陽極電極，該陽極電極與陰極電極間隔設(shè)置，且所述陰極電極設(shè)置在電子引出電極與陽極電極之間。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于電子出射部形成于陰極電極上，電子發(fā)射體的電子發(fā)射端不會通過電子出射部暴露，所以當(dāng)電子發(fā)射體發(fā)射的電子與真空中游離的氣體分子碰撞產(chǎn)生離子向電子引出電極方向運(yùn)動時，該離子不會轟擊到該電子發(fā)射體，從而使該電子發(fā)射體具有較長壽命。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的場發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的場發(fā)射裝置沿I1-1I線剖開后的俯視圖。
圖3為圖1的場發(fā)射裝置沿II1-1II線剖開后的仰視圖。圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的場發(fā)射裝置的制備方法工藝流程圖。圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的場發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的場發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的場發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的場發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種場發(fā)射裝置，其包括: 一絕緣基底； 一電子引出電極，該電子引出電極設(shè)置于該絕緣基底的一表面； 一二次電子發(fā)射層，該二次電子發(fā)射層設(shè)置于該電子引出電極的表面； 一陰極電極，該陰極電極通過一第一絕緣隔離層與該電子引出電極間隔設(shè)置，所述電子引出電極設(shè)置在陰極電極與絕緣基底之間，該陰極電極具有一表面至少部分與該電子引出電極面對設(shè)置，該陰極電極具有一第一開口，該第一開口定義一電子出射部； 一電子發(fā)射層，該電子發(fā)射層設(shè)置在陰極電極面對該電子引出電極設(shè)置的部分表面； 一陽極電極，該陽極電極與陰極電極間隔設(shè)置，且所述陰極電極設(shè)置在電子引出極與陽極電極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述陰極電極具有一通孔，該通孔作為所述電子出射部。
3.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述陰極電極包括多個相隔一定距離并設(shè)置在同一平面的條狀導(dǎo)電體，該多個條狀導(dǎo)電體之間的間隔作為所述電子出射部。
4.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射層設(shè)置在陰極電極的表面靠近電子出射部的位置。
5.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射層至少部分與所述二次電子發(fā)射層面對設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述第一絕緣隔離層具有一第二開口對應(yīng)于所述陰極電極的第一開口設(shè)置，所述陰極電極的第一開口與第一絕緣隔離層的第二開口部分交疊設(shè)置，交疊部分定義為電子出射部。
7.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射層包括多個電子發(fā)射體，且該電子發(fā)射體為碳納米管、納米碳纖維以及硅納米線中的一種或多種。
8.如權(quán)利要求7所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射體具有一電子發(fā)射端，且該電子發(fā)射端指向所述二次電子發(fā)射層。
9.如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述二次電子發(fā)射層表面與電子出射部相對的位置具有至少一第一突起，所述陰極電極與二次電子發(fā)射層相對的表面具有至少一第二突起，所述電子發(fā)射層設(shè)置于該至少一第二突起的表面，且所述電子發(fā)射體的電子發(fā)射端指向該至少一第一突起的表面。
10.如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射端與二次電子發(fā)射層相對于電子發(fā)射端的表面的最大距離小于電子與氣體分子的平均自由程。
11.如權(quán)利要求10所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射端與二次電子發(fā)射層相對于電子發(fā)射端的表面的最大距離為10微米 30微米。
12.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述陽極電極為一導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層由氧化銦錫、金屬和碳納米管中的一種組成。
13.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射裝置，其特征在于，所述電子引出電極的電位高于陰極電極的電位，所述陽極電極的電位高于電子引出電極的電位。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射裝置，其包括一絕緣基底；一電子引出電極，該電子引出電極設(shè)置于該絕緣基底的一表面；一二次電子發(fā)射層，該二次電子發(fā)射層設(shè)置于該電子引出電極的表面；一陰極電極，該陰極電極通過一第一絕緣隔離層與該電子引出電極間隔設(shè)置，所述電子引出電極設(shè)置在陰極電極與絕緣基底之間，該陰極電極具有一表面至少部分與該電子引出電極面對設(shè)置，該陰極電極具有一第一開口，該第一開口定義一電子出射部；一電子發(fā)射層，該電子發(fā)射層設(shè)置在陰極電極面對該電子引出電極設(shè)置的部分表面；一陽極電極，該陽極電極與陰極電極間隔設(shè)置，且所述陰極電極設(shè)置在電子引出電極與陽極電極之間。
文檔編號H01J3/02GK103107054SQ201310031010
公開日2013年5月15日 申請日期2010年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月20日
發(fā)明者柳鵬, 周段亮, 陳丕瑾, 胡昭復(fù), 郭彩林, 杜秉初, 范守善 申請人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司