三維離子制程用的裝置及其方法
【專利摘要】一種處理工件(40)的方法。此方法包括引導(dǎo)第一離子束(204)朝向工件的第一區(qū)域，其中第一離子束具有經(jīng)由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一離子的第一離子角輪廓(402，412或422)。此方法也包括引導(dǎo)第二離子束(204)朝向工件的第一區(qū)域，其中第二離子束具有經(jīng)由萃取板的孔洞而萃取的第二離子的第二離子角輪廓(402，412或422)，其中第二離子角輪廓不同于第一離子角輪廓。
【專利說(shuō)明】三維離子制程用的裝置及其方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及工件的植入(implantation),特別是涉及一種利用多次離子分布來(lái)進(jìn)行工件植入的方法與裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]離子植入是一種將能夠改變特性的雜質(zhì)引入到基板內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。想要的雜質(zhì)材料在離子源中離子化，這些離子經(jīng)加速而形成具有規(guī)定能量的離子束，且此離子束被引導(dǎo)至基板的表面。離子束中帶能量的離子穿入到基板材料的表面下，且嵌入到基板材料的晶格(crystalline lattice)中，以便形成具有想要的導(dǎo)電性或材料特性的區(qū)域。
[0003]在傳統(tǒng)的束線離子植入制程中，將離子以離子束形式提供至基板，其中離子束可包括大致上平行的離子。因此，當(dāng)基板的方位相對(duì)于離子束主軸的方位給定時(shí)，這些離子是以相同的入射角來(lái)撞擊基板。這有助于對(duì)離子植入到基板內(nèi)進(jìn)行控制，因?yàn)閷?duì)于任何給定的基板方位，都能很好地表征(characterized)離子植入方向。然而，當(dāng)想進(jìn)行多角度植入時(shí)，則有必要移動(dòng)基板方位、離子束方向或者上述兩者。此外，離子束通常會(huì)覆蓋基板的較大面積，所以要想僅對(duì)想要的面積進(jìn)行植入，則需要使用遮罩(masking)。
[0004]近年來(lái)，已研發(fā)出多種以一角度范圍來(lái)提供離子給基板的技術(shù)與裝置。圖1顯示一種以多個(gè)角度來(lái)提供離子給基板的處理系統(tǒng)的方框圖。處理系統(tǒng)10包括等離子體源
12、萃取板(extraction plate) 14 (或鞘工程板(sheath engineering plate))以及制程室16。氣體源18連接到制程室16。等離子體源12或處理系統(tǒng)10的其他構(gòu)件也可連接到泵(未顯示)，如潤(rùn)輪泵(turbo-pump)。如圖1所示，等離子體源12是包含射頻(RadioFrequency, RF)產(chǎn)生器20、射頻匹配網(wǎng)絡(luò)22以及天線23的射頻等離子體源。等離子體源12被外殼24圍繞著，且絕緣體26將外殼24與制程室16隔開(kāi)。制程室16、等離子體源12或工件固持器28可接地。
[0005]當(dāng)?shù)入x子體32與工件40之間被施加以偏壓時(shí)，利用萃取板14來(lái)形成用以對(duì)工件40進(jìn)行植入的離子束30。萃取板14可被冷卻。等離子體源12可被施加偏壓，且偏壓電源52可用來(lái)提供連續(xù)偏壓或脈沖式偏壓到與等離子體32相對(duì)的基板上，以便吸引離子束30。萃取板14可具有至少一個(gè)孔洞34，離子束30經(jīng)由孔洞而被提供給工件40。以下共同待審中(co-pending)的美國(guó)專利申請(qǐng)案序號(hào)中都可找到關(guān)于處理系統(tǒng)的額外說(shuō)明:于2009年4月3日提申且作為美國(guó)專利第7，767,977號(hào)而發(fā)行的美國(guó)專利申請(qǐng)案第12/417,929號(hào)、于2010年4月3日提申的美國(guó)專利申請(qǐng)案第12/418，120號(hào)、于2009年12月22日提申的美國(guó)專利申請(qǐng)案第12/644，103號(hào)以及于2010年8月2日提申的美國(guó)專利申請(qǐng)案第12/848，354號(hào)，上述各申請(qǐng)案均以引用方式全文并入本案。
[0006]若需要，利用處理系統(tǒng)10從等離子體里萃取的離子束30可用來(lái)同時(shí)以一角度范圍提供等離子體32給工件40，而無(wú)需進(jìn)行復(fù)雜的遮罩或微影(lithography)程序。這種產(chǎn)生廣角離子分布的能力有利于處理具有三維結(jié)構(gòu)特征(features)的基板，在此情形下，可能想要使離子能從不同的方向同時(shí)入射到這些結(jié)構(gòu)特征上。此外，根據(jù)處理系統(tǒng)10中的一組特定的離子束光學(xué)條件(參數(shù))可為提供給工件40的離子束30建立精確的角分布?？赡軙?huì)影響離子束30的角分布的參數(shù)包括孔洞34的形狀與尺寸、植入電壓(等離子體32與工件40之間的電壓差)、萃取板14與工件40之間的間距以及等離子體密度。因此，一組特定的參數(shù)可為離子束30建立特定的離子角分布。
[0007]然而，由于離子束30的角分布可能對(duì)如等離子體密度等的參數(shù)很敏感，所以當(dāng)處理系統(tǒng)10的操作參數(shù)或條件發(fā)生漂移(drift)時(shí)，角分布可能容易隨時(shí)間而變化。此外，某些離子角分布可能是處理系統(tǒng)10根據(jù)其任何單一組控制參數(shù)都無(wú)法得到的。
[0008]鑒于上述原因，將理解提供一些改進(jìn)來(lái)控制離子植入系統(tǒng)中的離子角分布可能是有用的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]在一實(shí)施例中，一種處理工件的方法包括引導(dǎo)第一離子束朝向工件的第一區(qū)域，其中第一離子束具有經(jīng)由萃取板的孔洞而萃取的第一離子的第一離子角輪廓。此方法也包括引導(dǎo)第二離子束朝向工件的第一區(qū)域，其中第二離子束具有經(jīng)由萃取板的孔洞而萃取的第二離子的第二離子角輪廓，其中第二離子角輪廓不同于第一離子輪廓。
[0010]在另一實(shí)施例中，一種處理系統(tǒng)包括:射頻產(chǎn)生器，其經(jīng)配置以發(fā)送射頻信號(hào)，以便產(chǎn)生等離子體；以及工件固持器，其經(jīng)配置以接收相對(duì)于等離子體的偏壓，以便吸引離子穿越等離子體鞘朝向工件。此處理系統(tǒng)也包括具有孔洞的萃取板，其經(jīng)配置以提供離子束，離子束具有以一入射角范圍分布在工件上的離子。此處理系統(tǒng)還包括控制器，其經(jīng)配置以在一系列的曝露周期(exposure cycles)中發(fā)送控制信號(hào)給射頻產(chǎn)生器,從而使射頻信號(hào)的幅度在第一幅度與第二幅度之間以交替方式變化，其中每個(gè)曝露周期包括第一離子曝露和第二離子曝露，第一離子曝露和第二離子曝露分別與第一幅度和第二幅度相對(duì)應(yīng)，且分別包括經(jīng)由孔洞而萃取的離子的第一離子角輪廓和第二離子角輪廓。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]為了能夠更清楚地了解本文所揭示的內(nèi)容，以下將配合附圖做詳細(xì)說(shuō)明，這些附圖已并入本文作為參考。
[0012]圖1是一種使用單孔洞的處理系統(tǒng)的方框圖。
[0013]圖2是依照本揭不的一實(shí)施例的一種處理系統(tǒng)。
[0014]圖3顯示萃取板實(shí)施例的離子束幾何形狀的細(xì)節(jié)圖。
[0015]圖4a_4c顯示可由圖2的處理系統(tǒng)來(lái)產(chǎn)生的示范性離子角輪廓。
[0016]圖5顯示依照本揭示的一實(shí)施例的一種方法。
[0017]圖6顯示依照本揭示的一實(shí)施例的另一種方法。
[0018]圖7a顯示可由圖2的處理系統(tǒng)來(lái)產(chǎn)生的示范性離子角輪廓，它們?cè)谕粋€(gè)坐標(biāo)軸
上相互重疊。
[0019]圖7b顯示代表圖7a的離子角輪廓的總和的示范性離子角輪廓。
[0020]圖8a顯示提供圖7a的離子角輪廓的次序。
[0021]圖8b顯示功率曲線，其包括與圖8a的離子角輪廓相對(duì)應(yīng)的等離子體功率未準(zhǔn)。
[0022]圖8c顯示可與圖8b的功率曲線一起施用的示范性偏壓脈沖串?！揪唧w實(shí)施方式】
[0023]本文描述了與工件(基板)植入有關(guān)的系統(tǒng)及方法的實(shí)施例。在各種實(shí)施例中，此系統(tǒng)可與(例如)半導(dǎo)體基板、位元規(guī)則媒體(bit-patterned media)、固態(tài)電池或平面面板(flat panels) 一起使用。因此，本發(fā)明并不限于下文所述的特定實(shí)施例。
[0024]在各種實(shí)施例中，離子植入系統(tǒng)包括:等離子體源、萃取板，其引導(dǎo)離子束朝向基板，其中離子束具有以一入射角范圍進(jìn)行分布的離子；以及控制系統(tǒng)，其經(jīng)配置以調(diào)整和修改(tailor)離子角的角分布。在各種實(shí)施例中，控制器可經(jīng)操作以調(diào)整離子植入系統(tǒng)的特定參數(shù)，以便獲取及/或維護(hù)離子的角分布(以下稱之為“有角離子輪廓(angular ionprofile) ”)。在一些實(shí)施例中，控制器可經(jīng)操作以快速地改變離子植入系統(tǒng)的等離子體功率，使得有角離子輪廓以毫秒級(jí)或微秒級(jí)的時(shí)間在多個(gè)有角離子輪廓之間變化。如此一來(lái)，復(fù)合有角離子輪廓可被提供給基板，這是一種以任何單個(gè)離子角輪廓所無(wú)法得到的分布狀態(tài)。
[0025]圖2顯示依照本揭示的實(shí)施例的一種處理系統(tǒng)200。處理系統(tǒng)200包括等離子體源201，其用來(lái)在制程室16內(nèi)產(chǎn)生等離子體32。等離子體源201可以是射頻等離子體源、感應(yīng)率禹合式等離子體(inductively-coupled plasma, ICP)源、間接加熱式陰極(indirectlyheated cathode, IHC)、螺旋波(helicon)、輝光放電源(glow discharge source)或者熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員所知的其他等離子體源。萃取板14可沿著等離子體32的邊緣而放置，其具有一個(gè)或一個(gè)以上的孔洞34，離子束204可經(jīng)由孔洞34而被萃取出來(lái)。工件固持器28與等離子體32之間可利用偏壓電源212來(lái)施加偏壓，以便對(duì)經(jīng)由孔洞34而萃取出來(lái)且撞擊至工件40上的離子能量與離子劑量進(jìn)行界定，其中在一些實(shí)施例中工件40可以是半導(dǎo)體基板。工件固持器28可接收電壓電位(voltage potential),其以不同方式在等離子體32與工件固持器28之間施加偏壓。在一實(shí)施例中，工件固持器28可接收接地電位(groundpotential),且正電壓可被施加至等離子體(源)，而在另一實(shí)施例中，工件可接收負(fù)電壓，且等離子體(源)可被設(shè)定為接地電位或者與工件固持器相比偏正的電壓。處理系統(tǒng)200也包括控制器202，其可控制等離子體功率和施加至工件固持器28的偏壓，如下文所述。
[0026]處理系統(tǒng)200也包括工件室206，其容納用來(lái)支撐工件40的工件固持器28。處理系統(tǒng)200也可包括掃描元件208，其用以使工件固持器28沿著方向210相對(duì)于萃取板14而移動(dòng)。在一些實(shí)施例中，萃取板14可以是靜止不動(dòng)的，而工件固持器28是可移動(dòng)的(例如，使用掃描元件208)。而在其他實(shí)施例中，萃取板14可以是可移動(dòng)的，而工件固持器28是靜止不動(dòng)的。然而在又一些實(shí)施例中，工件固持器28與萃取板14可以都是可移動(dòng)的。
[0027]圖3顯示依照各種實(shí)施例的由使用萃取板14的處理系統(tǒng)200來(lái)產(chǎn)生的離子束的離子束幾何形狀的細(xì)節(jié)圖。萃取板14經(jīng)配置以修改等離子體鞘302內(nèi)的電場(chǎng)，以便控制接近孔洞34且介于等離子體32與等離子體鞘302之間的等離子體鞘邊界304的形狀。在本實(shí)例中，等離子體鞘邊界304相對(duì)于工件40的平面呈凸形。從等離子體32里吸引出來(lái)且穿越等離子體鞘302的離子束204中的離子可以大的入射角范圍撞擊工件40。圖3顯示了幾條從等離子體鞘邊界304加速而來(lái)的不同離子軌跡。離子束204中的離子可藉由不同的機(jī)制從等離子體32里被吸引出來(lái)并穿越等離子體鞘302。在一實(shí)例中，工件40被施加偏壓以便從等離子體32里吸引離子束204的離子穿越等離子體鞘302。離子束30的離子可以是P型摻質(zhì)、η型摻質(zhì)、氫、惰性氣體或者熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員所知的其他物種。
[0028]當(dāng)工件40被施加偏壓時(shí)，離子20被吸引而穿越等離子體鞘302且經(jīng)過(guò)孔洞34。舉例而言，沿著軌跡路徑306而行的離子可相對(duì)于平面320c以+ Θ °的角度撞擊工件40。沿著軌跡路徑308而行的離子可相對(duì)于同一平面320c以大約0°的角度撞擊工件40。沿著軌跡路徑310而行的離子可相對(duì)于平面320c以-θ°的角度撞擊工件40。因此，入射角的范圍可在大范圍內(nèi)變動(dòng)，且在一些實(shí)施例中，入射角的范圍可為介于以大約0°為中心的+60 Θ °與-60 Θ °之間。此外，一些離子軌跡(如軌跡路徑306與310)可相互交叉。入射角(Θ)的范圍可根據(jù)很多因素而變化，這些因素包括，但不限于，孔洞34的橫向尺寸W、萃取板14在工件40上方的縱向間距(Z)、萃取板14的介電常數(shù)或者等離子體32的其他制程參數(shù)。
[0029]再如圖3中所示，在不同的實(shí)施例中，萃取板14可沿著方向312被定位在工件40與萃取板14之間的不同的縱向間距(Z)處，其中方向312垂直于由工件40的前(上)表面所界定的平面320c。離子束204的形狀與寬度可根據(jù)間距Z而變化。舉例而言，在對(duì)應(yīng)于平面320c的間距Z3處，離子束204可先于點(diǎn)P處形成焦點(diǎn)，然后離子束204可發(fā)散以形成當(dāng)其撞擊基板100時(shí)具有寬度G的擴(kuò)散束線。另一方面，若間距安排在對(duì)應(yīng)于聚焦平面P的平面320b處，則當(dāng)離子束124撞擊基板100時(shí)，離子束124可形成較窄的束線寬度。在對(duì)應(yīng)于平面320a的間距Z1處,會(huì)聚的離子束(convergent laser beam) 204可以比點(diǎn)P更寬的面積撞擊基板100，如圖所示。
[0030]除了間距Z的變異外，在另外的實(shí)施例中，可變化其他參數(shù)以改變離子束204的形狀與尺寸。這些參數(shù)包括孔洞寬度(就圓形孔洞而言，則為孔洞直徑)W以及等離子體32的等離子體密度，等等。
[0031]離子束204中的離子在工件40的上表面的分布可以不同方式來(lái)表征。在一實(shí)例中，可隨位置的變化而測(cè)量離子流密度，以便產(chǎn)生離子束流輪廓。表征離子束204的另一種方式是確定離子角輪廓，它是繪制相對(duì)離子數(shù)量隨離子入射角而變化的曲線。
[0032]圖4a_4c顯示可由系統(tǒng)(如依照本揭示的實(shí)施例的處理系統(tǒng)200)來(lái)產(chǎn)生的示范性離子角輪廓402、412及422。在一些實(shí)施例中，可藉由改變處理系統(tǒng)200的單個(gè)參數(shù)(如施加至等離子體32的等離子體功率)來(lái)產(chǎn)生這三種不同的離子角輪廓。等離子體功率可能與等離子體密度直接相關(guān)，因?yàn)檩^高的功率位準(zhǔn)通常會(huì)使等離子體32里的離子與電子密度增大。藉由改變等離子體功率，從而改變等離子體密度，可改變等離子體鞘302的厚度。具體而言，增大等離子體密度可能會(huì)導(dǎo)致等離子體鞘302的厚度減小。當(dāng)?shù)入x子體鞘厚度減小時(shí)，離子角輪廓會(huì)從較平行的分布(422)變?yōu)檩^寬的離子角輪廓(402、412)，或者呈現(xiàn)相反的趨勢(shì)，這取決于給定的孔洞寬度W。此外，當(dāng)?shù)入x子體鞘厚度給定時(shí)，增大寬度W會(huì)形成較平行的離子分布。因此，對(duì)于某些孔洞寬度W，使等離子體密度單調(diào)遞增(減小等離子體鞘302厚度)可產(chǎn)生離子角輪廓402、412及422的序列，而對(duì)于其他孔洞寬度W，使等離子體密度單調(diào)遞減(增大等離子體鞘302厚度)可產(chǎn)生離子角輪廓402、412及422的序列。
[0033]具體而言，離子角輪廓402呈現(xiàn)出從-X°至+X。的寬的入射角范圍，其形成雙峰式分布(bimodal distribution),其中兩個(gè)波峰404與406分布在法向入射角(0° )的兩偵U。這表明大部分離子是以實(shí)質(zhì)上不同于法向入射角的角度撞擊在工件100上。在法向入射角處，離子角輪廓402顯示最小值，這表明以法向入射角撞擊在基板100上的離子少于以其他角度入射的離子。離子角輪廓412 (可對(duì)應(yīng)于以不同于產(chǎn)生離子角輪廓402所用的功率位準(zhǔn)的功率位準(zhǔn)所產(chǎn)生的離子束)呈現(xiàn)出本質(zhì)上與離子角輪廓402相似的形狀，因?yàn)槠浞植家簿哂袃蓚€(gè)波峰414與416。此例中的波峰間距可小于離子角輪廓402的波峰間距，這表明對(duì)應(yīng)于波峰414、416的波峰入射角比波峰404、406更接近法線。相反地,離子角輪廓422呈現(xiàn)出以法向入射角為中心且顯示出較窄的離子角分布的單峰式分布(monomodaldistribution)(單個(gè)波峰)424,這表明它是較平行的離子束,如上文所述。
[0034]再參照?qǐng)D2，在各種實(shí)施例中，改變處理系統(tǒng)200的參數(shù)以建立想要的離子角輪廓來(lái)處理工件。在一些實(shí)施例中，用于離子束制程(如離子植入)的目標(biāo)離子角輪廓可經(jīng)設(shè)定和定期重設(shè)(reset)以確保根據(jù)所需的制程來(lái)均勻處理晶圓(wafers)。具體而言，可測(cè)量離子束204和調(diào)整處理系統(tǒng)200的操作參數(shù)，直到離子束204的一個(gè)或一個(gè)以上的目標(biāo)離子角輪廓被建立為止，如下文參照?qǐng)D5與圖6所述。這種調(diào)整可在植入制程即將開(kāi)始前進(jìn)行，且可按所需的時(shí)間間隔來(lái)執(zhí)行，以便消除可能存在的系統(tǒng)參數(shù)漂移或系統(tǒng)變更，否則這些系統(tǒng)參數(shù)漂移或系統(tǒng)變更可能會(huì)使離子束204發(fā)生變化。
[0035]一旦一個(gè)或一個(gè)以上的目標(biāo)離子角輪廓已建立，便可開(kāi)始進(jìn)行工件的離子植入，其方式是將用來(lái)建立這些目標(biāo)離子角輪廓的相關(guān)參數(shù)的實(shí)驗(yàn)值應(yīng)用于處理系統(tǒng)200。在各種實(shí)施例中，可將多個(gè)離子角輪廓合并起來(lái)以產(chǎn)生復(fù)合離子角輪廓，如下文參照?qǐng)D7a、圖7b所述。后面的方法能夠產(chǎn)生新的離子角輪廓，對(duì)于給定的處理系統(tǒng)(如處理系統(tǒng)200)，這些新的離子角輪廓可能無(wú)法以其他方式取得。
[0036]請(qǐng)參照?qǐng)D5，其揭示了依照本揭示的一些實(shí)施例的一種調(diào)整離子角輪廓的方法500。在下文的圖5與圖6的論述中，為了便于說(shuō)明，將參照?qǐng)D4a的離子角輪廓402。在方塊502處，輸入離子角分布的最大角目標(biāo)值。舉例而言，此數(shù)值可被輸入并儲(chǔ)存在離子植入系統(tǒng)的存儲(chǔ)器中。在方塊504處，測(cè)量離子束的離子角輪廓的最大角。如圖4a中所示，最大角408a、408b可表示離子的軌跡相對(duì)于零度入射角(基板法線)而形成最大角的離子角度。因此，最大角可對(duì)應(yīng)于以掠射角(glancing angles)入射到工件上的離子。在方塊506處，若所測(cè)得的最大角與最大角目標(biāo)值相同，則此方法前進(jìn)到方塊508，處理晶圓。若所測(cè)得的最大角與最大角目標(biāo)值不匹配，則此方法前進(jìn)到方塊510，調(diào)整相關(guān)的控制參數(shù)。舉例而言，若離子角分布的所測(cè)得的最大角小于最大角目標(biāo)值，則可調(diào)整系統(tǒng)的所施加的等離子體功率。再參照?qǐng)D3，調(diào)整等離子體32的等離子體功率可改變等離子體鞘邊界304的形狀，從而改變離開(kāi)等離子體的離子的角分布，這樣可使離子角輪廓的最大角變?yōu)槟繕?biāo)值。然后此方法前進(jìn)到方塊504，之后可反復(fù)進(jìn)行離子束測(cè)量與參數(shù)調(diào)整，直到獲得最大角目標(biāo)值為止。
[0037]圖6顯示依照另一些實(shí)施例的一種調(diào)整離子角輪廓的方法600的示范性步驟。在此方法中，可在反復(fù)的過(guò)程中調(diào)整兩個(gè)或兩個(gè)以上的參數(shù)，直到以不同角度入射的離子流達(dá)到想要的比率。這對(duì)于以下情形可能是有用的:想要以第一角度(如較高的入射角)來(lái)植入某部分離子，且以較低的入射角(如零度)來(lái)植入另一部分離子。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4a，離子角輪廓402可以是表示想要的相對(duì)離子流隨角度Θ而變化的目標(biāo)曲線。在一觀點(diǎn)中，離子角輪廓可部分地由以兩個(gè)不同角度410與411入射的離子流的比率來(lái)定義。角度410可對(duì)應(yīng)于零度入射角(即，法向入射角)，以此角度入射的相對(duì)離子流會(huì)很低。換言之，離子角輪廓402可應(yīng)用于離子植入制程，其中以法向入射角所進(jìn)行的工件植入將會(huì)減到最少。角度411可對(duì)應(yīng)于波峰離子流的所需角度，此角度可表示為離子植入的較佳角度。如前文所述，離子角輪廓402是具有兩個(gè)波峰404、406的雙峰式分布，這可表示軌跡形成的角度相對(duì)于法向入射角是具有相同的絕對(duì)值。
[0038]在方塊602處，輸入以第一角度和第二角度入射的目標(biāo)離子流，同時(shí)也輸入總離子束流目標(biāo)值。這些數(shù)值可能代表以角度411和410入射的目標(biāo)離子流。在方塊604處，測(cè)量以第一角度入射的離子流。然后此方法前進(jìn)到方塊606。若以第一角度入射的離子流不是最大離子流一一換言之，若角度411與波峰406不重合一一則此方法前進(jìn)到方塊608，調(diào)整處理系統(tǒng)的第一參數(shù)。第一參數(shù)可以是(例如)等離子體功率。然后此方法前進(jìn)到方塊604，再次測(cè)量以第一角度入射的離子流。若第一角度與波峰406相匹配，則此方法前進(jìn)到方塊610。
[0039]當(dāng)以第一角度入射的離子流與最大值一致時(shí)，在方塊610處，測(cè)量以第二角度入射的離子流，其中第二角度可以是角度410。然后此方法前進(jìn)到方塊612，根據(jù)所測(cè)得的以第二角度入射的離子流來(lái)確定第一離子流與第二離子流的比率。若此比率與目標(biāo)比率一致，則此方法前進(jìn)到方塊614。舉例而言，理想的情形是，以角度411入射的離子流是以角度410入射的離子流的十倍。若所測(cè)得的以角度I和角度2入射的離子流的比率不等于目標(biāo)值，則此方法前進(jìn)到方塊616，調(diào)整離子植入系統(tǒng)的第二參數(shù)。第二參數(shù)可以是(例如)工件40與萃取板14之間的間距Z。藉由調(diào)整間距Z，可改變工件表面的精確的離子分布，如上文參照?qǐng)D3所述。然后此方法返回到方塊610，重新測(cè)量以第二角度入射的離子流。
[0040]若以第一角度和第二角度入射的離子流的比率滿足目標(biāo)值，則此方法前進(jìn)到方塊614。在方塊614處，如果已做過(guò)任何調(diào)整，則需重新判定以第一角度入射的離子流是否與離子流中的波峰相對(duì)應(yīng)。如果不相對(duì)應(yīng)，則此方法前進(jìn)到方塊602。若以第一角度入射的離子流相當(dāng)于波峰位置，則此方法前進(jìn)到方塊618。
[0041]在方塊618處，測(cè)定離子束中的總離子流。藉由安置離子流偵測(cè)器以在固定的時(shí)段對(duì)以全入射角范圍入射到工件上的所有離子進(jìn)行偵測(cè)，便可測(cè)出總離子束流。然后此方法前進(jìn)到方塊620，若所測(cè)得的離子流與總離子束流目標(biāo)值不相匹配，則此方法前進(jìn)到方塊622。在方塊622處，調(diào)整提供給工件的離子的工作周期(duty cycle)。這種調(diào)整可藉由改變施加在工件固持器上的偏壓脈沖的脈沖寬度來(lái)達(dá)成。在偏壓被施加在工件固持器上以便從等離子體里吸引離子的“接通”時(shí)段期間，離子束被加速而經(jīng)過(guò)萃取板的孔洞并撞擊至工件上。在沒(méi)有偏壓被施加在工件上的“斷開(kāi)”時(shí)段期間，等離子體室里的離子可能不會(huì)被加速而朝向工件。因此，在脈沖周期時(shí)段(“接通”時(shí)段與“斷開(kāi)”時(shí)段的總和)保持不變的前提下，藉由改變偏壓脈沖的寬度便可調(diào)整“接通”時(shí)段的相對(duì)時(shí)長(zhǎng)，從而改變一段時(shí)間內(nèi)的離子流平均相對(duì)量。
[0042]執(zhí)行完方塊622后，此方法返回到方塊618，重新測(cè)量總離子束流。若在方塊620處所測(cè)得的總離子流與目標(biāo)值相匹配，則此方法前進(jìn)到方塊624，根據(jù)當(dāng)前已建立的處理系統(tǒng)參數(shù)來(lái)處理晶圓(工件)。這些參數(shù)使得處理系統(tǒng)能夠引導(dǎo)具有目標(biāo)離子角輪廓和總離子束流的離子束至工件。在一些實(shí)施例中，可針對(duì)額外的角度來(lái)重復(fù)此方法600，直到產(chǎn)生完整的離子角輪廓。
[0043]依照方法600，可定期檢查和調(diào)整被引導(dǎo)至工件的離子角輪廓與離子劑量，以確保離子劑量與離子角輪廓的一致性。在各種實(shí)施例中，方法500與方法600可以毫秒級(jí)或秒級(jí)來(lái)進(jìn)行操作參數(shù)調(diào)整。因此，在一些實(shí)施例中，可在離子植入制程初期或者對(duì)兩個(gè)連續(xù)晶圓進(jìn)行植入之間或兩批晶圓之間實(shí)施這種調(diào)整。
[0044]在一些實(shí)施例中，多個(gè)離子角輪廓可合并起來(lái)以形成被引導(dǎo)至工件的離子的復(fù)合離子角輪廓。舉例而言，在一些實(shí)施例中，第一與第二離子角輪廓可合并起來(lái)以形成第三離子角輪廓。在其他實(shí)施例中，第一離子角輪廓、第二離子角輪廓與第三離子角輪廓可合并起來(lái)以形成第四離子角輪廓，如圖7a與圖7b所示。圖7a顯示三種離子角輪廓，其中每個(gè)單獨(dú)的離子角輪廓702、712及722可表示為處理系統(tǒng)200在不同的等離子體密度下得到的輪廓。舉例而言，與離子角輪廓402、412及422—樣，這三種離子角輪廓702、712及722可與處理系統(tǒng)200在三種不同的等離子體功率位準(zhǔn)下所得到的離子角輪廓相對(duì)應(yīng)。然而，若想得到諸如離子角輪廓740的平面離子角輪廓，則顯而易見(jiàn)的是，與離子角輪廓702、712及722相對(duì)應(yīng)的等離子體功率位準(zhǔn)中沒(méi)有一個(gè)等離子體功率位準(zhǔn)接近想要的離子角輪廓740。
[0045]然而，現(xiàn)在請(qǐng)參照?qǐng)D7b，代表三種個(gè)別離子角輪廓702、712及722的總和的復(fù)合離子角輪廓730確實(shí)近似于想要的離子角輪廓740。在特定的實(shí)施例中，使處理系統(tǒng)200的操作條件在第一等離子體功率位準(zhǔn)、第二等離子體功率位準(zhǔn)以及第三等離子體功率位準(zhǔn)之間切換，便可將復(fù)合離子角輪廓730提供給工件。
[0046]顯然，復(fù)合離子角輪廓730不會(huì)在任何給定的瞬間被提供給工件。換言之，復(fù)合離子角輪廓730代表三種不同的離子曝露，它們具有分別在三個(gè)單獨(dú)的時(shí)段內(nèi)發(fā)生的三種不同的離子角輪廓。然而，快速調(diào)整選擇參數(shù)來(lái)控制離子角輪廓，便可將這三種不同的離子角輪廓快速連續(xù)地提供給工件。工件可有效地曝露于合成離子角輪廓730下，它對(duì)工件具有同樣的效應(yīng)，就像與復(fù)合離子角輪廓730形狀相同的單個(gè)離子角輪廓被瞬間提供給基板一樣。
[0047]提供多個(gè)離子角輪廓來(lái)產(chǎn)生復(fù)合離子角輪廓的優(yōu)點(diǎn)在于，復(fù)合離子角輪廓可呈現(xiàn)出以單個(gè)離子角輪廓所無(wú)法得到的輪廓。具體而言，考慮到系統(tǒng)的離子束光學(xué)，作為單個(gè)離子角輪廓而得到的離子角輪廓的類型可能局限于某些形狀。相反地，本實(shí)施例提供一種方法，其根據(jù)使工件快速地曝露于不同的個(gè)別離子角輪廓來(lái)建構(gòu)想要的離子角輪廓。舉例而言，個(gè)別的離子角輪廓702、712及722的形狀表明，當(dāng)?shù)入x子體功率較低時(shí)，以法向入射角(零度)入射的離子流很小，而當(dāng)?shù)入x子體功率較高時(shí)，以法向入射角入射的離子流形成波峰，但卻形成很窄的分布。絕不可能發(fā)生在寬角度范圍內(nèi)延伸的平面輪廓。然而，藉由將個(gè)別的離子角輪廓702、712及722加在一起，復(fù)合離子角輪廓730提供合理近似于離子角輪廓740的寬平面角分布的分布。
[0048]更一般而言，本發(fā)明的實(shí)施例提供來(lái)使任何所需數(shù)量的個(gè)別離子角輪廓進(jìn)行合并以便形成具有所需形狀的復(fù)合離子角輪廓。舉例而言，在不同的實(shí)施例中，藉由使等離子體功率在每個(gè)輪廓所對(duì)應(yīng)的等離子體功率設(shè)定點(diǎn)之間迅速地變化(例如，使等離子體功率設(shè)定點(diǎn)以微秒級(jí)至約一百毫秒級(jí)的時(shí)間來(lái)變化)，5、10或20個(gè)個(gè)別的離子角輪廓便可合并起來(lái)。
[0049]圖8a至圖8c顯示一種使工件曝露在多個(gè)離子角輪廓下的方法的實(shí)施例。如參照?qǐng)D7a、圖7b所述，離子角輪廓702、712及722可合并在一起，以便提供復(fù)合離子角輪廓。圖8a顯示提供離子角輪廓的次序。在一系列的兩個(gè)曝露周期802a、802b中，按圖8a所示的次序來(lái)連續(xù)提供離子角輪廓702、712及722。每一單個(gè)曝露周期802a、802b包括一次離子曝露，離子按離子角輪廓702、712及722而分布。依照各種實(shí)施例，在處理工件期間，曝露周期802a、802b可重復(fù)多次。因此，每個(gè)曝露周期包括將工件曝露在復(fù)合離子角輪廓730下。在圖8a至圖8c的實(shí)施例中，每個(gè)曝露周期802a、802b可持續(xù)相同的時(shí)間。
[0050]圖Sb與圖Sc分別顯示等離子體的等離子體功率曲線與工件偏壓曲線，它們能共同操作來(lái)產(chǎn)生曝露周期802a、802b。具體而言，圖8b顯示等離子體功率曲線810，其包括不同的射頻功率位準(zhǔn)。這些不同的等離子體功率位準(zhǔn)可由射頻產(chǎn)生器來(lái)建立，射頻產(chǎn)生器可改變發(fā)送給天線(參見(jiàn)圖2的天線23)的射頻信號(hào)的幅度，以改變等離子體功率，進(jìn)而改變等離子體密度。如圖8a中所示，每個(gè)離子角輪廓702、712、722與從中能萃取出離子的等離子體的不同射頻功率位準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)。因此，在等離子體功率曲線810的部分812a中，射頻功率設(shè)定為產(chǎn)生離子角輪廓712a的中間功率位準(zhǔn)，其中離子角輪廓712a的特征為關(guān)于零度對(duì)稱的較窄的入射角雙峰式分布。部分814a對(duì)應(yīng)于產(chǎn)生單模(single mode)離子角輪廓722a的高射頻功率位準(zhǔn)。部分816a對(duì)應(yīng)于產(chǎn)生離子角輪廓702a的低射頻功率位準(zhǔn)，其中離子角輪廓702a是較寬的入射角雙峰式分布。在部分812b、814b及816b中重復(fù)中-高-低功率位準(zhǔn)的次序。再如圖8b中所示，對(duì)于不同的功率位準(zhǔn)，離子曝露時(shí)長(zhǎng)可不同。藉由改變不同功率位準(zhǔn)下的相對(duì)曝露時(shí)間，可進(jìn)一步調(diào)整復(fù)合離子角輪廓的形狀。換言之，復(fù)合離子角輪廓730可視為個(gè)別離子角輪廓702、712及722的時(shí)間加權(quán)平均值(weighted timeaverage)。藉由改變不同離子角輪廓的相對(duì)曝露時(shí)長(zhǎng),具有較大曝露時(shí)長(zhǎng)的一個(gè)或多個(gè)個(gè)別輪廓在復(fù)合輪廓中的權(quán)重變得更高。
[0051]圖Sc顯示曝露于等離子體期間施加在工件與等離子體之間的示范性偏壓脈沖串(train) 820，其中等離子體的功率是由等離子體功率曲線810來(lái)界定。在“接通”時(shí)段824期間，施用負(fù)電壓脈沖(-V)，且經(jīng)由萃取板將等離子體里的離子從等離子體里萃取出來(lái)，并以偏壓所界定的能量將離子吸引到工件上。在“斷開(kāi)”時(shí)段822期間，脈沖電壓為零，且離子不會(huì)被吸引到工件上，也不會(huì)撞擊至工件上。因此，離子角輪廓702、712及722是在“接通”時(shí)段822期間產(chǎn)生，而不是在“斷開(kāi)”時(shí)段期間產(chǎn)生。
[0052]依照一些實(shí)施例，不同的等離子體功率位準(zhǔn)之間的轉(zhuǎn)換可與工件偏壓脈沖的施加同步進(jìn)行，使得這種轉(zhuǎn)換發(fā)生在脈沖“斷開(kāi)”時(shí)段822期間。舉例而言，在對(duì)應(yīng)于“斷開(kāi)”時(shí)段822的中間的時(shí)點(diǎn)h處，中間功率位準(zhǔn)(部分812a)與高功率位準(zhǔn)(部分814b)之間發(fā)生轉(zhuǎn)換。同理地，時(shí)點(diǎn)t2、t3%t4對(duì)應(yīng)于不同的射頻功率位準(zhǔn)之間的轉(zhuǎn)換，如圖所示。在一些實(shí)施例中，“接通”時(shí)段824與“斷開(kāi)”時(shí)段822的各別時(shí)長(zhǎng)可以是10 μ s級(jí)至約Ims級(jí)。當(dāng)射頻功率位準(zhǔn)從一個(gè)位準(zhǔn)變?yōu)榱硪粋€(gè)位準(zhǔn)時(shí)，等離子體中不同的等離子體密度之間的轉(zhuǎn)換可在大約10μ s級(jí)的時(shí)間間隔內(nèi)發(fā)生。因此，藉由使等離子體功率曲線810與偏壓脈沖串820適當(dāng)同步進(jìn)行，不同的等離子體密度(因而不同的離子角輪廓)之間的轉(zhuǎn)換可完全在“斷開(kāi)”時(shí)段內(nèi)進(jìn)行。如此一來(lái)，用來(lái)產(chǎn)生每個(gè)離子角輪廓702、712及722的適當(dāng)功率位準(zhǔn)在偏壓脈沖串820的“接通”時(shí)段824開(kāi)始前便已完全地建立，從而有利于更好地控制所形成的復(fù)合離子角輪廓。
[0053]在各種實(shí)施例中，給定射頻功率位準(zhǔn)下的曝露時(shí)長(zhǎng)可以是幾微秒(μ s)級(jí)至幾毫秒(ms)級(jí)。因此，舉例而言，部分812a、814a及816a可對(duì)應(yīng)于300μ s、100y s及200 μ s的時(shí)間間隔，使得單個(gè)曝露周期(如曝露周期802a)持續(xù)600ys。如上文所述，在各種實(shí)施例中，曝露周期802a、802b可重復(fù)多次。舉例而言，請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2，在曝露周期802a、802b期間，工件40可相對(duì)于孔洞34進(jìn)行掃描，使得整個(gè)工件或工件的大部分都可曝露在復(fù)合離子角輪廓730下。當(dāng)工件40被掃描時(shí)，控制器202可發(fā)送信號(hào)給射頻電源20以便定期地改變功率設(shè)定點(diǎn)(位準(zhǔn))，且進(jìn)一步控制信號(hào)可被發(fā)送給偏壓電源212，從而產(chǎn)生等離子體功率曲線810與偏壓脈沖串820，而等離子體功率曲線810與偏壓脈沖串820則共同產(chǎn)生曝露周期 802a、802b。
[0054]由于每個(gè)曝露周期802a、802b的時(shí)長(zhǎng)可以是數(shù)微秒或長(zhǎng)達(dá)約一百毫秒，所以當(dāng)工件40在孔洞34下方被掃描時(shí)可執(zhí)行數(shù)百或數(shù)千次曝露周期(掃描可持續(xù)數(shù)秒)。這可導(dǎo)致工件“經(jīng)歷”有效的離子角輪廓，其由復(fù)合離子角輪廓(如復(fù)合離子角輪廓730)表示。舉例而言，假設(shè)工件掃描速度為lmm/s且工件40上的離子束寬度為5mm，則工件40上的任意點(diǎn)R將在5秒內(nèi)掃過(guò)整個(gè)離子束204。利用曝露周期802a、802b時(shí)長(zhǎng)為600 μ s的例子，在任意點(diǎn)R掃過(guò)離子束204期間，對(duì)工件40提供了總數(shù)約為8300次的曝露周期802a、802b。因此，由于在曝露周期802a、802b的時(shí)長(zhǎng)內(nèi)工件40只經(jīng)歷了離子束寬度的一小部分(在本實(shí)例中為1/8300)，所以在掃描期間復(fù)合離子角輪廓730可被有效地提供給工件40的每個(gè)區(qū)域。同理也適用于工件靜態(tài)曝露，在此情形下工件在曝露于曝露周期802a、802b期間是靜止不動(dòng)的。
[0055]除了提供一些方法與系統(tǒng)以便利用離子角輪廓來(lái)進(jìn)行離子植入外，本發(fā)明的實(shí)施例還包括一些方法與系統(tǒng)，它們?yōu)橛脕?lái)處理工件以實(shí)現(xiàn)其他用途的離子束提供、調(diào)整及維護(hù)離子角輪廓。在一些實(shí)施例中，可提供離子角輪廓給工件以便處理三維表面結(jié)構(gòu)特征。舉例而言，可提供復(fù)合離子角輪廓來(lái)處理基板表面上的光阻凹凸特征(photoresistrelief feature)或者可提供復(fù)合離子角輪廓以使三維凹凸特征的一些部分無(wú)定形化(amorphize),或是其他的實(shí)施例等等。
[0056]舉例而言，在電腦可讀儲(chǔ)存媒體上具體實(shí)施指令程式，本文所述的方法便可自動(dòng)執(zhí)行，其中電腦可讀儲(chǔ)存媒體能夠被可執(zhí)行這些指令的機(jī)器讀取。這種機(jī)器的一個(gè)實(shí)例是通用電腦。本專業(yè)領(lǐng)域眾所周知的適當(dāng)儲(chǔ)存媒體的非限制性的示范用列表包括可讀或可寫⑶、快閃存儲(chǔ)器芯片(flash memory chips)(例如,姆指驅(qū)動(dòng)器(thumb drives))、各種磁性儲(chǔ)存媒體及其類似元件等等。
[0057]具體而言,改變直流(direct current, DC)萃取電壓及/或工件掃描速度的步驟可至少部分是藉由電子處理器、電腦可讀存儲(chǔ)器及/或電腦可讀程式相結(jié)合來(lái)執(zhí)行。電腦存儲(chǔ)器還可用來(lái)接收、顯示和儲(chǔ)存與等離子體系統(tǒng)的操作有關(guān)的制程歷史信息，所述制程歷史信息例如是以儲(chǔ)存的電壓值紀(jì)錄。
[0058]本揭示并不受本文所述的特定實(shí)施例所界定的范圍限制。實(shí)際上，根據(jù)前文的敘述和附圖，不僅本文所述的實(shí)施例，而且本揭示的其他各種實(shí)施例以及本揭示的修改對(duì)熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員而言都將明顯易懂。因此，這些其他實(shí)施例與修改意欲落入本揭示的范圍內(nèi)。此外，雖然本文已以特定的實(shí)施方式、特定的環(huán)境、特定的用途來(lái)闡述本揭示，但是熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員能夠理解的是，其實(shí)用性并不限于此，且本發(fā)明也可在任何環(huán)境下為了任何用途以有利的方式來(lái)實(shí)施。因此，應(yīng)如本文所述的本揭示的完整范圍與精神來(lái)解釋以下所述的申請(qǐng)專利范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種處理工件的方法,包括: 引導(dǎo)第一離子束朝向工件的第一區(qū)域，所述第一離子束具有經(jīng)由萃取板的孔洞而萃取的第一離子的第一離子角輪廓；以及 引導(dǎo)第二離子束朝向所述工件的所述第一區(qū)域，所述第二離子束具有經(jīng)由所述萃取板的所述孔洞而萃取的第二離子的第二離子角輪廓，其中所述第二離子角輪廓不同于所述第一離子角輪廓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理工件的方法，包括分別在第一時(shí)段與第二時(shí)段提供所述第一離子角輪廓與所述第二離子角輪廓各多次，其中所述第一時(shí)段與所述第二時(shí)段各自包括小于約100毫秒的時(shí)長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理工件的方法，其中所述第一時(shí)段不同于所述第二時(shí)段。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理工件的方法，還包括以交替方式來(lái)提供所述第一離子角輪廓與所述第二離子角輪廓多次。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理工件的方法，其中所述第一離子角輪廓為單峰式輪廓，且所述第二離子角輪廓為雙峰式輪廓。
6.根 據(jù)權(quán)利要求1所述的處理工件的方法，還包括: 在引導(dǎo)所述第一離子角輪廓朝向所述工件前先最佳化所述第一離子角輪廓，所述最佳化包括: 測(cè)量所述第一離子角輪廓的第一最大角實(shí)驗(yàn)值； 將所述第一最大角實(shí)驗(yàn)值與第一最大角目標(biāo)值做比較；以及 若所述第一最大角實(shí)驗(yàn)值與所述第一最大角目標(biāo)值不相同，則調(diào)整控制參數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理工件的方法，還包括: 在提供所述第二離子角輪廓前先最佳化所述第二離子角輪廓，所述最佳化包括: 測(cè)量所述第二離子角輪廓的第二最大角實(shí)驗(yàn)值； 將所述第二最大角實(shí)驗(yàn)值與第二最大角目標(biāo)值做比較；以及 若所述第二最大角實(shí)驗(yàn)值與所述第二最大角目標(biāo)值不相同，則調(diào)整控制參數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理工件的方法，還包括: 在引導(dǎo)所述第一離子角輪廓朝向所述工件前先最佳化所述第一離子角輪廓，所述最佳化包括: 測(cè)量以第一目標(biāo)角度入射的第一離子流； 若所述第一離子流不是峰值離子流，則對(duì)離子植入系統(tǒng)的控制參數(shù)進(jìn)行第一次調(diào)整； 測(cè)量以第二目標(biāo)角度入射的第二離子流；以及 若所述第一離子流對(duì)所述第二離子流的比率與目標(biāo)比率不匹配，則對(duì)所述離子植入系統(tǒng)的所述控制參數(shù)進(jìn)行第二次調(diào)整。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的處理工件的方法，還包括:執(zhí)行完所述第二次調(diào)整后， 測(cè)量所述第一離子輪廓的總離子流；以及 若所述總離子流與總離子流目標(biāo)值不相同，則調(diào)整萃取脈沖序列的工作周期。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理工件的方法，其中所述第一離子角輪廓與所述第二離子角輪廓的總和包括第三離子輪廓，所述方法還包括:使所述工件相對(duì)于所述萃取板進(jìn)行掃描，同時(shí)將所述第三離子輪廓提供給所述工件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理工件的方法，其中提供所述第一離子角輪廓與所述第二離子角輪廓包括將射頻產(chǎn)生器所產(chǎn)生的第一幅度的第一射頻信號(hào)與第二幅度的第二射頻信號(hào)發(fā)送給天線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的處理工件的方法，還包括提供偏壓脈沖串給所述工件，其中所述第一離子角輪廓與所述第二離子角輪廓是在所述偏壓脈沖串的接通時(shí)段期間形成，在所述接通時(shí)段期間離子被吸引到所述工件上，以及其中所述第一功率位準(zhǔn)與所述第二功率位準(zhǔn)之間的轉(zhuǎn)換是在所述偏壓脈沖串的斷開(kāi)時(shí)段期間進(jìn)行，在所述斷開(kāi)時(shí)段期間離子不會(huì)被吸引到所述工件上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理工件的方法，還包括將經(jīng)由所述萃取板而萃取的第三離子的第四離子輪廓提供給所述工件的所述第一區(qū)域，其中所述第三離子的所述第四離子輪廓不同于經(jīng)由所述萃取板而萃取的所述第一離子的所述第一離子輪廓和所述第二離子的所述第二離子輪廓。
14.一種處理系統(tǒng)，包括: 射頻產(chǎn)生器，其經(jīng)配置以發(fā)送射頻信號(hào)，以便產(chǎn)生等離子體； 工件固持器，其經(jīng)配置以接收相對(duì)于所述等離子體的偏壓，以便吸引離子穿越等離子體鞘朝向工件； 萃取板，其具有孔洞，所述萃取板經(jīng)配置以提供離子束，所述離子束具有以入射角范圍分布在所述工件上的離子；以及 控制器，其經(jīng)配置以便在一系列的曝露周期中發(fā)送控制信號(hào)給所述射頻產(chǎn)生器，從而使所述射頻信號(hào)的幅度在第一幅度與第二幅度之間以交替方式變化，其中每個(gè)曝露周期包括第一離子曝露和第二離子曝露，所述第一離子曝露和所述第二離子曝露分別與所述第一幅度和所述第二幅度相對(duì)應(yīng)，`且分別包括經(jīng)由所述孔洞而萃取的離子的第一離子角輪廓和第二離子角輪廓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述工件固持器經(jīng)配置以便在一系列的所述曝露周期期間使所述工件相對(duì)于所述萃取板的所述孔洞進(jìn)行掃描，其中每個(gè)所述曝露周期小于所述工件掃過(guò)與所述離子束寬度相等的距離所需時(shí)長(zhǎng)的約百分之十。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一次曝露長(zhǎng)于所述第二次曝露。
【文檔編號(hào)】H01J37/302GK103733300SQ201280039634
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月16日
【發(fā)明者】提摩西·J·米勒, 盧多維克·葛特 申請(qǐng)人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司