專利名稱：一種干刻機的上電極結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
ー種干刻機的上電極結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種干刻機的上電極結(jié)構(gòu)。
背景技木目前用于制造液晶及OLED面板的干刻機的上電極線圈的設(shè)計如圖I所示，采用比較廣泛的エ藝是單線圈10，而在干刻制程中，因為單線圈10只能對等離子體進行整體控制，無法實現(xiàn)分區(qū)域控制，容易產(chǎn)生刻蝕不均勻缺陷。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種干刻機的上電極結(jié)構(gòu)，以解決上述技術(shù)問題。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案—種干刻機的上電極結(jié)構(gòu)，包括電極板和設(shè)置于電極板上的九個線圈。本實用新型進ー步的改進在于所述九個線圈呈矩陣式排列。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下優(yōu)點本實用新型通過在上電極的電極板上矩陣式的設(shè)置9個線圈，使得基板在正常等離子刻蝕中，可實現(xiàn)對腔室等離子的密度進行九個區(qū)域控制，有利于控制干刻中出現(xiàn)的刻蝕不均勻；在蝕刻法生產(chǎn)中不僅可以提高改善干刻制程中產(chǎn)生的不均勻問題，并且可以實現(xiàn)基板中心及四角同步刻蝕，提高刻蝕效率；經(jīng)干刻法生產(chǎn)后，基板就不會由于基板中心及四角等離子密度不同，致使刻蝕速率不一，造成刻蝕不均勻，同時可以提高基板的刻蝕效率。

圖I是現(xiàn)有干刻機上電極線圈的示意圖。圖2是本實用新型的干刻機上電極線圈的示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型做進ー步詳細描述請參閱圖2所示，本實用新型一種干刻機的上電極結(jié)構(gòu)包括電極板I和設(shè)置于電極板I上的九個線圈2，電極板I為鋁板，鋁板上設(shè)有ー層陶瓷層；九個線圈2矩陣式排列于陶瓷層上，每個線圈2獨立控制；基板在正常等離子刻蝕中，可實現(xiàn)對腔室等離子的密度進行九個區(qū)域控制，有利于控制干刻中出現(xiàn)的刻蝕不均勻；在蝕刻法生產(chǎn)中不僅可以提高改善干刻制程中產(chǎn)生的不均勻問題，并且可以實現(xiàn)基板中心及四角同步刻蝕，提高刻蝕效率；經(jīng)干刻法生產(chǎn)后，基板就不會由于基板中心及四角等離子密度不同，致使刻蝕速率不一，造成刻蝕不均勻，同時可以提高基板的刻蝕效率。
權(quán)利要求1.一種干刻機的上電極結(jié)構(gòu),其特征在于,包括電極板(I)和設(shè)置于電極板(I)上的九個線圈(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種干刻機的上電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述九個線圈(2)呈矩陣式排列。
專利摘要本實用新型提供一種干刻機的上電極結(jié)構(gòu)，包括電極板和設(shè)置于電極板上的九個線圈；所述九個線圈呈矩陣式排列。本實用新型通過在上電極的電極板上矩陣式的設(shè)置9個線圈，使得基板在正常等離子刻蝕中，可實現(xiàn)對腔室等離子的密度進行九個區(qū)域控制，有利于控制干刻中出現(xiàn)的刻蝕不均勻；在蝕刻法生產(chǎn)中不僅可以提高改善干刻制程中產(chǎn)生的不均勻問題，并且可以實現(xiàn)基板中心及四角同步刻蝕，提高刻蝕效率；經(jīng)干刻法生產(chǎn)后，基板就不會由于基板中心及四角等離子密度不同，致使刻蝕速率不一，造成刻蝕不均勻，同時可以提高基板的刻蝕效率。
文檔編號H01J37/305GK202663641SQ20122016932
公開日2013年1月9日 申請日期2012年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月19日
發(fā)明者鄭建博 申請人:彩虹(佛山)平板顯示有限公司