專利名稱：主動露點感測和載荷鎖定排氣以避免在工件上凝結的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般地涉及一種離子植入系統(tǒng)(ion implantation system),并且更具體地涉及一種用于避免在離子植入系統(tǒng)中的工件上形成凝結的系統(tǒng)、裝置和方法。
背景技術：
靜電夾持裝置或夾具(ESC)通常應用在半導體工業(yè)中，用于在例如離子植入、蝕亥IJ、化學氣相沉積(CVD)等等的基于等離子體或基于真空半導體處理過程中夾持工件或基底。ESC的夾持能力以及工件溫度控制已被證實在處理半導體基底或例如硅芯片的芯片中是相當有用的。例如，典型的ESC包括位于導電電極之上的介質層，其中半導體芯片放置在ESC的表面上(例如，芯片放置在介質層的表面上)。在半導體處理(例如是離子植入)期間，夾持電壓典型地施加在芯片及電極之間，其中芯片通過靜電作用力夾持抵靠夾具表面。對于某些離子植入過程而言，需要通過冷卻ESC來冷卻工件。然而，在較冷的溫度下，凝結可能形成在工件上，或者，當工件被從過程環(huán)境(例如，真空環(huán)境)中的冷的ESC轉移到外界環(huán)境(例如，較高壓力、溫度和濕度的環(huán)境)時，大氣中的水甚至可能在工件表面上發(fā)生凍結。例如，在離子植入工件之后，工件通常被轉移進入載荷鎖定室(load lockchamber)，并且載荷鎖定室隨后進行排氣。當載荷鎖定室被打開以自其中移出工件的時，工件通常暴露至周邊大氣中(例如，在大氣壓力下的溫暖、“潮濕”空氣)，其中工件上可能發(fā)生凝結。凝結可能使得微粒沉積在工件上，和/或在工件上留下可能對正面顆粒(例如，對作用區(qū)域)有不利影響的殘余物。因此，在本領域中需要一種當工件從冷環(huán)境轉移至較溫暖環(huán)境時用于消除在工件上的凝結的系統(tǒng)、裝置和方法。

發(fā)明內容
本發(fā)明通過提供用于消除在離子植入系統(tǒng)中的工件上的凝結的系統(tǒng)、裝置和方法來克服現(xiàn)有技術的限制。因此，以下提出本發(fā)明的簡化摘要以便提供本發(fā)明的某些方面的基本理解。這個摘要并非是本發(fā)明的廣泛概要。本摘要既不打算要確定本發(fā)明的關鍵或重要元件，也不劃出本發(fā)明的范圍。其目的是于以簡化形式提出本發(fā)明的某些概念，作為隨后提出的更詳細的說明的前言。本發(fā)明大致涉及一種用于避免在離子植入系統(tǒng)中的工件上凝結的系統(tǒng)、裝置和方法。系統(tǒng)包括配置成形成離子束的源(source)、配置成對離子束進行質量分析的射束線組件(beamline assembly)、具有與其相關聯(lián)的第一環(huán)境的端部站(end station)(其中端部站包括冰凍靜電夾具，冰凍靜電夾具配置成在來自離子束的離子的植入期間夾住和冷卻工件)和分別地與端部站和第二環(huán)境選擇性地流體連通的載荷鎖定室。載荷鎖定室包括配置成接受工件的平臺，其中平臺包括工件溫度監(jiān)測裝置，工件溫度監(jiān)測裝置配置成測量工件的溫度，并且其中第二環(huán)境具有比第一環(huán)境較高的露點。輔助監(jiān)測裝置配置成測量溫度和相對濕度，并且因而測量和/或計算在第二環(huán)境中的露點，并且控制器配置成確定在工件從載荷鎖定室轉移至第二環(huán)境時工件上不會形成凝結的工件的溫度。所述確定根據(jù)來自工件溫度監(jiān)測裝置和外部溫度監(jiān)測裝置的數(shù)據(jù)做出，諸如在第二環(huán)境中的露點。因此，為了實現(xiàn)前述及相關結果，本發(fā)明包括以下完全描述和在權利要求中特定指出的特征。以下說明及隨附附圖詳細提出本發(fā)明的幾個說明性的實施例。然而，這些實施例指示其中可以采用本發(fā)明的原理的一些不同方式。在結合附圖考慮時，從以下本發(fā)明的詳細說明中，本發(fā)明的其他目的、優(yōu)點及新穎特征將變得明顯。


圖I圖示根據(jù)本發(fā)明的一個示例的包括離子植入系統(tǒng)的真空系統(tǒng)的示意圖?！D2圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個方面的示例性載荷鎖定室。圖3是圖示根據(jù)另一個示例的使用氣體加溫工件的溫度相對于時間的圖表。圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性方面的用于避免在工件上凝結的示例性方法。
具體實施例方式本發(fā)明一般地涉及利用冰凍靜電夾具避免在離子植入系統(tǒng)中的工件上凝結。在沒有監(jiān)測工件溫度或區(qū)域露點的情況下傳統(tǒng)加溫工件可能導致長的排氣時間，并且因而對工件生產量具有負面的影響。本發(fā)明將描述一種用于主動地測量工件溫度和載荷鎖定室外部的區(qū)域露點并且利用這個信息以最小化等待時間從而使生產量最大化的系統(tǒng)、裝置和方法。以下將參照圖式描述本發(fā)明，其中相同參考編號在本文各處均用于表示相同元件。應理解，這些方面的說明僅僅是圖示說明，并且它們不應被解讀為有限制的意義。在以下的說明中，為了說明的目的，許多具體細節(jié)被提出，以提供對本發(fā)明的全部理解。然而，本領域技術人員顯然可知，在沒有這些具體細節(jié)的情況下可以實施本發(fā)明。根據(jù)本公開的特色，圖I圖示示例性真空系統(tǒng)100。本示例中的真空系統(tǒng)100包括離子植入系統(tǒng)101，然而也可以涵蓋許多其他類型的真空系統(tǒng)，諸如等離子處理系統(tǒng)或其他半導體處理系統(tǒng)。舉例而言，離子植入系統(tǒng)101包括終端102、射束線組件104和端部站106。一般而言，終端102中的離子源108連接至電源110，以離子化摻雜氣體并且形成離子束112。離子束112被引導穿過射束操控裝置114，并且朝向端部站106離開穿孔116。在端部站106中，離子束112撞擊工件118 (例如，半導體芯片、顯示面板等)，工件118被選擇性地夾住或固定至關聯(lián)端部站的第一環(huán)境122中的靜電夾具(ESC) 120。舉例而言，第一環(huán)境122包括由真空系統(tǒng)123所產生的真空。一旦被嵌入工件118的晶格中之后，植入的離子改變工件的物理和/或化學特性。因此，離子植入被運用在半導體組件制造和金屬表面處理，和材料科學研究中的許多應用。在無任何對策時，使用離子植入系統(tǒng)101的離子植入期間，能量可以在帶電離子碰撞工件時以熱的形式增生在工件118上。這個熱量可以使工件118翹曲或破裂，其使得工件在一些執(zhí)行過程毫無價值(或價值大幅降低)。熱量可能進一步致使投送至工件118的離子劑量與預定的劑量相異，而使得預定的機能產生改變。例如，如果預定將I X IO17原子數(shù)/立方厘米的劑量植入位于工件118外部表面正下方的極薄區(qū)域，則意外的加熱可能致使投送的離子擴散到這個極薄區(qū)域以外，使得實際施用的劑量小于I X IO17原子數(shù)/立方厘米。實際上，意外的加熱可能將植入的電荷“涂散”在比預期大的區(qū)域之上，從而降低實際劑量到小于預定的值。還可能產生其他的不期望的效果。在一些情況中，需要在低于周邊溫度的溫度下植入離子，諸如允許工件118 (例如，諸如娃芯片的半導體工件)的表面的需要的非晶化(amorphization),能夠在高階CMOS集成電路裝置生產中達成超淺接面(ultra shallow junction)結構。因此,提供冷卻系統(tǒng)124，其中冷卻系統(tǒng)配置成冷卻或冷凍靜電夾具120，并且因而使得位于其上的工件118的溫度大幅低于周圍或第二環(huán)境126(例如，還稱為“外部環(huán)境”或“大氣環(huán)境”)周邊溫度或 大氣溫度。根據(jù)本公開的另一個特點，載荷鎖定室128還進一步提供與端部站106的第一環(huán)境122和第二環(huán)境126的選擇性流體連通，其中載荷鎖定室配置成允許工件118轉移進入和離開真空系統(tǒng)100 (例如，離子植入系統(tǒng)101)而沒有損害真空系統(tǒng)內的真空質量(即第一環(huán)境)。發(fā)明者理解到在冰凍溫度處(例如，任何在第二環(huán)境126的露點溫度以下的溫度)執(zhí)行離子植入，舉例而言，如果從在離子植入系統(tǒng)101內的第一環(huán)境122轉移至外部環(huán)境，在工件比第二環(huán)境的露點溫度更冷時，可能造成在工件118上形成凝結。例如，如果工件118的溫度低于水的結冰點，則工件在被暴露至在第二環(huán)境126的周邊空氣中的周邊水氣(例如，濕度)時可能起霧(例如，沉積凝結的水汽)。因此，載荷鎖定室128被連接至與端部站106相關聯(lián)的處理室130以維持真空系統(tǒng)100內的第一環(huán)境122 (例如，干燥的真空環(huán)境)。載荷鎖定室128內的載荷鎖定室的環(huán)境132和本示例中的第二環(huán)境126被稱為“在空氣環(huán)境中”，諸如在工件118在工件運送容納器134 (例如，F(xiàn)OUP (芯片載卸模塊))與載荷鎖定室之間移轉時，其中在空氣環(huán)境中被設計針對最小化擾動和微粒的特定氣體/空氣流。例如，工件運送容納器134通常在可能具有相對高露點的大氣中(例如，第二環(huán)境126)。舉例而言，多數(shù)空氣中工件處理將工件118暴露至大氣環(huán)境。工件118經由轉移機械135A從工件運送容納器134移出，并且通過第二環(huán)境126行進，而且隨后經由載荷鎖定室的第一閘門136被放入載荷鎖定室128。載荷鎖定室128的第一閘門136選擇性地使載荷鎖定室環(huán)境132與第二環(huán)境126隔離。載荷鎖定室128的第二閘門138進一步選擇性地使載荷鎖定室環(huán)境132從真空系統(tǒng)100的端部站130內的第一環(huán)境122隔離。因此，在第一閘門136是在處于將載荷鎖定室環(huán)境132暴露至第二環(huán)境126的打開位置時,第二閘門138在關閉位置中，使載荷鎖定室環(huán)境隔離第一環(huán)境122?！┕ぜ?18被置放在載荷鎖定室128內，第一閘門136被關閉并且載荷鎖定室環(huán)境132被抽吸到與處理室130內的第一環(huán)境122相關的壓力，諸如由真空源140提供的真空狀態(tài)。在載荷鎖定室環(huán)境132與第一環(huán)境122中的壓力大致相等之后，第二閘門138被打開，并且工件經由另一個轉移機械135B轉移進入處理室130用于隨后處理(例如，離子植入)。一旦處理完成，工件118被轉移回到載荷鎖定室128。載荷鎖定室128隨后經由氣體源142 (還稱為排氣源)進行排氣，使得在載荷鎖定室環(huán)境132內的壓力大致上被增加至大氣壓力，或者第二環(huán)境126的壓力。舉例而言，氣體源142與載荷鎖定室128內的載荷鎖定室環(huán)境132選擇性地流體連通。在一個示例中，氣體源142提供干燥氮氣以將載荷鎖定室環(huán)境132通風至大氣壓力，其中一旦在大氣壓力，載荷鎖定室128的第一閘門136被打開以與第二環(huán)境126流體連通。在另一個示例中，氣體源142包括氫氣、氦氣、氬氣或其他惰性氣體中的一種或多種。例如，氣體源142配置為提供氣體的混合物，諸如包括4%氫氣和96%氮氣的“形成氣體(forming gas) ”，其中提供氫氣的較高熱容量的優(yōu)點和氮氣的低費用，和不具有易爆炸氣體濃度的安全性。此外，根據(jù)另一示例，提供氣體源加熱器143以在進入用于加熱工件118的載荷鎖定室128之前對來自氣體源142的氣體或混合氣體加熱，如將在下面說明。舉例而言，氣體源加熱器143配置成將來自氣體源142的氣體加熱至諸 如100°C到150°C的預定溫度，其中工件118的充分加熱在造成損傷(例如，沒有在工件上造成光阻質量降低的溫度等)的情況下是有幫助的。來自氣體源142的熱氣體將比冷氣體較快速地加溫。芯片的瞬時溫度可以由以下等式表不T (t) = T + (Ttl-T ) exp (_ (t_tQ) / τ )(I)其中T(t)表示作為時間函數(shù)的工件118的溫度、T00是需要的溫度、Ttl是初始溫度、t是時間、h是開始時間、而τ是與工件的加熱相關的時間常數(shù)，其取決于幾何結構、材料特性和氣體流動速率。圖3圖示利用來自圖I氣體源142的氣體將工件由_40°C的初始芯片溫度加溫至100°C的溫度相對于時間的圖表160，其中顯示能量平衡162和指數(shù)曲線型態(tài) 164。根據(jù)本公開的示例，圖I的載荷鎖定室128的第一閘門136僅在工件118的溫度高于第二環(huán)境126的露點時被打開至大氣。例如，不需要工件118的溫度抵達第二環(huán)境126的周邊溫度(例如，18°C_20°C)，而工件的溫度升高至第二環(huán)境(例如，周邊空氣)的區(qū)域露點以上。根據(jù)一個示例，如在圖2中更詳細圖示，載荷鎖定室128包括配置成接受工件118的平臺144。例如，工件118放置在平臺144上。工件溫度監(jiān)測裝置146進一步設置在載荷鎖定室128內，其中工件溫度監(jiān)測裝置配置成測量工件118的溫度。舉例而言，工件溫度監(jiān)測裝置146整合進入平臺144,諸如與平臺的表面148相關聯(lián)的熱電偶(thermocouple)。例如，工件溫度監(jiān)測裝置146可以定位在平臺144上的任何位置，使得工件118的精確溫度可以被確定。例如，工件溫度監(jiān)測裝置146包括被壓制到工件118的背側的接觸式熱電偶。另一個示例包括接觸工件的邊緣的熱電偶。其他代替工件溫度監(jiān)測裝置146包括紅外線(IR)測量裝置、雙色高溫計(2-color pyrometer)其他電阻式熱組件或熱敏電阻(thermistor)或其他適當?shù)臏囟葴y量裝置。舉例而言，遮蔽區(qū)域150進一步設置使得工件溫度監(jiān)測裝置146在工件118駐留于平臺144的上時一般屏蔽來自氣體源142的被加熱氣體。此外，根據(jù)另一個示例，加熱器152與平臺144相關聯(lián)，其中加熱器配置成加熱工件118。
因此，根據(jù)一個示意性方面，提供外部監(jiān)測裝置154，如圖I所例示，其中外部監(jiān)測裝置配置成監(jiān)測和/或測量在第二環(huán)境126 (例如，載荷鎖定室128附近)中的溫度。舉例而言，外部監(jiān)測裝置154進一步配置以測量載荷鎖定室130附近處的第二環(huán)境126的相對濕度(RH)。發(fā)明者理解外部監(jiān)測裝置154與真空系統(tǒng)100的鄰近應盡可能地接近以在載荷鎖定室130與工件運送容納器134之間轉移工件118，如流動路徑、FOUP移動、外部建物氣候控制、區(qū)域氣象、季節(jié)、降雨、加熱等等，可能導致溫度、壓力和濕度上的變異。舉例而言，氣體源142在載荷鎖定室130的第一閘門被打開時將干燥氣體引入第二環(huán)境126，因此，與距離真空系統(tǒng)100遠更多的位置處相比，其露點可能較低，諸如操控真空系統(tǒng)的作業(yè)員站立處。因此，在處理室130內的工件118的處理(例如，經過冷卻系統(tǒng)124和ESC120冷卻工件)之后，工件被置放在載荷鎖定室128中的平臺144上。一旦載荷鎖定室128的第二閘門138被關閉，氣體源142配置成在工件118之上流動氣體(例如，被加熱的氣體)，從而對工件加熱，同時工件的溫度由工件溫度監(jiān)測裝置146進行測量，并且第二環(huán)境126的露點(例如，溫度和相對濕度)由外部監(jiān)測裝置154確定。舉例而言，利用在控制器156中的軟件邏輯，可以做出有關載荷鎖定室128內的工件118的溫度是否位于第二環(huán)境126的露·點或在其上的確定。一旦工件118的溫度處于第二環(huán)境的露點或在其上，則經由第一閘門136將工件118移出載荷鎖定室128。在一個示例中，在打開載荷鎖定室的第一閘門136之前，加入小段時間或者小溫度范圍(例如，2至3度)以確保整個工件118在第二環(huán)境126的露點以上。因此，控制器156配置為確定在工件從載荷鎖定室128轉移至第二環(huán)境126的時工件的其上將不形成凝結的工件118的溫度，其中根據(jù)來自工件溫度監(jiān)測裝置146和外部溫度監(jiān)測裝置154的數(shù)據(jù)做出確定。舉例而言，控制器156進一步配置為根據(jù)來自工件溫度監(jiān)測裝置146和外部溫度監(jiān)測裝置154的數(shù)據(jù)選擇性地供應來自干燥氣體源142的干燥氣體。應注意，還涵蓋用于加熱載荷鎖定室128內的工件118的代替方法和裝置，諸如利用加熱燈(heat lamp)、LED、微波、熱流體或用于加熱載荷鎖定室內的工件的任何方法或裝置進行加熱。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性方面，圖4圖示用于避免在工件上發(fā)生凝結的示例性方法200。應注意，雖然示例性方法在此處是以連續(xù)動作或事件的形式加以圖示和說明，但應理解，根據(jù)本發(fā)明，本發(fā)明不受限于這種動作或事件的圖示順序，由于一些步驟可以以不同的順序進行和/或使用在此顯示和描述以外的其他步驟同時進行。此外，并非所有圖示的步驟對于實施根據(jù)本發(fā)明的方法是必要的。并且，應理解，方法可以配合在此圖示和描述的系統(tǒng)實施，以及配合沒有圖示的其他系統(tǒng)實施。圖4的方法200開始于動作202，其中工件在真空系統(tǒng)內的第一環(huán)境中被冷卻，諸如前述圖I的真空系統(tǒng)100。在圖4的動作204中，工件從第一環(huán)境轉移至載荷鎖定室，并且載荷鎖定室隨后從弟一環(huán)境隔尚。在動作206中，工件在載荷鎖定室內加熱，而在動作208中，測量工件的溫度。舉例而言，加熱氣體在工件之上流動。此外，在動作210中，此動作可以與動作208并行進行，測量第二環(huán)境的溫度與相對濕度。在動作212中，確定第二環(huán)境的露點，諸如通過在動作210中測量的溫度和相對濕度。在從(TC到+60°C的溫度范圍和從0%到100%的相對濕度范圍之中，有效露點的適當近似是
權利要求
1.一種用于避免在工件上凝結的系統(tǒng)，系統(tǒng)包括 源，配置成形成離子束； 射束線組件，配置成對離子束進行質量分析； 端部站，具有與其相關聯(lián)的第一環(huán)境，其中端部站包括冰凍靜電夾具，冰凍靜電夾具配置成在來自離子束的離子的植入期間夾住和冷卻工件； 載荷鎖定室，能夠操作地連接至端部站并且與第一環(huán)境和第二環(huán)境選擇性地流體連通，其中載荷鎖定室包括配置成接受工件的平臺，其中平臺包括工件溫度監(jiān)測裝置，工件溫度監(jiān)測裝置配置成測量工件的溫度，并且其中第二環(huán)境具有比第一環(huán)境較高的露點； 外部監(jiān)測裝置，其中外部監(jiān)測裝置配置成測量在第二環(huán)境中的溫度和相對濕度；和 控制器，配置成確定在工件從載荷鎖定室轉移至第二環(huán)境時工件上不會形成凝結的工件的溫度，其中根據(jù)來自工件溫度監(jiān)測裝置和外部溫度監(jiān)測裝置的數(shù)據(jù)做出前述確定。
2.根據(jù)權利要求I所述的系統(tǒng)，進一步包括一個或多個轉移機械，轉移機械配置成將工件從端部站轉移至載荷鎖定室和從載荷鎖定室轉移至第二環(huán)境。
3.根據(jù)權利要求I所述的系統(tǒng)，其中第二環(huán)境包括在載荷鎖定室和FOUP之間的空氣中環(huán)境。
4.根據(jù)權利要求I所述的系統(tǒng)，其中工件溫度監(jiān)測裝置包括與平臺的表面相關聯(lián)的熱電偶。
5.根據(jù)權利要求4所述的系統(tǒng)，其中平臺包括與熱電偶相關聯(lián)的遮蔽區(qū)域，其中在工件駐留在平臺上時，熱電偶被大致屏蔽以防止處理氣體。
6.根據(jù)權利要求I所述的系統(tǒng)，進一步包括與載荷鎖定室流體連通的干燥氣體源，其中氣體源配置成將被加熱的干燥氣體提供到載荷鎖定室。
7.根據(jù)權利要求6所述的系統(tǒng)，其中干燥氣體源包括氫氣、氦氣、氬氣、氮氣或其他氣體中的一種或多種。
8.根據(jù)權利要求7所述的系統(tǒng)，其中干燥氣體源包括由4%氫氣和96%氮氣所構成的形成氣體。
9.根據(jù)權利要求6所述的系統(tǒng)，其中控制器被進一步配置成根據(jù)來自工件溫度監(jiān)測裝置和外部露點溫度監(jiān)測裝置的數(shù)據(jù)選擇性地供應來自干燥氣體源的干燥氣體。
10.根據(jù)權利要求I所述的系統(tǒng)，進一步包括與載荷鎖定室流體連通的干燥氣體源，其中載荷鎖定室進一步包含在低溫離子植入之后加熱工件的機械。
11.一種用于離子植入系統(tǒng)的凝結消除裝置，所述裝置包括 載荷鎖定室，選擇性地流體連通第一環(huán)境和第二環(huán)境，其中載荷鎖定室配置成接收來自第一環(huán)境的冰凍工件并且將工件轉移至第二環(huán)境，并且其中載荷鎖定室包括工件溫度監(jiān)測裝置，工件溫度監(jiān)測裝置配置成在工件駐留在載荷鎖定室內時測量工件的溫度； 與第二環(huán)境相關聯(lián)的外部監(jiān)測裝置，其中外部監(jiān)測裝置配置成測量第二環(huán)境中溫度和相對濕度；并且其中第二環(huán)境具有比第一環(huán)境高的露點； 控制器，配置成確定在工件從載荷鎖定室轉移至第二環(huán)境時工件上不會形成凝結的工件的溫度，其中根據(jù)來自工件溫度監(jiān)測裝置和外部溫度監(jiān)測裝置的數(shù)據(jù)做出前述確定。
12.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中載荷鎖定室包括工件駐留其上的平臺，并且其中工件溫度監(jiān)測裝置包括在工件駐留在平臺上時與工件的底部表面相關聯(lián)的熱電偶。
13.根據(jù)權利要求12所述的裝置，其中平臺包括與熱電偶相關聯(lián)的遮蔽區(qū)域，其中在工件駐留在平臺上時，熱電偶被大致屏蔽以防止處理氣體。
14.根據(jù)權利要求11所述的裝置，進一步包括與載荷鎖定室流體連通的干燥氣體源，其中氣體源配置成將加熱的干燥氣體提供到載荷鎖定室。
15.根據(jù)權利要求14所述的裝置，其中干燥氣體源包括氫氣、氦氣、氬氣、氮氣或其他氣體中的一種或多種。
16.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其中干燥氣體源包括由4%氫氣和96%氮氣所構成的形成氣體。
17.根據(jù)權利要求14所述的裝置，其中控制器被進一步配置成根據(jù)來自工件溫度監(jiān)測裝置和外部監(jiān)測裝置的數(shù)據(jù)選擇性地供應來自干燥氣體源的干燥氣體。
18.根據(jù)權利要求11所述的裝置，進一步包括與載荷鎖定室流體連通的干燥氣體源，其中載荷鎖定室進一步包含在低溫離子植入之后加熱工件的機械。
19.一種用于避免在工件上發(fā)生凝結的方法，所述方法包括以下步驟 將工件從第一環(huán)境轉移至載荷鎖定室； 在載荷鎖定室中加溫工件； 測量載荷鎖定室中的工件的溫度； 測量第二環(huán)境的溫度和相對濕度； 計算第二環(huán)境的露點；和 在工件的溫度大于第二環(huán)境的露點之后，將工件從載荷鎖定室轉移至第二環(huán)境。
20.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中測量載荷鎖定室中的工件的溫度的步驟包括 測量工件的背側上的一個或多個位置處的溫度。
21.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中在工件的溫度比第二環(huán)境的露點大預定量之后，發(fā)生工件從載荷鎖定室轉移至第二環(huán)境。
22.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中在工件的溫度比第二環(huán)境的露點大預定量的預定時間期間之后，發(fā)生工件從載荷鎖定室轉移至第二環(huán)境。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于避免離子植入系統(tǒng)的端部站中的工件上的凝結的系統(tǒng)、裝置和方法。工件在第一環(huán)境中被冷卻，并且被轉移至載荷鎖定室，載荷鎖定室分別地與端部站和第二環(huán)境選擇性地流體連通。工件溫度監(jiān)測裝置配置成用于測量在載荷鎖定室中的工件的溫度。外部監(jiān)測裝置測量第二環(huán)境中的溫度和相對濕度，并且控制器配置成在工件從載荷鎖定室轉移至第二環(huán)境時工件上不會形成凝結的工件的溫度。
文檔編號H01J37/18GK102918621SQ201180026216
公開日2013年2月6日 申請日期2011年5月26日 優(yōu)先權日2010年5月28日
發(fā)明者威廉·李 申請人:艾克塞利斯科技公司