專利名稱：Led提高顯色性鍍膜濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)照明技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于LED (發(fā)光二極管)提高顯色性的鍍膜濾光片。
背景技術(shù)：
目前，LED提高顯色性的方法有三大類一是藍光LED激發(fā)黃色熒光粉后產(chǎn)生的白光和小功率紅光LED的紅光混合提高顯色性。具體方法是藍光LED激發(fā)黃色熒光粉所生成的白光光譜中所缺的紅光光譜段通過用紅光LED所產(chǎn)生的紅光光譜段來進行補償，使光譜段相對完整而使顯色性提高。其特點驅(qū)動電路復(fù)雜、成本較低，缺點有藍光LED、熒光粉和紅光LED構(gòu)成的是相對獨立的發(fā)光體，就單個器件來說可能存在空間顏色不均勻。二是通過改變熒光粉的成份來控制。具體方法是采用藍光LED同時激發(fā)黃色和紅色熒光粉，甚至同時激發(fā)多種熒光粉也能得到性能優(yōu)良的白光LED。藍光LED加黃色熒光粉或紫外LED加三基色熒光粉，其特點驅(qū)動電路比較簡單，缺點有目前的發(fā)光效率還是不高或者達不到大批量推廣階段。三是RGB三基色芯片混合成白光，是多芯片集成能獲得低色溫、高顯色性的白光 LED。這種方法的缺點是封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，電路實現(xiàn)較困難，白光穩(wěn)定性較差，成本比較高。由于紅、綠、藍三種顏色LED芯片的量子效率不同，各自隨溫度和驅(qū)動電流的變化不一樣，且隨時間的衰減也不同，所以輸出白光的色度不穩(wěn)定。為了使其穩(wěn)定，需要對三種顏色分別加反饋電路進行補償，所以封裝結(jié)構(gòu)及電路比較復(fù)雜。其優(yōu)點是效率高、使用靈活，由于發(fā)光全部來自紅、綠、藍三種LED，不需要進行光譜轉(zhuǎn)換，因此其能量損失最小，效率最高。 同時由于RGB三色LED可以單獨發(fā)光，且其發(fā)光強度可以單獨調(diào)節(jié)，故具有較高的靈活性。以上三大類都相對比較復(fù)雜，共同點都是通過光源本身或混光來提高LED顯色性，因為LED顯色性不高的主要原因是LED光譜中相對缺乏紅色光譜段，所以需要增加光譜段中紅色光光譜來實現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種LED提高顯色性鍍膜濾光片，能夠通過簡單的方式增加LED發(fā)光單元中紅色光光譜段，提高LED的顯色性。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是一種LED提高顯色性鍍膜濾光片，所述LED提高顯色性鍍膜濾光片包括基體和吸光材料，所述吸光材料為位于所述基體表面的鍍膜，所述吸光材料為稀土氧化物，所述吸光材料的吸收波長包括570納米 600納米。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述稀土氧化物為三氧化二釹。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述稀土氧化物為純釹。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述稀土氧化物為純鐠。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述基體為透明玻璃基體。
在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述基體為透明樹脂基體。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述鍍膜分別覆蓋所述基體的上下表面。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述鍍膜僅設(shè)置在所述基體的上表面。本發(fā)明還提供一種LED光源，所述LED光源包括LED發(fā)光單元和LED提高顯色性鍍膜濾光片，所述LED提高顯色性鍍膜濾光片設(shè)置在所述LED發(fā)光單元的發(fā)光方向前方。所述LED提高顯色性鍍膜濾光片包括基體和吸光材料，所述吸光材料為位于所述基體表面的鍍膜，所述吸光材料為稀土氧化物，所述吸光材料的吸收波長包括570納米飛00納米。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片基體表面的吸光材料通過吸收LED發(fā)光單元光譜中的定量波長，來重新調(diào)整LED發(fā)光單元中各種色光譜含量，增加光譜中紅色光光譜，提高LED發(fā)光單元的顯色性，進而在各種場所用以提高多種物件色彩多樣的視覺效果。


圖1是本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片的組織結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片的另一組織結(jié)構(gòu)示意圖3是本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片的LED發(fā)光單元位置示意圖； 圖4是本發(fā)明LED光源與原有可見光的光譜強度對比曲線圖。附圖中各部件的標(biāo)記如下1、基體；2、吸收材料；3、LED發(fā)光單元。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖1，本發(fā)明實施例包括一種LED提高顯色性鍍膜濾光片，包括基體1和吸光材料2，吸光材料2鍍膜位于基體1表面，吸光材料為2稀土氧化物，吸光材料2的吸收波長包括570納米飛00納米?；w1表面的鍍膜分別覆蓋在基體1的上下表面。所述吸光材料2可以均勻覆蓋于基體1的表面，也可以根據(jù)產(chǎn)品需求，將所述吸光材料2可以隨機覆蓋于基體1的表面。進一步，所述稀土氧化物為三氧化二釹或為高純釹、釹靶。基體1為透明玻璃基體或者透明樹脂基體。請參閱2，所述吸光材料2也可以僅設(shè)置在基體1的上表面。請參閱3，本發(fā)明還提供一種LED光源，所述LED光源包括LED提高顯色性鍍膜濾光片1和LED發(fā)光單元3，所述LED提高顯色性鍍膜濾光片1設(shè)置在所述LED發(fā)光單元3的發(fā)光方向前方。另外本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片的基體1的外觀可以為薄片平面式、LED 球形泡燈的玻璃罩殼或者是采用玻璃封裝的LED顆粒。請參閱圖4，圖4是光譜輻射強度曲線對比示意圖。其中，縱軸代表輻射強度(μ / cm2)，橫軸代表波長(納米)，細線為原來的LED光譜曲線，粗線為設(shè)置本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片后的LED光譜曲線，與原有LED發(fā)光單元相比，本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片吸收半寬度小于100納米，在波長為570納米飛00納米的光譜段中吸收定量波長，提高光譜段中紅色光的輻射強度，提高LED顯色性。本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片基體1表面的吸收材料2通過LED發(fā)光單元3，本發(fā)明提供的一 LED光源打破白平衡提高顯色性，在運用上比較靈活，對電源驅(qū)動沒有任何要求，只需要在燈具的結(jié)構(gòu)設(shè)計上設(shè)置其濾光片，濾光片可以是一片或多片。另外濾光片放在照明和特殊照明類的燈具中，燈的光源通過其濾光片也可提高顯色性。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED提高顯色性鍍膜濾光片，其特征在于，所述LED提高顯色性鍍膜濾光片包括基體和吸光材料，所述吸光材料為位于所述基體表面的鍍膜，所述吸光材料為稀土氧化物， 所述吸光材料的吸收波長包括570納米飛00納米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED提高顯色性鍍膜濾光片，其特征在于，所述稀土氧化物為三氧化二釹。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED提高顯色性鍍膜濾光片，其特征在于，所述稀土氧化物為純釹。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED提高顯色性鍍膜濾光片，其特征在于，所述稀土氧化物為純鐠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED提高顯色性鍍膜濾光片，其特征在于，所述基體為透明玻璃基體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED提高顯色性鍍膜濾光片，其特征在于，所述基體為透明樹脂基體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED提高顯色性鍍膜濾光片，其特征在于，所述鍍膜分別覆蓋所述基體的上下表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED提高顯色性鍍膜濾光片，其特征在于，所述鍍膜僅設(shè)置在所述基體的上表面。
9.一種LED光源，其特征在于，包括權(quán)利要求1至6任意一項所述的LED提高顯色性鍍膜濾光片。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED光源，其特征在于，進一步包括一LED發(fā)光單元，所述 LED提高顯色性鍍膜濾光片設(shè)置在所述LED發(fā)光單元的發(fā)光方向前方。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED提高顯色性鍍膜濾光片，所述LED提高顯色性鍍膜濾光片包括基體和吸光材料，所述吸光材料為位于所述基體表面的鍍膜，所述吸光材料為稀土氧化物，所述吸光材料的吸收波長包括570納米~600納米。通過上述方式，本發(fā)明LED提高顯色性鍍膜濾光片能夠改變LED發(fā)光單元中的多種色光的波長光譜段，提高LED顯色性。
文檔編號F21V9/10GK102392977SQ20111019326
公開日2012年3月28日 申請日期2011年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月12日
發(fā)明者鄒玉清 申請人:蘇州昆侖工業(yè)設(shè)計有限公司