專利名稱：制程處理室中陰極的射頻接地的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大致關(guān)于用于大面積基材處理的等離子制程設(shè)備，且更明確而言，是關(guān)于用于前述設(shè)備的RF電流返回路徑。
背景技術(shù)：
面板顯示器通常用于主動(dòng)式數(shù)組顯示器，例如計(jì)算機(jī)及電視屏幕、個(gè)人數(shù)字助理 (PDAs)、移動(dòng)電話及相關(guān)類似者。液晶顯示器(LCD)為面板顯示器的一種，一般包含兩個(gè)平板(可能為玻璃或塑料)，其間夾設(shè)一層液晶材料。這些平板的至少一者至少包括一導(dǎo)電薄膜，沉積其上以耦接至一電源供應(yīng)器。來自電源供應(yīng)器且供應(yīng)至導(dǎo)電材料薄膜的電源會(huì)改變液晶材料的方向，形成顯示器可看見的圖案，例如文字或圖形等。常用制造面板的制程為等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積通常用于沉積薄膜于一基材上，例如這些用于制造面板的基材。等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積可通過將一先驅(qū)物氣體引入一內(nèi)含基材的真空處理室的方式完成。先驅(qū)物氣體常導(dǎo)經(jīng)一靠近處理室頂部的分配板。通過一或多個(gè)耦接至處理室的 RF來源施加RF電源至處理室，可將處理室中的先驅(qū)物氣體激發(fā)(例如活化)成等離子。激發(fā)氣體可再反應(yīng)以形成一材料層于基材表面(此基材置于一溫度控制基材支撐件上)。在沉積期間，基材支撐件須適當(dāng)?shù)淖鱎F接地，以確保不會(huì)有壓降通過基材支撐件表面而影響沉積均勻性。無效的RF接地會(huì)致使等離子通過基材支撐件的側(cè)邊或下方，而讓吾人不樂見的沉積于該等處發(fā)生，不但使處理室難以清潔也相當(dāng)耗時(shí)。某些系統(tǒng)利用低阻抗條體將基材支撐件耦接至處理室本體，以利基材支撐件作RF接地。圖1 (現(xiàn)有技術(shù))為一例示性現(xiàn)有制程處理室100其部份切除的一簡化示意圖，處理室100具有數(shù)個(gè)RF接地條體120，以電性地將基材支撐件140耦接至處理室100的底部 134?；膫魉投丝?136為一開口，基材可通過開口而由制程處理室進(jìn)出。圖1繪有八個(gè)條體120，兩個(gè)條體120耦接至基材支撐件140各邊緣?；闹渭?40通常包括數(shù)個(gè)升舉銷 152，其中某些升舉銷是沿基材支撐件140的邊緣設(shè)置，以于傳送期間升起基材邊緣。這些條體120的每一者包括以一彎折部126結(jié)合的第一及第二彎曲部122、124。這些條體120 通常與基材支撐件140的外緣對(duì)齊，并設(shè)有間距以提供空間予升舉銷152，以延伸于基材支撐件140下方?；闹渭?40可移動(dòng)于基材裝載位置(其靠近傳送端口 136的下端138) 以及一基材沉積位置(大致位于傳送端口 136的上端139的上或附近)之間。V型條體120 會(huì)根據(jù)基材支撐位置而彎曲。雖然在某些應(yīng)用中此配置已證明有效且可靠，但其對(duì)于某些需要基材支撐件于基材裝載位置及基材沉積位置間移動(dòng)較遠(yuǎn)距離的系統(tǒng)則功效不大，因較長移動(dòng)距離需要較長的RF接地條體120，此可能會(huì)增加RF接地條體的阻抗，并降低條體RF接地能力。
因此，業(yè)界對(duì)于具有較短電流返回路徑的可靠低阻抗RF接地存有高度需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例大致是提供一種用于大型基材制程的RF電流返回路徑。在一實(shí)施例中，一用于提供RF電流返回路徑于制程處理室及基材支撐件之間的設(shè)備是由制程處理室壁所封圍，制程處理室壁至少包含一具有基材傳送端口的制程處理室壁、一由制程處理室壁封圍且適于移動(dòng)于一制程位置及一非制程位置間的基材支撐件以及一安裝至制程處理室壁并高于基材傳送端口的RF接地組件，其中RF接地組件在基材支撐件處于制程位置時(shí)可接觸基材支撐件。RF接地組件更包含一或多個(gè)低阻抗檔體，其在基材處理期間可接觸基材支撐件； 以及一或多個(gè)低阻抗可彎曲幕狀物(curtain)或條體，其具有第一端及第二端，第一端可電性連接制程處理室壁，而第二端可連接至一或多個(gè)低阻抗檔體。在另一實(shí)施例中，一用于提供RF電流返回路徑于制程處理室及基材支撐件之間的設(shè)備是由制程處理室壁所封圍，制程處理室壁至少包含一具有基材傳送端口的制程處理室壁、一由制程處理室壁封圍且適于移動(dòng)于一制程位置及一非制程位置間的基材支撐件以及一安裝至制程處理室壁并高于基材傳送端口的RF接地組件，其中RF接地組件在基材支撐件處于制程位置時(shí)可接觸基材支撐件。RF接地組件更包含數(shù)個(gè)RF接地探針，其等可移動(dòng)于一接觸該基材支撐件的位置 (當(dāng)基材支撐件移動(dòng)至制程位置時(shí))以及一未接觸基材支撐件的位置(當(dāng)基材支撐件移至非制程位置時(shí))之間；以及數(shù)個(gè)制動(dòng)器，耦接至這些探針并適于控制這些探針移動(dòng)。


為更詳細(xì)了解本發(fā)明前述特征，本發(fā)明摘要如上的進(jìn)一步明確描述可參照其實(shí)施例，如附圖標(biāo)記所表示者。然而應(yīng)了解的是，附圖標(biāo)記僅用于說明本發(fā)明的一般實(shí)施例，故不應(yīng)視為是本發(fā)明范圍的限制，本發(fā)明也應(yīng)涵蓋其它等效實(shí)施例。圖1是一現(xiàn)有具有RF電流返回路徑的制程系統(tǒng)的部分示意圖。圖2是一闡示性制程處理室的截面示意圖。圖3A是本發(fā)明一 RF接地組件在圖2制程處理室中的非基材處理期間的一實(shí)施例的截面示意圖。圖;3B是圖3A圓圈A的放大部分側(cè)邊截面圖。圖3C是本發(fā)明一 RF接地組件在圖2制程處理室中的基材處理期間的一實(shí)施例的截面示意圖。圖3D是圖3C圓圈B的放大部分側(cè)邊截面圖。圖3E是RF接地幕狀物的一實(shí)施例的俯視圖。圖3F是本發(fā)明一 RF接地組件在圖2制程處理室的一實(shí)施例的截面示意圖。圖4A是本發(fā)明一 RF接地組件在圖2制程處理室中的非基材處理期間的另一實(shí)施例的截面示意圖。圖4B是圖4A圓圈C的放大部分側(cè)邊截面圖。圖4C是本發(fā)明一 RF接地組件在圖2制程處理室中的基材處理期間的另一實(shí)施例的截面示意圖<
圖4D是圖4C圓圈D的放大部分側(cè)邊截面圖。 圖4E是一 RF接地條體的實(shí)施例的俯視圖。
圖4F是兩RF接地條體耦接至一接取擋體(picked-up block)及一連接塊的側(cè)視
附圖標(biāo)記說明 100現(xiàn)有制程處理室
第一彎曲部彎折部下端
基材支撐件
示意圖。圖5是本發(fā)明一 RF接地組件在圖2制程處理室中的基材處理期間的另一實(shí)施例的截面示意圖。圖6是本發(fā)明一 RF接地組件示意在圖2制程處理室中的非基材處理期間的另一實(shí)施例的截面示意圖。為便于說明，文中盡可能使用相同參考標(biāo)記來標(biāo)示相同組件。附圖中的標(biāo)記均為概要式故未按比例繪制。
122 126 138 140 200 202 205 207 210 216 220 224 231 233 235 240 244 248 254 258 262 280 282 284 287 289
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)制程處理室入口端口清潔氣體源蓋組件中央穿孔區(qū)內(nèi)側(cè)
基材支撐本體上端下端安置架基材
RF接地路徑遮蔽框升舉板擴(kuò)散板氣體信道 RF接地組件已接取檔體可彎曲幕狀物接附裝置連接塊
120 124 136 139 152
204 206 208 212
RF接地條體
第二彎曲部基材傳送端口上端升舉銷
氣體源
壁
底部
制程體積
218 221 230 232 234 238 242 246 250 255 260 264 281 283 285 288 290
氣體分配板組件上板
端口口
加熱器
基材支撐件表面
基材支撐件
軸桿
折箱
升舉銷
地線
懸掛板
空間
孔洞
接附裝置可彎曲條體接附裝置接取凸架
291彎曲部222電源213絕緣體228孔洞223陶瓷鈕288H孔洞
134處理室底部 226支撐組件下端
211側(cè)壁 225 凹處
280a RF接地組件 286H孔洞
具體實(shí)施例方式本發(fā)明大致是提供用于支撐大面積基材的系統(tǒng)的RF電流返回路徑。本發(fā)明例示性描述如下者是參照一等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)系統(tǒng)，例如這些由加州圣塔克拉拉市的AKT公司(應(yīng)用材料公司分公司)所上市者。然而，應(yīng)理解的是本發(fā)明也可適用于其它系統(tǒng)配置，例如物里氣相沉積系統(tǒng)、蝕刻系統(tǒng)及其它制程系統(tǒng)，其中并需要一基材支撐件及一處理室(屏蔽該基材支撐件)間的低阻抗RF電流返回路徑。本發(fā)明的這些實(shí)施例可提供RF等離子處理室中的晶座較佳且均勻的RF接地。一般而言，制程處理室再結(jié)構(gòu)上并不一定完全對(duì)稱。例如，處理室的一側(cè)可能在處理室壁會(huì)有一端口口，用以將基材傳送進(jìn)出制程處理室。處理室壁為RF等離子處理室中RF電路的一部份。處理室一側(cè)中的傳送端口口(或孔)會(huì)使得制程處理室無法對(duì)稱。此非對(duì)稱會(huì)降低 RF接地的均勻性，而導(dǎo)致較差的等離子均勻性病劣化制程表現(xiàn)。在圖1中的配置已證明在某些應(yīng)用上有效且可靠，然而此對(duì)需要基材支撐件于基材裝載位置及基材沉積位置間移動(dòng)較長距離的系統(tǒng)效用并不大。較長的移動(dòng)距離使得RF 接地條體需更長，而使RF接地條體的阻抗增加，并降低條體的RF接地能力。阻抗Z是由電阻R及電抗X組成。方程式1表示阻抗、電阻及電抗間的關(guān)系，其中「j」為虛數(shù)。Z = R+jX(1)由于電阻R及電抗X兩者都會(huì)增加RF接地條體的長度(見圖2及圖3)，較長的 RF接地條體便需要較高的阻抗。R= ρ 1/A(2)ρ為RF接地條體的電阻，方程式(2)中可變動(dòng)的1為RF接地條體的長度，而A是 RF接地條體的截面積。X = 2 □ fL(3)f為頻率(在此范例為RF)且L為RF接地條體的電感。若欲使RF接地條體更有效率的發(fā)揮，阻抗必須要低。若阻抗增加，基材支撐件上會(huì)有電位差，而不利的影響沉積均勻性。此外，沒有效率的RF接地會(huì)使等離子移至基材支撐件側(cè)邊及下方，使這些區(qū)域出現(xiàn)不樂見的沉積，不但讓清難以進(jìn)行且相當(dāng)耗時(shí)。如圖1所示，由于RF接地條體的長度增加，RF接地條體所增加的阻抗會(huì)使RF接地條體在處理較大基材系統(tǒng)的RF接地上沒有效率。本發(fā)明的實(shí)施例是描述這些用于經(jīng)改善的晶座(或基材支撐件)RF接地的設(shè)備及方法，以使制程處理室中的結(jié)構(gòu)不對(duì)稱性不會(huì)影響等離子及制程的均勻性。圖2(現(xiàn)有技術(shù))是一等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)200的一實(shí)施例的截面示意圖，其是AKT公司所上市，即加州圣塔克拉拉市應(yīng)用材料公司的分公司。系統(tǒng)200大致包含一耦接至一氣體源204的制程處理室202。制程處理室202俱有數(shù)個(gè)壁206及一底面208， 以部分地界定出一制程體積212。制程體積212通?？山?jīng)由這些壁206的一端口口 230進(jìn)出，以利基材240進(jìn)出于制程處理室202。在圖2中，入口端口 230位于上端231及下端233之間。壁206及底部208通常由一單一鋁塊體或其它適于制程的材料制成。壁206可支撐一蓋組件210。一溫度控制基材支撐件238設(shè)于制程處理室202內(nèi)中心處。在制程期間支撐組件 238可支撐一基材。在一實(shí)施例中，基材支撐組件238包括一基材支撐本體224，其是由導(dǎo)電性材料制成(例如鋁)，以遮蓋至少一內(nèi)嵌的加熱器232。加熱器232(例如電阻加熱器) 設(shè)于支撐組件238中，可控制地將支撐組件238及其上的基材240加熱至一預(yù)定溫度。典型來說，在一 CVD制程中，加熱器232可將基材240維持在一攝氏介約150到至少約460度的均勻溫度，取決于欲沉積材料的沉積制程參數(shù)。一般而言，支撐組件238具有一下端2 及一上端234。上端2；34可支撐基材M0。 下端2 具有一相耦接的軸桿M2。軸桿242可將支撐組件238耦接至一升舉系統(tǒng)(未示出)，以將支撐組件移動(dòng)于一升高制程位置(如圖所示)及一利于基材傳送進(jìn)出制程處理室 202的降低位置之間。軸桿242更可于支撐組件238及系統(tǒng)200的其它組件間提供一用于電及熱電偶的導(dǎo)管。一折箱(bellows) 246是耦接于支撐組件238 (或軸桿對(duì)幻及制程處理室202的底面208之間。折箱246可提供處理室體積212及制程處理室202外界大氣間的真空密封， 同時(shí)可垂直移動(dòng)支撐組件238。支撐組件238 —般是由RF接地路徑244連接，以于支撐件本體2M及接地端間提供低阻抗RF返回路徑。RF接地返回路徑244可直接或間接耦接至接地端，例如，經(jīng)由處理室本體202，且處理室本體可經(jīng)由地線255自行接地。在制程期間支撐組件238通常為RF 接地，以使來自電源222的RF電源可提供至一氣體分配板組件218 (設(shè)于蓋組件210及基材支撐組件238之間或位于處理室蓋組件內(nèi)或附近的其它組件)，以激發(fā)支撐組件238及氣體分配板組件218間的制程體積212中的氣體。來自電源222的該RF電源通常是依據(jù)基材尺寸做選擇，以驅(qū)動(dòng)化學(xué)氣相沉積制程。支撐組件238更可支撐外切處的遮蔽框體M8。一般而言，遮蔽框體248可避免沉積在基材240及支撐組件238邊緣處，以使基材不會(huì)黏在支撐組件238。支撐組件238穿設(shè)有數(shù)個(gè)孔洞228，以接取數(shù)個(gè)升舉銷250。這些升舉銷250 —般是由陶瓷或電鍍鋁制成。升舉銷250可通過一選擇性的升舉板2M相對(duì)于支撐組件238激活，以由支撐件表面234突出，借以將基材以與支撐組件238相隔一距離的方式作置放。蓋組件210可形成制程體積212的上邊界。蓋組件210 —般可移除或開啟以維修制程處理室202。在一實(shí)施例中，蓋組件210是由鋁(aluminum)制成。蓋組件210—般包括一入口端口 205，以讓氣體源204的制程氣體引入制程處理室202。入口端口 205也耦接至一清潔氣體源207。清潔氣體源207 —般可提供清潔劑，例如經(jīng)解離的氟，其可引入制程處理室202以將沉積副產(chǎn)物及薄膜自制程處理室硬件移除，包括氣體分配板組件218。氣體分配板組件218是耦接至蓋組件210上板221的內(nèi)側(cè)220。蓋組件210的上板221及側(cè)壁211是由一絕緣體213分隔，以避免電弧。氣體分配板組件218 —般是經(jīng)配置以實(shí)質(zhì)配合基材240的輪廓，例如，多邊形的大面積面板基材及圓形晶片。氣體分配板組件218包括一穿孔區(qū)域216，以讓來自氣體源204的制程氣體及其它氣體可傳遞至制程體積 212。氣體分配板組件218的穿孔區(qū)域216是經(jīng)配置以提供均勻的氣體分配，使之通過氣體分配板組件218進(jìn)入制程處理室202。氣體分配板組件218 —般包括一擴(kuò)散板(或分配板)258，由一懸掛板260懸置。 擴(kuò)散板258及懸掛板260或也可包含一單一組件。數(shù)個(gè)氣體信道262穿設(shè)于該擴(kuò)散板258， 以讓預(yù)定氣體分配量通過氣體分配板組件218，并進(jìn)入制程體積212。懸掛板260可將擴(kuò)散板258及蓋組件210的內(nèi)表面220維持相間隔關(guān)系，因此在其間界定出一空間沈4。空間 264可讓氣體流經(jīng)蓋組件210，以均勻遍及該擴(kuò)散板258的寬度，因此氣體可均勻供應(yīng)于中央穿孔區(qū)216的上方，并均勻流經(jīng)氣體信道沈2。擴(kuò)散板258可為半導(dǎo)體晶片般的圓形或多邊形，例如矩形，以用于面板顯示器制造。圖3A是說明非基材處理期間基材支撐組件238的一基材支撐本體224的相對(duì)位置，以及一例示性RF接地組件觀0?；闹谓M件238位于非基材制程位置，且并未與RF 接地組件280接觸。RF接地組件280是位于一或多個(gè)接地安置架(rest-pieces) 235上，且在非基材處理期間是由接地安置架235做支撐?；闹伪倔w2M上方具有一基材240并具有一或多個(gè)接取凸架(pick-up ledge)四0，環(huán)繞基材支撐本體2 上表面的外緣。接取凸架290會(huì)接取RF接地組件觀0，以在基材支撐組件238位于基材制程位置時(shí)將的舉離一或多個(gè)接地安置架235。RF接地組件280置于傳送端口開口 230之上，并接附于處理室壁 206，且可支撐遮蔽框248 (覆蓋基材支撐組件的整個(gè)邊緣)。在一實(shí)施例中，遮蔽框約3英寸至5英寸寬，約1/2至約1英寸厚。遮蔽框248及擴(kuò)散板258間并有一間距。圖;3B是表示圖3A圓圈A的組件放大圖。RF接地組件280是通過可應(yīng)用的方式接附于處理室壁206，例如熔接、焊接、焊銅或接附裝置觀6。RF接地組件280也由一或多個(gè)低阻抗可彎曲幕狀物284組成，其是接附于處理室壁206，及一或多個(gè)已接取檔體觀2。一或多個(gè)可彎曲幕狀物284可通過可實(shí)施方式接附至一或多個(gè)已接取檔體觀2，例如熔接、焊接、焊銅或接附裝置觀8。低阻抗可彎曲幕狀物284應(yīng)以高導(dǎo)電性的可彎曲材料制成，例如鋁薄片。一或多個(gè)已接取檔體282應(yīng)由低阻抗(或高導(dǎo)電性)檔體制成，例如鋁檔體。一或多個(gè)已接取檔體282可支撐遮蔽框M8，并由接取凸架290接取已于基材處理期間(例如沉積)接觸基材支撐本體224，以提供RF返回路徑，參照下文圖3C及圖3D。每一接取檔體282是由至少一個(gè)接取凸架承接。圖3C是說明基材處理期間(例如沉積)基材支撐組件238的一基材支撐本體2M 及一 RF接地組件280的相對(duì)位置。基材支撐組件是位于基材制程位置，例如沉積位置。在制程期間，基材支撐本體224(為基材支撐組件238的一部分)會(huì)上升接近擴(kuò)散板258。接取凸架290會(huì)接取一或多個(gè)已接取檔體觀2以將RF接地組件280舉離一或多個(gè)接地安置架235，并于基材支撐本體2 及RF接地組件觀0間作接觸。圖3D是表示圖3C的圓圈B組件的放大圖。幕狀物284會(huì)因接取凸架290緊密升起接取檔體282而推向處理室壁206。遮蔽框—般經(jīng)電鍍)會(huì)部分覆蓋基材240的邊緣，即遮蔽框M8的凹處225。遮蔽框是由基材240邊緣所支撐，并置放陶瓷鈕223以避免電弧，而已接取檔體282則位于基材支撐本體2 上。圖3A-3D中的幕狀物可繞整個(gè)基材支撐本體2M或本體2M邊緣的一部份連續(xù)延伸。在一實(shí)施例中，單一幕狀物284會(huì)大致繞本體2M整個(gè)邊緣連續(xù)延伸(例如，以使RF 接地組件280能在其位于基材制程位置時(shí)接觸多邊形本體224的邊緣)。或者，多個(gè)幕狀物284可彼此鄰設(shè)以大致繞本體224的整個(gè)邊緣延伸，其中至少一幕狀物在其位于制程位置時(shí)可耦接至多邊形支撐組件238的各邊。多個(gè)幕狀物284可連接至一或多個(gè)已接取檔體 282。圖3E是表示一例示性導(dǎo)電幕狀物284在其平放時(shí)的態(tài)樣。幕狀物284具有一寬度271及長度273。導(dǎo)電幕狀物284具有孔洞及以允許接附裝置286及觀8，例如螺栓，通過而接附至處理室壁突出部即已接取檔體觀2。導(dǎo)電性幕狀物具有數(shù)個(gè)開口 275 以在制程之前、期間以及之后讓反應(yīng)性物種通過。等開口 275可為任何形狀或位于幕狀物的任何位置。圖3E所示的形狀僅用于示范。導(dǎo)電性(或低阻抗)幕狀物284可選擇性的具有額外孔洞觀1，以幫助反應(yīng)性物種的通過。額外孔洞281可為任何形狀。在一實(shí)施例中，數(shù)個(gè)幕狀物觀4(其每一者皆具有約3英寸至5英寸的寬度，以及約5英寸至約7英寸的長度)是平均的間隔設(shè)置在多邊形本體2M周圍，并連接至處理室壁206以及一或多個(gè)已接取檔體觀2。此外，在制程期間，處理室202中靠近處理室底部208的溫度可介于攝氏50至130 度，支撐組件238表面上(于制程期間接觸基材M0)則上升至攝氏400度。處理室壁206 的溫度可為50至350度，低于基材支撐件2M溫度。因此，幕狀物284耦接至已接取檔體的端點(diǎn)是與基材支撐組件2M接觸，其相較于幕狀物284端點(diǎn)(耦接至處理室壁206) —般是受到較大程度的熱膨脹。此在膨脹上的變化會(huì)使幕狀物284變形，以不樂見的方式影響幕狀物觀4的功能及有效壽命。為抵銷熱差異，可有至少一個(gè)穿孔(或開口)275形成在幕狀物觀4的中接近這些端點(diǎn)處(耦接至已接取檔體以允許幕狀物觀4的熱膨脹)。在一實(shí)施例中，數(shù)個(gè)寬度約0. 5英寸至約1英寸的穿孔275會(huì)以約每2英寸至約4英寸的間隔沿耦接至已接取檔體的幕狀物觀4的端點(diǎn)設(shè)置。幕狀物284是由可彎曲、低阻抗導(dǎo)電金屬組成，其可抵抗制程及清潔化學(xué)物。在一實(shí)施例中，幕狀物284是由鋁薄片制成，且厚約0. 008英寸至約0. 016英寸。或者，幕狀物 284可包含鈦、不銹鋼或一涂覆有導(dǎo)電金屬涂層的可彎曲材料。電流是由等離子流至基材M0，基材是電性接觸支撐組件238的導(dǎo)電本體224。電流由本體2M通過RF接地幕狀物284及處理室壁突出部213置處理室壁206及處理室底部208，其等均經(jīng)由接地件255接地。與現(xiàn)有RF接地技術(shù)相比，幕狀物284可明顯縮短制程期間RF電流的返回路徑?，F(xiàn)有基材支撐件2M底部及處理室底部208間的RF接地條體可約為20英寸或更長，而已接取檔體及處理室壁206間的RF接地幕狀物284距離可約為 3英寸至約5英寸或更短。此外，幕狀物284可提供較大的電流承載區(qū)域，其可使的理想的適用于大面積制程應(yīng)用。較短的距離及幕狀物觀4的大電流承載能力可使支撐組件238及接地處理室202 整個(gè)表面有較低的電壓差，因而實(shí)質(zhì)降低非均勻等離子沉積的可能性及基材支撐件2M側(cè)邊及底下不樂見的沉積。一或多個(gè)已接取檔體282可支撐遮蔽框M8。每一已支撐檔體282可繞整個(gè)基材支撐本體2 或本體2 邊緣的一部份連續(xù)延伸。在一實(shí)施例中，一單一接取檔體282可大致繞本體224(例如，以讓已接取檔體282在其位于制程位置時(shí)可接觸多邊形本體2M的邊緣)的整個(gè)邊緣連續(xù)延伸?；蛘?，數(shù)個(gè)檔體282可彼此鄰設(shè)以在支撐組件位于基材制程位置時(shí)(例如沉積位置)大致繞本體224的整個(gè)邊緣延伸。檔體282是由一可彎曲、低阻抗導(dǎo)電金屬(可抵抗制程及清潔化學(xué)物)組成。在一實(shí)施例中，檔體282是由鋁組成，且具有約1/4英寸至約3/4英寸乘以約1/4至約3/4的截面積?；蛘?，檔體282可包含鈦、不銹鋼或或一涂覆有導(dǎo)電金屬涂層的可彎曲材料。在某些沉積處理室中需要數(shù)個(gè)遮蔽框M8，這是因其可避免沉積在基材240及基材支撐本體2M邊緣處，以讓基材240不會(huì)黏在基材支撐本體224。于某些制程處理室中也可不需要該遮蔽框。在依不需要遮蔽框的制程處理室中，RF接地組件280可獨(dú)立存在而無需遮蔽框?qū)?。圖3F是表示圖3A中的實(shí)施例。在基材支撐件2M移至基材制程位置(例如沉積)時(shí)，接取凸架290會(huì)接取一或多個(gè)已接取檔體觀2。在基材處理期間，接取凸架290的表面會(huì)與已接取檔體接觸以形成電性連接。接取凸架290可為一環(huán)繞該基材支撐件整個(gè)周圍的連續(xù)凸架，或可劃分為數(shù)個(gè)以未有凸架的外緣區(qū)域分隔的凸架。凸架的寬度至少為0. 01英寸，且較佳至少為0. 1英寸，以滿足接取已接取文件體觀2的功能。接取凸架四0的高度須經(jīng)設(shè)計(jì)可容納已接取檔體282 的高度及基材240厚度，以讓已接取檔體觀2的上表面與基材MO的表面為相同高度。接取凸架290應(yīng)環(huán)繞整個(gè)基材支撐件2M或僅環(huán)繞基材支撐本體2M的一部份，取決于RF接地組件觀0的已接取檔體282的設(shè)計(jì)。圖4A是說明非基材制程位置期間該基材支撐組件238的基材支撐本體2M及另一例示性RF接地組件^Oa的相關(guān)位置。基材支撐件本體2M并非位于基材制程位置，且與RF接地組件^Oa相隔。RF接地組件^Oa位于一或多個(gè)接地安置架235上，且在非制程期間是由安置架235支撐?；闹渭倔w2M上方具有一基材M0，且具有一接取凸架 290環(huán)繞基材支撐件本體2 上表面的外緣。接取凸架290可接取RF接地組件280a，并在基材支撐組件238移至基材制程位置(例如沉積)時(shí)，將之舉離接地安置架235。RF接地組件^Oa是置于傳送端口開口 230上，并支撐遮蔽框M8。RF接地組件^Oa可具有一或多個(gè)連接塊觀9，以讓其耦接至處理室壁206。RF接地組件^Oa也可直接接附于該處理室壁206而無需連接塊觀9。遮蔽框248及散流板258之間并留有空間。圖4B是表示圖4A圓圈C中組件的放大圖。RF接地組件^Oa是通過可應(yīng)用的裝置(例如熔接、焊接、焊銅或接附裝置觀7)接附至處理室壁206上的一或多個(gè)連接塊觀9。 RF接地組件^Oa也由多個(gè)低阻抗可彎曲條體285組成，其是接附于連接塊289及一或多個(gè)已接取檔體觀2。條體285是通過可應(yīng)用的裝置接附至一或多個(gè)已接取檔體觀2，例如熔接、焊接、焊銅或接附裝置觀3。低阻抗條體285應(yīng)由高導(dǎo)電性的可彎曲材料制成，例如鋁條。在一實(shí)施例中，各條體285含有至少一彎曲部四1，以使彎曲的V型條體可作壓縮或釋放，而上移至基材處理 (例如沉積)位置，及下移至非基材制程位置。彎曲部291可呈原形以改善彎曲可靠度，并減少金屬破壞的發(fā)生率。一或多個(gè)已接取檔體282應(yīng)由低阻抗(或高導(dǎo)電性)檔體制成， 例如鋁檔體。檔體282可至少包含鈦、不料銹鋼或可涂覆導(dǎo)電金屬涂層的固體材料。一或多個(gè)已接取檔體觀2可支撐遮蔽框M8，并由接取凸架290接取以于基材處理期間與該基材支撐件本體2 接觸，而形成RF返回路徑(參見后文圖4C及圖4D)。圖4C是說明基材制程期間基材支撐組件238的一基材支撐件本體2M及圖4A RF接地組件^Oa的相關(guān)位置。基材支撐件本體2M是位于基材制程(例如沉積)位置?；闹渭倔w2M及RF接地組件^Oa是經(jīng)由接取檔體282及基材支撐件本體2M間的接觸點(diǎn)進(jìn)行接觸。在制程期間，基材支撐件本體224(為基材支撐組件238的一部份)是上移靠近擴(kuò)散板258。接取凸架290可接取已接取檔體觀2，并接觸于基材支撐件本體2M及RF 接地組件^Oa之間。圖4D是表示圖4C的圓圈D中組件的放大圖。數(shù)個(gè)條體285可設(shè)置彼此鄰近以延伸大致繞本體2 整個(gè)邊緣，其中至少一幕狀物在基材支撐件240位于基材制程位置時(shí)是耦接至多邊形支撐組件238的每一邊。多個(gè)條體285是連接至一或多個(gè)已接取檔體觀2。在一實(shí)施例中，數(shù)個(gè)條體觀5的每一者寬度271 約1/4英寸至約3/4英寸，而長度273約4英寸至6英寸，且厚度約0. 008英寸至約0. 016 英寸，且這些條體是位于多邊形本體2M的每一邊緣上。在一實(shí)施例中，彎曲部291大致位于條體觀5的中間處。這些條體285是由可抵抗制程及清潔化學(xué)物的可彎曲、低阻抗導(dǎo)電金屬制成。在一實(shí)施例中，這些條體285是由鋁制成?；蛘?，這些條體285可包含鈦、不銹鋼或一涂覆有導(dǎo)電金屬涂層的可彎曲材料。圖4E是表示一導(dǎo)電條體285平放時(shí)的一實(shí)施例。導(dǎo)電條體285具有數(shù)個(gè)孔洞
及^3H，以讓連接組件287及283 (如螺栓)可通過以連接至連接塊289即已接取檔體觀2。 在一實(shí)施例中，條體285包含至少一彎曲部四1，位于接附至連接塊觀9的該端以及接附至已接取檔體觀2的該端之間。具有一彎曲部的條體285側(cè)面看是呈V型。彎曲部方向是大致平行于連接塊289及已接取檔體的邊緣。彎曲部乃預(yù)先形成于條體285中， 以增加條體觀5的使用壽命，且借垂直移動(dòng)支撐組件238傳至條體洲5的重復(fù)應(yīng)力可能會(huì)使彎曲部291破裂，迫使條體285位移。圖4F是表示多個(gè)條體285是彼此鄰近且是接附至連接塊289及已接取檔體觀2。 這些導(dǎo)電條體觀5間的空間可使反應(yīng)性物種通過。與現(xiàn)有RF接地技術(shù)相比，這些條體285可明顯縮短制程期間RF電流至接地端的返回路徑?，F(xiàn)有基材支撐件2M及處理示底部208間的RF接地條體可為20英寸或更長， 而已接取檔體282及連接塊觀9間RF接地條體觀5的距離可約為4英寸至約6英寸或更短。由等離子至基材MO的電流是與支撐組件238導(dǎo)電本體2 呈電性接觸。由本體224 通過RF接地條體285及連接塊289而至處理室壁206的電流是經(jīng)由接地端255接地。此外，這些條體285可提供大電流承載能力，其可較佳的適用在大面積制程應(yīng)用中。條體285有較短距離(低阻抗)及大電流承載能力可使支撐組件238表面及接地處理室202間有較小的電壓差，以實(shí)質(zhì)降低非均勻等離子沉積的可能性及基材支撐件2M側(cè)邊及底下不樂見的沉積。圖4A-4F中已接取檔體282及接取凸架四0的設(shè)計(jì)類似于圖3A-3E中RF接地組件280所述者。此外，與圖3A-3E中所述的RF接地組件設(shè)計(jì)相似的是，對(duì)未有遮蔽框的制程處理室而言，圖4A-4F中所述的RF接地組件^Oa可單獨(dú)設(shè)置而無需遮蔽框258。圖3A-3F中所示的RF接地幕狀物284及圖4A-4F中所示的接地條體285可承受較圖1現(xiàn)有RF接地條體為低的彎曲。圖5是描述本發(fā)明另一實(shí)施例的截面圖?；闹谓M件238的基材支撐件本體2M 是以一或多個(gè)RF接地組件295 (其包括RF接地探針?biāo)幕米鱎F接地。RF接地探針293可移動(dòng)于一在基材制程(例如沉積)期間接觸基材支撐件本體224的位置(如圖幻以及一于非基材處理期間(見圖6)未有基材支撐件本體224的位置之間。RF接地探針293可經(jīng)由具有真空密封裝置(例如圖5中以軸承297密封的真空密封、或圖6中的密封折箱四6) 的處理室壁206插入。圖5中具有軸承四7的真空密封及圖6中的密封折箱296可為導(dǎo)電性，且可將探針293RF接地至處理室壁206。若圖5中具有軸承297的真空密封及圖6中的密封折箱296非導(dǎo)電性，這些探針293可經(jīng)由接地端257作RF接地。RF接地探針293是位于基材傳送端口 230的上，以讓其等可在基材制程期間接觸基材支撐件224，而不受基材傳送的影響。致動(dòng)器294可與RF接地探針293互動(dòng)以控制RF接地探針?biāo)?的移位。致動(dòng)器 294可為螺線管線性致動(dòng)器、氣動(dòng)式或液壓汽缸或是其它適于移動(dòng)RF接地探針?biāo)?以接觸 /不接觸基材支撐件本體224的裝置。致動(dòng)器294可連接至一控制器(此處未示出)以于基材制程期間移動(dòng)探針293與基材支撐件240接觸。數(shù)個(gè)探針293可彼此鄰近以大致繞該本體224的整個(gè)邊緣延伸，其中在基材支撐件240位于基材制程位置時(shí)，至少一探針會(huì)接觸該多邊形支撐組件238的每一邊緣。較佳而言，沿該多邊形基材支撐件240至少每約4英寸至8英寸便設(shè)一探針。在一實(shí)施例中，這些探針的尺寸約3/8英寸至約1/2英寸。這些探針293是由可抵抗制程及清潔化學(xué)物的低阻抗導(dǎo)電金屬制成。在一實(shí)施例中，這些探針293是由鋁制成?；蛘撸@些探針293可包含鈦、不銹鋼或一涂覆有導(dǎo)電金屬涂層的可彎曲材料。與現(xiàn)有RF接地技術(shù)相比，這些探針293可明顯縮短制程期間RF電流至接地端的返回路徑。現(xiàn)有基材支撐件2M底部及處理室底部208間的RF接地條體可約為20英寸或更長，而基材支撐件2 及接地處理室壁206間接觸基材支撐件2 的RF接地探針293長度可約為2英寸至約3英寸或更短。較佳而言，接觸基材支撐件224的RF接地探針?biāo)?的長度，即基材支撐件2M及接地處理室壁206間的距離約為10英寸或更短。由等離子至基材MO的電流是與支撐組件238的導(dǎo)電本體2 作電性接觸。由本體2 經(jīng)RF接地探針 293至處理室壁206的電流是經(jīng)由接地端255作接地。此外，探針293可提供大電流承載能力，其可使的理想適用于大面積制程應(yīng)用中。 幕狀物284較短的距離(低阻抗)及大電流承載能力可使支撐組件238表面及接地處理室 202間有較小的電壓差，因而實(shí)質(zhì)降低非均勻等離子沉積的可能性及基材支撐件2M側(cè)邊及底下不樂見的沉積。因此，由于本發(fā)明的這些實(shí)施例可提供較短的RF返回路徑，故對(duì)大面積基材處理領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。本發(fā)明的這些實(shí)施例也可應(yīng)用至任何等離子制程系統(tǒng)中。本發(fā)明的這些實(shí)施例并提供可有效限制RF電流返回路徑中的電壓降，且適用于大型制程系統(tǒng)，例如這些用于制造面板及液晶顯示器的系統(tǒng)。在基材支撐件需移動(dòng)長距離時(shí)本發(fā)明的這些實(shí)施例可優(yōu)于習(xí)知RF接地技術(shù)。然而，本發(fā)明的這些實(shí)施例對(duì)于現(xiàn)有基材支撐件不需移動(dòng)長距離的等離子制程系統(tǒng)的RF接地技術(shù)也同樣適用。雖然前述內(nèi)容是關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例，然本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例也可于不悖離其基本精神及范圍下進(jìn)行變化，且其權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求書所界定。
權(quán)利要求
1.一種用于在一制程處理室壁和由該制程處理室壁封圍的基材支撐件之間提供RF電流返回路徑的設(shè)備，包括一基材支撐件；以及一 RF返回組件，包括多個(gè)可彎曲條體，該多個(gè)可彎曲條體的第一端適于接附并電性耦接于所述制程處理室壁且第二端電性耦接于所述基材支撐件。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述的可彎曲條體是由鋁、鈦、不銹鋼、一涂覆導(dǎo)電金屬涂層的可彎曲材料及其組合物組成的群組中所選出的材料制成。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述的可彎曲條體是由鋁制成，且厚約 0. 008英寸至約0. 016英寸厚。
4.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述的每一可彎曲條體寬度約1/4英寸至 3/4英寸，而長度約4英寸至約6英寸。
5.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述的基材支撐件為多邊形，且多邊形基材支撐件的各邊緣處具有至少一可彎曲條體。
6.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，還包含一或多個(gè)連接塊，耦接于每一可彎曲條體和制程處理室壁之間。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)連接塊是由鋁、鈦、不銹鋼、 一涂覆導(dǎo)電金屬涂層的固體材料及其組合物組成的群組中所選出的材料制成。
8.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備， 所述設(shè)備還包括氣體分配蓮蓬頭以及與該氣體分配蓮蓬頭耦接的RF電源。
9.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述每一可彎曲條體具有至少一位于第一端及第二端間的彎曲部。
10.一種用以在一制程處理室壁及一由該制程處理室壁封圍的基材支撐件之間提供一 RF電流返回路徑的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，包含一氣體分配蓮蓬頭；一制程處理室壁；一基材支撐件，由制程處理室壁封圍；以及一 RF返回組件，安裝至制程處理室壁，該組件包含多個(gè)可彎曲條體，具有第一端及第二端，其中第一端接附并電性耦接至制程處理室壁，而第二端電性耦接至基材支撐件。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述的可彎曲條體是由鋁、鈦、不銹鋼、一涂覆導(dǎo)電金屬涂層的可彎曲材料及其組合物組成的群組中所選出的材料制成。
12.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述可彎曲條體是由鋁制成，且厚約 0. 008英寸至約0. 016英寸厚。
13.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述的每一可彎曲條體寬度約1/4英寸至 3/4英寸，而長度約4英寸至約6英寸。
14.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述的基材支撐件為多邊形，且多邊形基材支撐件的各邊緣處具有至少一可彎曲條體。
15.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，還包含一或多個(gè)連接塊，耦接于每一可彎曲條體和制程處理室壁之間。
16.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)連接塊是由鋁、鈦、不銹鋼、一涂覆導(dǎo)電金屬涂層的固體材料及其組合物組成的群組中所選出的材料制成。
17.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其特征在于，所述的每一可彎曲條體的第一端是以熔接、焊接、焊銅或接附裝置的方式耦接至一或多個(gè)連接塊。
18.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，還包括一RF電源，耦接于所述氣體分配蓮蓬頭。
19.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述每一可彎曲條體具有至少一位于第一端及第二端間的彎曲部。
20.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，還包括一遮蔽框。
21.一種設(shè)備，其特征在于，包含處理室本體，具有一通過處理室壁的基材傳送端口 ； 一 RF接地組件，耦接于所述基材傳送端口之上的處理室壁；以及基材支撐件，設(shè)置于所述處理器本體中并可在與所述RF接地組件分開的第一位置和與所述RF接地組件相接觸的第二位置之間移動(dòng)。
22.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其特征在于，所述基材支撐件包括一或多個(gè)接取凸架。
23.如權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其特征在于，還包括一或多個(gè)RF接地路徑，耦接于所述基材支撐件的底部以及所述處理室本體的底部。
24.如權(quán)利要求23所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
25.如權(quán)利要求M所述的設(shè)備，其特征在于，還包括一遮蔽框。
26.如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其特征在于，所述遮蔽框可從當(dāng)基材支撐件處于第一位置時(shí)與所述基材支撐件分開的第三位置移動(dòng)到當(dāng)基材支撐件處于第二位置時(shí)與所述基材支撐件接觸的第四位置。
27.如權(quán)利要求沈所述的設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述遮蔽框處于第三位置時(shí)，所述遮蔽框耦接于RF接地組件。
28.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其特征在于，還包括一或多個(gè)RF接地路徑，耦接于所述基材支撐件的底部和所述處理室本體的底部。
29.如權(quán)利要求觀所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
30.如權(quán)利要求四所述的設(shè)備，其特征在于，還包括一遮蔽框。
31.如權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其特征在于，所述遮蔽框可從當(dāng)基材支撐件處于第一位置時(shí)與所述基材支撐件分開的第三位置移動(dòng)到當(dāng)基材支撐件處于第二位置時(shí)與所述基材支撐件接觸的第四位置。
32.如權(quán)利要求31所述的設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述遮蔽框處于第三位置時(shí)，所述遮蔽框耦接于RF接地組件。
33.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
34.如權(quán)利要求33所述的設(shè)備，其特征在于，還包括一遮蔽框。
35.如權(quán)利要求34所述的設(shè)備，其特征在于，所述遮蔽框可從當(dāng)基材支撐件處于第一位置時(shí)與所述基材支撐件分開的第三位置移動(dòng)到當(dāng)基材支撐件處于第二位置時(shí)與所述基材支撐件接觸的第四位置。
36.如權(quán)利要求35所述的設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述遮蔽框處于第三位置時(shí)，所述遮蔽框耦接于RF接地組件。
37.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其特征在于，還包括一遮蔽框。
38.如權(quán)利要求37所述的設(shè)備，其特征在于，所述遮蔽框可從當(dāng)基材支撐件處于第一位置時(shí)與所述基材支撐件分開的第三位置移動(dòng)到當(dāng)基材支撐件處于第二位置時(shí)與所述基材支撐件接觸的第四位置。
39.如權(quán)利要求38所述的設(shè)備，其特征在于，當(dāng)所述遮蔽框處于第三位置時(shí)，所述遮蔽框耦接于RF接地組件。
40.如權(quán)利要求39所述的設(shè)備，其特征在于，所述基材支撐件具有貫穿該基材支撐件的多個(gè)孔，所述孔接納多個(gè)升舉銷。
41.一種用以在一制程處理室壁及一由制程處理室壁封圍的基材支撐件之間提供一 RF電流返回路徑的設(shè)備，其特征在于，至少包含一制程處理室壁，其具有一基材傳送埠；一基材支撐件，由制程處理室壁封圍，且適于移動(dòng)于一制程位置及一非制程位置之間；以及一 RF接地組件，安裝至制程處理室壁，該RF接地組件位于基材傳送埠之上，且在基材支撐件位于制程位置時(shí)可接觸基材支撐件。
42.如權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其特征在于，所述的RF接地組件還包含一或多個(gè)低阻抗檔體(block)，其在基材制程期間可接觸基材支撐件；以及一或多個(gè)低阻抗可彎曲幕狀物，其具有第一端及第二端，第一端可電性連接至制程處理室壁，而第二端可連接至一或多個(gè)低阻抗檔體。
43.如權(quán)利要求42所述的設(shè)備，其特征在于，所述的每一低阻抗可彎曲幕狀物 (curtain)包括一或多個(gè)開口，適于讓反應(yīng)性物種通過。
44.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)開口的至少一者是位于該低阻抗可彎曲幕狀物的第二端附近。
45.如權(quán)利要求44所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)開口寬度約0.5英寸至約 1英寸，且采每2英寸至約每4英寸間隔方式設(shè)置。
46.如權(quán)利要求45所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)低阻抗可彎曲幕狀物是由鋁、鈦、不銹鋼、一涂覆有導(dǎo)電金屬涂層的可彎曲材料及其組合物組成的群組中所選出的材料制成。
47.如權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)低阻抗可彎曲幕狀物是由鋁制成，且厚約0. 008英寸至約0. 016英寸。
48.如權(quán)利要求47所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)低阻抗可彎曲幕狀物寬約3英寸至約5英寸，且長約5英寸至約6英寸。
49.如權(quán)利要求48所述的設(shè)備，其特征在于，所述的每一幕狀物的第一端是以熔接、焊接、焊銅或接附裝置的方式耦接至上處理室本體。
50.如權(quán)利要求49所述的設(shè)備，其特征在于，所述的每一幕狀物的第二端是以熔接、焊接、焊銅或接附裝置的方式耦接至低阻抗檔體。
51.如權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)低阻抗檔體可支撐一遮蔽框。
52.如權(quán)利要求51所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)低阻抗檔體于非基材制程期間是由一或多個(gè)安置架(rest-pieces)所支撐。
53.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其特征在于，所述的基材支撐件為多邊形，且數(shù)個(gè)低阻抗檔體是設(shè)置彼此鄰近以大致繞該基材支撐件本體的整個(gè)邊緣延伸，且至少一檔體是接觸該多邊形基材支撐件的每一邊緣。
54.如權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)低阻抗檔體是由鋁、鈦、 不銹鋼、一涂覆導(dǎo)電金屬涂層的固體材料及其組合物組成的群組中所選出的材料制成。
55.如權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其特征在于，所述的一或多個(gè)低阻抗檔體的截面約1/4 英寸至約3/4英寸乘以約1/4英寸至約3/4英寸。
56.如權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其特征在于，所述的基材支撐件具有一凸架，環(huán)繞基材支撐件上表面的外緣。
全文摘要
一種用以在一制程處理室壁以及一基材支撐件間提供一短RF電流返回電流路徑的設(shè)備。該RF接地設(shè)備為RF接地并位于基材傳送端口之上，其僅在基材制程期間(例如沉積)與基材支撐件形成電性接觸，以提供RF電流返回電流路徑。該RF接地設(shè)備的一實(shí)施例至少包含一或多個(gè)低阻抗可彎曲幕狀物，其可電性連接至接地處理室壁，并接至一或多個(gè)低阻抗檔體，其在基材制程期間可與基材支撐件接觸。該RF接地設(shè)備的另一實(shí)施例包含數(shù)個(gè)低阻抗可彎曲條體，其可電性連接至接地處理室壁，并接至一或多個(gè)低阻抗檔體，其在基材制程期間可與基材支撐件接觸。該RF接地設(shè)備的另一實(shí)施例包含數(shù)個(gè)探針，其可電性連接至接地處理室壁或由其它裝置作接地，以及數(shù)個(gè)附有探針的致動(dòng)器。該等致動(dòng)器可移動(dòng)探針以在基材制程期間電性接觸基材支撐件。
文檔編號(hào)H01J37/32GK102324367SQ20111019259
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2005年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月21日
發(fā)明者樸范珠, 溫德爾·T·布倫尼格, 約翰·M·懷特, 羅賓·L·蒂納 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司