專利名稱：發(fā)光二極管燈條及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管燈條，還涉及一種發(fā)光二極管燈條的制造方法。
背景技術(shù)：
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優(yōu)點，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來越多地應(yīng)用到各領(lǐng)域當(dāng)中，如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等。現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在應(yīng)用時，由于其結(jié)構(gòu)和形狀較為單一，因此在背光或是照明上的應(yīng)用有局限性，且發(fā)光二極管芯片于工作過程中發(fā)熱量較大，若不及時地將該熱量傳導(dǎo)出去，則容易導(dǎo)致其壽命的縮短。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明旨在提供一種具有更高應(yīng)用性且散熱良好的發(fā)光二極管燈條及其制造方法。一種發(fā)光二極管燈條，包括基板，若干個裝設(shè)于基板上的發(fā)光二極管芯片，所述基板包含金屬層、絕緣層以及金屬線路層，所述絕緣層位于所述金屬層與金屬線路層之間，所述絕緣層中部設(shè)有一凹槽，該凹槽的底面位于所述金屬層上，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述金屬層上且位于所述凹槽內(nèi)，所述發(fā)光二極管芯片與所述金屬線路層打線連接。一種發(fā)光二極管燈條的制造方法，包括以下步驟形成基板，所述基板包含金屬層、絕緣層以及金屬線路層，所述絕緣層位于所述金屬層與金屬線路層之間；于所述金屬線路層上形成一容置發(fā)光二極管芯片的凹槽，所述凹槽的底面位于所述基板的金屬層上；用絕緣漆將部分電路結(jié)構(gòu)及絕緣層覆蓋，僅暴露需連結(jié)的部分；將發(fā)光二極管芯片置于凹槽內(nèi)并裝設(shè)于基板的金屬層上，且與金屬線路層電連結(jié)；在金屬線路層上于凹槽外圍設(shè)置一擋墻；以及在所述凹槽內(nèi)形成封裝體用以密封所述發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明將發(fā)光二極管芯片直接固定于基板的第一金屬層上，從而使發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量可快速傳遞至第一金屬層上，散熱更快，可提高發(fā)光二極管芯片的壽命；并且該第一金屬層具有很好的金屬延展性，因此可制成各種形狀，提高了發(fā)光二極管芯片的燈條在背光或是照明上的應(yīng)用；并且制程簡單，大量制作可降低成本。


圖I為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的俯視示意圖。圖2為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條沿圖I的II-II線的剖面示意圖。圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟一所得到的基板的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟二所提供的基板的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟二所提供的基板的俯視示意圖。圖6為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟二所提供另一實施例的基板的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟三所提供的燈條的剖面示意圖。圖8為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟四所得到的燈條的剖面示意圖。圖9為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟五所得到的燈條的剖面示意圖。圖10為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟六所得到的燈條的剖面示意圖。圖11為本發(fā)明的發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟六所得到的燈條的俯視示意圖。主要元件符號說明 _
基板_10
·金屬層_11
絕緣層i
金屬線路層_13
接線部M
連接部E
打線部i
凹槽TF
電極
1 二極管芯片 i 導(dǎo)線_3^_
擋墻_40
封裝體i
封裝膠f
絕緣漆|60
如下具體實施方式
將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
具體實施例方式如圖I和圖2所示，本發(fā)明第一實施例提供的的發(fā)光二極管燈條1，其包括基板10，裝設(shè)于基板10上的若干發(fā)光二極管芯片30，圍設(shè)若干發(fā)光二極管芯片30的擋墻40，以及密封若干個發(fā)光二極管芯片30的封裝體50?；?0包含依次層疊設(shè)置的金屬層11、絕緣層12以及金屬線路層13。金屬層11和絕緣層12均呈平板狀，絕緣層12的中部具有一凹槽14，該凹槽14的底面位于金屬層11上，發(fā)光二極管芯片30設(shè)置在該凹槽14內(nèi)，也就是說凹槽14為該若干個發(fā)光二極管芯片30的容置區(qū)。金屬線路層13包括沿基板10的中心對稱的兩接線部131，每個接線部131包括位于絕緣層12 —端的連接部132和自該連接部132延伸至該基板10的相對另一端的打線部133。于本實施例中，兩接線部131的連接部132均用于與外部電連接，兩接線部131的打線部133相互間隔且于該基板10的長度方向上基本平行設(shè)置，同時該兩接線部131的打線部133位于凹槽14的相對兩側(cè)邊緣。金屬層11和金屬線路層13為銅材質(zhì)，具有很好的金屬延展性。金屬線路層13的厚度較金屬層11的厚度小，形成不對稱性的基板10。在本實施例中，金屬層11的厚度為0. 2-0. 3mm,絕緣層12的厚度約為0. Imm,金屬線路層13的厚度為0. 15-0. 2mm。于其它實施例中，也可于金屬層11和金屬線路層13的表面鍍上Ni/Ag材質(zhì)，以保護金屬層11和金屬線路層13不因外界環(huán)境而氧化。絕緣層12和金屬線路層13的上表面不需與外界連結(jié)的部分涂有絕緣漆60，以保護基板10不受外界環(huán)境氧化導(dǎo)致短路。若干個發(fā)光二極管芯片30貼設(shè)至金屬層11的上表面且位于凹槽14內(nèi)。若干個發(fā)光二極管芯片30的相對兩端分別通過兩導(dǎo)線31與二打線部133電連接。若干個發(fā)光二極管芯片30直接固定于基板10的金屬層11上，故在工作過程中若干個發(fā)光二極管芯片30產(chǎn)生的大量的熱量可快速傳遞導(dǎo)至基板10的金屬層11上，有利于其熱量地散發(fā)，提高若干個發(fā)光二極管芯片30的壽命。擋墻40固定于基板10的金屬線路層13上且位于凹槽14的周向外圍，本實施例中，擋墻40整體呈矩形，其由四個與基板10呈預(yù)定角度的矩形側(cè)板首尾相接圍設(shè)形成，當(dāng)然，在擋墻40也可實施成其他形狀，如橢圓形，圓形等。擋墻40可使凹槽14內(nèi)的發(fā)光二極 管芯片30發(fā)出的光線更為集中的發(fā)射出去。于本實施例中，擋墻40是通過點膠或是粘合的方式固定至基板10上的，其材質(zhì)可為矽膠或是塑膠等。封裝體50覆蓋整個凹槽14和擋墻40所包圍的整個區(qū)域，本實施例中，封裝體50的上端與擋墻40的上端平齊，當(dāng)然，封裝體的上端也可形成凹面或者凸面。于本實施例中，該封裝膠51可為環(huán)氧樹脂或是硅膠材質(zhì)。封裝時，封裝膠51中也可混合熒光粉，或者在封裝完成后，于封裝體50的上表面涂覆一層熒光層(圖未示)，以獲得想要的出光顏色。以下，將結(jié)合其他附圖對本發(fā)明提供的發(fā)光二極管燈條的制造方法進行詳細說明。請參考圖3，為本發(fā)明發(fā)光二極管燈條的制造方法步驟一，即提供一個基板10，基板10包含金屬層11、絕緣層12以及金屬線路層13，絕緣層12位于金屬層11與金屬線路層13之間。金屬層11、絕緣層12和金屬線路層13均呈平板狀，且金屬線路層13的厚度較金屬層11的厚度小。請參閱圖4至圖5，基板10的金屬線路層13通過蝕刻或激光加工等技術(shù)形成沿基板10的中心對稱的兩接線部131，每個接線部131包括位于絕緣層12 —端的連接部132和自該連接部132延伸至該基板10的相對另一端的打線部133。于本實施例中，兩接線部131的連接部132均用于與外部電連接；兩接線部131的打線部133相互間隔且于該基板10的長度方向上基本平行設(shè)置?；?0的絕緣層12沿該兩打線部133相對的內(nèi)側(cè)邊緣向下通過蝕刻或激光加工等技術(shù)形成一矩形的凹槽14，該凹槽14抵至金屬層11的上表面。于本實施例中，基板10的凹槽14的底面與兩側(cè)面垂直，可以理解地，請同時參閱圖6，凹槽14的內(nèi)表面也可呈弧面。請參閱圖7，為了保護基板10不受外界環(huán)境氧化導(dǎo)致短路，可利用絕緣漆60將不需連結(jié)的金屬線路層13和絕緣層12的上表面覆蓋，僅使需連結(jié)的電路結(jié)構(gòu)外露。請參閱圖8，接著在凹槽14內(nèi)于基板10的金屬層11的上表面固定若干個發(fā)光二極管芯片30，并通過打?qū)Ь€31的方式將若干個發(fā)光二極管芯片30與兩個打線部133分別電連接。由于該基板10的金屬線路層13的上表面平坦，無任何阻礙和遮擋，使打線的空間不受限制，故打線機能夠更加靈活地操作，同時有利于提高打線良率。在其他實施例中，根據(jù)基板10的金屬線路層13設(shè)置不同。還可以通過覆晶的方式將若干個發(fā)光二極管芯片30電連接于金屬線路層13上。如圖9所示，提供一擋墻40，擋墻40由四個與基板10呈預(yù)定角度的矩形側(cè)板首尾相接圍設(shè)形成。擋墻40通過點膠或是粘合的方式固定于金屬線路層13上，且位于凹槽14的外圍。請同時參閱圖10和圖11，該封裝體50覆蓋整個凹槽14和擋墻40所包圍的整個區(qū)域。封裝體50是采用點膠工藝完成，先在擋墻40所包圍的空間內(nèi)利用點膠機點上封裝膠51，使封裝膠51覆蓋若干個發(fā)光二極管芯片30并填滿擋墻40所包圍的整個區(qū)域，然后用模具擠壓使封裝體50的上端與擋墻40的上端平齊。于本實施例中，可在準備封裝膠51時混合熒光粉，或者在封裝完成后，于封裝體50的上表面涂覆一層熒光層(圖未示)，以獲得想要的出光顏色。本發(fā)明將若干個發(fā)光二極管芯片30直接固定于基板10的金屬層11上，從而使若干個發(fā)光二極管芯片30散熱更快，可提高若干個發(fā)光二極管芯片30的壽命；并且該金屬層11具有很好的金屬延展性，因此可制成各種形狀的燈條，提高了發(fā)光二極管燈條在背光或 是照明上的應(yīng)用；且制程簡單，大量制作可降低成本。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭露如上，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作出種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)不限于實施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為所附的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.ー種發(fā)光二極管燈條，包括基板，若干個裝設(shè)于基板上的發(fā)光二極管芯片，其特征在干所述基板包含金屬層、絕緣層以及金屬線路層，所述絕緣層位于所述金屬層與金屬線路層之間，所述絕緣層中部設(shè)有ー凹槽，該凹槽的底面位于所述金屬層上，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述金屬層上且位于所述凹槽內(nèi)，所述發(fā)光二極管芯片與所述金屬線路層打線連接。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管燈條，其特征在于所述金屬線路層的厚度較所述金屬層的厚度小。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管燈條，其特征在于所述金屬線路層包括一打線部，所述打線部與該若干個發(fā)光二極管芯片分別地連接。
4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管燈條，其特征在于所述燈條還包括擋墻，所述擋墻設(shè)置在金屬線路層上。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管燈條，其特征在于所述燈條還包括封裝體，所述封裝體設(shè)置在所述凹槽和擋墻內(nèi)用以密封所述發(fā)光二極管芯片。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管燈條，其特征在于所述基板的金屬線路層形成兩接線部，每個接線部包括一用干與外部電連接的連接部和自所述連接部延伸的打線部。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管燈條，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片利用覆晶或固晶打線的方式與所述兩接線部的打線部電連接。
8.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管燈條，其特征在于所述金屬層和所述金屬線路層的表面鍍有Ni/Ag材質(zhì)。
9.ー種發(fā)光二極管燈條的制造方法，包括以下步驟 形成基板，所述基板包含金屬層、絕緣層以及金屬線路層，所述絕緣層位于所述金屬層與金屬線路層之間； 于所述金屬線路層上形成一容置發(fā)光二極管芯片的凹槽，所述凹槽的底面位于所述基板的金屬層上； 用絕緣漆將部分電路結(jié)構(gòu)及絕緣層覆蓋，僅暴露需連結(jié)的部分； 將發(fā)光二極管芯片置于凹槽內(nèi)并裝設(shè)于基板的金屬層上，且與金屬線路層電連結(jié)； 在金屬線路層上于凹槽外圍設(shè)置ー擋墻；以及 在所述凹槽內(nèi)形成封裝體用以密封所述發(fā)光二極管芯片。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管燈條的制造方法，其特征在于所述基板的金屬線路層形成兩接線部，每個接線部包括一用干與外部電連接的連接部和自所述連接部延伸的打線部。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管燈條的制造方法，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片利用覆晶或固晶打線的方式與所述兩接線部的打線部電連接。
全文摘要
一種發(fā)光二極管燈條，包括基板，若干個裝設(shè)于基板上的發(fā)光二極管芯片，基板包含金屬層、絕緣層以及金屬線路層，絕緣層位于金屬層與金屬線路層之間，絕緣層中部設(shè)有一凹槽，凹槽的底面位于所述金屬層上，發(fā)光二極管芯片設(shè)置于金屬層上且位于所述凹槽內(nèi)，發(fā)光二極管芯片與金屬線路層打線連接。本發(fā)明將發(fā)光二極管芯片直接固定于基板的第一金屬層上，從而使發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量可快速傳遞至第一金屬層上，散熱更快，可提高發(fā)光二極管芯片的壽命；并且該第一金屬層具有很好的金屬延展性，因此可制成各種形狀，提高了發(fā)光二極管芯片的燈條在背光或是照明上的應(yīng)用；并且制程簡單，大量制作可降低成本。
文檔編號F21V23/06GK102691921SQ20111006929
公開日2012年9月26日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月22日
發(fā)明者張玉芬, 郭德文 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司