專利名稱：場(chǎng)發(fā)射電子器件及場(chǎng)發(fā)射顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)發(fā)射電子器件及場(chǎng)發(fā)射顯示裝置，尤其涉及一種平面型場(chǎng)發(fā)射 電子器件及場(chǎng)發(fā)射顯示裝置。
背景技術(shù)：
場(chǎng)發(fā)射電子器件在低溫或者室溫下工作，與熱電子發(fā)射器件相比具有功耗低、響 應(yīng)速度快以及低放氣等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)發(fā)射電子器件在場(chǎng)發(fā)射顯示裝置中具有廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有技術(shù)中的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置包括一絕緣基底、多個(gè)像素單元、以及多個(gè)行電極 引線與多個(gè)列電極引線。其中，所述多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線分別平行且等間隔 設(shè)置于絕緣基底表面。所述多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線相互交叉設(shè)置，且每?jī)蓚€(gè)相 鄰的行電極引線與兩個(gè)相鄰的列電極引線形成一網(wǎng)格。所述多個(gè)像素單元按照預(yù)定規(guī)律排 列，間隔設(shè)置于上述網(wǎng)格中，且每個(gè)網(wǎng)格中設(shè)置一個(gè)像素單元。所述像素單元包括一陰極電 極，一設(shè)置于該陰極電極表面的電子發(fā)射體，一與該陰極電極間隔設(shè)置的陽(yáng)極電極，以及一 設(shè)置于該陽(yáng)極電極表面的熒光粉層。當(dāng)在該陰極電極與陽(yáng)極電極之間施加一電壓，電子發(fā) 射體發(fā)射電子，以轟擊熒光粉層發(fā)光。然而，上述場(chǎng)發(fā)射顯示裝置中，由于每個(gè)象素單元僅包括一個(gè)陰極電極和一個(gè)陽(yáng) 極電極間隔設(shè)置，所以該場(chǎng)發(fā)射顯示裝置的電子發(fā)射效率較低，從而使得場(chǎng)發(fā)射顯示裝置
亮度較差。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，確有必要提供一種電子發(fā)射效率較高的場(chǎng)發(fā)射電子器件和具有較高亮 度的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置。一種場(chǎng)發(fā)射電子器件，包括一絕緣基底具有一表面；多個(gè)行電極引線與多個(gè)列 電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引 線相互交叉設(shè)置定義多個(gè)交叉處，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設(shè)置；以 及多個(gè)電子發(fā)射單元設(shè)置于絕緣基底表面，且每個(gè)電子發(fā)射單元對(duì)應(yīng)設(shè)置于一個(gè)交叉處， 其中，所述每個(gè)電子發(fā)射單元進(jìn)一步包括一第二電極與所述列電極引線電連接；一第一 電極與該第二電極間隔設(shè)置且至少部分環(huán)繞所述第二電極設(shè)置，該第一電極與所述行電極 引線電連接；以及多個(gè)電子發(fā)射體設(shè)置于所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)電極 的表面?！N場(chǎng)發(fā)射顯示裝置，其包括一絕緣基底具有一表面；多個(gè)行電極引線與多個(gè) 列電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極 引線相互交叉設(shè)置定義多個(gè)交叉處，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設(shè)置； 以及多個(gè)像素單元設(shè)置于絕緣基底表面，每個(gè)電子發(fā)射單元對(duì)應(yīng)設(shè)置于一個(gè)交叉處，其中， 每個(gè)像素單元包括一陽(yáng)極電極與所述列電極引線電連接；一陰極電極與該陽(yáng)極電極間隔 設(shè)置且至少部分環(huán)繞所述陽(yáng)極電極設(shè)置，且該陰極電極與行電極引線電連接；多個(gè)電子發(fā)射體設(shè)置于所述陰極電極表面且至少部分環(huán)繞所述陽(yáng)極電極設(shè)置；以及一熒光粉層設(shè)置于 該陽(yáng)極電極表面。一種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置，其包括一絕緣基底具有一表面；多個(gè)行電極引線與多個(gè) 列電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極 引線相互交叉設(shè)置定義多個(gè)交叉處，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設(shè)置； 以及多個(gè)像素單元設(shè)置于絕緣基底表面，每個(gè)電子發(fā)射單元對(duì)應(yīng)設(shè)置于一個(gè)交叉處，其中， 每個(gè)像素單元包括一陰極電極與所述列電極引線電連接；一陽(yáng)極電極與該陰極電極間隔 設(shè)置且至少部分環(huán)繞所述陰極電極設(shè)置，且該陽(yáng)極電極與行電極引線電連接；一熒光粉層 設(shè)置于該陽(yáng)極電極表面且至少部分環(huán)繞所述陰極電極設(shè)置；以及多個(gè)電子發(fā)射體設(shè)置于所 述陰極電極表面。相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述場(chǎng)發(fā)射電子器件的一電極至少部分環(huán)繞另一電極設(shè)置，且 多個(gè)電子發(fā)射體設(shè)置于至少一個(gè)電極的表面，從而使得場(chǎng)發(fā)射顯示裝置具有較高場(chǎng)發(fā)射電 流，且采用該場(chǎng)發(fā)射電子器件的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置具有較高的亮度。



第三電極7
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的場(chǎng)發(fā)射電子器件及場(chǎng)發(fā)射顯示裝置作進(jìn)一步的詳細(xì) 說明?？梢岳斫猓鰣?chǎng)發(fā)射電子器件及場(chǎng)發(fā)射顯示裝置可以包括多個(gè)像素單元，本發(fā)明實(shí) 施例附圖僅給出部分像素單元為例進(jìn)行說明。請(qǐng)參閱圖1、圖2，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置200，其包括一絕緣 基底202，多個(gè)像素單元220、以及多個(gè)行電極引線204與多個(gè)列電極引線206。所述多個(gè)行電極引線204與多個(gè)列電極引線206分別平行、間隔設(shè)置于所述絕緣 基底202的表面。優(yōu)選地，所述多個(gè)行電極引線204與多個(gè)列電極引線206分別平行、等間 隔設(shè)置。所述多個(gè)行電極引線204與多個(gè)列電極引線206相互交叉設(shè)置以定義多個(gè)交叉處 214和多個(gè)網(wǎng)格(圖未標(biāo))。所述多個(gè)行電極引線204與多個(gè)列電極引線206在交叉處214 電絕緣，優(yōu)選地，每個(gè)行電極引線204在交叉處214斷開。所述每個(gè)交叉處214定位一個(gè)像 素單元220。所述多個(gè)像素單元220對(duì)應(yīng)交叉處214—一設(shè)置，從而形成一矩陣?？梢岳?解，所述場(chǎng)發(fā)射顯示裝置200工作時(shí)需要封裝在一真空環(huán)境中。所述絕緣基底202為一絕緣基板，如陶瓷基板、玻璃基板、樹脂基板、石英基板等。 所述絕緣基底202的大小與厚度不限，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要選擇。本實(shí)施例 中，所述絕緣基底202優(yōu)選為一玻璃基板，其厚度大于1毫米，邊長(zhǎng)大于1厘米。所述行電極引線204與列電極引線206為導(dǎo)電體，如金屬層等。本實(shí)施例中，該多 個(gè)行電極引線204與多個(gè)列電極引線206優(yōu)選為采用導(dǎo)電漿料印制的橫截面為矩形的平面 導(dǎo)電體，且該多個(gè)行電極引線204的行間距為50微米 2厘米，多個(gè)列電極引線206的列 間距為50微米 2厘米。該行電極引線204與列電極引線206的寬度為30微米 100微 米，厚度為10微米 50微米。本實(shí)施例中，該行電極引線204與列電極引線206的交叉角 度為10度到90度，優(yōu)選地，該行電極引線204與列電極引線206相互垂直。本實(shí)施例中， 通過絲網(wǎng)印刷法將導(dǎo)電漿料印制于絕緣基底202表面制備行電極引線204與列電極引線 206。該導(dǎo)電漿料的成分包括金屬粉、低熔點(diǎn)玻璃粉和粘結(jié)劑；其中，該金屬粉優(yōu)選為銀粉， 該粘結(jié)劑優(yōu)選為松油醇或乙基纖維素。其中，金屬粉的重量比為50 90%，低熔點(diǎn)玻璃粉 的重量比為2 10%，粘結(jié)劑的重量比為8 40%。本實(shí)施例中，將所述行電極引線204 的延伸方向定義為X方向，所述列電極引線206的延伸方向定義為Y方向。所述每個(gè)像素單元220設(shè)置于交叉處214相鄰的至少兩個(gè)網(wǎng)格中。所述每個(gè)像素 單元220包括一第一電極212、一第二電極210、多個(gè)電子發(fā)射體208、以及一熒光粉層218。 所述第一電極212與第二電極210間隔設(shè)置于絕緣基底202表面，且該第一電極212至少 部分環(huán)繞所述第二電極210設(shè)置。所謂“至少部分環(huán)繞所述第二電極210設(shè)置”指所述第 一電極212至少部分圍繞所述第二電極210延伸，從而形成“L”形、“U”形、“C”形、半環(huán)形 或環(huán)形等。優(yōu)選地，所述第二電極210設(shè)置于行電極引線204與列電極引線206的交叉處 214，且設(shè)置于交叉處214相鄰的四個(gè)網(wǎng)格中。所述第一電極212環(huán)繞第二電極210設(shè)置， 也設(shè)置于交叉處214相鄰的四個(gè)網(wǎng)格中。所述第一電極212與列電極引線206交疊處設(shè)置 有一介質(zhì)絕緣層216。所述第二電極210與行電極引線204間隔設(shè)置。所述第一電極212作為陰極電極，且分別與交叉處214兩側(cè)斷開的行電極引線204電連接，從而使得斷開的行電極引線204電連接。所述第二電極210作為陽(yáng)極電極，且與所 述列電極引線206電連接。所述多個(gè)電子發(fā)射體208設(shè)置于所述第一電極212表面，且至少 部分環(huán)繞所述第二電極210設(shè)置。所述熒光粉層218設(shè)置于所述第二電極210的一表面。 所述電子發(fā)射體208發(fā)射的電子可以打到熒光粉層218而使之發(fā)光。所述第二電極210為導(dǎo)電體，如金屬層、ITO層、導(dǎo)電漿料等。所述第二電極210直 接與所述列電極引線206接觸，從而實(shí)現(xiàn)電連接。所述第二電極210為一平面導(dǎo)電體，其形 狀和尺寸依據(jù)實(shí)際需要決定。本實(shí)施例中，所述第二電極210為一正方形平面導(dǎo)電體。所 述第二電極210的邊長(zhǎng)為30微米 1. 5厘米，厚度為10微米 500微米。優(yōu)選地，所述第 二電極210的邊長(zhǎng)為100微米 700微米，厚度為20微米 100微米。所述第一電極212為導(dǎo)電體，如金屬層、ITO層、導(dǎo)電漿料等。所述第一電極212 為一橫截面為矩形的平面導(dǎo)電體，其形狀和尺寸依據(jù)實(shí)際需要決定。優(yōu)選地，所述第一電極 212的厚度大于所述第二電極210的厚度，以防止相鄰像素單元220之間的電場(chǎng)干擾。本實(shí) 施例中，所述第一電極212的厚度大于所述第二電極210的厚度可以防止第二電極210的 電場(chǎng)覆蓋到相鄰像素單元220的第一電極212表面。本實(shí)施例中，所述第一電極212為方 框形，且將所述第二電極210全部環(huán)繞。所述第一電極212的寬度為30微米 1000微米， 厚度為10微米 500微米。所述第一電極212與第二電極210的材料均為導(dǎo)電漿料。所 述第一電極212與第二電極210可通過絲網(wǎng)印刷法印制于所述絕緣基底202表面?？梢岳?解，所述第二電極210可以與所述列電極引線206 —體印刷形成。所述第一電極212可以 與所述行電極引線204 —體印刷形成。所述熒光粉層218設(shè)置于所述第二電極210遠(yuǎn)離絕緣基底202的表面。所述熒光 粉層218的材料可為白色熒光粉，也可以為單色熒光粉，例如紅色，綠色，藍(lán)色熒光粉等，當(dāng) 電子轟擊熒光粉層218時(shí)可發(fā)出白光或其它顏色可見光。該熒光粉層218可以采用沉積法、 印刷法、光刻法或涂敷法設(shè)置在第二電極210的表面。該熒光粉層218的厚度可為5微米 至50微米。所述多個(gè)電子發(fā)射體208設(shè)置于所述第一電極212表面，且至少部分環(huán)繞所述第 二電極210設(shè)置。所述每個(gè)電子發(fā)射體208具有一電子發(fā)射端222與所述第二電極210間 隔設(shè)置。優(yōu)選地，所述多個(gè)電子發(fā)射體208為設(shè)置于所述第一電極212與第二電極210之 間的線狀體。所述電子發(fā)射體208的一端與所述第一電極212電連接，另一端指向所述第 二電極210，并向第二電極210延伸作為電子發(fā)射端222。所述多個(gè)電子發(fā)射體208與所述 絕緣基底202間隔設(shè)置，且沿著平行于絕緣基底202表面的方向延伸。所述電子發(fā)射體208 可選自硅線、碳納米管、碳纖維及碳納米管線等中的一種或多種。本實(shí)施例中，所述多個(gè)電 子發(fā)射體208為多個(gè)平行排列的碳納米管線，每個(gè)碳納米管線的一端與第一電極212電連 接，另一端指向第二電極210表面的熒光粉層218，作為電子發(fā)射體208的電子發(fā)射端222。 該電子發(fā)射端222與第二電極210之間的距離為10微米 500微米。優(yōu)選地，該電子發(fā)射 端222與第二電極210之間的距離為50微米 300微米。所述電子發(fā)射體208的延伸方 向基本平行于所述熒光粉層218的表面。可以理解，所述電子發(fā)射體208的電子發(fā)射端222 也可以懸空設(shè)置于熒光粉層218的上方。所述電子發(fā)射體208 —端與第一電極212的電連接方式可以為直接電連接或通過 一導(dǎo)電膠電連接，也可以通過分子間力或者其他方式實(shí)現(xiàn)。該碳納米管線的長(zhǎng)度為10微米 1厘米，且相鄰的碳納米管線之間的間距為1微米 500微米。該碳納米管線包括多個(gè) 沿碳納米管線長(zhǎng)度方向排列的碳納米管。該碳納米管線可為多個(gè)碳納米管組成的純結(jié)構(gòu)， 所述“純結(jié)構(gòu)”是指該碳納米管線中碳納米管未經(jīng)過任何化學(xué)修飾或功能化處理。優(yōu)選地， 所述碳納米管線為自支撐結(jié)構(gòu)。所謂“自支撐結(jié)構(gòu)”即該碳納米管線無需通過一支撐體支 撐，也能保持自身特定的形狀。所述碳納米管線中的碳納米管通過范德華力相連，碳納米管 的軸向均基本沿碳納米管線的長(zhǎng)度方向延伸，其中，每一碳納米管與在該延伸方向上相鄰 的碳納米管通過范德華力首尾相連。所述碳納米管線中的碳納米管包括單壁、雙壁及多壁 碳納米管中的一種或多種。所述碳納米管的長(zhǎng)度范圍為10微米 100微米，且碳納米管的 直徑小于15納米。所述多個(gè)電子發(fā)射體208可以通過印刷碳納米管漿料層或鋪設(shè)碳納米管膜的方 法制備。所述碳納米管漿料包括碳納米管、低熔點(diǎn)玻璃粉以及有機(jī)載體。其中，有機(jī)載體在 烘烤過程中蒸發(fā)，低熔點(diǎn)玻璃粉在烘烤過程中熔化并將碳納米管固定于電極表面。具體地，本實(shí)施例中的電子發(fā)射體208的制備方法包括以下步驟步驟一，提供至少兩個(gè)碳納米管膜。所述碳納米管膜從一碳納米管陣列拉取獲得。該碳納米管膜中包括多個(gè)首尾相連 且定向排列的碳納米管。所述碳納米管膜的結(jié)構(gòu)及其制備方法請(qǐng)參見范守善等人于2007 年2月9日申請(qǐng)的，于2010年5月沈公告的第CN101239712B號(hào)中國(guó)大陸公告專利申請(qǐng)“碳 納米管薄膜結(jié)構(gòu)及其制備方法”，申請(qǐng)人清華大學(xué)，鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司)。步驟二，將該至少兩個(gè)碳納米管膜交叉鋪設(shè)覆蓋于第一電極212和第二電極210 表面。本實(shí)施例中，所述兩個(gè)碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向分別沿著行電極引線 204與列電極引線206的長(zhǎng)度方向，即兩個(gè)碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向基本垂直。 可以理解第一電極212為其他形狀，如圓環(huán)形時(shí)，可以將多個(gè)碳納米管薄膜沿不同的交叉 角度重疊鋪設(shè)于第一電極212和第二電極210表面，以確保碳納米管膜中的碳納米管的延 伸方向均基本為從第一電極212向第二電極210延伸。進(jìn)一步的，可用有機(jī)溶劑對(duì)所述碳 納米管膜進(jìn)行處理，該有機(jī)溶劑為揮發(fā)性有機(jī)溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿， 本實(shí)施例中優(yōu)選采用乙醇。該有機(jī)溶劑揮發(fā)后，在揮發(fā)性有機(jī)溶劑的表面張力的作用下所 述碳納米管膜會(huì)部分聚集形成碳納米管線。步驟三，切割碳納米管膜，使第一電極212與第二電極210之間的碳納米管膜斷 開，形成多個(gè)平行排列的碳納米管線固定于第一電極212表面作為電子發(fā)射體208。所述切割碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)的方法為激光燒蝕法、電子束掃描法或加熱熔斷法。 本實(shí)施例中，優(yōu)選采用激光燒蝕法切割碳納米管膜。在激光束掃描時(shí)，空氣中的氧氣會(huì)氧化 激光照射到的碳納米管，使得碳納米管蒸發(fā)，從而使碳納米管膜產(chǎn)生斷裂，在碳納米管膜的 斷裂處會(huì)形成一電子發(fā)射端222，且電子發(fā)射端222與第二電極210之間形成一間隔。本實(shí) 施例中，所用的激光束的功率為10 50瓦，掃描速度為0. 1 10000毫米/秒。所述激光 束的寬度為1微米 400微米。該步驟中，同時(shí)將行電極引線204與列電極引線206表面 以及網(wǎng)格中多余的碳納米管膜去除。進(jìn)一步，該場(chǎng)發(fā)射顯示裝置200的每個(gè)像素單元220可以進(jìn)一步包括一固定元件 224設(shè)置于第一電極212表面，以將多個(gè)電子發(fā)射體208固定于第一電極212表面。所述固定元件2M可由絕緣材質(zhì)或?qū)щ姴馁|(zhì)構(gòu)成。本實(shí)施例中，該固定元件2M為導(dǎo)電漿料層。請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置300，其包括一絕緣基底 302，多個(gè)像素單元320、以及多個(gè)行電極引線304與多個(gè)列電極引線。所述場(chǎng)發(fā)射顯示裝置 300與本發(fā)明第一實(shí)施例提供的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置200的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別在于所述第 二電極310具有至少一個(gè)與第一電極312相對(duì)設(shè)置且背向所述絕緣基底302設(shè)置的承載面 3102。所謂“相對(duì)第一電極312設(shè)置”指所述承載面3102面對(duì)所述第一電極312設(shè)置， 從而使得所述第一電極312和第二電極310分別位于承載面3102的兩側(cè)。所謂“背向所述 絕緣基底302設(shè)置”指所述承載面3102至少部分面向遠(yuǎn)離所述絕緣基底302的方向。所述 承載面3102可以為平面或曲面。當(dāng)所述承載面3102為平面時(shí)，所述承載面3102與絕緣基 底302的表面形成一大于零度且小于90度的夾角。優(yōu)選地，該夾角的角度大于等于30度 且小于等于60度。當(dāng)所述承載面3102為曲面時(shí)，該承載面3102可以為凸面或凹面。所述 承載面3102可以與絕緣基底302的表面直接相交或間隔設(shè)置。具體地，本實(shí)施例中，所述第二電極310為四棱錐體，其邊長(zhǎng)沿著遠(yuǎn)離絕緣基底 302的方向逐漸減小，從而使該第二電極310具有四個(gè)分別與四周的第一電極312相對(duì)設(shè)置 的斜面作為承載面3102。所述熒光粉層318分別設(shè)置于所述第二電極310的四個(gè)承載面 3102。所述每個(gè)承載面3102與絕緣基底302表面的夾角大于等于30度且小于等于60度。 所述第二電極310可通過多次印刷導(dǎo)電漿料，且逐漸減小印刷的導(dǎo)電漿料層的邊長(zhǎng)的方法 形成。由于導(dǎo)電漿料本身具有一定的流淌性，從而形成承載面3102。本實(shí)施例中，由于所述第二電極310具有四個(gè)分別與四周的電子發(fā)射端322相對(duì) 設(shè)置且背向所述絕緣基底302設(shè)置的承載面3102，且所述熒光粉層318分別設(shè)置于四個(gè)承 載面3102，使得熒光粉層318不但具有較大的面積，而且容易被電子發(fā)射端322發(fā)射的電子 轟擊到，從而使得場(chǎng)發(fā)射顯示裝置300具有較高的亮度。請(qǐng)參閱圖4和圖5，本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置400，其包括一絕 緣基底402，多個(gè)像素單元420、以及多個(gè)行電極引線404與多個(gè)列電極引線406。所述場(chǎng) 發(fā)射顯示裝置400與本發(fā)明第一實(shí)施例提供的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置200的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū) 別在于所述第二電極410為圓形平面導(dǎo)電體，所述第一電極412為圓環(huán)形，所述第一電極 412用作陽(yáng)極電極，所述第二電極410用作陰極電極，所述多個(gè)電子發(fā)射體408設(shè)置于所述 第二電極410表面，所述熒光粉層418設(shè)置于第一電極412表面。具體地，本實(shí)施例中，所述第一電極412為橫截面為矩形的圓環(huán)形平面導(dǎo)電體。進(jìn) 一步，本實(shí)施例中，所述第一電極412的厚度大于所述第二電極410的厚度可以防止相鄰像 素單元420的第一電極412的陽(yáng)極電場(chǎng)覆蓋到該第二電極410表面。所述熒光粉層418設(shè) 置于所述第一電極412遠(yuǎn)離絕緣基底402的表面。所述多個(gè)電子發(fā)射體408設(shè)置于第二電 極410表面，且電子發(fā)射體408的電子發(fā)射端422分別向周圍的第一電極412方向延伸。本 實(shí)施例中，所述多個(gè)電子發(fā)射體408為多個(gè)橫穿第二電極410且交叉設(shè)置的碳納米管線。本實(shí)施例中，所述第二電極410表面設(shè)置有多個(gè)電子發(fā)射體408，且多個(gè)電子發(fā)射 體408的電子發(fā)射端422分別指向周圍的第一電極412，所以提高了每個(gè)像素單元420的場(chǎng) 發(fā)射電流。而且，所述熒光粉層418設(shè)置于環(huán)繞所述第二電極410的環(huán)形第一電極412表 面，具有較大的發(fā)光面積。因此，所述場(chǎng)發(fā)射顯示裝置400具有較高的亮度。
請(qǐng)參閱圖6，本發(fā)明第四實(shí)施例提供一種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置500，其包括一絕緣基底 502，多個(gè)像素單元520、以及多個(gè)行電極引線504與多個(gè)列電極引線。所述場(chǎng)發(fā)射顯示裝置 500與本發(fā)明第三實(shí)施例提供的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置400的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別在于所述第 一電極512具有一與第二電極510相對(duì)設(shè)置且背向所述絕緣基底502設(shè)置的承載面5122。具體地，本實(shí)施例中，所述第一電極512的寬度均沿著遠(yuǎn)離絕緣基底502的方向逐 漸減小，從而使該第一電極512具有一與電子發(fā)射端522相對(duì)設(shè)置的環(huán)形斜面作為承載面 5122。所述熒光粉層518設(shè)置于所述第一電極512的承載面5122。所述多個(gè)電子發(fā)射體 508的電子發(fā)射端522分別指向周圍承載面5122的熒光粉層518。本實(shí)施例中，所述第一電極512具有一與電子發(fā)射體508相對(duì)設(shè)置且背向所述絕 緣基底502設(shè)置的環(huán)形承載面5122，且所述熒光粉層518設(shè)置于所述環(huán)形承載面5122，具 有較大的面積，且容易被電子發(fā)射體508轟擊到，所以提高了所述場(chǎng)發(fā)射顯示裝置500的亮 度和顯示均勻度。請(qǐng)參閱圖7和圖8，本發(fā)明第五實(shí)施例提供一種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置600，其包括一絕 緣基底602，多個(gè)像素單元620、以及多個(gè)行電極引線604與多個(gè)列電極引線606。所述場(chǎng) 發(fā)射顯示裝置600與本發(fā)明第一實(shí)施例提供的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置200的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū) 別在于所述第一電極612和第二電極610表面均設(shè)置有多個(gè)電子發(fā)射體608和熒光粉層 618。具體地，所述多個(gè)電子發(fā)射體608分別設(shè)置于所述第一電極612和第二電極610 遠(yuǎn)離絕緣基底602的表面，且第一電極612和第二電極610表面的電子發(fā)射體608相對(duì)且 間隔設(shè)置。所述熒光粉層618分別設(shè)置于所述第一電極612和第二電極610遠(yuǎn)離絕緣基 底602的表面，且將多個(gè)電子發(fā)射體608部分覆蓋。所述第一電極812表面的電子發(fā)射體 608分別向第二電極610方向延伸，且其電子發(fā)射端622指向第二電極610表面的熒光粉層 618。所述第二電極610表面的電子發(fā)射體608分別向第一電極612方向延伸，且其電子發(fā) 射端622指向第一電極612表面的熒光粉層618。本實(shí)施例中，所述第一電極612和第二電極610可以交替用作陰極電極和陽(yáng)極電 極，從而提高了場(chǎng)發(fā)射顯示裝置600的使用壽命。優(yōu)選地，所述第一電極612和第二電極 610之間可以施加一交流電壓，從而使所述第一電極612和第二電極610可以交替用作陰極 電極和陽(yáng)極電極。請(qǐng)參閱圖9，本發(fā)明第六實(shí)施例提供一種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置700，其包括一絕緣基底 702，多個(gè)像素單元720、以及多個(gè)行電極引線704與多個(gè)列電極引線。所述場(chǎng)發(fā)射顯示裝置 700與本發(fā)明第一實(shí)施例提供的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置200的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別在于進(jìn)一步 包括一第三電極7 與所述絕緣基底702平行且間隔設(shè)置，所述熒光粉層718設(shè)置于該第 三電極7 相對(duì)所述絕緣基底702的表面，且每個(gè)熒光粉層718與一像素單元720相對(duì)設(shè) 置。具體地，所述第三電極7 與絕緣基底702平行且間隔設(shè)置，所述多個(gè)像素單元 720，行電極引線704和多個(gè)列電極引線設(shè)置于第三電極7 與絕緣基底702之間。所述場(chǎng) 發(fā)射顯示裝置700工作時(shí)，第一電極712用作陰極電極，第二電極710用作柵極電極，第三 電極7 用作陽(yáng)極電極。所述電子發(fā)射體608在第二電極710作用下發(fā)射電子，且發(fā)射的 電子在第三電極7 作用下向第三電極7 方向加速運(yùn)動(dòng)，以轟擊熒光粉層718。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精 神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種場(chǎng)發(fā)射電子器件，包括一絕緣基底具有一表面；多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多 個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線相互交叉設(shè)置定義多個(gè)交叉處，所述行電極引線與列電極 引線在交叉處電絕緣設(shè)置；以及多個(gè)電子發(fā)射單元設(shè)置于絕緣基底表面，且每個(gè)電子發(fā)射單元對(duì)應(yīng)設(shè)置于一個(gè)交叉處，其特征在于，所述每個(gè)電子發(fā)射單元進(jìn)一步包括一第二電極與所述列電極引線電連接；一第一電極與該第二電極間隔設(shè)置且至少部分環(huán)繞所述第二電極設(shè)置，該第一電極與 所述行電極引線電連接；以及多個(gè)電子發(fā)射體設(shè)置于所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)電極的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述多個(gè)電子發(fā)射體的一端與 第一電極電連接，另一端與第二電極間隔設(shè)置且向第二電極延伸，所述電子發(fā)射體環(huán)繞所 述第二電極設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述第一電極環(huán)繞所述第二電 極設(shè)置，所述多個(gè)電子發(fā)射體的一端與第二電極電連接，另一端與第一電極間隔設(shè)置且向 第一電極延伸。
4.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述多個(gè)電子發(fā)射體分別設(shè)置 于所述第一電極和所述第二電極的表面且相對(duì)設(shè)置，相對(duì)的電子發(fā)射體之間存在間隙。
5.如權(quán)利要求4所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述場(chǎng)發(fā)射電子器件工作時(shí)，向 多個(gè)行電極引線和多個(gè)列電極引線接入交流電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述第一電極與所述列電極引 線電絕緣，所述第二電極與所述行電極引線電絕緣。
7.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述第一電極與所述行電極引 線為一體成型結(jié)構(gòu)，所述第二電極與所述列電極引線為一體成型結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述第一電極為“L”形、“U”形、 “C”形、半環(huán)形或環(huán)形環(huán)繞所述第二電極延伸。
9.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述多個(gè)電子發(fā)射體與所述絕 緣基底間隔設(shè)置，且沿著平行于絕緣基底表面的方向延伸。
10.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，所述電子發(fā)射體選自硅線、碳 納米管、碳纖維及碳納米管線中的一種或多種。
11.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射電子器件，其特征在于，進(jìn)一步包括一第三電極與所述 絕緣基底平行且間隔設(shè)置。
12.—種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置，其包括一絕緣基底具有一表面；多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多 個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線相互交叉設(shè)置定義多個(gè)交叉處，所述行電極引線與列電極 引線在交叉處電絕緣設(shè)置；以及多個(gè)像素單元設(shè)置于絕緣基底表面，每個(gè)電子發(fā)射單元對(duì)應(yīng)設(shè)置于一個(gè)交叉處， 其特征在于，每個(gè)像素單元包括 一陽(yáng)極電極與所述列電極引線電連接；一陰極電極與該陽(yáng)極電極間隔設(shè)置且至少部分環(huán)繞所述陽(yáng)極電極設(shè)置，且該陰極電極 與行電極引線電連接；多個(gè)電子發(fā)射體設(shè)置于所述陰極電極表面且至少部分環(huán)繞所述陽(yáng)極電極設(shè)置；以及 一熒光粉層設(shè)置于該陽(yáng)極電極表面。
13.如權(quán)利要求12所述的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陽(yáng)極電極具有至少一個(gè) 與陰極電極相對(duì)設(shè)置且背向所述絕緣基底設(shè)置的承載面，所述熒光粉層設(shè)置于該承載面。
14.一種場(chǎng)發(fā)射顯示裝置，其包括一絕緣基底具有一表面；多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多 個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線相互交叉設(shè)置定義多個(gè)交叉處，所述行電極引線與列電極 引線在交叉處電絕緣設(shè)置；以及多個(gè)像素單元設(shè)置于絕緣基底表面，每個(gè)電子發(fā)射單元對(duì)應(yīng)設(shè)置于一個(gè)交叉處， 其特征在于，每個(gè)像素單元包括 一陰極電極與所述列電極引線電連接；一陽(yáng)極電極與該陰極電極間隔設(shè)置且至少部分環(huán)繞所述陰極電極設(shè)置，且該陽(yáng)極電極 與行電極引線電連接；一熒光粉層設(shè)置于該陽(yáng)極電極表面且至少部分環(huán)繞所述陰極電極設(shè)置；以及 多個(gè)電子發(fā)射體設(shè)置于所述陰極電極表面。
15.如權(quán)利要求14所述的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陽(yáng)極電極具有至少一個(gè) 與陰極電極相對(duì)設(shè)置且背向所述絕緣基底設(shè)置的承載面，所述熒光粉層設(shè)置于該承載面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種場(chǎng)發(fā)射電子器件，包括一絕緣基底具有一表面；多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多個(gè)行電極引線與多個(gè)列電極引線相互交叉設(shè)置定義多個(gè)交叉處，所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設(shè)置；以及多個(gè)電子發(fā)射單元設(shè)置于絕緣基底表面，且每個(gè)電子發(fā)射單元對(duì)應(yīng)設(shè)置于一個(gè)交叉處，其中，所述每個(gè)電子發(fā)射單元進(jìn)一步包括一第二電極與所述列電極引線電連接；一第一電極與該第二電極間隔設(shè)置且至少部分環(huán)繞所述第二電極設(shè)置，該第一電極與所述行電極引線電連接；以及多個(gè)電子發(fā)射體設(shè)置于所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)電極的表面。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種采用上述場(chǎng)發(fā)射電子器件的場(chǎng)發(fā)射顯示裝置。
文檔編號(hào)H01J29/02GK102082061SQ20101061265
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者柳鵬, 范守善 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司