專利名稱：場發(fā)射顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射顯示裝置，尤其涉及一種平面型場發(fā)射顯示裝置。
背景技術(shù)：
場發(fā)射顯示裝置在低溫或者室溫下工作，與電真空器件中的熱發(fā)射電子器件相比 具有功耗低、響應(yīng)速度快以及低放氣等優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)有技術(shù)中的場發(fā)射顯示裝置包括一絕緣基底、多個像素單元、以及多個行電極 引線與多個列電極引線。其中，所述多個行電極引線與多個列電極引線分別平行且等間隔 設(shè)置于絕緣基底表面。所述多個行電極引線與多個列電極引線相互交叉設(shè)置，且每兩個相 鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一網(wǎng)格。所述多個像素單元按照預(yù)定規(guī)律排 列，間隔設(shè)置于上述網(wǎng)格中，且每個網(wǎng)格中設(shè)置一個像素單元。所述像素單元包括一陰極電 極，一設(shè)置于該陰極電極表面的陰極發(fā)射體，一與該陰極電極間隔設(shè)置的陽極電極，以及一 設(shè)置于該陽極電極表面的熒光粉層。當(dāng)在該陰極電極與陽極電極之間施加一電壓，陰極發(fā) 射體發(fā)射電子，以轟擊熒光粉層發(fā)光。然而，上述場發(fā)射顯示裝置中，陽極電極通常為橫截面為矩形的平面導(dǎo)電體，且熒 光粉層設(shè)置于陽極電極與絕緣基底表面平行的頂面，所以熒光粉層的面積較小且不易被陰 極發(fā)射體發(fā)射的電子轟擊到，從而使得場發(fā)射顯示裝置亮度較差。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，確有必要提供一種具有較高亮度的場發(fā)射顯示裝置。一種場發(fā)射顯示裝置包括一絕緣基底具有一表面；多個行電極引線與多個列電 極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多個行電極引線與多個列電極引線 交叉設(shè)置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網(wǎng)格；多個像素 單元設(shè)置于絕緣基底的表面，每個像素單元對應(yīng)一個網(wǎng)格設(shè)置，且每個像素單元包括一陰 極電極、至少一與該陰極電極電連接的陰極發(fā)射體、一與該陰極電極間隔設(shè)置的陽極電極、 以及一熒光粉層；其中，所述陽極電極具有一承載面與所述陰極電極相對設(shè)置且背向所述 絕緣基底設(shè)置，所述熒光粉層至少設(shè)置于所述承載面。相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述場發(fā)射顯示裝置的陽極電極具有一承載面與所述陰極電極 相對設(shè)置且背向所述絕緣基底設(shè)置，所述熒光粉層至少設(shè)置于所述承載面，因此，所述熒光 粉層具有較大的面積且容易被陰極發(fā)射體發(fā)射的電子轟擊到，從而使得場發(fā)射顯示裝置具 有較高的亮度。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的場發(fā)射顯示裝置的俯視示意圖。圖2為圖1所示的場發(fā)射顯示裝置沿線II-II的剖面示意圖。圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的場發(fā)射顯示裝置的俯視示意圖。
圖4為圖3所示的場發(fā)射顯示裝置沿線IV-IV的剖面示意圖。
圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的場發(fā)射顯示裝置的俯視示意圖
圖6為圖1所示的場發(fā)射顯示裝置沿線VI-VI的剖面示意圖。
主要元件符號說明
場發(fā)射顯示裝置200,300,400
絕緣基底202，302，402
行電極引線204，304，404
列電極引線206，306，406
陰極發(fā)射體208，308，408
第二電極210,310,410
承載面2102,3102,4122
第一電極212,312,412
第一子電極3121,4121
第二子電極3123,4123
第三子電極3125,4125
網(wǎng)格214
絕緣層216
熒光粉層218,318,418
像素單元220，320，420
電子發(fā)射端222,322,422
固定元件22具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的場發(fā)射顯示裝置作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解，所 述場發(fā)射顯示裝置可以包括多個像素單元，本發(fā)明實(shí)施例附圖僅給出部分像素單元為例進(jìn) 行說明。請參閱圖1、圖2，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種場發(fā)射顯示裝置200，其包括一絕緣 基底202，多個設(shè)置于該絕緣基底202表面的像素單元220、以及多個行電極引線204與多 個列電極引線206。所述多個行電極引線204與列電極引線206分別平行、間隔設(shè)置。優(yōu)選地，所述多 個行電極引線204與列電極引線206分別平行、等間隔設(shè)置。所述多個行電極引線204與 多個列電極引線206相互交叉設(shè)置，并在行電極引線204與列電極引線206交叉處設(shè)置有 一介質(zhì)絕緣層216。該介質(zhì)絕緣層216將行電極引線204與列電極引線206電隔離，以防止 短路。每兩個相鄰的行電極引線204與兩個相鄰的列電極引線206形成一網(wǎng)格214，且每個 網(wǎng)格214定位一個像素單元220。所述多個像素單元220對應(yīng)網(wǎng)格214設(shè)置成一矩陣?？?以理解，所述場發(fā)射顯示裝置200工作時需要封裝在一真空環(huán)境中。所述絕緣基底202為一絕緣基板，如陶瓷基板、玻璃基板、樹脂基板、石英基板等。 所述絕緣基底202的大小與厚度不限，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要選擇。本實(shí)施例 中，所述絕緣基底202優(yōu)選為一玻璃基板，其厚度大于1毫米，邊長大于1厘米。
所述行電極引線204與列電極引線206為導(dǎo)電體，如金屬層等。本實(shí)施例中，該多 個行電極引線204與多個列電極引線206優(yōu)選為采用導(dǎo)電漿料印制的橫截面為矩形的平面 導(dǎo)電體，且該多個行電極引線204的行間距為50微米 2厘米，多個列電極引線206的列 間距為50微米 2厘米。該行電極引線204與列電極引線206的寬度為30微米 100微 米，厚度為10微米 50微米。本實(shí)施例中，該行電極引線204與列電極引線206的交叉角 度為10度到90度，優(yōu)選為90度，該行電極引線204與列電極引線206相互垂直。本實(shí)施例 中，可通過絲網(wǎng)印刷法將導(dǎo)電漿料印制于絕緣基底202表面制備行電極引線204與列電極 引線206。該導(dǎo)電漿料的成分包括金屬粉、低熔點(diǎn)玻璃粉和粘結(jié)劑；其中，該金屬粉優(yōu)選為 銀粉，該粘結(jié)劑優(yōu)選為松油醇或乙基纖維素。該導(dǎo)電漿料中，金屬粉的重量比為50 90%， 低熔點(diǎn)玻璃粉的重量比為2 10%，粘結(jié)劑的重量比為8 40%。本實(shí)施例中，將所述行 電極引線204的延伸方向定義為X方向，所述列電極引線206的延伸方向定義為Y方向。所述多個像素單元220對應(yīng)設(shè)置于上述網(wǎng)格214中，且每個網(wǎng)格214中設(shè)置一個 像素單元220。每個像素單元220包括一第一電極212、一第二電極210、一陰極發(fā)射體208、 以及一熒光粉層218。該第一電極212與第二電極210相對且間隔設(shè)置于絕緣基底202表 面。所述第一電極212作為陰極電極，且與所述列電極引線206電連接。所述第二電極210 作為陽極電極，且與所述行電極引線204電連接。該陰極發(fā)射體208設(shè)置于所述第一電極 212與第二電極210之間。所述陰極發(fā)射體208 —端與所述第一電極212電連接，另一端指 向所述第二電極210，并向第二電極210延伸作為陰極發(fā)射體208的電子發(fā)射端222。所述 電子發(fā)射端222與所述第二電極210間隔設(shè)置。該陰極發(fā)射體208與所述絕緣基底202間 隔設(shè)置。所述熒光粉層218設(shè)置于所述第二電極210的一表面。所述電子發(fā)射端222發(fā)射 的電子可以打到熒光粉層218而使之發(fā)光。所述第一電極212為導(dǎo)電體，如金屬層、氧化銦錫(ITO)層、導(dǎo)電漿料等。本實(shí)施例 中，所述第一電極212為一橫截面為矩形的平面導(dǎo)電體，其尺寸依據(jù)網(wǎng)格214的尺寸決定。 所述第一電極212直接與所述列電極引線206接觸，從而實(shí)現(xiàn)電連接。所述第一電極212在 Y方向上延伸的長度為30微米 1. 5厘米，在X方向上延伸的寬度為20微米 1厘米，厚 度為10微米 500微米。優(yōu)選地，所述第一電極212在Y方向上延伸的長度為100微米 700微米，在X方向上延伸的寬度為50微米 500微米，厚度為20微米 100微米。所述第二電極210的尺寸與所述第一電極212的尺寸基本相同。優(yōu)選地，所述第 二電極210在Y方向上延伸的長度略大于所述第一電極212的長度，所述第二電極210的 厚度略大于所述第一電極212的厚度。所述第二電極210具有一相對第一電極212設(shè)置且 背向所述絕緣基底202設(shè)置的承載面2102。所謂“相對第一電極212設(shè)置”指所述承載面 2102面對所述第一電極212設(shè)置，從而使得所述第一電極212和第二電極210分別位于承 載面2102的兩側(cè)。所謂“背向所述絕緣基底202設(shè)置”指所述承載面2102至少部分面向遠(yuǎn) 離所述絕緣基底202的方向。所述承載面2102可以為平面或曲面。當(dāng)所述承載面2102為 平面時，所述承載面2102與絕緣基底202的表面形成一大于零度且小于90度的夾角。優(yōu) 選地，該夾角的角度大于等于30度且小于等于60度。當(dāng)所述承載面2102為曲面時，該承 載面2102可以為凸面或凹面。所述承載面2102可以與絕緣基底202的表面直接相交或間 隔設(shè)置。本實(shí)施例中，所述第二電極210為沿Y方向延伸的長條形三棱柱，且所述第二電極 210在X方向的寬度沿著遠(yuǎn)離絕緣基底202的方向逐漸減小，從而使該第二電極210具有一相對陰極發(fā)射體208設(shè)置的斜面作為承載面2102。所述承載面2102與絕緣基底202的表 面之間形成一約60度的夾角。所述第二電極210的材料與所述第一電極212的材料相同。本實(shí)施例中，所述第一 電極212與第二電極210的材料為導(dǎo)電漿料。所述第一電極212與第二電極210可通過絲 網(wǎng)印刷法印制于所述絕緣基底202表面。所述第二電極210可通過多次印刷導(dǎo)電漿料，且 逐漸減小印刷的導(dǎo)電漿料的寬度的方法形成。由于每次印刷的導(dǎo)電漿料的寬度逐漸減小， 且導(dǎo)電漿料本身具有一定的流淌性，從而形成承載面2102。所述熒光粉層218設(shè)置于所述第二電極210的承載面2102，使得熒光粉層218不 但具有較大的面積，而且容易被電子發(fā)射端222發(fā)射的電子轟擊到，從而使得場發(fā)射顯示 裝置200具有較高的亮度。具體的，所述熒光粉層218可設(shè)置于承載面2102的部分表面或 全部表面。當(dāng)熒光粉層218設(shè)置于所述第二電極210的部分承載面2102時，所述熒光粉層 218設(shè)置于承載面2102與電子發(fā)射端222相對的部分。所述熒光粉層218的材料可為白色 熒光粉，也可以為單色熒光粉，例如紅色，綠色，藍(lán)色熒光粉等，當(dāng)電子轟擊熒光粉層218時 可發(fā)出白光或其它顏色可見光。該熒光粉層218可以采用沉積法、印刷法、光刻法或涂敷法 設(shè)置在第二電極210的承載面2102。所述熒光粉層218的厚度可以根據(jù)需要選擇。本實(shí)施 例中，所述熒光粉層218的厚度為5微米 50微米。所述陰極發(fā)射體208為線狀電子發(fā)射體，具體地，所述陰極發(fā)射體208可選自硅 線、碳納米管、碳纖維及碳納米管線等中的一種或多種。而且，陰極發(fā)射體208包括一電子 發(fā)射端222指向所述承載面2102，該電子發(fā)射端222為陰極發(fā)射體208遠(yuǎn)離第一電極212 的一端。優(yōu)選地，所述陰極發(fā)射體208的延伸方向與所述承載面2102相交。本實(shí)施例中， 所述陰極發(fā)射體208的延伸方向基本平行于絕緣基底202的表面，即所述陰極發(fā)射體208 的延伸方向與所述承載面2102之間形成一大于零度且小于90度的夾角。優(yōu)選地，該夾角 大于等于30度且小于等于60度。本實(shí)施例中，陰極發(fā)射體208包括多個平行排列的碳納 米管線。采用多個平行排列的碳納米管線作為陰極發(fā)射體208時，每個碳納米管線的一端 與第一電極212電連接，另一端指向第二電極210的承載面2102，作為陰極發(fā)射體208的電 子發(fā)射端222。該電子發(fā)射端222與第二電極210的承載面2102之間的距離為10微米 500微米。優(yōu)選地，該電子發(fā)射端222與第二電極210的承載面2102之間的距離為50微 米 300微米。所述陰極發(fā)射體208 —端與第一電極212的電連接方式可以為直接電連接或通過 一導(dǎo)電膠電連接，也可以通過分子間力或者其他方式實(shí)現(xiàn)。該碳納米管線的長度為10微 米 1厘米，且相鄰的碳納米管線之間的間距為1微米 500微米。該碳納米管線包括多個 沿碳納米管線長度方向排列的碳納米管。該碳納米管線可為多個碳納米管組成的純結(jié)構(gòu)， 所述“純結(jié)構(gòu)”是指該碳納米管線中碳納米管未經(jīng)過任何化學(xué)修飾或功能化處理。優(yōu)選地， 所述碳納米管線為自支撐結(jié)構(gòu)。所謂“自支撐結(jié)構(gòu)”即該碳納米管線無需通過一支撐體支 撐，也能保持自身特定的形狀。所述碳納米管線中的碳納米管通過范德華力相連，碳納米管 的軸向均基本沿碳納米管線的長度方向延伸，其中，每一碳納米管與在該延伸方向上相鄰 的碳納米管通過范德華力首尾相連。所述碳納米管線中的碳納米管包括單壁、雙壁及多壁 碳納米管中的一種或多種。所述碳納米管的長度范圍為10微米 100微米，且碳納米管的 直徑小于15納米。
本實(shí)施例中的陰極發(fā)射體208的制備方法具體包括以下步驟步驟一，提供至少一個碳納米管膜。所述碳納米管膜從一碳納米管陣列拉取獲得。該碳納米管膜中包括多個首尾相連 且定向排列的碳納米管。所述碳納米管膜的結(jié)構(gòu)及其制備方法請參見范守善等人于2007 年2月9日申請的，于2010年5月沈公告的第CN101239712B號中國大陸公告專利申請“碳 納米管薄膜結(jié)構(gòu)及其制備方法”，申請人清華大學(xué)，鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司)。步驟二，將該碳納米管膜鋪設(shè)覆蓋于第一電極212和第二電極210表面?？梢岳斫?，當(dāng)將至少兩個碳納米管薄膜重疊鋪設(shè)于第一電極212和第二電極210 表面時，相鄰兩個碳納米管膜中的碳納米管的軸向延伸方向基本相同。將碳納米管膜鋪設(shè) 覆蓋于上述第一電極212和第二電極210時，要確保該碳納米管膜中的碳納米管的延伸方 向均基本為從第一電極212向第二電極210延伸。本實(shí)施例中，由于在后續(xù)步驟中要將碳 納米管膜加工成多個平行且等間隔排列的碳納米管線，因此，碳納米管膜的層數(shù)不易太多， 優(yōu)選為1 5層。進(jìn)一步的，可用有機(jī)溶劑對所述碳納米管膜進(jìn)行處理，該有機(jī)溶劑為揮發(fā) 性有機(jī)溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實(shí)施例中優(yōu)選采用乙醇。該有機(jī)溶劑 揮發(fā)后，在揮發(fā)性有機(jī)溶劑的表面張力的作用下所述碳納米管膜會部分聚集形成碳納米管 線。步驟三，切割碳納米管膜，使第一電極212與第二電極210之間的碳納米管膜斷 開，形成多個平行排列的碳納米管線固定于第一電極212表面作為陰極發(fā)射體208。所述切割碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)的方法為激光燒蝕法、電子束掃描法或加熱熔斷法。 本實(shí)施例中，優(yōu)選采用激光燒蝕法切割碳納米管膜，具體包括以下步驟首先，采用一定寬度的激光束沿著每個行電極引線204進(jìn)行掃描，去除不同行的 電極之間的碳納米管膜，使得留下的碳納米管膜僅設(shè)置于同一行的第一電極212與第二電 極210之表面。其次，采用一定寬度的激光束沿著每個列電極引線206進(jìn)行掃描，去除列電極引 線206與相鄰第二電極210之間的碳納米管膜，并使得同一網(wǎng)格214中的第一電極212與 第二電極210之間的碳納米管膜與第二電極210斷開。該步驟中，在激光束照射的過程中，空氣中的氧氣會氧化激光照射到的碳納米管， 使得碳納米管蒸發(fā)，從而使碳納米管膜產(chǎn)生斷裂，在碳納米管膜的斷裂處會形成一電子發(fā) 射端222，且電子發(fā)射端222與第二電極210之間形成一間隔。本實(shí)施例中，所用的激光束 的功率為10 50瓦，掃描速度為0. 1 10000毫米/秒。所述激光束的寬度為1微米 400微米。進(jìn)一步，該場發(fā)射顯示裝置200的每個像素單元220可以進(jìn)一步包括一固定元件 224設(shè)置于第一電極212表面，以將陰極發(fā)射體208固定于第一電極212表面。所述固定元 件2M可由絕緣材質(zhì)或?qū)щ姴馁|(zhì)構(gòu)成。本實(shí)施例中，該固定元件2M為導(dǎo)電漿料層。請參閱圖3和圖4，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種場發(fā)射顯示裝置300，其包括一絕 緣基底302，多個像素單元320、以及多個行電極引線304與多個列電極引線306。本實(shí)施例 附圖僅給出一個像素單元320。所述場發(fā)射顯示裝置300與本發(fā)明第一實(shí)施例提供的場發(fā) 射顯示裝置200的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別在于所述第一電極312至少部分環(huán)繞所述第二電 極310設(shè)置。所謂“至少部分環(huán)繞所述第二電極310設(shè)置”指所述第一電極312至少部分圍繞所述第二電極310延伸，從而形成“L”形、“U”形、“C”形、半環(huán)形或環(huán)形等。本實(shí)施例中，所述第二電極310為一長條形。所述第一電極312包括一第一子電 極3121，一第二子電極3123，以及一第三子電極3125。所述第一子電極3121和第二子電極 3123分別設(shè)置于第二電極310兩側(cè)，且位于第二電極310與相鄰的兩個列電極引線306之 間。所述第三子電極3125連接所述第一子電極3121和第二子電極3123從而形成一 “U” 形的一體結(jié)構(gòu)，以將所述第二電極310環(huán)繞。所述陰極發(fā)射體308分別設(shè)置于所述第一子 電極3121和第二子電極3123表面，且每個陰極發(fā)射體308具有一電子發(fā)射端322指向所 述第二電極310方向。所述第二電極310的寬度沿著遠(yuǎn)離絕緣基底302的方向逐漸減小， 從而使該第二電極310具有兩個分別與兩側(cè)的陰極發(fā)射體308的電子發(fā)射端322相對設(shè)置 的斜面作為承載面3102。所述熒光粉層318分別設(shè)置于所述第二電極310的兩個承載面 3102，且所述電子發(fā)射端322指向熒光粉層318。所述兩個承載面3102之間的夾角大于等 于30度且小于等于120度，所述每個承載面3102與絕緣基底302表面的夾角大于等于30 度且小于等于75度。優(yōu)選地，所述兩個承載面3102之間的夾角為大于等于60度且小于等 于90度，所述每個承載面3102與絕緣基底302表面的夾角為大于等于45度且小于等于60 度。本實(shí)施例中，所述兩個承載面3102之間的夾角，以及兩個承載面3102與絕緣基底302 表面的夾角均為60度。本實(shí)施例中，由于第一子電極3121和第二子電極3123分別設(shè)置于所述第二電極 310的兩側(cè)，且所述第一子電極3121和第二子電極3123的表面均設(shè)置有陰極發(fā)射體308， 所以提高了每個像素單元320的場發(fā)射電流。由于所述第二電極310具有兩個分別與兩側(cè) 的陰極發(fā)射體308相對設(shè)置的承載面3102，且所述熒光粉層318分別設(shè)置于所述第二電極 310的兩個承載面3102，所以提高了每個像素單元320的發(fā)光面積和顯示均勻度。因此，所 述場發(fā)射顯示裝置300具有較大的亮度和較高的顯示均勻度。請參閱圖5、圖6，本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種場發(fā)射顯示裝置400，其包括一絕緣 基底402，多個設(shè)置于該絕緣基底402表面的像素單元420、以及多個行電極引線404與多 個列電極引線406。本實(shí)施例附圖僅給出一個像素單元420。所述場發(fā)射顯示裝置400與 本發(fā)明第二實(shí)施例提供的場發(fā)射顯示裝置300的結(jié)構(gòu)基本相同，其區(qū)別在于所述第一電 極412用作陽極電極，所述第二電極410用作陰極電極，所述陰極發(fā)射體408設(shè)置于所述第 二電極410表面，所述熒光粉層418設(shè)置于所述第一電極412的承載面4122表面。具體地，本實(shí)施例中，所述第二電極410為橫截面為矩形的平面導(dǎo)電體。所述陰極 發(fā)射體408設(shè)置于第二電極410表面，且陰極發(fā)射體408的電子發(fā)射端422分為兩部分，分 別指向位于所述第二電極410兩側(cè)的第一子電極4121和第二子電極4123方向。本實(shí)施例 中，所述陰極發(fā)射體408為多個橫穿第二電極410的碳納米管線，且每個碳納米管線的兩端 分別指向位于所述第二電極410兩側(cè)的第一子電極4121和第二子電極4123。所述第一子 電極4121和第二子電極4123的寬度均沿著遠(yuǎn)離絕緣基底402的方向逐漸減小，從而使該 第一子電極4121和第二子電極4123分別具有一與陰極發(fā)射體408相對設(shè)置的斜面作為承 載面4122。所述熒光粉層418分別設(shè)置于所述第一子電極4121和第二子電極4123的承 載面4122，且所述電子發(fā)射端422指向熒光粉層418。所述承載面4122與絕緣基底402的 表面形成一大于零度且小于90度的夾角。優(yōu)選地，該夾角的角度大于等于30度且小于60 度。本實(shí)施例中，所述承載面4122與絕緣基底402表面的夾角為45度。
可以理解，本實(shí)施例中，所述第三子電極4125的寬度也可以沿著遠(yuǎn)離絕緣基底 402的方向逐漸減小，從而使該第三子電極4125具有一與陰極發(fā)射體408相對設(shè)置的斜面 作為承載面4122。所述陰極發(fā)射體408的部分電子發(fā)射端422指向第三子電極4125表面 的熒光粉層418。本實(shí)施例中，由于至少所述第一子電極4121和第二子電極4123均具有一與陰 極發(fā)射體408相對設(shè)置的承載面4122，且所述熒光粉層418分別設(shè)置于所述兩個承載面 4122，所以提高了每個像素單元420的發(fā)光面積和均勻度。所述第二電極410表面設(shè)置有 陰極發(fā)射體408，且陰極發(fā)射體408的電子發(fā)射端422至少分別指向位于所述第二電極410 兩側(cè)的熒光粉層418，所以提高了每個像素單元420的場發(fā)射電流。因此，所述場發(fā)射顯示 裝置400具有較大的亮度和較高的顯示均勻度。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精 神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種場發(fā)射顯示裝置，其包括一絕緣基底具有一表面；多個行電極引線與多個列電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多 個行電極引線與多個列電極引線交叉設(shè)置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電 極引線形成一個網(wǎng)格；多個像素單元設(shè)置于絕緣基底的表面，每個像素單元對應(yīng)一個網(wǎng)格設(shè)置，且每個像素 單元包括一陰極電極、至少一與該陰極電極電連接的陰極發(fā)射體、一與該陰極電極間隔設(shè) 置的陽極電極、以及一熒光粉層；其特征在于，所述陽極電極具有一承載面與所述陰極電極相對設(shè)置且背向所述絕緣基 底設(shè)置，所述熒光粉層至少設(shè)置于所述承載面。
2.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述承載面為平面或曲面。
3.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陽極電極的寬度沿著遠(yuǎn)離 絕緣基底的方向逐漸減小，從而使該所述陽極電極具有一相對陰極發(fā)射體設(shè)置的斜面作為 承載面。
4.如權(quán)利要求3所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述承載面與絕緣基底的表面 形成一大于零度且小于90度的夾角。
5.如權(quán)利要求4所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述承載面與絕緣基底的表面 形成的夾角為大于等于30度且小于等于60度。
6.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陰極發(fā)射體一端與所述陰 極電極電連接，另一端向所述陽極電極延伸，且指向承載面。
7.如權(quán)利要求6所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陰極發(fā)射體的延伸方向與 所述承載面形成一大于等于30度且小于等于60度的夾角。
8.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述每個像素單元中，所述陽極 電極與所述行電極引線電連接，所述陰極電極與所述列電極引線電連接，所述陰極電極至 少部分環(huán)繞所述陽極電極設(shè)置。
9.如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陽極電極兩側(cè)相鄰的兩個 列電極引線與所述陽極電極之間均設(shè)置有陰極電極，且所述陽極電極兩側(cè)的陰極電極表面 均設(shè)置有陰極發(fā)射體。
10.如權(quán)利要求9所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陽極電極具有兩個分別與 兩側(cè)的陰極電極相對設(shè)置且背向所述絕緣基底設(shè)置的承載面，且所述兩個承載面均設(shè)有熒 光粉層。
11.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述每個像素單元中，所述陽 極電極與所述列電極引線電連接，所述陰極電極與所述行電極引線電連接，所述陽極電極 至少部分環(huán)繞所述陰極電極設(shè)置。
12.如權(quán)利要求11所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陰極電極兩側(cè)相鄰的兩 個列電極引線與所述陰極電極之間均設(shè)置有陽極電極，所述陰極電極兩側(cè)的陽極電極均具 有一與陰極電極相對設(shè)置且背向所述絕緣基底設(shè)置的承載面，且所述陰極電極兩側(cè)的承載 面均設(shè)有熒光粉層。
13.如權(quán)利要求12所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陰極發(fā)射體橫穿陰極電極設(shè)置，且每個陰極發(fā)射體的兩端分別指向位于所述陰極電極兩側(cè)的熒光粉層。
14.如權(quán)利要求12所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述電子發(fā)射體為線狀，所述 電子發(fā)射體平行于所述絕緣基底表面設(shè)置。
15.如權(quán)利要求14所述的場發(fā)射顯示裝置，其特征在于，所述陰極發(fā)射體選自硅線、碳 納米管、碳纖維及碳納米管線中的一種或多種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種場發(fā)射顯示裝置包括一絕緣基底具有一表面；多個行電極引線與多個列電極引線分別平行且間隔設(shè)置于所述絕緣基底的表面，該多個行電極引線與多個列電極引線交叉設(shè)置，且每兩個相鄰的行電極引線與兩個相鄰的列電極引線形成一個網(wǎng)格；多個像素單元設(shè)置于絕緣基底的表面，每個像素單元對應(yīng)一個網(wǎng)格設(shè)置，且每個像素單元包括一陰極電極、至少一與該陰極電極電連接的陰極發(fā)射體、一與該陰極電極間隔設(shè)置的陽極電極、以及一熒光粉層；其中，所述陽極電極具有一承載面與所述陰極電極相對設(shè)置且背向所述絕緣基底設(shè)置，所述熒光粉層至少設(shè)置于所述承載面。
文檔編號H01J29/04GK102082062SQ20101061218
公開日2011年6月1日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者柳鵬, 范守善 申請人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司