專利名稱：圖像顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于平板顯示器的包含電子發(fā)射器件的圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
常規(guī)上，已知如下的電子發(fā)射器件其中，陰極和柵極彼此面對布置，并且陰極和 柵極的面對(confronting)部分被用作電子發(fā)射部分。然后，通過在沿從電子發(fā)射器件發(fā) 射的電子的發(fā)射方向延伸的部分中布置陽極以使發(fā)射的電子加速，進(jìn)一步在陽極后面布置 發(fā)光部件，并且通過使電子與陽極碰撞而使發(fā)光部件發(fā)射，來顯示圖像。日本專利申請公開No. 2001-167693公開了具有簡單的配置和高的電子發(fā)射效率 的電子發(fā)射器件以及包含所述電子發(fā)射器件的圖像顯示裝置。在所述電子發(fā)射器件中，在 基板上的絕緣表面上形成凹部，并且，跨過(across)凹部形成陰極和柵極，使得可從陰極 發(fā)射電子。為了應(yīng)對最近對于圖像顯示裝置所要求的高亮度和改善的圖像質(zhì)量，已提出使 用在一個像素中具有多個電子發(fā)射部分的電子發(fā)射器件來配置顯示裝置。當(dāng)器件在一個像 素中具有多個電子發(fā)射部分時，由于在中心部分和端部之間不同地布置電極，因此使得電 場形狀不同。相應(yīng)地，由于發(fā)射的電子束在中心部分和端部之間具有不同的軌道，因此可使 得束強(qiáng)度在一個像素中不規(guī)則，并且對顯示的圖像造成不利的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過在一個像素中具有多個電子發(fā)射部分的電子發(fā)射器件中使電子束的 軌道在像素中均勻，來提供顯示質(zhì)量優(yōu)異的圖像顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的圖像顯示裝置在于，圖像顯示裝置包括后板(rear plate)，所述后板具有第一基板、布置于第一基板上的柵極和陰極、和 將陰極面對柵極的部分布置作為電子發(fā)射部分的多個電子發(fā)射器件，以及面板(face plate)，所述面板具有第二基板、與后板的電子發(fā)射器件面對布置并 且使從電子發(fā)射器件發(fā)射的電子加速的陽極、和通過電子的照射而發(fā)光的發(fā)光部件，其中，所述多個電子發(fā)射器件沿與第一基板的表面平行的一個方向具有多個電子 發(fā)射部分，并且，柵極和陰極在沿所述一個方向相鄰的電子發(fā)射部分之間沿相同的布置方 向被布置在一起；以及電子束控制電極被布置在位于沿所述一個方向的各電子發(fā)射器件的最外部分中 的至少一個中的電子發(fā)射部分的外側(cè)。在本發(fā)明中，在其中沿一個方向布置多個電子發(fā)射部分并且在相鄰的電子發(fā)射部 分之間沿相同的方向布置柵極和陰極的配置中，由于電子束控制電極被布置在末端的電子 發(fā)射部分的外側(cè)，因此，可使得電子束的軌道均勻。因此，本發(fā)明的圖像顯示裝置可顯示具 有均勻的亮度分布的優(yōu)異圖像。從參照附圖對示例性實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的進(jìn)一步的特征將變得明顯。


圖IA是本發(fā)明的圖像顯示裝置的一個像素的示意性平面圖，圖IB是所述一個像 素的示意性截面圖，圖IC是一個電子發(fā)射部分的示意性截面圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件的電子束的軌道的視圖。圖3是示意性地示出本發(fā)明的圖像顯示裝置的配置的視圖。圖4A至41是根據(jù)本發(fā)明的電子束控制電極的操作的解釋圖。圖5A至5D是示出本發(fā)明實(shí)施例中的電子發(fā)射器件的制造步驟的視圖。
具體實(shí)施例方式〈第一實(shí)施例〉(圖像顯示裝置的配置)將使用圖3描述本發(fā)明的圖像顯示裝置的配置。圖3是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明 的圖像顯示裝置的顯示板的配置例子的透視圖，其中，所述透視圖被部分切掉以示出顯示 板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在所述視圖中，附圖標(biāo)記1表示基板，32表示掃描布線，33表示調(diào)制布線， 34表示電子發(fā)射器件。附圖標(biāo)記41表示其上固定基板(第一基板)1的后板，46表示其中 在玻璃基板(第二基板)43的內(nèi)表面上形成作為發(fā)光部件的熒光體44、作為陽極的金屬背 (metal back)45等的面板。附圖標(biāo)記42表示支撐框，通過燒結(jié)玻璃等將后板41和面板46 附著到支撐框42來配置外圍器47。由于布置后板41主要是出于增強(qiáng)基板1的強(qiáng)度的目 的，因此，當(dāng)基板1自身具有足夠的強(qiáng)度時，作為單獨(dú)部件的后板41是不必要的。并且，還 可通過在面板46和后板41之間插入稱為間隔件的未示出的支撐部件，來提供對于大氣壓 具有足夠強(qiáng)度的配置。 m條掃描布線32與端子Dxl、Dx2、. . .、Dxm連接。η條調(diào)制布線33與端子Dyl、
Dy2.....Dyn連接(m和η為正整數(shù))。未示出的層間絕緣層被布置于m條掃描布線32和
η條調(diào)制布線33之間，以使它們相互電隔離。高電壓端子與金屬背45連接，并且，向金屬背 45供給例如10[kV]的直流電壓。所述電壓是用于對從電子發(fā)射器件發(fā)射的電子施加使熒 光體激發(fā)的足夠能量的加速電壓。根據(jù)本發(fā)明的后板具有通過掃描布線32和調(diào)制布線33以矩陣的狀態(tài)連接的多個 電子發(fā)射器件34。掃描電路(未示出)與掃描布線32連接，以施加用于選擇沿X方向布置 的電子發(fā)射器件34的行的掃描信號。與此相對，調(diào)制電路(未示出)與調(diào)制布線33連接， 以響應(yīng)于輸入信號來調(diào)制沿Y方向布置的電子發(fā)射器件34的各列。向各電子發(fā)射器件施 加的驅(qū)動電壓作為向電子發(fā)射器件施加的掃描信號和調(diào)制信號之間的差值電壓被供給。驅(qū) 動電壓優(yōu)選在IOV至100V的范圍中，更優(yōu)選在IOV至30V的范圍中。(電子發(fā)射器件的配置)圖IA至IC是示意性示出在根據(jù)本發(fā)明的圖像顯示裝置的后板上布置的一個像素 的電子發(fā)射器件的配置的視圖。圖IA是電子發(fā)射器件的示意性平面圖，圖IB是圖IA的 A-A'截面的示意性截面圖，圖IC是示出構(gòu)成圖IB的一個電子發(fā)射部分的陰極和柵極的組 合結(jié)構(gòu)的示意性截面圖。在圖中，附圖標(biāo)記2a和2b表示絕緣層，4表示柵極，5表示柵極突 出部分，6表示陰極，12表示電子發(fā)射部分，13a和13b表示電子束控制電極，并且，與圖3相同的組件由相同的附圖標(biāo)記表示。
根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件包含在基板上布置的柵極4和陰極6。在本例子中，陰 極6與掃描布線32連接，陰極電位被施加到陰極6。并且，柵極4與調(diào)制布線33連接，柵極 電位被施加到柵極4。在本例子中，以梳齒形狀形成陰極6和柵極4中的任一個，并且，陰極 6和柵極4被布置為使得梳齒沿X方向交替地定位(locate)。并且，陰極6的梳狀齒中的 每一個被形成為具有面對柵極4而突出的部分。雖然所述例子具有位于四個位置處的突出 部分，但是所述部分的數(shù)量不限于此。并且，柵極4具有突出部分5以與陰極6的面對柵極 4的突出部分對應(yīng)。注意，突出部分5實(shí)質(zhì)上是柵極4的一部分。在本發(fā)明中，柵極4的突 出部分5和陰極6的突出部分通過相互面對而構(gòu)成電子發(fā)射部分12。如圖1所示，在本發(fā)明中，各在一個像素中包含相互面對的柵極4和陰極6的多個 電子發(fā)射部分12沿與基板的表面平行的一個方向(在本例子中沿X方向)被布置在一起。 在并行的(parallel)配置中，如圖1所示，沿X方向，位于相鄰的電子發(fā)射部分之間的柵極 4和陰極6的所有布置方向相同。在本發(fā)明的以上配置中，電子束控制電極被布置在位于沿X方向的最外部分中的 至少一個的電子發(fā)射部分12的外側(cè)。在本例子中，分別地，電子束控制電極13a被布置在 右端的電子發(fā)射部分12的外側(cè)，并且，電子束控制電極13b被布置在左端的電子發(fā)射部分 12的外側(cè)。將使用圖2和圖4描述電子束控制電極13a和13b的操作。圖2是示出直到從圖1所示的電子發(fā)射部分12發(fā)射的電子到達(dá)陽極7為止的軌 道的視圖。從電子發(fā)射部分12發(fā)射的電子沿X方向(與本例子的“偏轉(zhuǎn)方向”對應(yīng))被柵 極4偏轉(zhuǎn)。并且，從電子發(fā)射部分12發(fā)射的電子受周邊電場的影響，并且在發(fā)散(diffuse) 的同時到達(dá)陽極7。圖4A是示出除了不存在電子束控制電極13a和13b以外與圖1相同的像素配置的 示意性平面圖。在這種情況下，在位于最外側(cè)的電子發(fā)射部分12中，僅在沿X方向的一側(cè) 存在相鄰的電子發(fā)射部分12。因此，周邊電極的設(shè)置與中心部分的不同，并且，周邊電場的 周期性特性如圖4B所示的那樣瓦解。順便說一句，圖中的附圖標(biāo)記14表示等電位線。因 此，對于從電子發(fā)射部分發(fā)射的電子的偏轉(zhuǎn)方向的束分布圖(beam profile)(沿X方向的 發(fā)射電流分布)如圖4C所示。因此，在這種情況下，從電子發(fā)射器件發(fā)射的電子的發(fā)散不 能被抑制。圖4D是示出其中僅在右端的電子發(fā)射部分12的外側(cè)布置電子束控制電極13a的 像素配置的示意性平面圖。在這種情況下，電子發(fā)射部分12的周邊電場的周期性特性如圖 4E所示的那樣僅在不布置控制電極13a側(cè)(左側(cè))瓦解，因此，對于從電子發(fā)射部分12發(fā) 射的電子的偏轉(zhuǎn)方向的束分布圖如圖4F所示。因此，與圖4A相比，配置得到改善。圖4G是示出其中在X方向的兩端布置電子束控制電極13a和13b的配置的示意 性平面圖，并且，所述配置與圖IA的配置對應(yīng)。在所述配置中，沿X方向中心部分的電場的 周期性特性如圖4H所示的那樣被保持直到兩端的電子發(fā)射部分12，并且，使得從各電子發(fā) 射部分12發(fā)射的電子的軌道均勻。因此，對于偏轉(zhuǎn)方向的束分布圖如圖41所示，并且，從 電子發(fā)射部分12發(fā)射的電子的發(fā)散可被充分地抑制。在本發(fā)明中，為了充分地展示從沿X方向的電子束控制電極13a的寬度Wl以及電子束控制電極13b的寬度W2獲得的效果，優(yōu)選在陰極6的寬度C和柵極4的寬度D之間滿 足關(guān)系Wl彡C、W2彡D0順便說一句，在本例子中，被布置在柵極4的外側(cè)的電子束控制電極13a與陰極6 連接并被設(shè)為陰極電位，并且，被布置在陰極6的外側(cè)的電子束控制電極13b與柵極4連接 并被設(shè)為柵極電位。雖然所述配置是用于控制電子束控制電極13a和13b的電位的優(yōu)選的 配置，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明中，中心部分的電場的周期性特性被保持直到最外側(cè)的 電子發(fā)射部分12的周邊并且使得電子的軌道均勻就足夠了，并且，可以在可獲得所述效果 的范圍中對控制電極13a和13b的電位單獨(dú)地 控制。(電子發(fā)射器件的制造方法)以下，將使用圖5通過例舉圖1的配置例子來描述本發(fā)明的電子發(fā)射器件的制造方法?；?是用于機(jī)械支撐器件的絕緣基板。例如，可以使用石英玻璃、其中諸如Na 的雜質(zhì)的含量被減少的玻璃、藍(lán)玻璃片(blue sheetglass)和硅基板作為基板1?；?所 必要的功能是對于干蝕刻、濕蝕刻以及顯影劑的堿(alkaline)和酸等的抵抗性能，此外， 它具有高的機(jī)械強(qiáng)度。并且，當(dāng)基板1被用作諸如顯示板的集成部件時，優(yōu)選基板1在它與 成膜材料和其它的層疊材料之間具有小的熱膨脹差異。并且，希望基板是其中堿元素等不 可能在熱處理中從玻璃內(nèi)部擴(kuò)散的材料。如圖5所示，在基板1上依次層疊絕緣層51、52和導(dǎo)電層53。絕緣層51是包含加 工性能優(yōu)異的材料的絕緣膜，并且，例如為SiN(SixNy)和SiO2,并且，通過諸如濺射等的普 通真空成膜方法、CVD方法和真空氣相沉積方法形成。然后，通過CVD、真空氣相沉積方法和 諸如濺射等的普通真空成膜方法在絕緣層51上形成絕緣層52。絕緣層51和52的厚度被 設(shè)在5nm至50 μ m的范圍中，并且優(yōu)選在50nm至500nm的范圍中選擇。優(yōu)選選擇在蝕刻中 具有不同的蝕刻速度的材料作為絕緣層51和52。絕緣層51和52在其間優(yōu)選具有10或更 大的選擇比，更優(yōu)選具有50或更大的選擇比。具體而言，例如，SixNy可用于絕緣層51，并且 諸如SiO2的絕緣材料可用于絕緣層52，或者，具有高的磷濃度的PSG膜、具有高的硼濃度的 BSG膜等可用于絕緣層52。并且，導(dǎo)電層53用作圖1的柵極4，并且通過諸如氣相沉積方法、濺射的普通真空 成膜技術(shù)形成。除了導(dǎo)電性能以外還具有高的熱導(dǎo)率和高的熔點(diǎn)的材料優(yōu)選作為導(dǎo)電層 53。例如，例舉諸如 Be、Mg、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Cu、Ni、Cr、Au、Pt、Pd 等的金屬 或合金材料，以及諸如TiC、ZrC, HfC、TaC, SiC、WC等的碳化物。并且，還例舉HfB2、ZrB2, CeB6, YB4, GdB4等的硼化物，TiN, ZrN, HfN, TaN等的氮化物，Si、Ge等的半導(dǎo)體，以及有機(jī) 聚合物材料。并且，還例舉無定形碳、石墨、類金剛石碳，以及被分散有金剛石的碳、碳化合 物等，并且，從中適當(dāng)?shù)剡x擇導(dǎo)電層53的材料。導(dǎo)電層53的厚度被設(shè)為5nm至500nm的范 圍，并且，優(yōu)選在20nm至500nm的范圍中選擇。然后，如圖5B所示，在通過光刻技術(shù)在導(dǎo)電層53上形成抗蝕劑圖案之后，使用蝕 刻方法依次處理導(dǎo)電層53、絕緣層52和絕緣層51。利用這一配置，可獲得柵極4、絕緣層 2b、絕緣層2a和電子束控制電極13b。在蝕刻處理中，使用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，所述反應(yīng) 離子蝕刻(RIE)可通過以一般的方式將蝕刻氣體制成等離子體并將其輻射到材料來精確 地蝕刻材料。當(dāng)待處理的目標(biāo)部件產(chǎn)生氟化物時，可以選擇諸如CF4、CHF3和SF6的氟氣體作為此時的處理氣體。并且，當(dāng)如在Si和Al中那樣形成氯化物時，選擇諸如C12、BC13的氯 化物氣體。并且，為了獲得對于抗蝕劑的選擇比，當(dāng)必須確保蝕刻表面的平坦性或增大蝕刻 速度時，添加氫、氧、氬氣等。蝕刻處理可停止于基板1的上表面上，或者，基板1的一部分 可被蝕刻。順便說一句，可適當(dāng)?shù)馗淖冄豖方向布置的柵極4的數(shù)量η和各柵極4的沿X方 向的長度D’、以及各柵極4和相鄰器件之間的間隔S。D’優(yōu)選在5 μ m至50 μ m的范圍中。 并且，如上所述，優(yōu)選設(shè)定W2 > D’。由數(shù)字5所注解的部件的沿X方向的長度與由數(shù)字4 所注解的部件的沿X方向的長度之間的差趨近于零地(vanishingly)小。因此，即使圖5B 中的D’被視為圖IC中的D，也沒有問題。
然后，如圖5C所示，使用蝕刻方法，在包含絕緣層2a和2b以及柵極4的層疊體的 一個側(cè)表面上僅部分地去除絕緣層2b的側(cè)表面，并且，形成凹部8。在蝕刻方法中，當(dāng)例如 絕緣層2b為包含SiO2W材料時，可以使用一般稱為緩沖氟化物酸(BHF)的氟化銨與氫氟酸 的混合溶液。并且，當(dāng)絕緣層2b是包含SixNy的材料時，可通過熱磷酸蝕刻溶液執(zhí)行蝕刻。 優(yōu)選以約IOnm至200nm來形成凹部8的深度，即凹部8中的絕緣層2b的側(cè)表面和絕緣層 2a的側(cè)表面之間的距離。在本例子中，雖然示出其中絕緣層2a和2b被層疊的模式，但是，本發(fā)明決不限于 此，并且，可通過去除一個絕緣層的一部分來形成凹部8。然后，如圖5D所示，在基板1上以及在絕緣材料2a的側(cè)表面上沉積導(dǎo)電材料。此 時，還在柵極4上沉積所述導(dǎo)電材料。并且，利用這一配置，可獲得突出部分5、陰極6和電 子束控制電極13a。作為導(dǎo)電材料，可以使用任何材料，只要它具有導(dǎo)電性并且向電場發(fā)射 電子即可。導(dǎo)電材料優(yōu)選為如下的材料它具有2000°C或更高的高熔點(diǎn)以及5eV或更低的 功函數(shù)，并且，不可能形成諸如氧化物的化學(xué)反應(yīng)層或可簡單地去除反應(yīng)層。作為所述材料 例舉的是，例如，諸如Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Au、Pt、Pd的金屬或合金，諸如TiC、&C、HfC、TaC、 SiC、WC的碳化物，以及諸如HfB2、ZrB2, CeB6, YB4, GdB4的硼化物。并且，作為所述材料例舉 的是諸如TiN、ZrN、HfN、TaN的氮化物，以及無定形碳、石墨、類金剛石碳和被分散有金剛石 的碳、碳化合物等。作為導(dǎo)電材料的沉積方法，使用諸如氣相沉積方法和濺射方法的一般真 空成膜技術(shù)，并且，優(yōu)選使用EB氣相沉積方法。陰極6的沿X方向的長度C可被適當(dāng)?shù)馗淖?。長度C優(yōu)選在5 μ m至50 μ m的范 圍中。并且，如上所述，長度C優(yōu)選被設(shè)為Wl > C?？杀粦?yīng)用于本發(fā)明的電子發(fā)射器件的結(jié)構(gòu)不限于這里描述的模式。具有用于非對 稱地沿相同的方向偏轉(zhuǎn)從多個電子發(fā)射部分發(fā)射的電子的多個柵極的任何電子發(fā)射器件 可被應(yīng)用于本發(fā)明。作為電子發(fā)射部分的配置，可以采用Spindt型的橫向電場發(fā)射器件、 金屬_絕緣體_金屬發(fā)射器件(MIM型器件)、表面?zhèn)鲗?dǎo)器件(表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射器件)等的任 何任意的配置。(例子1)根據(jù)圖5的步驟制成具有圖1所示的配置的電子發(fā)射器件。以下將描述各步驟。< 步驟 1>使用藍(lán)玻璃片作為基板1，并且，在基板1被充分地清洗之后，通過濺射來沉積具 有300nm的厚度的Si3N4膜作為絕緣層51，然后，通過濺射來沉積具有20nm的厚度的SiO2膜作為絕緣層52。之后，沉積30nm的TaN作為導(dǎo)電層53〔圖5A〕。〈步驟2>然后，旋涂正的光致抗蝕劑，曝光和顯影光掩模圖案，并且形成抗蝕劑圖案。此時，形成抗蝕劑圖案，使得它被設(shè)為D = 10 μ m，S = 12 μ m并且W2 = 20 μ m。之后，使用CF4氣 體并且使用構(gòu)圖的光致抗蝕劑作為掩模，對導(dǎo)電層53、絕緣層52和絕緣層51進(jìn)行干蝕刻。 干蝕刻停止于基板1上，并且，形成包含絕緣層2a和2b、以及柵極4或電子束控制電極13b 的層疊體〔圖5B〕。< 步驟 3>然后，使用緩沖氟化酸(BHF)(由Stera Chemifa Corporation 制成的 LAL100)作 為蝕刻溶液，將由此形成的層疊體蝕刻11分鐘，并且，絕緣層2b被選擇性蝕刻。通過從層 疊體的側(cè)表面蝕刻絕緣層2b約60nm，形成凹部8〔圖5C〕。< 步驟 4>然后，從45°的斜方向通過斜沉積，選擇性沉積具有30nm的厚度的Mo作為突出部 分5、陰極6和電子束控制電極13a。此時，形成抗蝕劑圖案，使得它被設(shè)為C= IOym, Wl =20μπι〔圖 5D〕。(例子2)除了不在步驟2形成電子束控制電極13b以外，以與例子1類似的方式制成電子 發(fā)射器件。(比較例1)除了不在步驟2形成電子束控制電極13b、并且進(jìn)一步甚至不在步驟4形成電子束 控制電極13a以外，以與例子1類似的方式制成電子發(fā)射器件。使用形成例子1、2和比較例1的各電子發(fā)射器件的基板中的每一個作為后板并且 在離開后板1. 6mm的位置處設(shè)置圖3所示的面板，來制成圖像顯示裝置，并且，通過將陽極 電壓設(shè)為12kV來驅(qū)動圖像顯示裝置。結(jié)果，分別地，沿面板上的偏轉(zhuǎn)方向(X方向)，例子1 中的束寬為116 μ m，例子2中的束寬為130 μ m，比較例1中的束寬為180 μ m。因此，已發(fā) 現(xiàn)，可通過在至少一側(cè)或者優(yōu)選在兩側(cè)布置電子束控制電極來抑制電子的發(fā)散。雖然已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于公開的示例性 實(shí)施例。所附的權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋，以包含所有這樣的修改以及等同的 結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
一種圖像顯示裝置，包括后板，所述后板具有第一基板、布置在所述第一基板上的柵極和陰極、和將所述陰極面對所述柵極的部分布置作為電子發(fā)射部分的多個電子發(fā)射器件，以及面板，所述面板具有第二基板、與所述后板的電子發(fā)射器件面對布置并且使從所述電子發(fā)射器件發(fā)射的電子加速的陽極、和通過電子的照射而發(fā)光的發(fā)光部件，其中，所述多個電子發(fā)射器件沿與第一基板的表面平行的一個方向具有多個電子發(fā)射部分，并且，所述柵極和所述陰極在沿所述一個方向相鄰的電子發(fā)射部分之間沿相同的布置方向被布置在一起；以及電子束控制電極被布置在位于沿所述一個方向的各電子發(fā)射器件的最外部分中的至少一個中的電子發(fā)射部分的外側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像顯示裝置，其中所述電子束控制電極與所述陰極連接，并且柵極位于位置在所述最外部分中的至少一個中的電子發(fā)射部分和所述電子束控制電 極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的圖像顯示裝置，其中沿所述一個方向的陰極的寬度C和所述電子束控制電極的寬度W1滿足W1>C的關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的圖像顯示裝置，其中所述電子束控制電極與柵極連接，陰極位于位置在所述最外部分中的至少一個中的電子發(fā)射部分和所述電子束控制電 極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的圖像顯示裝置，其中沿所述一個方向的柵極的寬度D和所述電子束控制電極的寬度W2滿足關(guān)系。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種圖像顯示裝置。在沿X方向具有其中柵極(4)和陰極(6)被彼此面對布置的多個電子發(fā)射部分(12)的圖像顯示裝置中，分別在位于X方向端部中的電子發(fā)射部分(12)的外側(cè)布置電子束控制電極(13a和13b)，分別地，在其與電子發(fā)射部分(12)之間布置柵極(4)的電子束控制電極(13a)被連接到陰極，并且，在其與電子發(fā)射部分(12)之間具有陰極(6)的電子束控制電極(13b)被連接到柵極(4)。
文檔編號H01J29/02GK101866800SQ20101016404
公開日2010年10月20日 申請日期2010年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月15日
發(fā)明者辻野和哉 申請人:佳能株式會社