專利名稱：等離子體處理裝置及其構(gòu)成部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體處理裝置及其構(gòu)成部件，特別是涉及暴露于等離子體的等離
子體處理裝置的構(gòu)成部件。
背景技術(shù)：
等離子體處理裝置具備收容作為基板的晶片的收容室，從被導(dǎo)入收容室內(nèi)的處理 氣體生成等離子體，通過(guò)該等離子體對(duì)晶片實(shí)施所希望的等離子體處理。在等離子體處理 為干蝕刻處理的情況下，由于等離子體和被蝕刻物質(zhì)而產(chǎn)生反應(yīng)生成物，該反應(yīng)生成物作 為沉積物堆積在構(gòu)成收容室的構(gòu)成部件的表面等。 另一方面，在收容室內(nèi)沿著暴露于等離子體的各構(gòu)成部件的表面70產(chǎn)生鞘層 (sheath) 71，經(jīng)由該鞘層71向各構(gòu)成部件的表面打入等離子體中的離子72 (圖7 (A))。利 用該被打入的離子72濺射除去堆積在各構(gòu)成部件的表面的沉積物。通常，在各構(gòu)成部件的 表面，反應(yīng)生成物所產(chǎn)生的沉積物的堆積量，與由離子濺射所引起的沉積物的除去量相等 或少，因此幾乎不會(huì)引起沉積物的堆積。 然而，近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)晶片的等離子體處理的均勻化，要求對(duì)收容室中的等離子
體分布、特別是電子密度進(jìn)行嚴(yán)密地控制，與此對(duì)應(yīng)，提出了在與晶片相對(duì)的上部電極設(shè)置
突起、槽或臺(tái)階的方案(例如參考專利文獻(xiàn)1)。 專利文獻(xiàn)1 :日本專利申請(qǐng)2008-83046號(hào)說(shuō)明書(shū) 但是，如圖7(B)所示，在大致為直角的角部73設(shè)有的突起或槽，產(chǎn)生沿該角部73 彎曲的鞘層74，相對(duì)于該鞘層74大致垂直地打出離子75，但從彎曲的鞘層74，離子75會(huì)被 擴(kuò)散地打出。其結(jié)果是，與其他部分相比，在角部73，每單位面積打入的離子75的數(shù)量極 少，從而使由離子75的濺射所引起的沉積物的除去量減少，因此，存在在角部73及其附近 堆積沉積物76的情況。堆積后的沉積物76被剝離而成為微粒，附著在晶片上而成為缺點(diǎn) (缺陷)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠防止在角部堆積沉積物的等離子體處理裝置及 其構(gòu)成部件。 為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明第一方面的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，是利用等 離子體對(duì)基板實(shí)施等離子體處理的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，其暴露于上述等離子 體，其特征在于，具有兩個(gè)面交叉而形成的角部，上述兩個(gè)面的交叉角度是115° 180° 中的任一角度。 本發(fā)明第二方面的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，其特征在于，在第一方面的構(gòu)
成部件中，具有形成有上述角部的槽，該槽的寬度是鞘層長(zhǎng)度的2倍以上。 本發(fā)明第三方面的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，其特征在于，在第二方面的構(gòu)
成部件中，上述構(gòu)成部件是以與上述基板相對(duì)的方式配置且被施加直流電壓的電極，上述
3等離子體中的電子密度是2. OX 101Q 10"cm—3，當(dāng)被施加于上述電極的直流電壓的值為 300V以下時(shí)，上述槽的寬度為8mm以上。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第四方面的等離子體處理裝置，其利用等離子體對(duì)基 板實(shí)施等離子體處理，其特征在于具備暴露于上述等離子體的構(gòu)成部件，上述構(gòu)成部件具 有兩個(gè)面交叉而形成的角部，上述兩個(gè)面的交叉角度是115° 180°中的任一角度。
根據(jù)本發(fā)明第一方面的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件和第四方面的等離子體處 理裝置，暴露于等離子體的構(gòu)成部件具有兩個(gè)面交叉而形成的角部，該兩個(gè)面的交叉角度 是115° 180°中的任一角度，因此沿角部產(chǎn)生的鞘層的彎曲程度降低，由此，從該鞘層 被打出的離子的擴(kuò)散程度也降低。其結(jié)果是，可防止在角部打入每單位面積的離子數(shù)量極 端減少，從而能夠抑制由離子濺射所引起的沉積物的除去量減少，因此，能夠防止沉積物在 角部堆積。 根據(jù)本發(fā)明第二方面的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，形成有角部的槽的寬度是 鞘層長(zhǎng)度的2倍以上，因此，即使在槽的內(nèi)部形成有鞘層，沿槽的各側(cè)面產(chǎn)生的鞘層也不會(huì) 重疊，從而能夠防止產(chǎn)生將離子封入其中的空心部。其結(jié)果是，能夠可靠地將離子從槽的內(nèi) 部的鞘層朝向槽的各表面打入，從而能夠防止沉積物堆積在包含角部的槽的內(nèi)部。
根據(jù)本發(fā)明第三方面的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，等離子體中的電子密度是 2.0X101Q 10"cm—3，當(dāng)向以與基板相對(duì)的方式配置的電極施加的直流電壓值為300V以下 時(shí)，槽的寬度為8mm以上，因此能夠確實(shí)地防止沉積物堆積在電極的槽的內(nèi)部，并且能夠確 實(shí)地防止在槽的內(nèi)部產(chǎn)生空心(hollow)部。


圖1是概略表示具備本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的構(gòu)成部件的等離子體處理裝置結(jié) 構(gòu)的截面圖。 圖2是表示等離子體處理裝置的腔室的構(gòu)成部件的角部的角度與該構(gòu)成部件的 消耗量之間關(guān)系的圖表。 圖3是用于說(shuō)明從沿構(gòu)成部件的角部產(chǎn)生的鞘層打出的離子的擴(kuò)散程度的降低 的圖。 圖4是概略表示圖1中的外側(cè)電極附近的結(jié)構(gòu)的放大截面圖。 圖5是表示構(gòu)成部件的槽與鞘層的產(chǎn)生方式的關(guān)系的截面圖，圖5(A)是槽的寬度
極小的情況下的截面圖，圖5(B)是槽的寬度不太大的情況下的截面圖。 圖6是表示將直流電壓施加于上部電極時(shí)等離子體中的電子密度與沿上部電極
的表面產(chǎn)生的鞘層長(zhǎng)度之間關(guān)系的圖表。 圖7是用于說(shuō)明從沿著現(xiàn)有的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件的表面產(chǎn)生的鞘層 打出的離子的擴(kuò)散程度的圖，圖7(A)是不存在角部時(shí)的圖，圖7(B)是存在大致為直角的角
部時(shí)的圖。 符號(hào)說(shuō)明 W 晶片 10 等離子體處理裝置 15 第二直流電源
33 上部電極 33a 內(nèi)側(cè)電極 33b 外側(cè)電極 33e、38、41c、41e、73 角部 39、43、47、48、52、71、74 鞘層 40、44、50、72、75 離子 41 、42 、46 槽 41a 底面 41b、41d 傾斜面 45、 51 、76 沉積物 49 空心部
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。 圖1是概略表示具備本實(shí)施方式涉及的構(gòu)成部件的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的 截面圖。該等離子體處理裝置構(gòu)成為對(duì)晶片實(shí)施干蝕刻處理。 在圖1中，等離子體處理裝置10具有收容例如直徑為300mm的晶片W的腔室11， 在該腔室ll內(nèi)配置有載置半導(dǎo)體設(shè)備用的晶片W的圓柱狀基座12。此外，在等離子體處理 裝置10中，通過(guò)腔室11的內(nèi)側(cè)壁和基座12的側(cè)面，形成作為向腔室11之外排出基座12 上方的氣體的通路起作用的側(cè)方排氣通路13。在該側(cè)方排氣通路13的中途配置有排氣板 14。 排氣板14是具有多個(gè)孔的板狀部件，作為將腔室11的內(nèi)部分隔成上部和下部的 隔板起作用。在由排氣板14分隔的腔室11內(nèi)部的上部(以下，稱為"反應(yīng)室")17產(chǎn)生等 離子體。此外，在腔室11內(nèi)部的下部(以下，稱為"排氣室(歧管)")18連接有將腔室11 內(nèi)的氣體排出的排氣管16。排氣板14捕獲或反射在反應(yīng)室17產(chǎn)生的等離子體，防止向歧 管18泄漏。 排氣管16與TMP (Turbo Molecular Pump :渦輪分子泵)禾PDP(Dry Pump :干式泵) (均未圖示)連接，這些泵將腔室11內(nèi)抽真空減壓。具體而言，DP將腔室11內(nèi)從大氣壓減 壓至中真空狀態(tài)(例如，1.3X10Pa(0. 1Torr)以下)，TMP與DP協(xié)同作用將腔室11內(nèi)減壓 至低于中真空狀態(tài)的壓力即高真空狀態(tài)(例如1.3X10—3Pa(l. 0X10—5T0rr)以下)。另外， 通過(guò)APC閥(未圖示)對(duì)腔室11內(nèi)的壓力進(jìn)行控制。 腔室11內(nèi)的基座12，通過(guò)第一匹配器20與第一高頻電源19連接，并通過(guò)第二匹 配器30與第二高頻電源31連接，第一高頻電源19向基座12供給用于引入較低頻率的離 子的高頻電力，第二高頻電源31向基座12供給較高頻率的等離子體生成用的高頻電力。由 此，基座12作為電極起作用。此外，第一匹配器20和第二匹配器30，使來(lái)自基座12的高頻 電力的反射降低，從而使高頻電力向基座12的供給效率最大。 在基座12的上部配置有內(nèi)部具有靜電電極板21的靜電卡盤(pán)22。靜電卡盤(pán)22呈 在具有某直徑的下部圓板狀部件的上面重疊有直徑小于該下部圓板狀部件的上部圓板狀 部件的形狀。另外，靜電卡盤(pán)22由陶瓷構(gòu)成。
在靜電卡盤(pán)22中，靜電電極板21與第一直流電源23連接。在向靜電電極板21 施加正的直流電壓時(shí)，在晶片W的靜電卡盤(pán)22 —側(cè)的面(以下稱為背面)產(chǎn)生負(fù)電位，從 而在靜電電極板21與晶片W的背面之間產(chǎn)生電位差，通過(guò)由該電位差引起的庫(kù)倫力或約翰 遜-拉別克(Johnson-Rahbek)力，晶片W被吸附保持在靜電卡盤(pán)22的上部圓板狀部件的 上面。 此外，在靜電卡盤(pán)22上，以包圍被吸附保持的晶片W的方式載置有作為環(huán)狀部件 的聚焦環(huán)24。聚焦環(huán)24由導(dǎo)電體例如與構(gòu)成晶片W的材料相同的單結(jié)晶硅構(gòu)成。聚焦環(huán) 24由導(dǎo)電體構(gòu)成，因此等離子體的分布域不只限于晶片W上，還擴(kuò)大至該聚焦環(huán)24上，使 得晶片W周緣部上的等離子體的密度與該晶片W中央部上的等離子體的密度維持在相同程 度。由此，能夠維持實(shí)施于晶片W整個(gè)面上的干蝕刻處理的均勻性。 在基座12的內(nèi)部設(shè)置有例如沿圓周方向延伸的環(huán)狀制冷劑室25。從冷卻單 元(未圖示)通過(guò)制冷劑用配管26向該制冷劑室25循環(huán)供給低溫制冷劑例如冷卻水或 galden (注冊(cè)商標(biāo))。由該低溫制冷劑冷卻的基座12通過(guò)靜電卡盤(pán)22冷卻晶片W和聚焦 環(huán)24。 在靜電卡盤(pán)22的上部圓板狀部件的上表面的吸附保持晶片W的部分(以下稱為 吸附面)，開(kāi)口有多個(gè)傳熱氣體供給孔27。這些多個(gè)傳熱氣體供給孔27，通過(guò)傳熱氣體供給 線28與傳熱氣體供給部(未圖示)連接，該傳熱氣體供給部通過(guò)傳熱氣體供給孔27向吸 附面與晶片W背面的間隙供給作為傳熱氣體的氦氣(He)。供給至吸附面與晶片W背面的間 隙的氦氣，向靜電卡盤(pán)22有效地傳遞晶片W的熱。 在腔室11的頂部，與基座12相對(duì)地配置有噴淋頭29。噴淋頭29具有上部電極 33、可裝卸地懸掛該上部電極33的冷卻板34、和覆蓋該冷卻板34的蓋體35。在該冷卻板 34的內(nèi)部設(shè)置有緩沖室36，該緩沖室36與處理氣體導(dǎo)入管37連接。 第二直流電源15與上部電極33連接，向該上部電極33施加直流電壓。此外，上 部電極33由具有多個(gè)氣孔32的導(dǎo)電性的圓板狀部件即內(nèi)側(cè)電極33a、和以包圍該內(nèi)側(cè)電極 33a的方式配置的導(dǎo)電性的環(huán)狀部件即外側(cè)電極33b(構(gòu)成部件)構(gòu)成，外側(cè)電極33b具有 外周部比內(nèi)周部向載置于基座12的晶片W(以下稱為"載置晶片W")突出的臺(tái)階構(gòu)造，內(nèi) 周部和外周部在傾斜面連接。該傾斜面面向載置晶片W的外緣部。 在等離子體處理裝置10中，通過(guò)氣孔32向反應(yīng)室17的內(nèi)部導(dǎo)入從處理氣體導(dǎo)入 管37向緩沖室36供給的處理氣體，該導(dǎo)入的處理氣體被從第二高頻電源31通過(guò)基座12 向反應(yīng)室17的內(nèi)部施加的等離子體生成用的高頻電力激勵(lì)而形成等離子體。由第一高頻 電源19供向基座12的離子引入用的高頻電力將該等離子體朝向載置晶片W引入，對(duì)該晶 片W實(shí)施干蝕刻處理。 此外，在等離子體處理裝置10中，在干蝕刻處理期間，第二直流電源15對(duì)上部電 極33施加負(fù)的直流電壓。此時(shí)，上部電極33射出二次電子，但由于外側(cè)電極33b的傾斜面 面向載置晶片W的外緣部，因此不僅從外側(cè)電極33b的內(nèi)周部射出的二次電子到達(dá)載置晶 片W的外緣部附近，而且從上述傾斜面射出的二次電子也到達(dá)載置晶片W的外緣部附近。由 此，能夠防止在載置晶片W周緣部的正上方電子密度下降，從而能夠?qū)d置晶片W的整個(gè)面 均勻地實(shí)施干蝕刻處理。 另外，為了控制載置晶片W附近的電子密度，外側(cè)電極33b不僅具有上述傾斜面，還具有槽41(后面描述)。 等離子體處理裝置10所具備的控制部(未圖示)的CPU，根據(jù)與干蝕刻處理對(duì)應(yīng) 的程序，控制上述等離子體處理裝置10的各構(gòu)成部件的動(dòng)作。 在等離子體處理裝置10對(duì)載置晶片W實(shí)施干蝕刻處理的情況下，反應(yīng)生成物作為 沉積物堆積在構(gòu)成腔室11的構(gòu)成部件例如上部電極33的表面等。 在此，上部電極33具有臺(tái)階構(gòu)造，還具有槽41，因此具備多個(gè)角部，但如上述那 樣，在沿角部產(chǎn)生的鞘層，基于其彎曲程度使由離子濺射引起的沉積物的除去量減少，從而 使沉積物在角部及其附近堆積。 因此，本發(fā)明人應(yīng)該把握角部的彎曲程度、和在角部及其附近的沉積物堆積之間 的關(guān)系，在實(shí)行干蝕刻處理的情況下，對(duì)由硅構(gòu)成的腔室的構(gòu)成部件的角部的角度與該構(gòu) 成部件的消耗量的關(guān)系進(jìn)行調(diào)查。如圖2的圖表所示，如果角部的角度是125。以上，則可 確實(shí)地看出構(gòu)成部件的消耗。構(gòu)成部件消耗，因此，由離子濺射所引起的沉積物的除去量， 必須超過(guò)堆積在該構(gòu)成部件表面的沉積物的堆積量。因此，可知，當(dāng)角部的角度為125° 以上時(shí)，能夠抑制由離子濺射所引起的沉積物的除去量減少，從而能夠防止沉積物的堆積 量超過(guò)由濺射引起的沉積物的除去量，即能夠防止沉積物堆積。進(jìn)而，從圖2的圖表還可 知，雖然構(gòu)成部件的消耗量為0以下的情況相當(dāng)于沉積物堆積的情況，但當(dāng)角部的角度為 115°以上時(shí)，沉積物的堆積量會(huì)變得非常小，例如即使有沉積物堆積，該沉積物也不會(huì)成 為晶片的缺陷的原因。 根據(jù)以上的調(diào)查結(jié)果，本發(fā)明人就關(guān)于除去角部的沉積物這一點(diǎn)得出以下結(jié)論。 即，如圖3所示，在構(gòu)成部件的角部38，當(dāng)該角部38的角度e為115°以上，優(yōu)選為125。 以上時(shí)，使沿角部38產(chǎn)生的鞘層39的彎曲程度降低，從該鞘層39打出的離子40的擴(kuò)散程 度也降低。其結(jié)果是，防止在角部38打入每單位面積的離子40的數(shù)量極度降低，從而能夠 抑制由離子濺射所弓I起的沉積物的除去量減少。 另外，在圖2的圖表中，點(diǎn)劃線和虛線分別是在不同的等離子體處理裝置中基于 不同的條件實(shí)行干蝕刻處理的結(jié)果，但二者均表示在角部的角度為125°以上時(shí)構(gòu)成部件 消耗的情況，因此可知，不論等離子體處理裝置的種類或干蝕刻處理的條件，當(dāng)角部的角度 為125°以上時(shí)，都能夠防止沉積物的堆積。 另一方面，如果角部的角度大于180° ，則角部形成為突起部，以圍繞該突起部的 方式產(chǎn)生鞘層，因此，從鞘層被打入的離子集中，導(dǎo)致該突起部的消耗加劇。因而，優(yōu)選角部 的角度為180°以下。 在本實(shí)施方式中，基于上述觀點(diǎn)，外側(cè)電極33b具有的臺(tái)階構(gòu)造或槽41中兩個(gè)面 交叉而形成的角部的角度(兩個(gè)面的交叉角度)設(shè)定為115° 180°中的任一角度。
圖4是概略表示圖1中的外側(cè)電極附近結(jié)構(gòu)的放大截面圖。 在圖4中，內(nèi)周部33c和傾斜面33d所成的角部33e的角度e工被設(shè)定為140° ， 槽41的底面41a和傾斜面41b所成的角部41c的角度92被設(shè)定為125° ，并且槽41的底 面41a和傾斜面41d所成的角部41e的角度e 3被設(shè)定為125° 。 然而，如上所述，在暴露于等離子體的構(gòu)成部件中，沿其表面產(chǎn)生鞘層，但是如外 側(cè)電極33b那樣，在構(gòu)成部件具有槽的情況下，如圖5 (A)所示，當(dāng)槽42的寬度極小時(shí)，鞘層 43不會(huì)進(jìn)入該槽42的內(nèi)部，其結(jié)果是，從槽42的底部42a至鞘層43的距離變大，存在從鞘層43被打入槽42內(nèi)部的離子44因失速而不能到達(dá)底部42a的情況。此時(shí)，在底部42a由 離子44濺射所引起的沉積物的除去量減少，因此沉積物45堆積。 此外，如圖5(B)所示，當(dāng)槽46的寬度不太大時(shí)，存在沿該槽46的兩側(cè)面46a、46b 產(chǎn)生的鞘層47、48在槽46的內(nèi)部重疊的情況。鞘層47、48重疊的部分稱為空心(hollow) 部49，該空心部49將離子封入其中，因此不會(huì)從該空心部49打出離子50，其結(jié)果是，在槽 46的內(nèi)部離子50的濺射所引起的沉積物的除去量減少，沉積物51堆積。
在本實(shí)施方式中，與此對(duì)應(yīng)，將槽41的最小寬度設(shè)定為鞘層厚度(鞘層長(zhǎng)度)的2 倍以上。具體而言，如圖4所示，將槽41的底面41a的寬度L設(shè)定為鞘層長(zhǎng)度的2倍以上。 由此，在槽41的內(nèi)部，即使分別沿傾斜面41b和傾斜面41d產(chǎn)生鞘層52，該鞘層52也不會(huì) 在槽41的內(nèi)部重疊。 如等離子體處理裝置10那樣，在對(duì)上部電極33施加直流電壓的情況下，沿上部電
極33的表面產(chǎn)生的鞘層長(zhǎng)度由下述式(1)表示。 鞘層長(zhǎng)度=0. 606 X德拜長(zhǎng)度X (2 X Vdc/Te)3/4 (mm)... (1) 其中，Vdc :施加于上部電極33的直流電壓的值(V) 、 Te :電子溫度(eV)、德拜長(zhǎng) 度7. 43X 103X (Te/Ne)1/2(mm)、Ne :電子密度。 圖6是表示基于上述式(1)的等離子體中的電子密度和沿上部電極33的表面產(chǎn) 生的鞘層長(zhǎng)度之間關(guān)系的圖表。在圖6中，在施加于上部電極33的直流電壓值是150V的 情況下，用"O"表示，在該直流電壓值是300V的情況下，用"口"表示，在該直流電壓值是 600V的情況下，用"A"表示，在該直流電壓值是900V的情況下，用"X "表示。
在此，通常，施加于上部電極33的直流電壓的值為300V以下，在干蝕刻處理中使 用的等離子體的電子密度是2. OX 101Q 10"cm—3，因此，通過(guò)圖6的圖表，被設(shè)定產(chǎn)生的鞘 層的長(zhǎng)度為4. Omm以下。因而，設(shè)定槽41的底面41a的寬度L為8mm以上時(shí)，能夠確實(shí)地 防止在槽41的內(nèi)部產(chǎn)生空心部49。 根據(jù)作為本實(shí)施方式的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件的外側(cè)電極33b，由于外側(cè) 電極33b的角部33e的角度e工是14(T ，角部41c的角度92是125° ，并且角部41e的角 度93是125° ，所以能夠抑制由離子濺射引起的沉積物的除去量減少，從而能夠防止沉積 物在各角部33e、41c、41e堆積。 在上述外側(cè)電極33b中，角部41c、41e的槽41的底面41a的寬度形成為鞘層長(zhǎng)度 的2倍以上，因此，即使在槽41的內(nèi)部形成鞘層52，沿槽41的各傾斜面41b、41d產(chǎn)生的鞘 層52也不會(huì)重疊，從而能夠防止產(chǎn)生將離子封入其中的空心部。其結(jié)果是，能夠確實(shí)地將 離子從槽41內(nèi)部的鞘層52打入槽41的各傾斜面41b、41d，從而能夠防止在包含角部41c、 41e的槽41的內(nèi)部堆積沉積物。 在本實(shí)施方式中，對(duì)上部電極33的各角部33e、41c、41e的角度的設(shè)定和槽41的 寬度的設(shè)定進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于其他暴露于等離子體的構(gòu)成部件，具體 而言，即使是其他構(gòu)成部件，也優(yōu)選將角部的角度設(shè)定為125°以上，而且，優(yōu)選將槽的寬度 設(shè)定為鞘層長(zhǎng)度的2倍以上。此外，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了關(guān)于對(duì)上部電極33施加直流 電壓的情況，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于對(duì)上部電極不施加直流電壓的情況，即使在該情況 下，也優(yōu)選將角部的角度設(shè)定為125°以上，而且，優(yōu)選將槽的寬度設(shè)定為鞘層長(zhǎng)度的2倍 以上。
另外，在上述的本實(shí)施方式中，實(shí)施干蝕刻處理的基板為半導(dǎo)體設(shè)備用的晶片，但 實(shí)施干蝕刻處理的基板并不限于此，也可以是例如LCD(Liquid Crystal Display :液晶顯 示器)或FPD(Flat Panel Display :平板顯示器)等的玻璃基板。
權(quán)利要求
一種利用等離子體對(duì)基板實(shí)施等離子體處理的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，其暴露于所述等離子體，其特征在于具有兩個(gè)面交叉而形成的角部，所述兩個(gè)面的交叉角度是115°～180°中的任一角度。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，其特征在于 具有形成有所述角部的槽，該槽的寬度是鞘層長(zhǎng)度的2倍以上。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置的構(gòu)成部件，其特征在于 所述構(gòu)成部件是以與所述基板相對(duì)的方式配置且被施加直流電壓的電極，所述等離子 體中的電子密度是2. OX 101Q 10"cm—3，當(dāng)被施加于所述電極的直流電壓的值為300V以下 時(shí)，所述槽的寬度為8mm以上。
4. 一種等離子體處理裝置，其利用等離子體對(duì)基板實(shí)施等離子體處理，其特征在于 具備暴露于所述等離子體的構(gòu)成部件，所述構(gòu)成部件具有兩個(gè)面交叉而形成的角部，所述兩個(gè)面的交叉角度是115° 180°中的任一角度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置及其構(gòu)成部件，該等離子體處理裝置的構(gòu)成部件能夠防止沉積物在角部堆積。在利用等離子體對(duì)晶片(W)實(shí)施干蝕刻處理的等離子體處理裝置(10)所具備的上部電極(33)的外側(cè)電極(33b)，內(nèi)周部(33c)和傾斜面(33d)所成的角部(33e)的角度(θ1)是140°，槽(41)的底面(41a)和傾斜面(41b)所成的角部(41c)的角度(θ2)是125°，槽(41)的底面(41a)和傾斜面(41d)所成的角部(41e)的角度(θ3)是125°，槽(41)的底面(41a)的寬度是鞘層長(zhǎng)度的2倍以上。
文檔編號(hào)H01J37/04GK101740298SQ20091020795
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2009年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月7日
發(fā)明者村上貴宏, 若木俊克 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社