專利名稱：Led封裝模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及照明用LED封裝。
背景技術：
與傳統(tǒng)照明裝置相比，LED路燈不僅具有色度好、免維護、壽命長的特點，更 重要的是比傳統(tǒng)路燈更節(jié)能。 中國發(fā)明專利文獻CN101101103A于2008年1月9日公開了一種LED路燈，包 括燈體和LED燈泡，燈體包括頭段、中段、尾段，頭段與中段對接設置，中段的另一端 與尾段對接設置；頭段與中段之間設有密封墊，頭段通過緊固件與中段連接；尾段與中 段之間設有密封墊，尾段通過緊固件與中段連接；中段是一種型材，沿型材長度方向， 不同位置具有相同的橫截面。中國發(fā)明專利文獻CN101101102A于2008年1月9日也 公開了一種LED路燈，包括燈體和LED燈泡，燈體包括頭段、中段、尾段，頭段與中 段對接設置，中段的另一端與尾段對接設置，頭段與中段之間設有密封墊，頭段通過緊 固件與中段連接；尾段與中段之間設有密封墊，尾段通過緊固件與中段連接；中段是一 段型材，沿型材長度方向，不同位置具有相同的橫截面，型材具有基板，基板由二塊呈 "八"字型設置的平板及連接二平板的連接板構成。中國發(fā)明專利文獻CN101101107A 于2008年1月9日也公開了一種LED路燈，包括燈體和LED燈泡，燈體具有正面和反 面，燈體的正面具有一由側板和底面界定出的腔體，燈體的反面設有散熱翅，燈體反面 的一端還設有路燈桿連接機構；腔體底具有一個平面，腔體內還設有一隔板，隔板靠近 路燈桿連接機構所在的一端，隔板將腔體界定為二部分，靠近路燈桿連接機構所在一端 的副腔體以及位于隔板另一側的主腔體；隔板二端與腔體側壁之間設有令主腔體與副腔 體互通的間隙。上述三種LED路燈代表了市面上LED照明技術的主流，包括遂道燈、 室內照明燈，其核心技術與上述專利文獻公開的內容十分近似。上述技術均通過一個具 有印刷電路的鋁基板，在鋁基板上設置多個單只LED燈泡，然后在鋁基板的背部緊貼一 散熱體，散熱體的反面設置散熱翅，上述技術還采用了二次光學透鏡或反光杯進行二次 光學處理，以控制光斑。 然而，上述現(xiàn)有技術仍有不足，制約了LED照明技術的推廣應用。上述現(xiàn)有技 術的不足是，需要二次光學處理，這就增加了制造難度，并且增加的材料也導致LED照 明裝置成本的增加以及LED照明裝置體積的增大。而且二次光學處理過程中，會導致光 通量的損失，及阻礙散熱。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術的不足之處，而提供一種無需二次光學處 理的LED封裝模塊。 本發(fā)明的目的可以通過以下技術方案實現(xiàn) LED封裝模塊，包括基板，其特征在于該基板具有固晶面和布線面，所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布 線面之間設有反射過度面；所述固晶面、所述布線面、所述反射過度面表面均具有一層 反射膜，所述反射膜的膜系結構為Ni-Ag-Ni。 LED封裝模塊，其特征在于所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為 2nm-10nm、 5nm-30nm、 2nm-10nm。 LED封裝模塊，其特征在于所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為8nm、 15nm、 8nm。 LED封裝模塊，其特征在于所述反射膜是通過真空濺射或真空蒸鍍方式鍍設 的，即先鍍一層Ni，再鍍一層Ag，最后再鍍一層Ni。 LED封裝模塊，其特征在于所述布線面設置于所述基板的頂面，所述返射過 度面有二個，二個反射過度面分別設置在所述固晶面的二側，所述固晶面與所述反射過 度面組成一長條狀的溝槽。 LED封裝模塊，其特征在于所述二個反射過度面均為平面，對稱地設置于所 述固晶面的二側。 LED封裝模塊，其特征在于所述二個反射過度面均為弧面，二個弧面之凹面 相向設置，對稱地設置于所述固晶面的二側。 LED封裝模塊，其特征在于所述布線面設置于所述基板的頂面，所述固晶面 與所述反射過度面構成一底小口大的錐孔，所述固晶面是所述錐孔的底面，所述反射過 度面是所述錐孔的側壁。 LED封裝模塊，其特征在于所述基板為AlSi合金材料，其中，Al的含量為 30%-95%， Si的含量為5%-70%。 LED封裝模塊，其特征在于根據(jù)權利要求1所述的LED封裝，其特征在于 所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為8nm、 15nm、 8nm ;所述反射膜是通過真空濺射方 式鍍設的，即先鍍一層Ni，再鍍一層Ag，最后再鍍一層Ni;所述布線面設置于所述基板 的頂面，所述返射過度面有二個，二個反射過度面分別設置在所述固晶面的二側，所述 固晶面與所述反射過度面組成一長條狀的溝槽；所述二個反射過度面均為平面，對稱地 設置于所述固晶面的二側；所述基板為AlSi合金材料，其中，八1的含量為30%-95%， Si的含量為5% -70%。 本發(fā)明的LED封裝模塊，本身具有光路設計，所述基板具有固晶面和布線面， 所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與 所述布線面之間設有反射過度面；所述固晶面、所述布線面、所述反射過度面表面均設 置一層反射膜，所述反射膜的膜系結構為Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別 為2nm-10nm、 5nm-30nm、 2nm-10nm ;該LED封裝模塊還包括擴散增光層，所述擴散增 光層填充于所述固晶面與所述反射過度面界定而成的空間內，所述擴散增光層位于所述 熱沉層之上并將所述LED芯片包覆于其中，所述擴散增光層之頂面高于所述LED芯片之 頂面；所述擴散增光層是透明硅膠與玻璃微珠的混合物。本發(fā)明的LED封裝模塊因為 基板的布線面和反射過度面具有反射膜，設計基板的幾何形狀時可以人為地控制反射光 路，從而控制光斑，無需采用外加的二次透鏡或反光杯。本發(fā)明的LED封裝模塊無需二 次光學處理，不會產生額外的光通量損失，也不會阻礙LED照明裝置散熱。


圖l是本發(fā)明第
圖2是本發(fā)明第
圖3是本發(fā)明第
圖4是本發(fā)明第
具體實施例方式
下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步詳述。參考圖1、圖2，本發(fā)明第一個實施 例是一種LED封裝模塊，包括基板101和LED芯片110 ;該基板101為AlSi合金材 料，其中，Al的含量為30%-95%， Si的含量為5%-70% ;所述基板101具有固晶面 1011和布線面1012，所述固晶面1011與所述布線面1012平行設置，所述固晶面1011 之高度底于所述布線面1012，所述固晶面1011與所述布線面1012之間設有反射過度面 1013 ;所述固晶面1011、所述布線面1012、所述反射過度面1013表面均設置一層反射 膜102，所述反射膜102的膜系結構為Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為 2nm-10nm、 5nm-30nm、 2nm-10nm ;所述布線面1012具有線路部分，所述線路部分構成 所述基板101上的電路，所述線路部分設置于所述布線面1012的表層，再次參考圖l、 圖2，即所述反射膜102的外側；所述線路部分具有層狀結構，由內向外，所述線路部 分包括導熱絕緣膠層103、導電鍍層104;所述LED芯片110設置于所述固晶面1011， 所述固晶面1011與所述LED芯片110之間還具有一熱沉層109，所述熱沉層109的材料 為AuSn合金，其中Au含量為4X-9%， Sn的含量為91 %-96%，所述熱沉層的厚度為 0.005mm-0.02mm ;在本實施例中，所述AuSn合金中Au含量為5% ， Sn的含量為95X， 所述熱沉層的厚度為0.008mm。下面簡要說明一下固晶方法，參考圖3，固晶工序包括 以下步驟(l)設置熱沉層，(2)放置LED芯片，(3)焊接，(4)冷卻，其中，第(l)步所 述的設置熱沉層采用真空濺射的方式；第(2)步所述的放置LED芯片是將LED芯片置于 熱沉層上；第(3)步所述的焊接，是指將第(2)步制成的半成品過焊接爐，焊接爐的溫度 為250°C -300°C ;第(4)步所述的冷卻是指常溫風冷卻。該LED封裝模塊還包括擴散增 光層111，所述擴散增光層111填充于所述固晶面1011與所述反射過度面1013界定而成 的空間內，所述擴散增光層lll位于所述熱沉層109之上并將所述LED芯片110包覆于 其中，所述擴散增光層111之頂面高于所述LED芯片110之頂面；所述擴散增光層lll 是透明硅膠與玻璃微珠的混合物；所述布線面1012還具有絕緣部分，所述線路部分構成 所述基板101上的電路，所述線路部分與所述絕緣部分構成所述布線面1012的表層；該 LED封裝模塊還包括換能層108，所述換能層108設置于所述布線面1012并覆蓋于所述 線路部分和絕緣部分之外；所述換能層108是導熱絕緣膠與納米Ti02和納米Sn02的混合 物，本實施例中，納米Ti02和納米SnC^是等比例配比的，當然作為本實施例的一種變換 方案，也可以采用現(xiàn)有技術中公開的其它比例。本實施例中，所述基板101之SiAl合金 中A1的含量為85X， Si的含量為15X。再次參考圖1，本實施例中，所述布線面1012 設置于所述基板101的頂面，所述返射過度面1013有二個，二個反射過度面1013分別 設置在所述固晶面1011的二側，所述固晶面1011與所述二個反射過度面1013組成一長
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個實施例之基板和反光面的示意圖。 個實施例之剖面示意圖。 個實施例中固晶方法流程圖。 個實施例中線路部分制備方法流程圖。條狀的溝槽；所述溝槽開口大底部??；二個反射過度面1013均為平面，對稱地設置于所 述固晶面1011的二側，二個反射過度面1013的夾角為75° -105° ，本實施例中，二個 反射面1013的夾角為90° 。 本實施例中，所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為8nm、 15nm、 8nm;所述反射膜是通過真空濺射或真空蒸鍍方式鍍設的，即先鍍一層Ni，再鍍 一層Ag，最后再鍍一層Ni。本實施例中，所述導熱絕緣膠層103的材料為環(huán)氧樹脂與 0-八1203的混合物，當然，作為一種替代方案，也可以采用聚酰亞胺與0-^203的混合 物，所述導熱絕緣膠層103的厚度為0.02mm-0.06mm，本實施例中是0.03mm。所述導電 鍍層104是0.002mm-0.018mm厚度的納米電沉積Cu，本實施例中納米電沉積Cu的層厚度 為0.005mm ;所述導電鍍層104還包括一設置在所述納米電沉積Cu底部的真空鍍底層， 所述真空鍍底層為5nm-10nm的電沉積Ni，本實施例中，真空鍍底的厚度是6nm，因真空 鍍底層的厚度很薄，圖2中未示出。下面簡要說明線路部分的制作方法，參考圖4，所述 線路部分制作工序包括以下步驟(l)絲印導熱絕緣膠層，(2)烘干，(3)貼保護膜，(4)真 空鍍底，(5)納米電沉積Cu，其中，第(l)步所述的導熱絕緣膠層的厚度為0.03mm，所述 導熱絕緣膠層的材料為環(huán)氧樹脂與0-^203的混合物；第(2)步所述的烘干為熱風烘干， 該烘干步驟采用的溫度為180°C -200°C ;第(3)步所述的保護膜，是PET膜加硅膠粘結； 第(4)步所述的真空鍍底，是以真空濺射方式沉積6nm的Ni ;第(5)步所述的納米電沉積 Cu，是以真空濺射或真空蒸鍍金方式沉積0.005mm厚度的Cu;所述保護膜可以保留在半 成品上，在設置所述換能層時再除去即可。當然，作為本實施例的一種替代方案，可以 用AgSn合金代替AuSn合金，且該AgSn的組份可以是Ag的含量為1 % -25 % ， Sn的含 量為75%-99%，優(yōu)選組份是Ag的含量為20X， Sn的含量為80X， AgSn合金雖然能 實現(xiàn)固晶和導熱要求，但其貴金屬使用的比例及焊接效果均不如AuSn理想，不過Ag比 Au要經(jīng)濟得多，易于產業(yè)化推廣。實施例中，所述LED芯片IIO表面還設置熒光層。 本實施例中，該模塊還包括表面封膠層107，所述表面封膠層107的材料為透明硅膠與熒 光粉的混合物，所述表面封膠層107設置于所述擴散增光層111的外側，因為設置了擴散 增光層lll，客觀上也起到另外一個作用，那就是減小了面封膠層107的厚度，從而節(jié)約 了熒光粉的使用量。
權利要求
一種LED封裝模塊，包括基板，其特征在于該基板具有固晶面和布線面，所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設有反射過度面；所述固晶面、所述布線面、所述反射過度面表面均具有一層反射膜，所述反射膜的膜系結構為Ni-Ag-Ni。
2. 根據(jù)權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分另ll為2nm-10nm、 5nm-30nm、 2nm-10nm。
3. 根據(jù)權利要求2所述的LED封裝模塊，其特征在于所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分另ll為8nm、 15nm、 8nm。
4. 根據(jù)權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于所述反射膜是通過真空濺射或真空蒸鍍方式鍍設的，即先鍍一層Ni，再鍍一層Ag，最后再鍍一層Ni。
5. 根據(jù)權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于所述布線面設置于所述基板的頂面，所述返射過度面有二個，二個反射過度面分別設置在所述固晶面的二側，所述固晶面與所述反射過度面組成一長條狀的溝槽。
6. 根據(jù)權利要求5所述的LED封裝模塊，其特征在于所述二個反射過度面均為平面，對稱地設置于所述固晶面的二側。
7. 根據(jù)權利要求5所述的LED封裝模塊，其特征在于所述二個反射過度面均為弧面，二個弧面之凹面相向設置，對稱地設置于所述固晶面的二側。
8. 根據(jù)權利要求4所述的LED封裝模塊，其特征在于所述布線面設置于所述基板的頂面，所述固晶面與所述反射過度面構成一底小口大的錐孔，所述固晶面是所述錐孔的底面，所述反射過度面是所述錐孔的側壁。
9. 根據(jù)權利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于所述基板為AlSi合金材料，其中，Al的含量為30%-95%， Si的含量為5%-70%。
10. 據(jù)權利要求I所述的LED封裝模塊，其特征在于根據(jù)權利要求1所述的LED封裝，其特征在于所述Ni-Ag-Ni結構各層的厚度分別為8nm、 15nm、 8nm ;所述反射膜是通過真空濺射方式鍍設的，即先鍍一層Ni，再鍍一層Ag，最后再鍍一層Ni;所述布線面設置于所述基板的頂面，所述返射過度面有二個，二個反射過度面分別設置在所述固晶面的二側，所述固晶面與所述反射過度面組成一長條狀的溝槽；所述二個反射過度面均為平面，對稱地設置于所述固晶面的二側；所述基板為AlSi合金材料，其中，Al的含量為30 % -95 % ， Si的含量為5 % -70 % 。
全文摘要
本發(fā)明涉及照明用LED封裝。LED封裝模塊，包括基板，該基板具有固晶面和布線面，所述固晶面與所述布線面平行設置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設有反射過度面；所述固晶面、所述布線面、所述反射過度面表面均具有一層反射膜，所述反射膜的膜系結構為Ni-Ag-Ni。本發(fā)明提供一種無需二次光學處理的LED封裝模塊。
文檔編號F21S2/00GK101691908SQ20091010873
公開日2010年4月7日 申請日期2009年7月10日 優(yōu)先權日2009年7月10日
發(fā)明者李金明 申請人:東莞市萬豐納米材料有限公司