專利名稱：半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
半導體激光器陣列為了獲得集成大功率輸出，利用半導體激光器單元利用 串并聯(lián)形式組成的半導體激光輸出模塊，具有輸出功率高、光電轉(zhuǎn)換效率高、 激光強度調(diào)制方便、體積小、壽命長等特點，非常適合作為面陣成像激光雷達 和激光探測系統(tǒng)的主動照明光源。
半導體激光器激光器具有特殊諧振腔結(jié)構(gòu)和工作方式，使得光束的空間分布
具有不對稱性，在垂直于結(jié)平面的方向上(快軸方向)具有40度左右的發(fā)散角， 在平行于結(jié)平面的方向上(慢軸方向)具有8度左右的發(fā)散角，且在各自的發(fā) 散角內(nèi)光強不均勻。集成后的半導體激光器堆疊陣列的遠場光束也具有類似的 空間分布特性，遠場光強在快軸方向呈現(xiàn)基模高斯分布，而慢軸方向一般呈現(xiàn) 厄米高斯分布。要達到好的主動照明效果，要求在照明視場角度內(nèi)光強分布均 勻，要達到高的主動照明光能利用效率，需要約束照明光束僅出現(xiàn)在照明視場 角內(nèi)。因此把半導體激光器陣列應用于照明用途，就必須采用光束整形照明系 統(tǒng)來對原始的激光光束進行整形。目前，隨著半導體激光器陣列在主動探測系 統(tǒng)中應用的不斷增多，對半導體激光器陣列光束整形照明技術(shù)的要求也在不斷 提高。
目前針對半導體激光器陣列的光束整形照明技術(shù)主要有兩大類方法。在小視 場(3度X3度以下)照明用途中， 一般采用準直光學系統(tǒng)，在快軸方向和慢軸 方向加微透鏡陣列，對發(fā)散角度都進行準直壓縮以獲得小的發(fā)散角，這種方法 的缺點是照明視場光強仍然呈現(xiàn)高斯分布，不均勻。在大視場照明系統(tǒng)， 一般 是先把光束模式轉(zhuǎn)變?yōu)榫鶆蚬庠贁U束照明到需要的視場上，如先將半導體激光 器堆疊的光耦合到多模光纖中，利用光纖多次反射的混光效果，在光纖輸出端 獲得光強均勻化和模式對稱化，再經(jīng)光學系統(tǒng)投影到照明區(qū)域。由于該類方法 把陣列的光耦合到光纖或者其它混光筒中，而這個過程技術(shù)難度高且耦合效率 低，制作成本高，作為照明系統(tǒng)也不是十分理想。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)效率不高、結(jié)構(gòu)復雜、不易集成、制作成本高的缺點，本發(fā)明的目的在于提供了一種半導體激光器陣 列光束整形照明系統(tǒng)，該系統(tǒng)可顯著地提高激光照明的光能利用效率，并且具 有結(jié)構(gòu)簡單、制作成本低以及可多組模塊集成使用以實現(xiàn)超大功率照明的特點。 本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案如下 一、 一種半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)
包括由多個半導體激光器線陣列兩端對齊等間距平行排列在一個平面上組 成的半導體激光器二維陣列，微柱面透鏡陣列，光楔陣列和柱面透鏡；所述的 半導體激光器二維陣列、微柱面透鏡陣列、光楔陣列、柱面透鏡沿激光傳播方 向依序排列，其中微柱面透鏡陣列的各個微柱面透鏡母線與半導體激光器線陣 列的線方向平行且一一對應對準排列，光楔陣列中的單元光楔與半導體激光器 線陣列一一對應對準排列，柱面透鏡母線與半導體激光器線陣列垂直且柱面透 鏡光軸與半導體激光器線陣列的中垂線重合。
所述的半導體激光器線陣列，由多個半導體激光器單元沿慢軸方向等間距 排列于一維線段上組成。
所述的光楔陣列中的各個光楔偏向角的數(shù)值是一組從-0.5《f到+0.5《f的等
差數(shù)列，其中&為快軸方向的照明視場角，公差為&除以半導體激光器線陣列 數(shù)目減去一后的商，偏向角組合順序任意。
二、另一種半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)
包括由多個帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列兩端對齊 等間距排列在一個幾何面形基座上組成的半導體激光器二維陣列和柱面透鏡； 所述的半導體激光器二維陣列、柱面透鏡沿激光傳播方向依序排列，其中柱面 透鏡母線與帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列垂直且柱面透 鏡光軸與帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列的中垂線重合。
所述的帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列，由多個半導 體激光器單元沿慢軸方向等間距排列于一維線段上組成，所述的微柱面透鏡的 光軸始終在對應的半導體激光器線陣列的激光傳播軸線上。
所述的幾何面形基座是一個與快軸視場角&等弧度的凸圓柱面或者凹圓柱 面，所述的帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列等間距置于凸 圓柱面或者凹圓柱面上且保持激光傳播軸線與圓柱面徑向一致；所述的幾何面 形基座或是一個與照明視場快軸視場角&等弧度的凸圓柱面或者凹圓柱面被帶 快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列總數(shù)目等分后切去弧面的等 多角直柱面，所述的帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列分別置于等多角直柱面的各個面的中心且保持激光傳播軸線與各面法線方向一致。 以上兩種照明系統(tǒng)中 所述的半導體激光器線陣列的線方向長度尺寸L、所述的柱面透鏡的有效焦 距F和慢軸方向照明視場角&的關(guān)系滿足公式-
2
所述的半導體激光器線陣列與所述的柱面透鏡的物距/);c滿足關(guān)系式
其中"為照明均勻系數(shù)，取小于0.5的正數(shù)，F(xiàn)為所述的柱面透鏡的有效焦 距，雖為每個所述的半導體激光器線陣列中所述的半導體激光單元數(shù)目，L為 所述的半導體激光器線陣的長度尺寸，&為所述的半導體激光單元未整形前的 光束慢軸發(fā)散角。
本發(fā)明的科學原理是-
根據(jù)波動電磁理論和半導體激光器諧振腔的邊界條件可以得到半導體激光 器的光束模型近似為高斯光束。強度空間分布的表達式為
/(x, ;;， z) = C, (!)2. exp(-廣，、
式(1)是沿著Z軸傳播的基模高斯光束在點(X， y， z)強度表達式，其中 w。為束腰半徑,w2(z)=《[l + (上)2],z。 =4為瑞利距離C。為常數(shù)r2 = 。
遠場發(fā)散全角與束腰的關(guān)系為《/2 =2^。半導體激光器快軸方向的發(fā)散角
咖0
為《,e2 =40°，約為0.7弧度，2=808nm瑞利距離約為2um由于z z。，則有 w(力4，"f—,代入公式(1)可得到高斯光束在極坐標下強度的空間分布公式<formula>formula see original document page 8</formula>
將N=2K+1個半導體激光束單元令K個以固定角度&遞增偏轉(zhuǎn)，K個以固定 角度&遞減偏轉(zhuǎn)，在原光束的傳播方向為z軸，垂直于z軸的平面上點相對于z 軸的偏轉(zhuǎn)角度為^的任一點的光強疊加結(jié)果為
/(z李^C。
cos風)
、2
z(l + tan6 tan(/6 rf))
exp(-6>.
tan2((9 —沿》)
(3)
l/e2
在z取定值條件下，(3)表達式中第二項是一個約等于為1的約數(shù)，其特性就 主要決定于^exp(-^tan2(0-A》，這是一個多高斯函數(shù)的疊加，&="091/2，
6
l/e2
其中"為均勻控制因子，當0<"<0.5時表達式的出現(xiàn)平頂分布波形。所以表達式 (3)是一種多高斯光束疊加在照明面上獲得均勻光強分布的實現(xiàn)形式。
把(3)表述的光束模型命名為角偏轉(zhuǎn)多高斯光束模型，這種特性的光束模 型的特點是在可以通過控制每個高斯光束單元的發(fā)散角度《e2及遞增偏轉(zhuǎn)角度 《及單元個數(shù)來控制遠場的強度均勻性和總光束的照明視場角度。
利用半導體激光器單元陣列分別在快軸和慢軸兩個方向上構(gòu)造表達式(3 ) 的光束模型是本發(fā)明的根本原理，快軸方向比較直觀，不做解釋。下面對慢軸 方向進行具體分析。
對所述的半導體激光器線陣列，發(fā)光軸為Z，可以表述為如下的Nx個高斯 光束的疊加
/(x,z)二C:.(^)2. 2 exp(
2
2(x - f. ~^~) 、
(4)
在滿足傍軸條件下，這種光束模型在空間的傳播和通過幾何光學系統(tǒng)的傳播 可以利用ABCD矩陣光學進行分析，利用透鏡變換公式(4)把平頂多高斯光束模 型光束轉(zhuǎn)換成角偏轉(zhuǎn)多高斯光束模型光束，<formula>formula see original document page 9</formula>其中F為透鏡有效焦距，d-i為各個單元之間的間距，A《為半導體激光器
臉
線陣列中第i個單元光束通過透鏡后的偏轉(zhuǎn)角度。用(5)式，當,'^-Z/2且
△ 4=《s/2，則得到
<formula>formula see original document page 9</formula>
用公式(6)可以確定透鏡的焦距F,
把公式(5)代入到公式(4)中可以得到平頂多高斯光束模型經(jīng)過透鏡之后 獲得表達式
他一l
/(")= t C0
W;c—1
、2
i7
exp(-
8
tan<9-
至
1)2)
《2 l + tan^[ff
(7)
表達式(7)的分析結(jié)果其表述的光束模型具有類似于(3)所表示的光束模型 分布特點。激光單元的原始光束束腰&趨向于0時，可套用幾何光學成像公式， 把原來的慢軸發(fā)散角《/變換為《，最后可以獲得半導體激光器線陣列與透鏡的 距離"x，原始的發(fā)散角6L，以及均勻控制因子"的關(guān)系表達式
￡>x =
(8)
從而實現(xiàn)了專利的設(shè)計目的，得到視場角限定范圍內(nèi)的均勻照明。 本發(fā)明與背景技術(shù)相比具有的有益效果是
1激光能量的利用效率高因為經(jīng)過的光學器件個數(shù)少，而且都是高通過率 的透射型光學元器件，效率可以達到80%左右，遠遠大于現(xiàn)有技術(shù)的55%的能 量利用率。
2便于實現(xiàn)模塊化、集成化制成多組同樣的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，各個模塊可以直接并行使用，并對遠場的照明均勻性有提高作用，便 于集成超大功率的遠場照明系統(tǒng)。
3體積小、結(jié)構(gòu)簡單、制作成本低整個光束整形照明系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，而且 尺寸和半導體激光器陣列外形尺寸相當。而且本發(fā)明所用的器件都是制作工藝 技術(shù)很成熟的器件，制作費用低，相對于微透鏡陣列整形照明或者半導體激光 器陣列光纖耦合模塊方式都有很大的成本優(yōu)勢。
本發(fā)明尤其適合作為面陣成像激光雷達系統(tǒng)和遠距離主動激光探測系統(tǒng)的 照明光源裝置。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。 圖1是本發(fā)明系統(tǒng)構(gòu)成的立體示意圖。
圖2是本發(fā)明快軸方向光束整形原理示意圖。
圖3是本發(fā)明慢軸方向光束整形原理示意圖。
圖4是本發(fā)明科學原理表達式(3)的特性曲線圖。
圖5是本發(fā)明實施實例2中實現(xiàn)角度偏轉(zhuǎn)裝置5的示意圖。
圖6是本發(fā)明實施實例3中實現(xiàn)角度偏轉(zhuǎn)裝置5的示意圖。
圖7是本發(fā)明實施實例4中多模塊集成使用的示意圖。
圖中1、半導體激光器二維陣列，2、半導體激光器單元，3、半導體激光 器線陣列，4、微柱面透鏡陣列，5、光楔陣列，6、柱面透鏡，7、帶快軸發(fā)散 角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列，8、幾何面型基座，9、整體照明系 統(tǒng)單元。
具體實施方式
實施例l:
在圖1中，半導體激光器二維陣列1、微柱面透鏡陣列4、光楔陣列5、柱 面透鏡6沿激光傳播方向依序排列，其中微柱面透鏡陣列4的各個微柱面透鏡 母線與半導體激光器線陣列3的線方向平行且一一對應對準排列，光楔陣列5 中的單元光楔與半導體激光器線陣列3 —一對應對準排列，柱面透鏡6母線與 半導體激光器線陣列3垂直且柱面透鏡6光軸與半導體激光器線陣列3的中垂 線重合。以卯0W的808nm半導體激光器堆疊陣列(stack)組建10度xlO度的照明系統(tǒng)為例，半導體激光器二維陣列1是900W的808nrn半導體激光器堆疊 陣列，半導體激光器線陣列3的總輸出功率為IOOW，是由IOO個間距為100um 的1W半導體激光器單元2構(gòu)成，每個半導體激光器單元2光束快軸和慢軸發(fā) 散角度分別是e 。產(chǎn)40度和e 。S=10度，總共9條半導體激光器線陣列3以等間距 組成900W半導體激光器二維陣列1。先將半導體激光器線陣列3前加微柱面透 鏡陣列4，壓縮其快軸發(fā)散角9 f為3.5度，然后通過光楔陣列5進行光束偏轉(zhuǎn)， 控制單元光楔角使得偏轉(zhuǎn)的角度分別是ixl.25度(i分別是-4， -3， -2， -1， 0， 1，
2， 3， 4)，即9f^1.25度。后放置一個柱面透鏡6，利用= tan(^f)得到焦
2尸 2
距F-57.1mm，再利用壓=J ^ -F取壓縮后的發(fā)散角度e 5為2度，則獲得
柱面透鏡6與半導體激光器二維陣列(l)發(fā)光面的距離Dx=42.8mm，可以獲得10 度xlO度的均勻照明光束。如圖2所示的是在快軸方向的光束整形過程，半導體 激光器線陣列3發(fā)出的激光光束先經(jīng)過微透鏡陣列4把快軸發(fā)散角e f壓縮為3.5 度，再經(jīng)過光楔陣列5進行偏轉(zhuǎn)，這個方向上柱面透鏡6相當于平行平板不起 作用，最后光束在快軸方向上在遠場多個高斯光束部分重疊重構(gòu)得到均勻照明 效果。如圖3所示的是在慢軸方向的光束整形過程，在半導體激光器線陣列3 上的第i個半導體激光器單元2的離軸距離為di，根據(jù)di不同，經(jīng)過透鏡后的光 束傳播軸線發(fā)生不同的偏轉(zhuǎn)角度，每個半導體激光器單元2的慢軸發(fā)散角根據(jù) 成像Dx-^^-F利用Dx調(diào)整進行慢軸發(fā)散角e。s的壓縮變換，這個方向上
微柱面透鏡陣列4和光楔陣列5相當于光學平行平板，對于光束整形沒有貢獻， 最后光束在慢軸方向上在遠場多個高斯光束部分重疊重構(gòu)得到均勻照明效果。 如圖4所示的是多個高斯光束部分重疊重構(gòu)獲得均勻平頂光束的示意圖。實際操作中可以利用調(diào)整Dx來控制遠場照明的均勻性和邊界特性。 實施例2:
在圖l中把半導體激光器二維陣列l(wèi)，半導體激光器單元2，半導體激光器 線陣列3，微柱面透鏡陣列5，光楔陣列6用圖5、圖6中所示的帶快軸發(fā)散角 壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列7和幾何面型基座8來代替。以800W的 808nm半導體激光器堆疊陣列(stack)組建10度x10度的照明系統(tǒng)為例，其中 幾何面形基座8可以如圖5所示的一個與快軸視場角10度等弧度的凸圓柱面或 者凹圓柱面，帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列7等間距置 于凸圓柱面或者凹圓柱面上，也可以是如圖6所示的等多角直柱面其中相鄰兩 平面的法線夾角為9w-1.43度，帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器 線陣列7分別置于等多角直柱面的各個面的中心且保持激光傳播軸線與各面法 線方向一致，使得帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列7在的 光束傳播軸在快軸方向上均分10度視場角。后放置一個柱面透鏡6，利用
^"an(^f)得到焦距F-57.1mm，再利用仏=￡ ^ -F，取壓縮后的發(fā)散
角度^為2度，則獲得柱面透鏡6與半導體激光器二維陣列1發(fā)光面的距離
Dx=42.8mm，可以獲得10度x10度的均勻照明光束。實際操作中可以利用調(diào)整
Dx來控制遠場照明的均勻性和邊界特性。該實施例少用了一組光學系統(tǒng)，增加
了透過率，而且這種平臺機械加工容易，可實現(xiàn)性強。 實施例3:
如圖7所示，是原有系統(tǒng)的集成擴展，多個具有同樣的照明視場角度的整體 照明系統(tǒng)單元9作為單元組成陣列來集成使用，以提高遠場照明系統(tǒng)的總功率 并增強均勻性。
權(quán)利要求
1. 一種半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在于包括由多個半導體激光器線陣列(3)兩端對齊等間距平行排列在一個平面上組成的半導體激光器二維陣列(1)，微柱面透鏡陣列(4)，光楔陣列(5)和柱面透鏡(6)；所述的半導體激光器二維陣列(1)、微柱面透鏡陣列(4)、光楔陣列(5)、柱面透鏡(6)沿激光傳播方向依序排列，其中微柱面透鏡陣列(4)的各個微柱面透鏡母線與半導體激光器線陣列(3)的線方向平行且一一對應對準排列，光楔陣列(5)中的單元光楔與半導體激光器線陣列(3)一一對應對準排列，柱面透鏡(6)母線與半導體激光器線陣列(3)垂直且柱面透鏡(6)光軸與半導體激光器線陣列(3)的中垂線重合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在 于所述的半導體激光器線陣列(3)，由多個半導體激光器單元(2)沿慢軸方向等 間距排列于一維線段上組成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在 于所述的光楔陣列(5)中的各個光楔偏向角的數(shù)值是一組從-到+0.5&的等差數(shù)列，其中&為快軸方向的照明視場角，公差為&除以半導體激光器線陣 列數(shù)目減去一后的商，偏向角組合順序任意。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在 于所述的半導體激光器線陣列(3)的線方向長度尺寸L、所述的柱面透鏡(6)的 有效焦距F和慢軸方向照明視場角&的關(guān)系滿足公式<formula>formula see original document page 2</formula>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在 于所述的半導體激光器線陣列(3)與所述的柱面透鏡(6)的物距Z)x滿足關(guān)系式<formula>formula see original document page 2</formula>其中"為照明均勻系數(shù)，取小于0.5的正數(shù)，F(xiàn)為所述的柱面透鏡的有效焦 距，臉為每個所述的半導體激光器線陣列中所述的半導體激光單元數(shù)目，L為 所述的半導體激光器線陣的長度尺寸，《,為所述的半導體激光單元未整形前的光束慢軸發(fā)散角。
6. —種半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在于包括由多個帶快 軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列(7)兩端對齊等間距排列在一個 幾何面形基座(8)上組成的半導體激光器二維陣列和柱面透鏡(6);所述的半導體 激光器二維陣列、柱面透鏡(6)沿激光傳播方向依序排列，其中柱面透鏡(6)母線 與帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列(7)垂直且柱面透鏡(6 ) 光軸與帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列(7)的中垂線重合。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在 于所述的帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列(7)，由多個半 導體激光器單元(2)沿慢軸方向等間距排列于一維線段上組成，所述的微柱面透 鏡的光軸始終在對應的半導體激光器線陣列的激光傳播軸線上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在 于所述的幾何面形基座(8)是一個與快軸視場角&等弧度的凸圓柱面或者凹圓 柱面，所述的帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列(7)等間距置 于凸圓柱面或者凹圓柱面上且保持激光傳播軸線與圓柱面徑向一致；所述的幾 何面形基座(8)或是一個與照明視場快軸視場角&等弧度的凸圓柱面或者凹圓柱 面被帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線陣列(7)總數(shù)目等分后切去 弧面的等多角直柱面，所述的帶快軸發(fā)散角壓縮微柱面透鏡的半導體激光器線 陣列(7)分別置于等多角直柱面的各個面的中心且保持激光傳播軸線與各面法線 方向一致。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在 于所述的半導體激光器線陣列的線方向長度尺寸L、所述的柱面透鏡(6)的有 效焦距F和慢軸方向照明視場角&的關(guān)系滿足公式<formula>formula see original document page 3</formula>
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)，其特征在 于所述的半導體激光器線陣列與所述的柱面透鏡(6)的物距D;c滿足下面的關(guān)系 式<formula>formula see original document page 4</formula> 其中"為照明均勻系數(shù)，取小于0.5的正數(shù)，F(xiàn)為所述的柱面透鏡的有效焦 距，臉為每個所述的半導體激光器線陣列中所述的半導體激光單元數(shù)目，L為 所述的半導體激光器線陣的長度尺寸，&為所述的半導體激光單元未整形前的 光束慢軸發(fā)散角。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導體激光器陣列光束整形照明系統(tǒng)。包括半導體激光器陣列，對快軸光束發(fā)散角進行變換的光學系統(tǒng)，在快軸方向上對光束進行角度偏轉(zhuǎn)的裝置和對慢軸發(fā)散角進行變換且在慢軸方向上對光束進行偏轉(zhuǎn)的光學系統(tǒng)。其要點是通過控制各個激光單元的光束傳播軸線分別在快軸和慢軸方向上的偏轉(zhuǎn)程度，在遠場形成一種多個激光單元的高斯光束部分重合疊加的效果，從而構(gòu)造符合視場要求的照明光束。本發(fā)明具有效率高、結(jié)構(gòu)簡單、成本低、可集成實用的特點，特別適用于作為面陣成像激光雷達和激光主動照明探測系統(tǒng)的照明光源。
文檔編號F21K99/00GK101545582SQ200910098179
公開日2009年9月30日 申請日期2009年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月5日
發(fā)明者嚴惠民, 姜燕冰, 張秀達 申請人:浙江大學