專利名稱：：保護層、其制備方法及包括該保護層的等離子體顯示板的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及保護層，其制備方法及包括該保護層的等離子體顯示板(PDP)。更具體地，本發(fā)明涉及包括氧化鎂層和電子發(fā)射促進材料的保護層、其制備方法及包括該保護層的PDP。
背景技術：
：等離子體顯示板(PDP)是自發(fā)射裝置，其能容易地制造為大顯示器，且具有良好的顯示質(zhì)量和快的響應速度。具體地，因為它們?nèi)绱吮?，PDP作為壁掛顯示器受到了大量關注，像液晶顯示器(LCDs)—樣。PDP包括維持電極和設置在第一基板的下表面上的掃描電極。維持電極和掃描電極的每個包含一對透明電極和匯流電極(buselectrode)。維持電極和掃描電極被第一電介質(zhì)層覆蓋。第一電介質(zhì)層被保護層覆蓋以防止由于直接暴露電介質(zhì)層到放電空間引起的放電和壽命特征的降低。尋址電極形成在第二基板的上表面上且第二電介質(zhì)層覆蓋尋址電極。第一基板由預定空間與第二基板分離，阻擋肋的插置在第一基板和第二基板之間。磷光層設置在第一基板和第二基板之間界定的空間，該空間在預定壓力下，例如450托，充滿紫外(UV)發(fā)射Ne+Xe混合氣體或者He+Ne+Xe混合氣體。Xe氣用以發(fā)射真空UV(VUV)(Xe離子在147nm發(fā)射共振放射(resonanceradiation)且Xe用以在約173nrn發(fā)射共振》丈射)。Ne氣用以為穩(wěn)定性降低放電初始電壓。He氣增加Xe氣的流動性以提升在約173nm發(fā)射共振放射。PDP的保護層大體執(zhí)行以下三個功能。第一，保護層具有保護電極和電介質(zhì)層的功能。僅通過電極或者通過電極和電介質(zhì)層能產(chǎn)生放電。然而，僅通過電極來控制放電電流是困難的。另外，只有電極和電介質(zhì)層具有濺射刻蝕的問題。因此，電介質(zhì)層必須涂敷具有對等離子體離子有抵抗力的保護層以保護電極和電介質(zhì)層。第二，保護層具有P爭低放電初始電壓的功能。與放電初始電壓直接相關的物理量是保護層關于等離子體離子的二次電子發(fā)射系數(shù)。隨著從保護層發(fā)射的二次電子的量增加，放電初始電壓減小。在此，優(yōu)選的是采用具有高的二次電子發(fā)射系數(shù)的材料形成保護層。第三，保護層還具有縮短放電延遲時間的功能。放電延遲時間是描述在施加電壓后的預訂時間發(fā)生放電的現(xiàn)象的物理量。放電延遲時間被表達為形成延遲時間(Tf)和統(tǒng)計延遲時間(Ts)之和。形成延遲時間指示施加電壓和放電電流之間的時間差異，統(tǒng)計延遲時間指示形成延遲時間的統(tǒng)計分布。放電延遲時間的減小使高速尋址可能執(zhí)行單次掃描，降低掃描驅(qū)動的成本。另外，減小放電延遲時間能增加子域的數(shù)量并能提高亮度和顯示質(zhì)量。如在韓國專利公開No.2005-0073531中公開的，傳統(tǒng)PDP保護層一般通過在基板上沉積單晶MgO或多晶MgO形成。然而，傳統(tǒng)的PDP保護層在降低驅(qū)動電壓和功耗方面并不令人滿意。另外，使用傳統(tǒng)的PDP保護層不能提供足夠的降低^:電延遲時間的效果。因此，亟待進一步的改善以實現(xiàn)高清晰度(HD)PDP的單次掃描。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種改善的保護層，其制備方法和包括該保護層的等離子體顯示板。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于氣體放電顯示裝置的保護層，包括氧化鎂層和形成在該氧化鎂層上的電子發(fā)射促進材料。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種用于氣體放電顯示器的保護層的制備方法，該方法包括在基板上形成MgO層，并在該MgO層上形成電子發(fā)射促進材料。電子發(fā)射促進材料的形成可包括在氧化鎂層上圖案化電子發(fā)射促進材料?？蛇x擇地，電子發(fā)射促進材料的形成可包括噴射包含電子發(fā)射促進材料顆粒的溶劑到氧化鎂層表面上，并熱處理形成在氧化鎂層上的噴射的電子發(fā)射促進材料顆粒。子損壞，從而改善PDP的可靠性。通過結(jié)合附圖參照以下詳細描述，本發(fā)明更全面的評價及許多伴隨優(yōu)點將變得更好理解進而將會容易明晰，在附圖中相似的附圖標記表示相同的或相似的部件，附圖中圖l是示意垂直截面圖，圖解等離子體顯示板(PDP)的一個像素的實例，其中第一基板旋轉(zhuǎn)90度角；圖2和3圖解根據(jù)本發(fā)明的實施例的保護層；圖4是圖解俄歇中和理論描述通過氣體離子自固體表面的電子發(fā)射的圖5是圖解使用根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層的PDP的圖，該保護層包括氧化鎂層和電子發(fā)射促進材料；圖6和7是圖表，圖解使用傳統(tǒng)MgO保護層的單元和使用根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層的單元的放電初始電壓和二次電子發(fā)射系數(shù)；以及圖8是使用根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層和使用傳統(tǒng)MgO保護層的PDP的》文電延遲時間的圖表。具體實施例方式圖1顯示PDP中幾十萬像素(pixel)中的一個像素。參照圖1，維持電極(sustainelectrodes)15，其每個包括一對透明電極15a和匯流電極(buselectrode)15b;及掃描電極15，，其每個包括形成在第一基板14的下表面上的一對透明電極15a，和匯流電極15b，。維持電極15和掃描電極(scanelectrode)15，被第一電介質(zhì)層(dielectriclayer)16;f隻蓋。第一電介質(zhì)層16被保護層17覆蓋以防止由于電介質(zhì)層16直接暴露到放電空間引起的放電和壽命特征的降低。尋址電極(addresselectrode)11形成在第二基板10的上表面上，且第二電介質(zhì)層12覆蓋尋址電極11。第一基板14通過預定空間與第二基板10分離，阻擋肋19插置在第一基板14和第二基板10之間。磷光層13設置在第一基板14和第二基板10之間界定的空間，且該空間在預定壓力下，例如450托，充滿紫外(UV)發(fā)射Ne+Xe混合氣體或者He+Ne+Xe混合氣體。Xe氣用以發(fā)射真空UV(VUV)(Xe離子在147nm發(fā)射共振放射且Xe用以在約173nm發(fā)射共振放射)。Ne氣用以為穩(wěn)定性降低放電初始電壓。He氣增加Xe氣的流動性以提升在約173nm的共振放射發(fā)射?，F(xiàn)參考附圖描述本發(fā)明的示范性實施例。根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層是包含氧化鎂(MgO)層和電子發(fā)射促進材料的保護層。優(yōu)選地，電子發(fā)射促進材料存在于氧化鎂層頂上。更優(yōu)選地，電子發(fā)射促進材料形成在一部分的氧化鎂層表面上。即，電子發(fā)射促進材料部分覆蓋MgO層。這是因為，如果電子發(fā)射促進材料存在于MgO層的整個表面上，在等離子體顯示板(PDP)的工作期間MgO層可能不能適當?shù)陌l(fā)揮其功能。更具體地，電子發(fā)射促進材料可在MgO層的頂上被圖案化，如圖2所示。圖2顯示基板30、MgO層33及圖案化的電子發(fā)射促進材料36?；?0是具有即將形成MgO層33的區(qū)域的支撐體，且其實例包括，但不局限于，PDP的電介質(zhì)層。圖案化的電子發(fā)射促進材料36可具有，例如，條形圖案或點圖案，以暴露至少部分MgO層33，如圖2所示。電子發(fā)射促進材料可被貼附到MgO層的表面，如圖3所示。圖3顯示基板30、MgO層33及電子發(fā)射促進材料37。參照圖3，電子發(fā)射促進材料37的顆粒被貼附到部分的MgO層33的頂表面，例如，通過噴射和熱處理，從而暴露至少部分的MgO層33。根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層中，MgO層通過采用單晶MgO微球或多晶MgO微球制得。MgO層可被改性。例如，可以是摻雜有除MgO之外材料的氧化鎂，例如，摻雜有稀土元素、堿土金屬或其他各種材料。因此，在說明書和權利要求中，術語"MgO層"或"氧化鎂層"并不局限于僅由MgO形成的層，并包括改性的MgO層。根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層中，電子發(fā)射促進材料的電子親和勢可從約-leV到小于leV范圍，優(yōu)選從-leV到0.8eV,更優(yōu)選從-0.25eV到0.25eV。根據(jù)本發(fā)明一實施例的具有前述范圍電子親合勢的保護層通過放電氣體能有效地發(fā)射電子，其可基于俄歇中和理論(Augerneutralizationtheory)來解釋，盡管不局限于某一特定理論。圖4是圖解俄歇中和理論描述通過氣體離子自固體表面發(fā)射電子的圖。根據(jù)俄歇中和理論，當氣體離子與固體碰撞，電子從固體移動到氣體離子以形成中性氣體，使固體中產(chǎn)生空穴。該關系可由等式l表示Ek=E！-2(Eg+X)[等式1]其中Ek表示當電子從與氣體離子碰撞的固體發(fā)射時產(chǎn)生的能量，E!表示氣體的電離能(ionizationenergy)，Eg表示固體的帶隙能(bandgapenergy)，且X表示固體的電子親合勢。俄歇中和理論和等式1可被應用于放電氣體和PDP中的保護層。如果提供電壓到PDP的像素，由宇宙射線或紫外線產(chǎn)生的種子電子(seedelectrons)與放電氣體碰撞以產(chǎn)生放電氣體離子，放電氣體離子與保護層碰撞，從而通過前述機制從形成保護層的材料發(fā)射二次電子。下文說明的表1表示作為放電氣體使用的情性氣體的共振發(fā)射波長和電離電壓，即，放電氣體的電離能。當保護層由MgO構成時，MgO的帶隙能作為等式1中的固體帶隙能Eg為7.7eV，電子親和勢x為MgO的電子親合勢1.0。為提高PDP中磷光材料的光轉(zhuǎn)換效率，Xe氣是合適的，因為其發(fā)射具有最長波長的真空紫外線。然而，因為Xe氣的電離電壓，即，電離能Ej為12.13eV，當電離能應用到等式l,其中電子從由MgO組成的保護層發(fā)射的能量Ek小于零(O),即，Ek<0，使得放電電壓被相對大大提高。因此，具有高電離電壓的氣體可用以降低放電電壓。等式1中，因為在He的情況下，Ek為8.19eV，在Ne的情況下，Ek為5.17eV,所以，為降^f氐》丈電初始電壓優(yōu)選用He或Ne。然而，在PDP放電中采用He氣時，由于大量的He動量(momentum),引起嚴重的等離子體刻蝕保護層。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>因為根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層包括具有〗氐電子親和勢的電子發(fā)射促進材料，如上所述，當從保護層向真空發(fā)射電子時，能量Ek可增加且放電電壓可減小，從而獲得具有低的驅(qū)動電壓和減小的功耗的PDP。根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層中，電子發(fā)射促進材料可具有在0eV到3.5eV范圍內(nèi)的功函數(shù)，優(yōu)選在2.0eV到3.0eV范圍內(nèi)。保護層包括氧化鎂層和具有以上列出的范圍中的功函數(shù)的電子發(fā)射促進材料，該保護層能加速二次電子發(fā)射，其也可用俄歇中和理論來解釋。根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層中，電子發(fā)射促進材料具有從約1。到約179。范圍的P因子，優(yōu)選從約30°到約90°。P因子是指示任意材料的幾何學的曲率(curvature)或銳利(sharpness)程度的符號。當4壬意材料的幾何形狀是合適的圓錐角時，P因子可由180°-6的表達來代表，其中，e是形成圓錐截體(frustum)頂點的內(nèi)角。因此，(3因子越大,材料幾何構型(geometry)越尖越長使得材料呈針狀?；陔娮訄霭l(fā)射機制，電子發(fā)射在具有以上所述的P因子的電子發(fā)射促進材料的尖端被促進。因此，包括具有在以上列出范圍內(nèi)的|3因子的電子發(fā)射促進材料的保護層表現(xiàn)出二次電子的加速發(fā)射，其引起了放電電壓的減小，從而實現(xiàn)具有低的驅(qū)動電壓和減小的功耗的PDP。根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層中，電子發(fā)射促進材料可以是形成光電陰極的材料。光電陰極形成材料是可把光能轉(zhuǎn)換成電能的材料。換句話說，在PDP運行期間，光電陰極形成材料，基于光電子發(fā)射機制，可利用在PDP運行期間通過放電氣體產(chǎn)生的真空紫外線(VUV)、UV輻射以及從磷光層產(chǎn)生的可見光發(fā)射光電子。因此，包括作為電子發(fā)射促進材料的光電陰極形成材料的保護層可加速二次電子發(fā)射，由此獲得具有低驅(qū)動電壓和減小功耗的PDP。另外或可選擇地，根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層中，電子發(fā)射促進材料可以是能捕獲電子的材料或者是具有結(jié)構缺陷的材料。在這種材料的情況中，當PDP被驅(qū)動，額外的電子可填充電子捕獲位或可填充缺陷。重復這個步驟的結(jié)果是，實現(xiàn)累積的電子和空穴之間的反應、產(chǎn)生能量并從材料中發(fā)射額外的電子。這被稱作外逸電子(exo-electron)發(fā)射機制。總之，當電子在特定的電子捕獲位或缺陷持續(xù)累積時，通過在放電時間的預定周期后累積的電子的中和過程電子被額外發(fā)射。因此，包括作為電子發(fā)射促進材料的材料的保護層能夠加速二次電子的發(fā)射，該材料能夠捕荻電子或者具有缺陷，由此獲得具有低驅(qū)動電壓和減小功耗的PDP。如上所述，根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層中，電子發(fā)射促進材料可以是具有低的電子親合勢、低的功函數(shù)和/或高的(3因子的材料，光電陰極形成材料，或者能捕獲電子的材料或有缺陷的材并牛。滿足這些要求的至少之一的電子發(fā)射促進材料的無限制實例包括含C-H鍵的金剛石、B摻雜的金剛石、N摻雜的金剛石、類金剛石碳(DLC)、LiF、GaAs:Cs-O、GaN:Cs-O、AlN:Cs-O、Csl、GaP(Cs)、Cs20或這些材料兩者或更多者的組合。更具體地，具有低電子親和勢和低功函數(shù)的材料的無限制實例包括舍C-H鍵的金剛石、B摻雜的金剛石、N摻雜的金剛石、類金剛石碳(DLC)、BN、A1N等等。具有高P因子的材料的無限制實例包括碳納米管(CNT)、ZnO納米線等等。光電陰極形成材料的無限制實例包括LiF、GaAs:Cs-O、GaN:Cs-O、AlN:Cs-O等等。具有缺陷的材料的無限制實例包括含有Mg缺陷或氧缺陷的MgO。例如，假定含C-H鍵的金剛石具有約5.5eV的帶隙能和約-1.0eV的電子親合勢。此外根據(jù)等式1,含C-H鍵的金剛石的Ek非常高，即，約3eV當采用Xe作為放電氣體時。換句話說，當根據(jù)本發(fā)明一實施例使用包含含C-H鍵的金剛石的保護層時，二次電子發(fā)射效應被顯著改善。另外，包含作為光電陰極形成材料的Csl，GaP(Cs)和Cs20的保護層，基于光電子發(fā)射機制能增加二次電子的發(fā)射。由此能改善電子發(fā)射效應。根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層中，電子發(fā)射促進材料具有從約50nm到約2jam范圍，優(yōu)選從約100nm到約1iam范圍的平均直徑。如果電子發(fā)射促進材料的平均直徑降到低于以上列出的范圍，可避免電子發(fā)射促進材料的團聚，該團聚可導致變異。電子發(fā)射促進材料可存在從而覆蓋10%到75%,優(yōu)選25%到50%的MgO層的表面區(qū)域(電子發(fā)射促進材料被圖案化或是被局部貼附到MgO層的表面的兩種情況)。如果電子發(fā)射促進材料在以上列出的范圍內(nèi)覆蓋MgO層的表面，僅有少量的壁電荷(wallcharges)在MgO層的頂上積聚，由此消除持續(xù)放電(sustaindischarge)發(fā)生的障礙(impediment)。根據(jù)本發(fā)明實施例的保護層可用各種方式制備。以下描述制備保護層的示范性方法。首先，在基板上形成MgO層。MgO層形成在其上的基板可根據(jù)PDP的結(jié)構而變化。然而，PDP中使用的電介質(zhì)層通常用作用于保護層的基板，這里，可采用一般的薄膜形成技術，例如，電子束(E-beam)沉積、等離子體蒸發(fā)、濺射、化學氣相沉積(CVD)等等。為了形成MgO層，可采用單晶的MgO微球或多晶的MgO微J求。另夕卜，在形成MgO層時可作出各種改性(modification)。例如，諸如稀土元素或堿土金屬的各種雜質(zhì)可額外加入到MgO纟鼓球。其次，電子發(fā)射促進材料在MgO層的表面上被圖案化。電子發(fā)射促進材料可通過例如任意一個本領域一般技術人員大體都知道的光刻而被圖案化。即，光致抗蝕劑膜形成在MgO層的頂部上，并在其上采用例如電子束沉積、等離子體蒸發(fā)、濺射、化學氣相沉積(CVD)的一般薄膜形成技術或例如絲網(wǎng)印刷、溶膠凝月交涂敷、旋涂(spincoating)、浸漬或噴射的一般厚膜形成技術施加電子發(fā)射促進材料。接著移除光致抗蝕劑膜，從而形成電子發(fā)射促進材料的預定的圖案(例如條形圖案、點狀圖案或類似的)。電子發(fā)射促進材料的具體描述上文已給出?？蛇x擇地，在形成MgO層后，制備包含電子發(fā)射促進材料和溶劑的混合物，然后施加到MgO層表面，接著熱處理，從而將電子發(fā)射促進材料貼附到一部分的MgO層表面。這里，混合物通過，例如，噴射可#:施加到MgO層表面。在包含電子發(fā)射促進材料和溶劑的混合物中，溶劑可以是乙醇或異丙醇。在根據(jù)所用溶劑的沸點和揮發(fā)性以及所用電子發(fā)射促進材料的種類而變化的溫度下，優(yōu)選從約80。C到35(TC的范圍，可執(zhí)行熱處理。如果熱處理溫度降到所列溫度范圍以下，溶劑可有效地揮發(fā)并可防止MgO層的損壞。根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層可以有優(yōu)勢地被用于氣體放電顯示裝置，特別是用于PDP。圖5顯示采用根據(jù)本發(fā)明一實施例的保護層的PDP。參照圖5，第一面板210包括第一基板211;形成在第一電極211的后表面211a上的顯示電極214，每個顯示電極214包括Y電極(掃描電極)212和X電極213(維持電極)；覆蓋顯示電極214的第一電介質(zhì)層215;以及保護層216，其覆蓋第一電介質(zhì)層215并包含電子發(fā)射促進材料。根據(jù)本發(fā)明一實施例的PDP可具有卓越的放電特性，并因此，適合于執(zhí)行單次掃描和為實現(xiàn)高亮度所需的Xe量的增加。保護層216的具體描述上文已給出。Y電極212和X電極213分別包括例如由銦錫氧化物(IT0)等組成的透明電極212b和213b以及例如由具有良好導電性的金屬組成的匯流電極212a和213a。第二面板220包含第二基板221;尋址電極222，形成在第二基板221的前表面221a上以與顯示電極對214交叉；第二電介質(zhì)層223,覆蓋尋址電極222;阻擋肋224，形成在第二電介質(zhì)層223上以分隔放電單元226;以及磷光層225，設置在放電單元中。放電單元中的放電氣體可以是Ne與從Xe、N2和Kr中選出的一種或更多種的混合氣體，或者是Ne與Xe、He、N2和Kr中的兩種或更多種的混合氣體。才艮據(jù)本實施例的保護層可在例如Ne+Xe的混合氣體下^f吏用，混合氣體包含Xe為了增加亮度。4艮據(jù)本實施例的保護層即使在Ne+Xe+He的混合氣體中也表現(xiàn)出良好的賊射抵抗性，混合氣體包含He氣以補償放電電壓的增加從而防止PDP壽命的減小。本實施例提供一種保護層，其能降低由于Xe含量增加引起的放電電壓的增加并且能滿足執(zhí)行單次掃描所需要的放電延遲時間。下文，參照以下實例更具體地描述本實施例。實例實例1具有(()8mm的Ag電極、連接墊、以及30)im厚富PbO的Si02電介質(zhì)層順序形成在3mm厚玻璃板上的放電單元基板被制備。0.7fim厚的MgO層由電子束蒸發(fā)形成，覆蓋在放電單元基板的頂上的電介質(zhì)層。在蒸發(fā)期間，基板溫度為250。C且蒸發(fā)壓經(jīng)由氣流控制器(gasflowcontroller)提供氧氣和氬氣而被控制在6xl(T4托。然后，1g含C-H鍵的金剛石顆粒被加到15ml乙醇中并攪拌以產(chǎn)生混合物。生成的混合物被噴射到MgO層的表面。其后，生成的產(chǎn)物在約150。C的溫度被熱處理，且含C-H鍵的金剛石顆粒被貼附到一部分的MgO保護層表面。制備兩個放電單元基板并使其彼此相反面對(faceopposite)并在其間插有120|im的厚石英隔離體濾網(wǎng)(quartzspacersieve)。生成的結(jié)構祐:放入高真空腔、充分脫水并由氬氣清洗以移除腔的內(nèi)部濕氣。然后，90%Ne+10%Xe的放電氣體被注入該結(jié)構以制備放電單元用于放電評《介(dischargeevaluation),其設定為"樣本1"。對比實例1以實例1中同樣的方式制備放電單元(樣本A)，除了含C-H4泉的金剛石顆粒未纟皮貼附到一部分的MgO保護層表面。實例2由銅構成的匯流電極通過光刻工藝形成在2mm厚的玻璃基板上。匯流電極被涂敷有PbO玻璃以形成20iam厚的第一電介質(zhì)層。然后，MgO層以實例1中同樣的方式形成在第一電介質(zhì)層上。接著，含C-H鍵的金剛石顆粒以實例1中同樣的方式被貼附到一部分的MgO層表面，從而制備第一基板。使預制的第一基板和第二基板彼此面對以界定單元，第一基板和第二基板之間距離約130|am。單元充滿Ne(90%)+Xe(10%)的混合氣體作為放電氣體從而制造42英寸SD級V4PDP,其設定為"樣本2"。對比實例2以實例2中同樣的方式制備放電單元(樣本B)，除了含C-H鍵的金剛石顆粒未纟皮貼附到一部分的MgO層表面。評價實例1-樣本1和A中放電初始電壓的評^f介樣本1和A中初始放電電壓被評價且結(jié)果顯示在圖6中。為評價初始放電電壓，采用Tektronix示波器、Trek放大器、NF函數(shù)發(fā)生器(fimctiongenerator)、高真空腔、Peltieri殳備(Peltierdevice)、I畫V電源以及電感電容電阻測定計(LCRmeter)。首先，樣本A連4妄到NF函數(shù)發(fā)生器和電感電容電阻測定計，然后通過釆用2KHz正弦波(sinuouswave)測量初始放電電壓。同樣的程序也應用到樣本1。結(jié)果顯示在圖6中。參照圖6,根據(jù)實例1的樣本1具有比根據(jù)對比實例1的樣本A低的初始放電電壓。評價實例2-樣本1和A中二次電子發(fā)射系數(shù)的評l介。樣本1和A的二次電子發(fā)射系數(shù)y被評價且結(jié)果顯示在圖7中。通過采用RF-等離子體裝置測量二次電子發(fā)射系凄t。更具體地，樣本A的保護層暴露到RF等離子體，然后負電壓(-100V)施加到保護層。通過保護層的表面充電和二次電子發(fā)射所產(chǎn)生的電流被測量并處理成數(shù)學值以獲得二次電子發(fā)射系數(shù)Y。相同的程序應用到樣本1。如圖7證實的，根據(jù)實例1的樣本1的二次電子發(fā)射系數(shù)高于根據(jù)對比實例1的樣本A的二次電子發(fā)射系數(shù)。評價實例3-樣本2和B中放電延遲時間評價樣本2和B的放電延遲時間(單位ns)在不同溫度下凈皮評價且結(jié)果顯示在圖8中。如圖8所示，根據(jù)實例2的樣本2對比根據(jù)對比實例2的樣本B具有較短的放電延遲時間。因此，可以看到根據(jù)實例2的樣本2，具有相對短的放電延遲時間，其適合于執(zhí)行單次掃描和Xe含量的增加。如上所述，本發(fā)明提供一種包括氧化鎂層和電子發(fā)射促進材料的保護層，其具有卓越的二次電子發(fā)射特性。采用根據(jù)本發(fā)明的保護層的PDP可降低放電電壓并降低功耗。雖然參考其示范性實施例具體顯示和描述了本發(fā)明，然而本領域的一般技術人員可以理解在不脫離由權利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以作出形式和細節(jié)上的不同變化。本申請要求于2007年9月3日向韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請No.10-2007-0089144的權益，在此以參考方式并入其全部內(nèi)容。權利要求1、一種用于氣體放電顯示裝置的保護層，包括:氧化鎂層；以及形成在所述氧化鎂層的表面上的電子發(fā)射促進材料。2、如權利要求1所述的保護層，其中所述氧化鎂層包括摻雜有不同于氧化4美的材料的氧化4美。3、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料在所述氧化鎂層上被圖案化。4、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料被貼附到所述氧化鎂層的表面的一部分。5、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料是噴射到所述氧化鎂層的表面上的電子發(fā)射促進材料顆粒。6、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料具有從-leV到小于leV范圍的電子親和勢。7、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料具有從OeV到3.5eV范圍的功函數(shù)。8、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料具有從1°到179。范圍的P因子。9、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料是光電陰極材料。10、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料是能夠捕獲電子的材料或者具有結(jié)構缺陷的材料。11、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料是選自由含C-H鍵的金剛石、B摻雜的金剛石、N摻雜的金剛石、類金剛石碳、LiF、GaAs:Cs-O、GaN:Cs-O、AlN:Cs-O、Csl、GaP(Cs)、Cs20以及這些材料中的兩種或更多種的組合構成的組的至少一種。12、如權利要求1所述的保護層，其中所述電子發(fā)射促進材料具有從50nm到2inm范圍的平均直徑。13、一種包括權利要求1所述的保護層的等離子體顯示板。14、一種用于氣體放電顯示裝置的保護層的制備方法，包括利用權利要求1所述的保護層。15、一種等離子體顯示板，包括第一基板；設置成與所述第一基板平行的第二基板；在所述第一基板和第二基板之間形成以界定發(fā)射單元的阻擋肋；在一個方向延伸并被第一電介質(zhì)層覆蓋的顯示電極；設置在所述第一電介質(zhì)層上的保護層，所述保護層包括氧化鎂層以及定位在所述氧化鎂層的表面的一部分上的電子發(fā)射促進材料；尋址電極，其沿著所述發(fā)射單元延伸，設置為與維持電極交叉并被第二電介質(zhì)層覆蓋；涂敷到所述阻擋肋內(nèi)壁上的磷光層；以及填充所述發(fā)射單元的放電氣體。16、一種用于氣體放電顯示裝置的保護層的制備方法，所述方法包括在基板上形成氧化鎂層；以及在所述氧化鎂層上形成電子發(fā)射促進材料。17、如權利要求16所述的方法，其中所述電子發(fā)射促進材料的形成包括在所述氧化鎂層上將所述電子發(fā)射促進材料圖案化。18、如權利要求17所述的方法，其中所述電子發(fā)射促進材料的圖案化包括在所述氧化鎂層上形成圖案化的光致抗蝕劑膜、在所述光致抗蝕劑膜上施加所述電子發(fā)射促進材料以及移除所述光致抗蝕劑膜以獲得圖案化的電子發(fā)射促進材^K19、如權利要求17所述的方法，其中所述電子發(fā)射促進材料的形成包括噴射包含所述電子發(fā)射促進材料的顆粒的溶劑到所述氧化4美層表面上，以及熱處理形成在所述氧化鎂層上的所述電子發(fā)射促進材料的噴射的顆粒。20、如權利要求18所述的方法，其中所述溶劑是乙醇或者異丙醇，并且在從80。C到35(TC的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行所述熱處理。全文摘要本發(fā)明提供了一種保護層及其制造方法和包括這種保護層的等離子體顯示板。保護層由氧化鎂層和形成在氧化鎂層上的電子發(fā)射促進材料組成。電子發(fā)射促進材料可在氧化鎂層上被圖案化，或者可被噴射和熱處理到氧化鎂層的表面上。保護層表現(xiàn)出卓越的電子發(fā)射特性而基本不受等離子體的損壞，從而改善了PDP的可靠性。文檔編號H01J11/22GK101383255SQ20081021487公開日2009年3月11日申請日期2008年9月3日優(yōu)先權日2007年9月3日發(fā)明者姜東賢,尤里·馬圖萊維科,崔鐘書,徐淳星,李玟錫,秋希伶,金哉赫,金奭基申請人:三星Sdi株式會社