專利名稱：：保護(hù)層及其制備方法和含該保護(hù)層的等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板的保護(hù)層，制備該保護(hù)層的方法，和包括該保護(hù)層的等離子體顯示面板，并且更具體地，涉及一種包含含鎂氧化物層的保護(hù)層，該保護(hù)層含有使具有鎂空位雜質(zhì)中心(VIC)的含鎂氧化物顆粒附著到其上的表面，一種制備該保護(hù)層的方法，及包含該保護(hù)層的等離子體顯示面板(PDP)。在其表面具有鎂氧化物顆粒的該保護(hù)層幾乎不被等離子體的離子損傷且具有極好的電子發(fā)射性能，并因此包含該保護(hù)層的PDP具有高穩(wěn)定性。
背景技術(shù)：
：等離子體顯示面板(PDP)是易于被制成大尺寸、且具有良好的顯示性能和快速響應(yīng)時(shí)間的自發(fā)射器件。PDP也可以制成薄的，類似于LCD,并因而適合用于墻壁顯示器。圖1是PDP像素部分的垂直截面圖。參照圖1，維持電極(sustainelectrode)15形成于前基板14的內(nèi)表面上，其中每個(gè)維持電極15均包含透明電極15a和由金屬制成的匯流電極(buselectrode)15b。第一電介質(zhì)層16形成于維持電極15上。當(dāng)?shù)谝浑娊橘|(zhì)層16直接暴露于放電空間時(shí)，放電性能將會(huì)退化并且持續(xù)時(shí)間(lifetime)將會(huì)減小。因此，保護(hù)層17在第一電介質(zhì)層16上形成。同時(shí)，尋址電極(addresselectrode)11在第二基板10上形成，且尋址電極11被第二電介質(zhì)層12覆蓋。第一基板14和第二基板IO彼此面對，且彼此分隔開預(yù)定距離。隔墊肋(barrierrib)19插設(shè)在第一基板14和第二基板10之間限定放電單元。磷光體層13在放電單元中形成。產(chǎn)生紫外線的氣態(tài)混合物被填充到放電單元中。氣態(tài)混合物可以是Ne和Xe的混合物，或是在預(yù)定壓力例如450Torr下的He、Ne和Xe的氣體混合物，其中Xe產(chǎn)生真空紫外線(VUV)(Xe離子147nm的原子射線；以及Xe2:173nm的分子射線)，Ne降低并穩(wěn)定初始放電電壓，He增加Xe的遷移率并增加173nm的Xe分子射線的發(fā)射。通常，PDP的保護(hù)層執(zhí)行以下三種功能。首先，保護(hù)層保護(hù)電極和電介質(zhì)層。即使當(dāng)僅使用電極或電介質(zhì)層和電極時(shí)也會(huì)發(fā)生放電。當(dāng)僅使用電極時(shí)，可能難以控制放電電流。當(dāng)僅使用電介質(zhì)層和電極時(shí)，可能會(huì)發(fā)生由于濺射而對電介質(zhì)層的破壞。因此電介質(zhì)層必須用抗等離子體離子的保護(hù)層涂覆。其次，保護(hù)層降低初始放電電壓。初始放電電壓與組成抗等離子體離子的保護(hù)層的材料的二次電子發(fā)射系數(shù)直接相關(guān)。當(dāng)更多的二次電子從保護(hù)層發(fā)出時(shí)，初始放電電壓降低。在這點(diǎn)上，優(yōu)選是使用具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料制備保護(hù)層。最后，保護(hù)層減少放電延遲時(shí)間。放電延遲時(shí)間表示在施加電壓后需要用于啟始i文電所需的時(shí)間。；改電延遲時(shí)間是生成延遲時(shí)間(formationdelaytime)Tf和統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間(statisticdelaytime)Ts之和。生成延遲時(shí)間Tf是施加電壓的時(shí)間和產(chǎn)生放電電流的時(shí)間之間的時(shí)間間隔，統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間Ts是生成延遲時(shí)間的統(tǒng)計(jì)分布。放電延遲時(shí)間Tf越短，對于單一掃描方法來說尋址完成的越快。此外，更短的放電延遲時(shí)間Tf可以減少掃描驅(qū)動(dòng)成本，增加子場(subfield)的數(shù)目，提高亮度和圖像品質(zhì)。PDP的傳統(tǒng)保護(hù)層可以通過在基板上沉積單晶鎂氧化物或是多晶鎂氧化物來形成(參考KR2005-0073531)。然而，含有這種傳統(tǒng)保護(hù)層的PDP具有高的工作電壓、高的功率消耗，和長的放電延遲時(shí)間，并因而傳統(tǒng)的保護(hù)層對于使用單一掃描方法的HDPDP是不合適的。因此，需要開發(fā)擁有改進(jìn)特性的保護(hù)層。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種可以有效地防止由等離子體離子引起的損害且具有極好地電子發(fā)射效應(yīng)的保護(hù)層，制備該保護(hù)層的方法，以及包含該保護(hù)層的等離子體顯示面板(PDP)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了用于PDP的保護(hù)層，保護(hù)層包含含4美氧化物層，以及在含鎂氧化物層上形成的含鎂氧化物顆粒。含鎂氧化物顆粒具有鎂空位雜質(zhì)中心(VIC)。含鎂氧化物顆粒的陰極射線發(fā)光(cathodoluminescence)(CL)發(fā)光光譜(emissionspectrum)可具有來自VIC的在3.1eV到6eV范圍內(nèi)的峰。含鎂氧化物顆粒的陰極射線(CL)發(fā)光發(fā)射譜可具有來自空位雜質(zhì)中心的在3.1eV到4.2eV范圍內(nèi)的峰。含鎂氧化物顆粒的陰極射線(CL)發(fā)光發(fā)射譜可具有來自空位雜質(zhì)中心的在3.35eV到3.87eV范圍內(nèi)的峰。含^t美氧化物層可以額外包含稀土元素。含鎂氧化物層可以額外包含Al、Ca或Si。含鎂氧化物顆?？梢灶~外包含稀土元素。含鎂氧化物顆?？梢灶~外包含Al，Ca或Si。含鎂氧化物顆?？梢灶~外包含鈧(Sc)。才艮據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供了用于PDP的保護(hù)層的形成方法，該方法包含在基板上形成含鎂氧化物層，制備含鎂氧化物顆粒，且將含4美氧化物顆粒附著到含^:氧化物層的表面。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種PDP，其包括在其表面具有鎂氧化物顆粒的保護(hù)層。在其表面具有鎂氧化物顆粒的保護(hù)層基本不被等離子體例子損傷且具有良好的電子發(fā)射效應(yīng)。因此，包含該保護(hù)層的PDP具有高可靠性。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過參考下列詳細(xì)描述，將更容易理解本發(fā)明，進(jìn)而本發(fā)明的更完整理解以及其隨之而來的優(yōu)點(diǎn)將更加顯而易見，其中在附圖中相似的參考標(biāo)記表示相同或相似的組件，其中圖l是等離子體顯示面板(PDP)的像素的垂直橫截面視圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的單晶鎂氧化物顆粒的陰極射線發(fā)光(CL)發(fā)射譜；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的多晶鎂氧化物顆粒的CL發(fā)射譜；圖4示出了含Sc的多晶鎂氧化物顆粒的CL發(fā)射譜；圖5是示出根據(jù)俄歇中和法則氣態(tài)離子從固體中發(fā)射電子的示意圖；圖6和圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的保護(hù)層；圖8是使用沉淀反應(yīng)方法制備的鎂氧化物顆粒的實(shí)例的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像；圖9是使用化學(xué)氣相氧化法制備的鎂氧化物顆粒的實(shí)例的SEM圖像；圖IO是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包含保護(hù)層的PDP的實(shí)例的分解透視圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)層和傳統(tǒng)的保護(hù)層的初始放電電壓的圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)層和傳統(tǒng)的保護(hù)層的二次電子發(fā)射系數(shù)的圖表；圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)層和傳統(tǒng)的保護(hù)層的放電延遲時(shí)間的圖表。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖更全面的描述本發(fā)明，其中在附圖中示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的PDP的保護(hù)層包含具有使含鎂氧化物顆粒附著到其表面的含鎂氧化物層。在含鎂氧化物層表面的含鎂氧化物顆粒具有鎂空位雜質(zhì)中心(VIC)。因此，當(dāng)包含保護(hù)層的PDP工作時(shí)，能發(fā)射更多的二次電子。鎂空位雜質(zhì)中心(VIC)—般可理解為表示由形成于鎂氧化物(雜質(zhì))的能帶隙中的施主態(tài)與受主態(tài)(Mg空位)之間的相互作用而形成的激發(fā)態(tài)。與鎂氧化物層不同，含VIC的鎂氧化物顆粒具有VIC。鎂氧化物顆粒和鎂氧化物層之間的結(jié)構(gòu)差異可以通過陰極射線發(fā)光(CL)發(fā)射譜來識別。在鎂氧化物層的CL譜中，與F或F+中心有關(guān)的發(fā)射峰出現(xiàn)在2.3ev和3.lev之間。F中心或F+中心由于氧空位而形成。當(dāng)存在兩個(gè)阱電子(trapelectron)時(shí)，產(chǎn)生F中心(大約2.3ev)發(fā)射；另一方面，當(dāng)僅有一個(gè)阱電子時(shí)，產(chǎn)生F+中心(大約3.1ev)發(fā)射。通常，在鎂氧化物層的發(fā)射譜中，不顯示與鎂VIC有關(guān)的發(fā)射峰。盡管不受限于特定的原理，但是該結(jié)果可以歸因于鎂氧化物層是使用例如電子束沉積方法或是等離子體沉積方法的沉積方法形成的事實(shí)，該沉積方法在缺氧條件下執(zhí)行，并且因此，在鎂氧化物層中沒有形成VIC。另一方面，含VIC鎂氧化物顆粒的CL譜與上面描述的鎂氧化物層的鐠是不同的。圖2是在6K下測量的高純度單晶鎂氧化物顆粒的CL譜。圖2的CL譜具有三個(gè)峰，其中在大約3ev處的峰是與F中心有關(guān)的發(fā)射結(jié)果，在大約5.3ev處的峰是與VIC有關(guān)的發(fā)射結(jié)果，在7.6ev處的峰是與自由激子(freeexcitons)(FE)有關(guān)的發(fā)射結(jié)果。因此，含有VIC的單晶鎂氧化物顆粒能夠被識別出來。8圖3示出了多晶鎂氧化物片(pellet)的CL譜，該多晶鎂氧化物片具有可以在室溫下的制造過程中加入的額外的Ca、Al、Si和Zr。在圖3的CL語中，與F中心有關(guān)的峰出現(xiàn)在大約3.0ev處，而與VIC有關(guān)的峰出現(xiàn)在大約5,3ev處。圖4是含Sc(Sc以大約300ppm質(zhì)量濃度存在)的高純(Ca<30ppm質(zhì)量濃度，AK30ppm質(zhì)量濃度，Si〈30ppm質(zhì)量濃度，且Zr<30ppm質(zhì)量濃度)的鎂氧化物顆粒在室溫下的CL譜。在圖4的CL語中，VIC的發(fā)射峰出現(xiàn)在3.8ev與4.8ev之間，但是在大約3.0ev處與F中心有關(guān)的發(fā)射峰被強(qiáng)VIC發(fā)射峰所覆蓋，因此沒有顯示出來。也就是說，VIC峰可以根據(jù)除了鎂氧化物之外的額外包含的元素而在不同位置處定位。如圖2、3、4所示，與鎂氧化物層不同，鎂氧化物顆粒含有VIC，該VIC可以通過分析CL譜來識別。與VIC有關(guān)的峰的發(fā)射范圍可以根據(jù)在鎂氧化物顆粒中包含的4美氧化物之外的添加元素而改變，例如，稀土元素、Al、Ca或Si。因此，根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的鎂氧化物顆粒的CL發(fā)射譜具有從VIC發(fā)射的在大約3.1ev與6ev之間的峰。例如，根據(jù)本發(fā)明的其它當(dāng)前實(shí)施例的鎂氧化物顆粒的CL發(fā)射譜可具有在大約3.1eV和約4.2eV之間的VIC發(fā)射峰，優(yōu)選在大約3.35eV和大約3.87eV之間在以上所述的含VIC鎂氧化物顆粒中，VIC的空位產(chǎn)生受主能級且形成空穴，并且VIC的雜質(zhì)產(chǎn)生施主能級且形成電子。因此，通過受主能級與施主能級間的躍遷，鎂氧化物顆?？梢跃哂性S多電子。因此，當(dāng)PDP工作時(shí)，可以發(fā)射出更多的二次電子，不同于只有4美氧化物層(沒有VIC)形成的保護(hù)層。盡管沒有限于一種原理，但是該二次電子發(fā)射機(jī)制可以根據(jù)例如俄歇中和法則來理解。圖5是示出根據(jù)俄歇中和法則(盡管不限于一種原理)通過氣態(tài)離子從固體中發(fā)射電子的示意圖。參考圖5，當(dāng)氣態(tài)離子與固體相碰撞時(shí)，電子從固體遷移到氣態(tài)離子以形成中性氣體且固體的另一電子遷移到真空中以形成空穴。在這點(diǎn)上，當(dāng)氣態(tài)離子與固體碰撞時(shí)從固體發(fā)射電子時(shí)產(chǎn)生的能量可以用公式1表達(dá)公式1Ek二E「2Eg+x其中Ek是當(dāng)氣態(tài)離子與固體碰撞時(shí)從固體發(fā)射電子時(shí)產(chǎn)生的能量；Et是氣體的電離能；Eg是固體的能帶間隙能量；x是固體的電子親和力。俄歇中和法則和公式1可以應(yīng)用到PDP的保護(hù)層和力丈電氣體。當(dāng)施加電壓到PDP的像素時(shí)，由宇宙射線(cosmicray)或紫外線所產(chǎn)生的籽電子(seedelectron)與放電氣體碰撞以產(chǎn)生放電氣態(tài)離子，該放電氣態(tài)離子與保護(hù)層碰撞以發(fā)射二次電子。下面的表1示出作為放電氣體的惰性氣體的共振發(fā)射波長和解離電壓，也就是，放電氣體的電離能。當(dāng)保護(hù)層由鎂氧化物形成時(shí)，固體的能帶間隙能量，也就是，公式l中的Eg是7.7eV,即鎂氧化物的能帶間隙能量，固體的電子親和力X是0.5,即鎂氧化物的電子親和力。同時(shí)，能產(chǎn)生具有最長可能波長的真空紫外線的Xe氣適合用來提高PDP的磷光體的光轉(zhuǎn)換效率。然而，Xe具有12.13eV的解離電壓，即電離能Ep因而當(dāng)從由鎂氧化物形成的保護(hù)層發(fā)射電子時(shí)所產(chǎn)生的能量，即公式l中的Ek,小于0。因此，需要非常高的放電電壓。因此，需要使用具有高解離能E！的氣體以降低放電電壓。根據(jù)公式1,關(guān)于鎂氧化物阻擋層，當(dāng)使用He時(shí)，Ek是8.19eV;當(dāng)使用Ne時(shí)，Ek是5.17eV。因此，可以發(fā)現(xiàn)He或Ne適于低初始放電電壓。然而，當(dāng)He氣用于PDP放電時(shí)，保護(hù)層會(huì)由于He的高遷移率而被等離子體蝕刻破壞。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>因此，更加期望獲得來自保護(hù)層的容易的二次電子發(fā)射，而不是放電氣體的更改(modification)。如本說明書所描述的，當(dāng)具有VIC的含鎂氧化物顆粒存在于含鎂氧化物層的表面時(shí)，由于含鎂氧化物顆粒具有很多電子，而不像含鎂氧化物層，所以可以有效地發(fā)射二次電子，因而，可以降低放電電壓。因此，使用該保護(hù)層的PDP可以具有低工作電壓和低功耗。含鎂氧化物顆?？梢跃鶆虻幕虿痪鶆虻母街胶琲l氧化物層的表面。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的保護(hù)層，其中含鎂氧化物顆粒被均勻的附著到含鎂氧化物層的表面。參考圖6，根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的保護(hù)層包括在基板30上形成的含鎂氧化物層33，和在含鎂氧化物層33上形成的含鎂氧化物顆粒層36。基板30具有其上將形成含鎂氧化物層33的區(qū)域。例如，基板30可以是PDP的電介質(zhì)層，但并不限于此。含鎂氧化物顆粒層36可以具有，例如，條狀圖案或點(diǎn)狀圖案，這樣鎂氧化物顆粒規(guī)則地附著到含鎂氧化物顆粒層33的表面。參考圖6,鎂氧化物顆?？梢跃鶆虻馗街胶V氧化物層33的表面，例如，使用已知的光刻(photolithographic)方法。另一方面，圖7示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的保護(hù)層，其中含鎂氧化物顆粒37不均勻地附著到含鎂氧化物層33的表面。參考圖7，根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的保護(hù)層包含在基板30上形成的含鎂氧化物層33,和在含鎂氧化物層33上形成的鎂氧化物顆粒37。如圖7所示，鎂氧化物顆粒37可以不均勻地附著到含鎂氧化物層33的表面，例如，通過將鎂氧化物顆粒和溶劑的混合物噴射到含^:氧化物層33的表面上然后熱處理所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的含鎂氧化物層，即在圖6和圖7中由附圖標(biāo)記33所表示的層，可以是任何已知的保護(hù)層，其使用單晶鎂氧化物片或多晶鎂氧化物片形成。除了鎂氧化物之外，含鎂氧化物層可以包含稀土元素。稀土元素可以是Sc(鈧)、Y(釔)、La(鑭)、Ce(鐘)、Pr(鐠)、Nd(釹)、Pm(钷)、Sm(釤)、Eu(銪)、Gd(禮)、Tb(鋱)、Dy(鏑)、Ho(鈥)、Er(鉺)、Tm(銩)、Yb(鐿)，或Lu(镥)。此外，含鎂氧化物層可以包含一種或多種以上元素。例如，含鎂氧化物層還可以包含Sc。基于鎂氧化物在含鎂氧化物層中重量份為1的情況，稀土元素的含量可以在5.0x10'5重量份與6.0x10'4重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選在5.0x10—5重量份與5,0x10-4重量份的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選地在1.5x10-4重量份與4.0xl(T4重量份的范圍內(nèi)。當(dāng)稀土元素的含量在上述含量之外時(shí)，放電延遲時(shí)間和放電延遲時(shí)間的溫度相關(guān)性的減少并不令人滿意。含鎂氧化物層可以額外包含Ca、Si和Al中的一種或多種元素。當(dāng)含鎂氧化物層額外包含Al時(shí)，低溫下的放電延遲時(shí)間可以進(jìn)一步減少?；阪V氧化物在含鎂氧化物層中重量份為1的情況，Al的含量可以在5.0x10—5重量份和4.0x10'4重量份的范圍內(nèi),特別是在6.0x10'5重量份與3.0xl()4重量份的范圍內(nèi)。當(dāng)含鎂氧化物層額外包含Ca時(shí)，放電延遲時(shí)間可以更力。不受溫度約束。也就是說，放電延遲時(shí)間基本不隨溫度改變。基于鎂氧化物在含鎂氧化物層中重量份為1的情況，Ca的含量可以在5.0xlO-s與重量份4.0xl()4重量份的范圍內(nèi)，特別是在6.0xl(T5重量份與3.0x10-4重量份的范圍內(nèi)。當(dāng)含鎂氧化物層額外包含Si時(shí)，放電延遲時(shí)間在低溫下可以進(jìn)一步減少?；阪V氧化物在含鎂氧化物層中重量份為1的情況，Si的含量可以在5.0x10's重量份與4.0x10—4重量份的范圍內(nèi),特別是在6.0x10—5重量份與3.0xl()4重量份的范圍內(nèi)。特別地，當(dāng)Si的含量在該范圍之外時(shí)，在該層中會(huì)形成玻璃相。除了稀土元素、Al、Ca和Si之外，含鎂氧化物層可以額外包含少量的選自Mn、Na、K、Cr、Fe、Zn、B、Ni和Zr中的一種或多種元素，其被確定為雜質(zhì)。除了鎂氧化物之外，附著到含鎂氧化物層表面的含鎂氧化物顆?？梢园⊥猎?。稀土元素可以Sc(鈧)、Y(釔)、La(鑭)、Ce(鈰)、Pr(鐠)、Nd(釹)、Pm(钷)、Sm(釤)、Eu(銪)、Gd(禮)、Tb(4戈)、Dy(鏑)、Ho(4火)、Er(鉺)、Tm(銩)、Yb(鐿)，或Lu(镥)。含鎂氧化物層可包含選自以上元素的一種或多種元素。例如，含4美氧化物層可以包含Sc?；阪V氧化物在含4美氧化物顆粒中重量份為1的情況，稀土元素的含量可以在5.0x10-5重量份與6.0x104重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選在5.0x10-5重量份與5.0xl(T4重量份的范圍內(nèi)，以及更優(yōu)選地在1.5x10"重量份與4.0x10"重量份的范圍內(nèi)。當(dāng)稀土元素的含量在該范圍之外時(shí)，放電延遲時(shí)間和放電延遲時(shí)間的溫度相關(guān)性的減少并不令人滿意。含4美氧化物顆粒可以額外包括選自Ca、Si和Al的一種或多種元素。當(dāng)含鎂氧化物顆粒額外包含Al時(shí)，低溫下的放電延遲時(shí)間可以進(jìn)一步降低?；阪V氧化物在含鎂氧化物顆粒中重量份為1的情況，Al的含量可以在5.0x10—5重量份與4.0xIO"重量份的范圍內(nèi)，特別是在6.0x10-5重量份與3.0xl()4重量份的范圍內(nèi)。當(dāng)含鎂氧化物顆粒額外包含Ca時(shí)，放電延遲時(shí)間可以更加不受溫度的約束。也就是說，放電延遲時(shí)間基本不隨溫度改變?；阪V氧化物在含鎂氧化物顆粒中重量份為1的情況，Ca的含量可以在5.0x10-5重量份與4.0xl(T4重量份的范圍內(nèi)，特別是在6.0xl(T5重量份與3.0xl(T4重量份的范圍內(nèi)。當(dāng)含鎂氧化物顆粒額外包含Si時(shí)，放電延遲時(shí)間在低溫下可以進(jìn)一步減少。基于鎂氧化物在含鎂氧化物顆粒中重量份為1的情況，Si的含量可以在5.0x10'5重量份與4.0x10"重量份的范圍內(nèi)，特別是在6.0x10-5重量份與3.0x10-4重量份的范圍內(nèi)。特別地，當(dāng)Si的含量在該范圍之外時(shí)，在含鎂氧化物顆粒中會(huì)有玻璃相形成。除了稀土元素以及選自Al,Ca和Si的一種或多種元素以外，含鎂氧化物顆?？梢灶~外包含少量的選自Mn、Na、K、Cr、Fe、Zn、B、Ni和Zr的一種或多種元素，其被確定為雜質(zhì)。附著到含鎂氧化物層的含鎂氧化物顆粒的平均直徑為50nm到2jim,特別是100nm到lpm。當(dāng)含鎂氧化物顆粒的平均直徑小于50nm時(shí)，二次電子的發(fā)射效應(yīng)可能特別小。另一方面，當(dāng)含^:氧化物顆粒的平均直徑大于2imi時(shí)，含鎂氧化物顆?？赡軋F(tuán)聚到一起，這將引起分布工藝(distributionofaprocess)。形成根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP保護(hù)層的方法包括在基板上形成含鎂氧化物層，制備含鎂氧化物顆粒，將含鎂氧化物顆粒附著到含鎂氧化物層的表面。首先，在基板上形成含鎂氧化物層。含鎂氧化物層根據(jù)PDP的結(jié)構(gòu)將可在各種各樣的基板上形成。例如，基板可以是PDP的電介質(zhì)層。含鎂氧化物層可以使用傳統(tǒng)的薄膜形成方法形成，例如電子束蒸發(fā)方法、等離子體蒸發(fā)方法、濺射方法，或化學(xué)氣相沉積方法。含鎂氧化物層可以使用單晶鎂氧化物片或多晶鎂氧化物片形成。單晶鎂氧化物片或多晶鎂氧化物片可以包含稀土元素、Ca、Si或Al。因此，除了鎂氧化物之外，含4美氧化物層可以包含稀土元素、Ca、Si或AL同時(shí)，制備附著到含鎂氧化物層的含鎂氧化物顆粒。附著到含鎂氧化物層的含鎂氧化物顆?？梢允褂萌我庖阎恋矸椒?、化學(xué)氣相氧化(CVO)方法或球團(tuán)研磨(pelletmilling)方法制備。圖8是使用沉淀(precipitation)方法形成的鎂氧化物顆粒的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像?，F(xiàn)在將詳細(xì)描述沉淀方法。NH4OH被加入到含有鎂鹽的溶液中，諸如MgCi2，溶解于其中以形成過飽和溶液。在過飽和溶液中晶粒會(huì)產(chǎn)生并生長，且會(huì)沉淀Mg(OH)2。沉淀產(chǎn)物在1000°C加熱以去除水分，這樣就獲得了鎂氧化物顆粒。圖9是使用CVO方法形成的鎂氧化物顆粒的的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。現(xiàn)在將詳細(xì)描述CVO方法。加熱Mg顆粒以獲得Mg蒸汽，所獲得的鎂蒸汽與高溫氧反應(yīng)以產(chǎn)生立方體型的鎂氧化物顆粒。球團(tuán)研磨方法可以是把鎂氧化物片研磨成上述平均直徑顆粒的任何研磨方法。然后，含鎂氧化物顆粒被附著到含鎂氧化物層。特別是，如圖6所示，含鎂氧化物顆?？梢跃鶆虻馗街胶V氧化物層，或是如圖7所示，不均勻地附著到含鎂氧化物層。傳統(tǒng)的光刻方法可以用于將鎂氧化物顆粒均勻地附著到含鎂氧化物層，如圖6所示。首先，在含鎂氧化物層上形成光刻膠層，然后使用傳統(tǒng)的厚層(thick-layer)形成方法引入鎂氧化物顆粒，諸如絲網(wǎng)印刷方法、溶膠凝膠涂覆方法、旋涂方法、浸漬方法或噴霧方法，然后移除所形成的光刻膠層。結(jié)果，獲得具有預(yù)定圖案的含鎂氧化物顆粒層，諸如條狀圖案或點(diǎn)狀圖案。同時(shí)，為了如圖7所示將含鎂氧化物顆粒不均勻地附著到含鎂氧化物層，制備鎂氧化物顆粒和溶劑的混合物，隨后將混合物施加到含鎂氧化物層的表面并進(jìn)行熱處理。在這點(diǎn)上，可以使用例如噴霧方法將混合物施加到含4美氧化物層的表面。該混合物的溶劑可以是乙醇或異丙醇，但并不限于此。熱處理溫度可以根據(jù)所使用的溶劑的沸點(diǎn)和蒸發(fā)性能以及含鎂氧化物層的類型而改變。例如，熱處理溫度可以在大約80。C到大約350。C范圍內(nèi)。當(dāng)熱處理溫度小于8(TC時(shí)，溶劑可能蒸發(fā)不充分。另一方面，當(dāng)熱處理溫度大于35(TC時(shí)，含鎂氧化物層會(huì)被破壞。具有根據(jù)本發(fā)明的含鎂氧化物層的保護(hù)層可用于氣體放電顯示器件，特別是，PDP，其中該含鎂氧化物層具有使含鎂氧化物顆粒附著到其上的表面。圖IO是包括才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)層的PDP的實(shí)例的分解透視圖。參考圖10，根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的PDP包含第一面板210,該第一面板210包含第一基板211;在第一基板211的底(或內(nèi))表面211a上形成的維持電才及214，其中每個(gè)維持電極214包含Y電極212和X電極213;覆蓋維持電極214的第一電介質(zhì)層215;和根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例形成的覆蓋第一電介質(zhì)層215的保護(hù)層216。因此，本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的PDP可具有良好的放電性能，因而其適于增加Xe含量，且可以使用單一掃描方法。以上已經(jīng)對保護(hù)層216做了詳細(xì)描述。Y電極212和X電極213分別包含由例如ITO形成的透明電極212b和213b，和由具有良好導(dǎo)電率的金屬形成的匯流電極212a和213a。保護(hù)層216包含含鎂氧化物層，該鎂氧化物層具有使根據(jù)本發(fā)明的含鎂氧化物顆粒附著于其的表面，其已經(jīng)在以上詳細(xì)描述。根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的PDP還包含第二面板220,該第二面板220包括第二基板221，在第二基板221的頂(或內(nèi))表面221a上形成且與維持電極對214交叉的尋址電極222，覆蓋尋址電極222的第二電介質(zhì)層223,在第二電介質(zhì)層223上形成且限定放電單元226的多個(gè)隔墊肋224,以及設(shè)置在放電單元226內(nèi)部的磷光體層225。放電單元226可以由Ne和選自Xe、N2與Ki2中至少一種類型氣體的氣體混合物填充，或是由Ne和選自Xe、He、N2與Kr2中至少兩種類型氣體的氣體混合物填充。根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)層可以用于Ne和Xe的雙組分氣態(tài)混合物作為放電氣體之中，其中為了提高亮度而增加該氣態(tài)混合物中Xe的含量。根據(jù)本發(fā)明保護(hù)層可以提供高濺射阻抗且可以防止Ne、Xe和He三組分氣態(tài)混合物作為放電氣體的PDP的持續(xù)時(shí)間(lifetime)減少。因此，可以防止PDP持續(xù)時(shí)間減少。本發(fā)明提供一種保護(hù)層，其能減少因?yàn)閄e濃度增加而引起的放電電壓增加并且能夠使放電延遲時(shí)間滿足單一掃描方法。本發(fā)明將會(huì)參照以下實(shí)例進(jìn)行更詳細(xì)地描述。這些實(shí)例僅僅具有說明性的目的且并不意欲限制本發(fā)明的范圍。實(shí)例1制備放電單元基板，使得cp8mm的Ag電極、連接襯墊和30^im厚的含PbO的Si02電介質(zhì)層形成于PDP的2.8mm厚的玻璃面板上，其中30,厚的含PbO的Si02電介質(zhì)層形成于<p8mm的Ag電極上。隨后，使用電子束蒸發(fā)方法，含鎂氧化物層在含PbO的Si02電介質(zhì)層上形成至大約0.7pm厚。在電子束蒸發(fā)方法中，放電單元基板的溫度是250°C，使用氧氣和氬氣通過氣體流量控制器將壓力調(diào)整到6xl(r、orr。含鎂氧化物層由多晶鎂氧化物形成。同時(shí)，制備含鎂氧化物顆粒，該含鎂氧化物顆粒具有500nm的平均顆粒直徑且包含基于鎂氧化物在含鎂氧化物顆粒中重量份為1時(shí)重量份為4.0x1()4的Sc。含有Sc的該含鎂氧化物顆粒是以這種方法獲得的Sc硝酸鹽溶液和MgCl2水溶液在乙醇中混合且將NH40H加入其中以沉淀出含有Sc的Mg(OH)2，收集沉淀產(chǎn)物并在1000°C熱處理以獲得具有Sc的含4^氧化物顆粒，然后使用等離子體研磨方法研磨所獲得的具有Sc的含鎂氧化物顆粒以獲得鎂氧化物顆粒，其中該鎂氧化物顆粒具有500nm的平均顆粒直徑且包含基于含鎂氧化物顆粒中鎂氧化物重量份為1時(shí)為4.0x10-4重量份含量的Sc(在以下文中，稱為"含Sc的鎂氧化物顆粒，，)。lg的含Sc鎂氧化物顆粒被加入到15ml乙醇，攪拌所獲得的混合物。經(jīng)攪拌的產(chǎn)物被噴射到含鎂氧化物層上。隨后，所獲得的結(jié)構(gòu)在150。C下熱處理以使含Sc的鎂氧化物顆粒附著(attach)到含鎂氧化物層上。120)im厚的石英網(wǎng)(sieve)被嵌入到兩個(gè)放電單元基板之間以形成相對的放電單元。相對的放電單元被置于高真空室(chamber)中，該高真空室被充分抽空且用Ar氣凈化以去除其中的濕氣。然后，將混合比例為9:1的Ne和Xe的氣態(tài)混合物作為放電氣體加入室中。結(jié)果，制成了放電測量單元(樣品1)。比豐支實(shí)例A除了含Sc的鎂氧化物顆粒不被附著到含鎂氧化物層上之外，供評估的放電單元(樣品A)用與實(shí)例l相同的方式制備。例2包含銅的匯流電極使用光刻形成于2.8mm厚的玻璃基板上。PbO玻璃被涂覆在匯流電極上以形成厚度為20(im的前電介質(zhì)層。然后，使用電子束蒸發(fā)方法在PbO絕緣層上形成厚度大約為0.7jLim的含鎂氧化物層。在電子束蒸發(fā)方法中，基板的溫度是250。C，且使用氧氣和氬氣通過氣體流量控制器將壓力調(diào)整到6x10-4torr。含鎂氧化物層由多晶鎂氧化物形成。同時(shí)，制備平均顆粒直徑為500nm且包含基于鎂氧化物在含鎂氧化物顆粒中重量份為1時(shí)含量為4.0x10-4重量份的Sc。該含Sc的含鎂氧化物顆粒是以該方式獲得的Sc的硝酸鹽溶液和MgCl2的水溶液在乙醇中混合且將NH4OH加入其中以沉淀出含有Sc的Mg(OH)2,收集沉淀產(chǎn)物并在1000°C熱處理以獲得含Sc的含鎂氧化物顆粒，然后使用等離子體研磨方法研磨所獲得的含Sc的含鎂氧化物顆粒以獲得平均顆粒直徑為500nm且包含基于鎂氧化物在含Sc的含鎂氧化物顆粒中重量份為1時(shí)Sc含量為4.0x10-4重量份的含鎂氧化物顆粒。將lg的含Sc鎂氧化物顆粒加入15ml乙醇，攪拌獲得的混合物。經(jīng)攪拌的產(chǎn)物被噴射到含鎂氧化物層上。隨后，所獲得的結(jié)構(gòu)在150。C下熱處理以使含Sc的鎂氧化物顆粒附著到含鎂氧化物層上。如上所述制備的基板與背基板以120pm間距彼此面對配置。從而形成放電單元。然后，將混合比例為9:1的Ne和Xe的氣體混合物作為放電氣體加入到放電單元中。結(jié)果，制成了42英寸SDV4PDP(樣品2)。比4交實(shí)例B除了含Sc的鎂氧化物顆粒不被附著到含鎂氧化物層上之外，PDP(樣品B)用與實(shí)例2相同的方式制備。測量1:樣品1和A的初始放電電壓測量樣品1和A的初始;^丈電電壓。結(jié)果在圖11中示出。初始放電電壓^f吏用Tektronix示波器、trek放大器、NF功能發(fā)生器、高真空室、珀耳帖(peltier)器件、I-V電源和LCR儀表進(jìn)行測量。首先，樣品A^皮連接到trek放大器和NF功能發(fā)生器，隨后將2kHz的正弦波施加到其上以測量初始放電電壓。對樣品l施加同樣的步驟。結(jié)果在圖11中示出。參照圖11,可以發(fā)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的樣品1與樣品A相比具有更低的初始放電電壓。測量2:樣品1和A的二次電子發(fā)射系數(shù)。測量樣品1和A的二次電子發(fā)射系數(shù)。結(jié)果顯示在圖12中。二次電子發(fā)射系數(shù)通過將加速聚焦離子束(FIB)照射到樣品1和A上來測量。特別地，樣品A的保護(hù)層被Ne+離子碰撞，通過施加正電壓(+15V)到法拉第杯(Faradaycup)來收集從樣品A發(fā)射的電子。進(jìn)入樣品A的離子使用法拉第杯收集且收集到的離子量通過數(shù)學(xué)計(jì)算可以得到樣品A的二次電子發(fā)射系數(shù)。對樣品l施加同樣的步驟。參照圖12,可以發(fā)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的樣品1與樣品A相比具有更高的二次電子發(fā)射系數(shù)。測量3:樣品2和B的放電延遲時(shí)間。測量關(guān)于溫度的樣品2和B的放電延遲時(shí)間(單位ns)。結(jié)果顯示在圖13中。參照圖13，可以發(fā)現(xiàn)樣品2，也就是根據(jù)本發(fā)明的原理制造的PDP與樣品B相比具有更短的放電延遲時(shí)間。因此，樣品2，也就是包含本發(fā)明的保護(hù)層的PDP具有更短的放電延遲時(shí)間，且適合于增加Xe的含量和單一掃描。根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)層包括含鎂氧化物層，該含鎂氧化物層具有使具有鎂空位雜質(zhì)中心(VIC)的含鎂氧化物顆粒附著于其上的表面，并且特別地，鎂氧化物顆粒形成保護(hù)層的表面。因此，本發(fā)明的保護(hù)層可以發(fā)射更多的二次電子且能夠抗等離子體離子，并且包含該保護(hù)層的PDP具有低的放電電壓和低的功耗。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例特別示出并描述了本發(fā)明，^f旦是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解在不脫離所述公開的精神和范圍下可以對其中的形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種變化，其中本發(fā)明的范圍由以下的權(quán)利要求書所限定。本申請參照并要求于2007年12月14日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)部、正式指定的序列號為No.l0-2007-0130978、名稱為"PROTECTINGLAYERHAVINGMAGNESIUMOXIDEPARTICLESATITSSURFACE,METHODOFPREPARINGTHESAME,ANDPLASMADISPLAYPANELCOMPRISINGTHEPROTECTINGLAYER"的申請，并且將其結(jié)合在此。權(quán)利要求1.一種用于等離子體顯示面板的保護(hù)層，包括含鎂氧化物層；和在所述含鎂氧化物層表面上形成的含鎂氧化物顆粒，所述含鎂氧化物顆粒具有鎂空位雜質(zhì)中心。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物顆粒的陰極射線發(fā)光發(fā)射語具有來自空位雜質(zhì)中心的在3.1eV至U6eV范圍內(nèi)的峰。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物顆粒的陰極射線發(fā)光發(fā)射譜具有來自空位雜質(zhì)中心的在3.1eV到4.2eV范圍內(nèi)的峰。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物顆粒的陰極射線發(fā)光發(fā)射譜具有來自空位雜質(zhì)中心的在3.35eV到3.87eV范圍內(nèi)的峰。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物層還包含稀土元素。6.才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物層還包含選自Al、Ca和Si組成的組的元素。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物顆粒還包含稀土元素。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物顆粒還包含Sc。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物顆粒還包含選自Al、Ca和Si元素組成的組的元素。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)層，其中所述含鎂氧化物顆粒具有50nm到2pm的平均顆粒直徑。11.一種形成用于等離子體顯示面板的保護(hù)層的方法，該方法包括在基板上形成含鎂氧化物層；制備含鎂氧化物顆粒；和將所述含鎂氧化物顆粒附著到所述含鎂氧化物層的表面。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中將所述含鎂氧化物顆粒附著到所述含鎂氧化物層包括將4美氧化物顆粒和溶劑的混合物施加到所述含鎂氧化物層的表面；以及對所施加的混合物進(jìn)4于熱處理。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述溶劑包含乙醇和異丙醇中的至少一種。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述熱處理是在80。C到350。C的溫度下進(jìn)行的。15.—種等離子體顯示面板包括第一基板；面對所述第一基板的第二基板；多個(gè)隔墊肋，其限定放電單元并設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間；尋址電極，其沿所述放電單元的第一方向延伸并被第二電介質(zhì)層覆蓋；維持電極，其沿與所述第一方向垂直的第二方向延伸并^f皮第一電介質(zhì)層覆蓋；在所述第一電介質(zhì)層上或所述第二電介質(zhì)層上形成的保護(hù)層，該保護(hù)層包括含4美氧化物層；和在所述含鎂氧化物層的表面上形成的含鎂氧化物顆粒，所述含4美氧化物顆粒具有鎂空位雜質(zhì)中心；在所述放電單元內(nèi)形成的磷光體層；以及填充所述放電單元的放電氣體。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述含鎂氧化物顆粒的陰極射線發(fā)光發(fā)射譜具有來自空位雜質(zhì)中心的在3.1eV到6eV范圍內(nèi)的峰。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述含鎂氧化物顆粒的陰極射線發(fā)光發(fā)射譜具有來自空位雜質(zhì)中心的在3.1eV到4.2eV范圍內(nèi)的峰。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述含鎂氧化物顆粒的陰極射線發(fā)光發(fā)射譜具有來自空位雜質(zhì)中心的在3.35eV到3.87eV范圍內(nèi)的峰。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述含鎂氧化物層還包含稀土元素。20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述含鎂氧化物層還包含選自Al、Ca和Si組成的組的元素。21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述含鎂氧化物顆粒還包含稀土元素。22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述含鎂氧化物顆粒還包含Sc。23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中所述含鎂氧化物顆粒還包含選自A1、Ca和Si組成的組的元素。全文摘要本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(PDP)的保護(hù)層，制備該保護(hù)層的方法，和包括該保護(hù)層的PDP。保護(hù)層包含可以使具有鎂空位雜質(zhì)中心(VIC)的含鎂氧化物顆粒附著其上的表面的含鎂氧化物層。保護(hù)層可以阻擋等離子體離子且具有極好的電子發(fā)射效應(yīng)，因此，包含該保護(hù)層的PDP可以在具有高放電效率的低電壓下工作。文檔編號H01J9/02GK101459022SQ200810183768公開日2009年6月17日申請日期2008年12月15日優(yōu)先權(quán)日2007年12月14日發(fā)明者尤里·馬圖萊維科,崔鐘書,徐淳星,李玟錫,秋希伶,金哉赫,金奭基申請人:三星Sdi株式會(huì)社