專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為等離子顯示(PlasmaDisplay)板相關(guān)發(fā)明，更具體地說(shuō)是在高清晰 度下防止障壁倒塌的等離子顯示板相關(guān)發(fā)明。
技術(shù)背景 ，
通常，等離子顯示板由形成在上部基板與下部基板之間的障壁組成一個(gè)單位 串，各串內(nèi)充入了氖(Ne)，氦(He)，或氖及氦的混合氣體(Ne+He)等主放電氣體 和少量氙(Xe)的惰性氣體。通過(guò)高頻電壓放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線 (VacuumUltravioletrays)，使形成在障壁之間的熒光體發(fā)光，從而顯現(xiàn)圖像。 因這種等離子顯示板可具有輕薄的結(jié)構(gòu)，因此作為第二代顯示裝置備受注目。
等離子顯示板的障壁形成在板的上部基板和下部基板之間，劃分放電串。障 壁可以同時(shí)形成在掃描電極和尋址電極交叉的區(qū)域和不交叉的區(qū)域。
等離子顯示板逐漸變薄同時(shí)趨于大型化，與FullHD—樣，為了支持高清晰 度，單位放電串的大小變小的同時(shí)障壁寬度也變窄。障壁寬度變窄時(shí)，對(duì)沖擊或 振動(dòng)承受能力會(huì)降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目伯在于提供，高清晰度下防止障壁由于振動(dòng)或沖擊而倒塌的等離 子顯示板。
本發(fā)明的技術(shù)方案是
一種等離子顯示板包括上部基板，形成在上述上部基板上的至少有千個(gè) 的第1電極，形成在上述上部基板上，與上述第1電極發(fā)生面放電的第2電極， 對(duì)置配置在上述上部基板的下部基板，形成在上述下部基板上，與上述第1電極 發(fā)生對(duì)置放電的第3電極，及形成在上述下部基板上，劃分放電串，在上述第l 電極和上述第3電極交叉的區(qū)域中的第1平均寬度，與上述第1電極不與上述第 3電極交叉的區(qū)域中的第2平均寬度不同的多個(gè)障壁。
有益效果本發(fā)明通過(guò)不同設(shè)置掃描電極和尋址電極交叉的區(qū)域的障壁寬度 和掃描電極和尋址電極不交叉的區(qū)域的障壁寬度，從而防止障壁倒塌。尤其支持 高清晰度時(shí)，障壁寬度比通常寬度變窄，保護(hù)障壁受到生產(chǎn)工序或移動(dòng)過(guò)程中沖 擊或振動(dòng)的障壁的效果。而且，防止障壁由于上部基板和下部基板的接合而倒塌，障壁的交叉點(diǎn)支點(diǎn)區(qū)域和除此之外區(qū)域之間障壁寬度不同，具有防止板由于上部
基板和下部基板的接合而彎曲的效果。


圖1為顯示本發(fā)明的等離子顯示板一實(shí)例的斜視圖2為顯示等離子顯示板的電極配置的一實(shí)例的截面圖3為顯示將一個(gè)幀(frame)分為多個(gè)子字段(subfield)時(shí)分驅(qū)動(dòng)等離子顯
示板的方法的一實(shí)例的時(shí)序圖4為顯示，針對(duì)圖3所示的被劃分的一個(gè)子字段中，驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的
驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第l實(shí)例的時(shí)序圖5為顯示本發(fā)明的等離子顯示板邊緣位置的平面圖6為本發(fā)明一實(shí)例的障壁和電極配置相關(guān)平面圖7為圖6的橫向障壁和縱向障壁交叉的支點(diǎn)的平面圖。 附圖中主要部分符號(hào)說(shuō)明
110:縱向障壁 120:橫向障壁
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說(shuō)明 圖1為顯示本發(fā)明的等離子顯示板一實(shí)例的斜視圖。
-如圖1所示，等離子顯示板包括形成在上部基板10上的作為維持電極對(duì)的
掃描電極11及維持電極(12)，和形成在下部基板20上的尋址電極22。
上述維持電極對(duì)(ll， 12)通常包括由銦錫氧化物(Indium-Tin-0xide; ITO) 組成的透明電極(lla， 12a)和總線電極(llb， 12b)。上述總線電極(llb， 12b) 可以采用銀(Ag)，鉻(0)等的金屬或鉻/銅/鉻(Cr/Cu/Cr)的層積型或鉻/鋁/鉻 (Cr/Al/Cr)的層積型。總線電極(llb， 12b)形成在透明電極(lla， 12a)上，起到 減少電阻較高的透明電極(lla， 12a)引起的電壓下降的作用。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例，維持電極對(duì)(ll， 12)不僅可以采用層積透明電極 (lla， 12a)和總線電極(llb， 12b)的結(jié)構(gòu)，也可以不設(shè)透明電極(lla， 12a)只以 總線電極(llb， 12b)組成。這種結(jié)構(gòu)不采用透明電極(lla， 12a)，因此具有降低 基板制造單價(jià)的優(yōu)點(diǎn)。用在這種總線電極(llb， 12b)除了上述列舉的材料之外也 可以采用感光性材料等多種材料。
掃描電極ll及維持電極12的透明電極(lla， 12a)和總線電極(llb， llc)之間排列了吸收上部基板10外部產(chǎn)生的外部光線，減少反射，具有切斷光線功 能和提高上部基板10的色飽和度(purity)，和對(duì)比度的黑色矩陣(BlackMatrix， BM， 15)。
本發(fā)明的一實(shí)例的黑色矩陣15形成在上部基板10上，可以由形成在與障壁 21重疊的位置上的第1黑色矩陣15，和形成在透明電極(lla， 12a)和總線電極 (lib, 12b)之間的第2黑色矩陣(llc， 12c)組成。其中，第1黑色矩陣15和被 稱為黑色層或黑色電極層的第2黑色矩陣(llc， 12c)可以在形成過(guò)程同時(shí)形成而 物理連接，也可以不同時(shí)形成和不進(jìn)行物理連接。
而且，物理連接形成時(shí)，第l黑色矩陣15和第2黑色矩陣(llc， 12c)是由 相同材質(zhì)形成，物理性分離而形成時(shí)則可以有不同的材質(zhì)形成。
掃描電極11和維持電極12并排的上部基板10上層積上部電介質(zhì)層13和保 護(hù)膜14。上部電介質(zhì)層13上積累通過(guò)放電產(chǎn)生的荷電粒子，可以起到保護(hù)維持 電極對(duì)(ll， 12)的功能。保護(hù)膜14保護(hù)上部電介質(zhì)層13避免受到氣體放電時(shí)產(chǎn) 生的荷電粒子的濺射影響，提高2次電子的釋放效率。
保護(hù)膜14使用2次電子釋放效率高的材質(zhì)，例如使用氧化鎂(MgO)。
而且，尋址電極22與掃描電極11及維持電極12和交叉形成。而且，形成 尋址電極22的下部基板20上形成下部電介質(zhì)層24和障壁21。而且，下部電介 質(zhì)層24和障壁21的表面形成熒光體層23。
熒光體層23通過(guò)氣體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線而發(fā)光，產(chǎn)生紅色(R)，綠色(G) 或藍(lán)色中的任一個(gè)可見(jiàn)光。此時(shí)，在上部/下部基板(10， 20)和障壁21之間的放 電空間內(nèi)注入引起放電的He+Xe， Ne+Xe及He+Ne+Xe等惰性混合氣體。
同時(shí)，本發(fā)明的一實(shí)例中圖示和介紹了紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)放 電串分別在同一個(gè)線上的例子，但是也可以采用其他方式排列。比如說(shuō)，R， G 及B放電串可以采取三角形排列的三角洲(Delta)型的排列。放電串的形狀也同 樣，不僅可以采取四角形，也可以采取五角形，六角形等多種多角形狀。
各個(gè)放電串的寬度可以相同，也可以將紅色，綠色及藍(lán)色放電串當(dāng)中的一個(gè) 以上的放電串的寬度設(shè)為與其他放電串寬度不同。
障壁21物理劃分放電串，防止通過(guò)放電生成的紫外線和可見(jiàn)光泄露到鄰接 的放電串上?？梢耘渲脳l形(StripeType)，井形(WellType)，三角形(DeltaType)， 蜂窩形等障壁112。實(shí)例中，障壁21中縱向障壁21a和橫向障壁21b以封閉形劃分放電串。
本發(fā)明的一實(shí)例中不僅可以采用圖1所示的障壁21結(jié)構(gòu)，也可以采用多種 形狀的障壁21結(jié)構(gòu)。例如，縱向障壁21a和橫向障壁21b的高度不同的差分型 障壁結(jié)構(gòu)，在縱向障壁21a或橫向障壁21b當(dāng)中至少任一個(gè)以上障壁形成可作為 排氣通道的頻道(Channel)的頻道型障壁結(jié)構(gòu)，縱向障壁21a或橫向障壁21b當(dāng) 中至少任一個(gè)以上障壁形成槽(Hollow)的槽形障壁結(jié)構(gòu)。
其中，如果采用差分型障壁則最好橫向障壁21b的高度更高，采用頻道型障 壁結(jié)構(gòu)或槽型障壁結(jié)構(gòu)，則最好在橫向障壁21b形成頻道或槽。
而且只顯示了在下部基板20形成障壁21的例子，但是障壁21可以設(shè)在上 部基板10上。
圖2為顯示等離子顯示板的電極配置的一實(shí)例的截面圖，如圖2所示，組成 等離子顯示板的多個(gè)放電串最好以矩陣形式配置。多個(gè)放電串分別設(shè)在各掃描電 極線(Y1至Ym)，各維持電極線(Z1至Zm)及各尋址電極線(Xl至Xn)的交叉部。 掃描電極線(Y1至Ym)可以依次驅(qū)動(dòng)或同時(shí)驅(qū)動(dòng)，維持電極線(Z1至Zm)則可以同 時(shí)驅(qū)動(dòng)。尋址電極(X1至Xn)線可以分為奇數(shù)次序電極和偶數(shù)次序電極驅(qū)動(dòng)或依 次驅(qū)動(dòng)。
圖2所示的電極布置只不過(guò)是本發(fā)明的等離子顯示板電極布置的一個(gè)實(shí)例， 本發(fā)明并不限于圖2所示的等離子顯示板的電極布置及驅(qū)動(dòng)方式。比如說(shuō)，可以 采用上述各掃描電極線(Y1至Ym)當(dāng)中2個(gè)掃描電極線同時(shí)掃描的雙掃描 (dualscan)方式。而且，各尋址電極線(XI至Xn)可以從嵌板的中心部分分為上 下驅(qū)動(dòng)。
圖3為顯示將一個(gè)幀(frame)分為多個(gè)子字段(subfield)時(shí)分驅(qū)動(dòng)等離子顯 示板的方法的一實(shí)例的時(shí)間圖。單位幀為了顯示時(shí)分色調(diào)，可以分為一定個(gè)數(shù)， 例如8個(gè)子字段(SF1，， SF8)。而且，各子字段(SF1，…，SF8)分為重置區(qū)間 (圖中未顯示)，和尋址區(qū)間(A1，…，A8)，及維持區(qū)間(S1，， S8)。
在此，多個(gè)子字段當(dāng)中的至少一個(gè)子字段中可以省略重置區(qū)間。比如，只在 最開(kāi)始的子字段中存在重置區(qū)間，或只在最初的子字段和整個(gè)子字段的中間左右 的子字段中存在。
在各尋址區(qū)間(A1，。。。， A8)內(nèi)，向?qū)ぶ穮^(qū)間電極(X)施加數(shù)據(jù)信號(hào)，各掃描 電極(Y)中依次施加與其對(duì)應(yīng)的掃描脈沖。在各維持區(qū)間(SI ， 。 。 。 ， S8)內(nèi)，向掃描電極(Y)和維持電極(Z)交互施加維持脈沖， 在尋址區(qū)間(A1，。。。， A8)形成壁電荷的各放電串中發(fā)生維持放電。
等離子顯示板的亮度與單位幀占據(jù)的維持放電區(qū)間(S1，。。。，S8)內(nèi)的維持放 電次數(shù)成比例。組成1圖像的一個(gè)幀以8個(gè)子字段和256色調(diào)體現(xiàn)時(shí)，各子字段 中可以依次以l， 2， 4， 8， 16， 32， 64， 128的比率分配互不相同的維持脈沖數(shù)。 或者，為了獲得133色調(diào)的亮度，在子字段1區(qū)間，子字段3區(qū)間及子字段8 區(qū)間內(nèi)，訪問(wèn)各個(gè)串后維持放電即可。
分配到各個(gè)子字段的維持放電次數(shù)是可以根據(jù)APC(AutomaticPowerControl) 階段的各子字段的加權(quán)值可變調(diào)整。即，圖3中舉例介紹一個(gè)幀分為8個(gè)子字段 的例子，但本發(fā)明并不限于此，可以根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)格多樣變化組成一個(gè)幀的子字段 的個(gè)數(shù)。例如，將一個(gè)分為12或16子字段等8子字段以上的子字段驅(qū)動(dòng)等離子 顯示板。
而且，可以考慮伽馬特性或嵌板特性，靈活變更分配到各個(gè)子字段的維持放 電次數(shù)。例如，將分配到子字段4的色調(diào)度從8降低到6，將分配到子字段6的 色調(diào)度從32提高為34。
圖4顯示了，針對(duì)圖3所示的被劃分的一個(gè)子字段中，驅(qū)動(dòng)等離子顯示板的 驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第l實(shí)例的時(shí)序圖。
上述子字段包括在掃描電極(Y)上形成正極性壁電荷，在維持電極(Z)上形成 負(fù)極性壁電荷的預(yù)重置(prereset)區(qū)間，利用預(yù)重置區(qū)間內(nèi)形成的壁電荷分布， 初始化全畫面的放電串的重置(reset)區(qū)間，選擇放電串的尋址(address)區(qū)間及 維持被選放電串的放電的維持(sustain)區(qū)間。
重置區(qū)間由創(chuàng)建(setup)區(qū)間及記憶(setdown)區(qū)間組成。在上述創(chuàng)建區(qū)間內(nèi) 向所有掃描電極同時(shí)施加上斜波(Ramp-up),所有放電串內(nèi)將產(chǎn)生微細(xì)放電，由 此生成壁電荷。在上述記憶區(qū)間中，向所有掃描電極同時(shí)施加從低于上述上斜波 (Ramp-叩)的峰值電壓的陽(yáng)極性電壓開(kāi)始下降的下斜波(Ramp-down)而在所有放 電串發(fā)生消除放電，由此消除通過(guò)創(chuàng)建放電生成的壁電荷及空間電荷中的多余電 荷。
尋址區(qū)間向掃描電極依次施加具有負(fù)極性的掃描信號(hào)(scan)，與此同時(shí)向上 述尋址電極施加具有正極性的數(shù)據(jù)信號(hào)(data)。通過(guò)上述掃描信號(hào)(scan)和數(shù)據(jù) 信號(hào)(data)之間的電壓差和上述重置區(qū)間內(nèi)生成的壁電壓產(chǎn)生尋址放電，由此選擇放電串。同時(shí)，為了提高記憶區(qū)間和尋址放電的效率，可以在上述記憶區(qū)間和 尋址區(qū)間內(nèi)向維持電極施加維持電壓的信號(hào)。
上述維持區(qū)間內(nèi)，向掃描電極和維持電極交替施加具有維持電壓(Vs)的維持 脈沖，因此在掃描電極和維持電極之間發(fā)生面放電形式的維持放電。
發(fā)生上述維持放電之后，可以在維持區(qū)間之后再包括，通過(guò)弱的放電，消除 殘留在尋址區(qū)間內(nèi)被選的啟動(dòng)串(ONcell)的掃描電極或維持電極中的壁電荷的 消除區(qū)間。
上述消除區(qū)間可以包含在所有多個(gè)子字段或其中一部分子字段中，最好在維 持區(qū)間內(nèi)，向沒(méi)有施加最后一個(gè)維持脈沖的電極施加弓I起上述弱放電的消除信 號(hào)。
上述消除信號(hào)可以采用逐漸增加的斜形(ramp)信號(hào)，低電壓寬脈沖 (1ow-voltagewidepulse)， 高電壓窄脈沖(high-voltagenarrowpulse)， 按幾何 級(jí)數(shù)增力口的信號(hào)(exponentialsignal)或half-sinusoidalpulse等。
而且，為了引發(fā)上述弱的放電，可以依次向掃描電極或維持電極施加多個(gè)脈沖。
圖4所示的驅(qū)動(dòng)波形是驅(qū)動(dòng)本發(fā)明的等離子顯示板的信號(hào)的一實(shí)例，本發(fā)明 并不限于上述圖4所示的波形。例如，可以省略上述預(yù)重置區(qū)間，可以根據(jù)需要 變更圖4所示的各驅(qū)動(dòng)信號(hào)的極性及電壓電平，在結(jié)束上述維持放電后向維持電 極施加消除壁電荷的消除信號(hào)。而且，也可以采用只向掃描電極和維持電極當(dāng)中 的任一個(gè)施加上述維持信號(hào)而引起維持放電的單獨(dú)維持(singlesustain)驅(qū)動(dòng)。 圖5為顯示本發(fā)明的等離子顯示板邊緣位置的平面圖。參照?qǐng)D2。 由形成在上部基板的掃描電極11和維持電極12及形成在下部基板的尋址電 極22組成。各個(gè)電極連接在傳輸外部驅(qū)動(dòng)部(圖中沒(méi)有顯示)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電纜 (圖中沒(méi)有顯示)。
掃描電極11和維持電極12可由至少千個(gè)的電極組成。隨著開(kāi)始高畫質(zhì)TV 或高畫質(zhì)視頻服務(wù)(DVD，電纜等)，顯示裝置需要體現(xiàn)高的清晰度。清晰度是指 一個(gè)畫面包括幾個(gè)像素，大致以橫向像素?cái)?shù)量乘以縱向像素?cái)?shù)量的形式體現(xiàn)。像 素是指組成圖像的最小單位。相同大小的畫面中，清晰度越高像素?cái)?shù)量就越多。 為了達(dá)到高清晰度，像素形成的橫線需要達(dá)到一千行才能體現(xiàn)高畫質(zhì)影像。
通常，電極通過(guò)TCP (TapedCarrierPackage)等具有流動(dòng)性的連接工具(圖中沒(méi)有顯示)與驅(qū)動(dòng)電路(圖中沒(méi)有顯示)連接。驅(qū)動(dòng)電路中生成的驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò) TCP施加到電極末端。如此，將TCP連接的基板邊緣部分稱為襯墊部90，將實(shí)際 發(fā)生放電輸出圖像的有效畫面相應(yīng)的部分稱為有效部。
有效部形成障壁，掃描電極11和維持電極12存在與尋址電極電極22交叉 的區(qū)域100不交叉的區(qū)域200。交叉區(qū)域中，在尋址電極和掃描電極之間發(fā)生尋 址放電(對(duì)置放電)。只有發(fā)生尋址放電，才能在掃描電極和維持電極之間發(fā)生維 持放電(面放電)。即交叉區(qū)域100顯示影像，非交叉區(qū)域200不顯示影像。 圖6為本發(fā)明一實(shí)例的障壁和電極配置相關(guān)平面圖。參照?qǐng)D2和圖5。 放電串50是指由橫向障壁120和縱向障壁110劃分的空間。 交叉區(qū)域100的放電串中發(fā)生等離子放電，非交叉區(qū)域200中不發(fā)生等離子 放電。
并排配置掃描電極11和維持電極12，使其經(jīng)由與放電串50重復(fù)的區(qū)域。 配置尋址電極22，使其與掃描電極11交叉的同時(shí)經(jīng)由與放電串50重復(fù)的區(qū)域。 》最好交叉區(qū)域100中的障壁的平均寬度和非交叉區(qū)域200中的障壁平均寬度不 同。障壁的寬度會(huì)影響放電串50體積，交叉區(qū)域100中放電串50體積應(yīng)該穩(wěn)定， 才能形成高品質(zhì)影像。與此相反，非交叉區(qū)域200中不發(fā)生放電，因此障壁寬度 不必恒定，因此取測(cè)量多個(gè)交叉區(qū)域100中的障壁寬度值(310， 320)為平均的平 均寬度和，取測(cè)量多個(gè)非交叉區(qū)域200中障壁寬度值(410， 420)的平均寬度可以 不同。
交叉區(qū)域100中平均寬度最好比非交叉區(qū)域200中的平均寬度更小。非交叉 區(qū)域200不發(fā)生放電，因此放電串體積小也無(wú)關(guān)。而且，障壁寬度越大，越能夠 防止放電串由于振動(dòng)或掉落而倒塌，防止等離子顯示板生產(chǎn)工序中障壁倒塌。 在等離子顯示板生產(chǎn)工序中首先形成障壁之后涂敷熒光體。涂敷熒光體時(shí)噴頭應(yīng) 與放電串對(duì)齊線(align)對(duì)齊，才能只對(duì)放電串涂敷熒光體。將對(duì)齊線標(biāo)準(zhǔn)以外 殼障壁，尤其是外殼障壁寬度為標(biāo)準(zhǔn)。
作為標(biāo)準(zhǔn)障壁寬度過(guò)窄時(shí)，不能很好的形成對(duì)齊線，因此外殼障壁寬度最好寬。
形成障壁之后涂敷熒光體層，障壁收到形成熒光體層引起的作用力。作為熒 光體層涂敷方法的一例有印刷方法。印刷方法是在形成在下部基板上的障壁 (110， 120)上配置印網(wǎng)掩模(圖中沒(méi)有顯示)，在此印網(wǎng)掩模上，用熒光體擠壓(squeeze)膏(paste)，用通過(guò)印網(wǎng)掩模的熒光體膏，在障壁(110， 120)內(nèi)面印刷 熒光體層。因此，障壁(IIO， 120)受到擠壓力。此障壁(IIO， 120)在，高清晰度 PDP中，形成由更多個(gè)數(shù)放電串50組成的放電空間，因此形成窄的線寬度。 因此，障壁(IIO， 120)在形成熒光體層時(shí)，具有對(duì)擠壓弱的結(jié)構(gòu)。 因此，本實(shí)例中以不同大小形成交叉區(qū)域100的障壁平均寬度和非交叉區(qū)域 200的障壁平均寬度，能夠在體現(xiàn)高清晰度的同時(shí)，防止在障壁上形成熒光體層 時(shí)障壁倒塌。
最好包括橫向障壁120和縱向障壁110交叉的支點(diǎn)的第1區(qū)域的障壁寬度 和，除了第1區(qū)域之外的第2區(qū)域的障壁寬度不同。
圖7為圖6的橫向障壁和縱向障壁交叉的支點(diǎn)的平面圖。
最好包括橫向障壁120和縱向障壁110交叉的支點(diǎn)500的第1區(qū)域500的障 壁寬度(330， 340)，比第2區(qū)域的障壁寬度(310， 320)更窄。例如，最好第1 區(qū)域的橫向障壁寬度340比第2區(qū)域的橫向障壁寬度320更窄，第1區(qū)域的縱向 障壁寬度330比第2區(qū)域的橫向障壁寬度310更窄。而且，第1區(qū)域中各障壁寬 度最好沿著橫向障壁120和縱向障壁110的交叉點(diǎn)500加寬。
為了達(dá)到高清晰度，掃描電極11或維持電極12個(gè)數(shù)最好為千個(gè)。為此，通 過(guò)減少障壁寬度，增加像素?cái)?shù)量。
隨著障壁寬度變窄，對(duì)振動(dòng)或沖擊的承受能力變?nèi)?。尤其是，除了上部基?和下部基板接合，障壁劃分放電串之外，需要防止基板彎曲。
因此，通過(guò)加厚兩個(gè)障壁的交叉點(diǎn)區(qū)域，防止彎曲或振動(dòng)及沖擊引起的倒塌。 為了實(shí)現(xiàn)高清晰度，第2區(qū)域中縱向障壁的寬度310最好為40 /^至75 ，。只有 障壁寬度310達(dá)到40拜以上，才能防止生產(chǎn)工序上，或振動(dòng)及沖擊引起障壁倒 塌。為了實(shí)現(xiàn)高清晰度，鄰接放電串之間縱向障壁寬度達(dá)到75，以下才能得到 所需的像素?cái)?shù)量。。
而且，以上圖示和介紹了本發(fā)明的最佳實(shí)例，但是本發(fā)明并不限于上述特定 實(shí)例，顯然在不脫離要求范圍要求的本發(fā)明主旨的條件下，由在相應(yīng)發(fā)明所屬技 術(shù)領(lǐng)域具有基礎(chǔ)只是的人員進(jìn)行各種變形實(shí)施，而且應(yīng)理解為其不脫離從本發(fā)明 的技術(shù)思想或預(yù)測(cè)。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示板，包括上部基板；形成在上述上部基板上的至少有千個(gè)的第1電極；形成在上述上部基板上，與上述第1電極發(fā)生面放電的第2電極；對(duì)置配置在上述上部基板的下部基板；形成在上述下部基板上，與上述第1電極發(fā)生對(duì)置放電的第3電極；及形成在上述下部基板上，劃分放電串，其特征在于在上述第1電極和上述第3電極交叉的區(qū)域中的第1平均寬度，與上述第1電極不與上述第3電極交叉的區(qū)域中的第2平均寬度不同的多個(gè)障壁的等離子顯示板。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述第1平均寬度比上述第2平均寬度更小為特點(diǎn)的等離子顯示板。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述障壁包括與上述第1電極平行配置的第1障壁和，與上述第3電極平行配置的第2障壁的等離子顯示裝置。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示板，其特征在于包括上述第1障壁 與上述第2障壁交叉的支點(diǎn)的第1區(qū)域的障壁寬度，與除了上述第1區(qū)域之外第 2區(qū)域的障壁寬度不同為特點(diǎn)的等離子顯示裝置。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示板，其特征在于上述第l區(qū)域的障 壁寬度比上述第2區(qū)域的障壁寬度更窄為特點(diǎn)的等離子顯示板。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示板，其特征在于上述第2區(qū)域的障 壁寬度沿著上述第1障壁和上述第2障壁的交叉點(diǎn)加寬為特點(diǎn)的等離子顯示板。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子顯示板，本等離子顯示板配備掃描電極和尋址電極交叉的區(qū)域的障壁的寬度，和掃描電極和尋址電極不交叉的區(qū)域的障壁寬度不同的障壁。由此，在體現(xiàn)高清晰度的同時(shí)，保持障壁的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01J17/49GK101436502SQ200810178400
公開(kāi)日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月18日
發(fā)明者樸記洛, 柳圣煥, 裵鐘運(yùn) 申請(qǐng)人:樂(lè)金電子(南京)等離子有限公司