專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為降低介電常數(shù)的等離子顯示板相關(guān)發(fā)明。
背景技術(shù)：
等離子顯示板(以下稱為PDP)中，通過氣體放電形成的等離子放射的紫外線 激發(fā)熒光體層，利用此時(shí)產(chǎn)生的可見光顯現(xiàn)影像的顯示元件。這種PDP可實(shí)現(xiàn) 高清晰度大畫面結(jié)構(gòu)，因此作為第二代平板顯示裝置，備受注目。
PDP的一般結(jié)構(gòu)為3電極面放電型結(jié)構(gòu)， 一對(duì)電極設(shè)在前面基板的對(duì)置面上， 形成面對(duì)置，在與此前面基板隔離的背面基板上配備尋址電極。這種電極與各 個(gè)放電串對(duì)應(yīng)形成。
這種PDP內(nèi)，以矩陣(Matrix)形式排列了數(shù)百萬個(gè)以上的單位放電串。這 些放電串利用壁電荷的記憶特性，選擇打開的放電串和沒有被打開的放電串， 通過使被選放電串放電顯示圖像。
但是，這種傳統(tǒng)的PDP中電極被電介質(zhì)層覆蓋，因此在電極之間形成電容。 因此，向電極施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，按照電容對(duì)應(yīng)的大小發(fā)生信號(hào)滯后，因此為驅(qū) 動(dòng)PDP帶來問題。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的在這種技術(shù)背景下創(chuàng)造了本發(fā)明，目的在于提供降低覆蓋電極 的電介質(zhì)層的介電常數(shù)的等離子顯示板。
技術(shù)方案為了實(shí)現(xiàn)這種目的，本發(fā)明的一實(shí)例提供包括前面基板，與 上述前面基板對(duì)置的后面基板，劃分上述前面基板和后面基板之間的空間形成 放電串的障壁，上述放電串中對(duì)置形成的第1電極和第2電極，覆蓋上述第l 電極和第2電極的上部電介質(zhì)層及設(shè)在上述第1電極和第2電極周圍的氣泡的 等離子顯示板。
在此最好包括，上述第1電極和第2電極，及形成在上述前面基板之間的 黑色層，上述第1電極和第2電極寬度比上述黑色層更寬。
此時(shí)，上述氣泡設(shè)在上述第1及第2電極和上述黑色層形成段差的部分。
而且，上述氣泡的粒徑最好比上述第1電極和第2電極的最短距離更小， 最好為2 0n) 12(拜)。
而且，上述第1電極和第2電極可以由單層形成，此時(shí)上述第1電極和第2 電極分別包括，與上述尋址電極交叉的多個(gè)線部，連接上述多個(gè)線部當(dāng)中的至 少兩個(gè)線部的至少一個(gè)連接部及從上述多個(gè)線部凸出的至少一個(gè)凸出部。有益效果根據(jù)本發(fā)明，上部電介質(zhì)層包括氣泡，因此與以往相比能夠降 低電介質(zhì)層的介電常數(shù)，具有降低電極之間產(chǎn)生的電容的效果。而且，本發(fā)明 的黑色層比電極寬度更小，因此氣泡容易形成在電極周圍。而且，本發(fā)明的電 極由單層組成，因此能夠減少制造電極的工序，因?yàn)椴贿m用更高價(jià)材料即透明 電極，因此可進(jìn)一步降低制造成本。


圖1為顯示本發(fā)明的一實(shí)例等離子顯示板的圖片。
圖2為驅(qū)動(dòng)圖1所示等離子顯示板的波形圖。
圖3為沿著圖i的ni-ni線切斷的截面圖。
圖4為顯示由單層組成的第1電極和第2電極形狀的圖片。 圖5為顯示圖1所示等離子顯示板的第1電極和第2電極的圖片。 圖6為顯示第1電極和第2電極彎曲形成的例子的圖片。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附加的圖片具體介紹本發(fā)明的具體實(shí)例，以便業(yè)內(nèi)人士容易實(shí) 施。但是，本發(fā)明可以通過各種不同形式體現(xiàn)，并不限于在此介紹的實(shí)例。
圖1為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。
圖1中，本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示板100由配置互相并排的第2電極 102， Y和第l電極103， Z的前面基板101和，與前面基板101對(duì)置配置，并配 置與第2電極102及第1電極103交叉的尋址電極113的后面基板111，通過密 封材料(圖中沒有顯示)接合而成。
配置第2電極102和第1電極103的前面基板101上部配置，覆蓋第2電 極102和第1電極103的上部電介質(zhì)層104。
上部電介質(zhì)層104包括氣泡，使第2電極102和第1電極103之間絕緣。 上部電介質(zhì)層104包括氣泡，因此能夠降低上部電介質(zhì)層104的介電常數(shù)。
可以在上部電介質(zhì)層104的上部形成易化放電條件的保護(hù)層105。這種保護(hù) 層105可以包含二次電子釋放系數(shù)高的材料，例如氧化鎂(MgO)材質(zhì)。
而且，后面基板lll上配置電極，例如尋址電極U3，可以在這種配置尋址 電極113的后面基板111上形成覆蓋尋址電極113，并使尋址電極113絕緣的下 部電介質(zhì)層115。
下部電介質(zhì)層115的上部可以形成劃分放電空間即放電串的條形 (StripeType)，井形(WellType)，三角形(DeltaType)，蜂窩形等障壁112。通 過這種障壁112，在前面基板101和后面基板111的之間配置綠色(Green: G)， 藍(lán)色(Blue: B)放電串。而且，除了紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)放電串之外， 還可以再配備白色(White: W)或黃色(Yellow: Y)放電串。由障壁112劃分的放電串內(nèi)充入了包含氙(Xe)，氖(Ne)等的放電氣體。
同時(shí)，可以在由障壁112劃分的放電串內(nèi)形成尋址放電時(shí)釋放顯示圖像的 可見光的熒光體層114。例如，可以形成釋放紅色(Red: R)光的第l熒光體層， 釋放藍(lán)色(Blue， B)光的第2熒光體層及釋放綠色(Greem G)光的第3熒光體層。 而且，除了紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)光之外，還可以配置釋放白色(White: W)或黃色(Yellow: Y)光的其他熒光體層。
而且，紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串當(dāng)中至少任一個(gè)放電串中的熒光 體層114厚度可以與其他放電串不同。例如，綠色(G)放電串的熒光體層，即第 3熒光體層或藍(lán)色(B)放電串中的熒光體層，即第2熒光體層的厚度比紅色(R) 放電串的熒光體層即第l熒光體層的厚度更厚。其中，第3熒光體層的厚度可 以與第2熒光體層厚度實(shí)際相同或不同。
同時(shí)，本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板100中，紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B) 放電串的寬度可以實(shí)際相同，也可以將紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串當(dāng)中 的一個(gè)以上的放電串的寬度設(shè)為與其他放電串寬度不同。
例如，可以設(shè)為紅色(R)放電串的寬度最小，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串的寬 度大于紅g(R)放電串的寬度。在此，綠色(G)放電串的寬度可以與藍(lán)色(B)放電 串的寬度實(shí)際相同或不同。
則設(shè)在放電串內(nèi)的熒光體層114寬度也隨著放電串的寬度改變。例如，設(shè) 在藍(lán)色(B)放電串的第2熒光體層，要比設(shè)在紅色(R)放電串內(nèi)的第1熒光體層 寬度更寬；同時(shí)設(shè)在綠色(G)放電串內(nèi)的第3熒光體層的寬度，要比設(shè)在紅色(R) 放電串內(nèi)的第1熒光體層的寬度更寬，由此能夠提高顯現(xiàn)的影像色溫特性。
而且，本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示板100不僅可以采用圖la所示的障壁 112結(jié)構(gòu)也可以采取多種形狀的障壁結(jié)構(gòu)。例如，可以采用障壁112包括第1障 壁112b和第2障壁112a，其中第1障壁112b的高度與第2障壁112a高度互不 相同的差等型障壁結(jié)構(gòu)。
如果是差等型障壁結(jié)構(gòu)，則第1障壁U2b或第2障壁112a當(dāng)中第1障壁 112b的高度可以低于第2障壁112a高度。
雖然圖1顯示和介紹了紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串分別排列在同一 線上，但是也可以以其他形狀排列。例如，也可以采取紅色(R)，綠色(G)及藍(lán) 色(B)放電串按三角形形狀排列的三角(Delta)型排列。而且，放電串的形狀也
可以采用四角形之外的五角形，六角形等多種多角形狀。
而且，圖1中只顯示障壁112設(shè)在后面基板111的例子，但是障壁112可
以設(shè)在前面基板101或后面基板111當(dāng)中的任一個(gè)基板上。
圖2為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板操作一例的圖片。在此，圖2介紹了本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板的方法的一例。本發(fā)明并不限于圖2，可以靈
活變更操作本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板的方法。
分析圖2，可以在初始化的重置期間向第2電極提供重置信號(hào)。重置信號(hào)可 以包含上斜(Ramp-Up)信號(hào)和下斜(Ramp-Down)信號(hào)。
例如，在創(chuàng)建(Set-Up)期間內(nèi)，向第2電極提供從第1電壓VI急劇上升到 第2電壓V2后，電壓再從第2電壓V2開始逐漸下降到第3電壓V3的上斜信號(hào)。 其中，第l電壓Vl可以是接地GND的電壓。
在這個(gè)創(chuàng)建期間內(nèi)，放電串內(nèi)通過上斜信號(hào)發(fā)生弱的暗放電 (DarkDischarge)，即創(chuàng)建放電。通過此創(chuàng)建放電，放電串內(nèi)將積累某一程度的 壁電荷(WallCharge)。
在創(chuàng)建期間之后的記憶(Set-Down)期間內(nèi)，可以在上斜信號(hào)之后，向第2 電極提供與這種上斜信號(hào)相反極性方向的下斜信號(hào)。
其中，下斜信號(hào)可以從上斜信號(hào)的峰值(Peak)電壓，即低于第3電壓V3的 第4電壓V4逐漸下降到第5電壓V5。
隨著這種下斜信號(hào)的供應(yīng)，在放電串內(nèi)發(fā)生微弱的消除放電 (EraseDischarge)，即記憶放電。通過此記憶放電，將在放電串內(nèi)均勻殘留可 以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷。
在重置期間之后的尋址期間內(nèi)，可以向第2電極提供實(shí)際維持比下斜信號(hào) 的最低電壓即第5電壓V5更高電壓，例如第6電壓V6的掃描偏置信號(hào)。
同時(shí)，可以向第2電極提供從掃描偏置信號(hào)下降的掃描信號(hào)。
同時(shí)，至少一個(gè)以上的子字段中，掃描信號(hào)(Scan)的脈沖寬度可以與其他 子字段中的掃描信號(hào)寬度不同。例如，在時(shí)間上位于后位的子字段中的掃描信 號(hào)寬度可以比在前面的子字段中的掃描信號(hào)寬度更小。而且，子字段排列順序 的掃描信號(hào)(Scan)寬度減少可以采用2.6/"s(微秒)，2.3/^， 2.1/ ， 1. 9//s等
漸進(jìn)的方式，或采用2.6/fi， 2.3//s， 2.3//s， 2.1//s......1.9閂，1. 9/"s等方式。
如此，向第2電極提供掃描信號(hào)時(shí)，可以與掃描信號(hào)對(duì)應(yīng)，向?qū)ぶ冯姌O提 供數(shù)據(jù)信號(hào)。
隨著這些掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)信號(hào)的供應(yīng)，掃描信號(hào)與數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓之 差將與，重置期間內(nèi)生成的壁電荷引起的壁電壓相加，由此在供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)的 放電串內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。
在此，在尋址期間內(nèi)，為了防止第1電極的干涉引起尋址放電的不穩(wěn)定， 可以向第1電極提供維持偏置信號(hào)。
在此，維持偏置信號(hào)實(shí)際穩(wěn)定維持小于在維持期間施加維持信號(hào)的電壓，大于接地電平GND的電壓的維持偏置電壓Vz。
之后，在顯示影像的維持期間內(nèi)向第2電極或第1電極當(dāng)中的一個(gè)以上電 極提供維持信號(hào)。例如，可以向第2電極或第1電極交替施加維持信號(hào)。
若提供這樣的維持信號(hào)，則通過尋址放電被選的放電串在隨著放電串內(nèi)壁 電壓和維持信號(hào)的維持電壓Vs相加而提供維持信號(hào)時(shí)，在第2電極或第1電極 之間產(chǎn)生維持放電即顯示放電。
同時(shí)，至少一個(gè)子字段中，維持期間內(nèi)提供多個(gè)維持信號(hào)，多個(gè)維持信號(hào) 當(dāng)中，至少一個(gè)維持信號(hào)的脈沖寬度與其他維持信號(hào)的脈沖寬度不同。例如， 多個(gè)維持信號(hào)當(dāng)中，最先供應(yīng)的維持信號(hào)的脈沖寬度可以比其他維持信號(hào)的脈 沖寬度更大。則，可以進(jìn)一步穩(wěn)定維持放電。 ，
圖3為沿著圖1的III-III線切斷的1個(gè)放電串的截^圖，圖4為顯示第2電 極和第1電極的圖片。
分析圖3至圖4，在第2電極102和第1電極103在放電串中并排形成，具 有單層(OneLayer)結(jié)構(gòu)。
而且，第2電極102，第1電極103和前面基板101之間分別配置黑色層 120， 130。
第2電極102和第1電極103可由導(dǎo)電性能優(yōu)秀，容易成型的金屬材質(zhì)， 例如銀(Ag)，金(Au)，銅(Cu)，鋁(A1)等材質(zhì)組成。
如此，可以將單層的第2電極102和第1電極103稱為，表示省略透明電 極的電極即ITO-Less電極。
這種單層結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的復(fù)合層結(jié)構(gòu)即包括透明電極的結(jié)構(gòu)相比，具有制造
工序簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的一實(shí)例中，在基板101上涂敷黑色層用第1抗蝕劑之后，再次在 第1抗蝕劑上依次涂敷電極用抗蝕劑，同時(shí)制作第1抗蝕劑和第2抗蝕劑圖形， 形成黑色層120， 130和第2電極102及第1電極103。因此，如圖4所示，黑 色層120， 130寬度dl比電極102， 103寬度d2更小。
而且，本發(fā)明的一實(shí)例中，氣泡91沿著第2電極102和第1電極103的周 圍，即黑色層120， 130和電極102， 103形成段差的部分形成。這種氣泡91， 在從整個(gè)基板觀察時(shí)，沿著電極102， 103的邊緣位置形成在整個(gè)基板上。
此氣泡91可以在形成上部電介質(zhì)層104時(shí)同時(shí)制作。作為一例，采用層壓 法形成上部電介質(zhì)層104時(shí)，壓縮平板紙形成上部電介質(zhì)層104。但是，黑色層 120， 130和電極102， 103形成段差，因此通過形成段差部分包含的空氣沿著電 極周圍形成氣泡91。氣泡91的粒徑可通過壓縮平板紙的程度調(diào)整，壓縮力越大 氣泡91粒徑就越小。在此，氣泡91粒徑最好為2(戶) 12 0n)。如果，氣泡91粒徑為20"m)以 下時(shí)，不存在通過氣泡91降低介電常數(shù)的效果。 艮P，電極之間產(chǎn)生的電容如以下公式l。
d
其中，'A'為電極面積，'d'為電極之間距離，'e'為電介質(zhì)層的介電常數(shù)， 'ri'為氣泡的介電常數(shù)。
但是，氣泡91的介電常數(shù)是空氣的介電常數(shù)即1，因此相對(duì)比電介質(zhì)層的 介電常數(shù)(s )小。因此，氣泡91引起的介電常數(shù)(rO降低整個(gè)介電常數(shù)(e + n)， 介電常數(shù)比沒有氣泡時(shí)變小，電容也會(huì)減少。
同時(shí)，氣泡91的粒徑為120"ni)以上時(shí)，存在電介質(zhì)層104被絕緣破壞的問 題。因此，氣泡91的粒徑最好為2(，)~12(，)。
而且，如下所述，氣泡91粒徑應(yīng)比第2電極102和第1電極103之間的最 短距離小。如果氣泡91的粒徑比最短距離更大，則第2電極102和第1電極103 會(huì)在沒有電介質(zhì)的狀態(tài)下直接外露，因此出現(xiàn)電介質(zhì)層被絕緣破壞，或電極被 氧化的問題。
以下，參照?qǐng)D5及圖6，具體介紹第2電極和第1電極。圖5及圖6為舉例 顯示由單層結(jié)構(gòu)形成的第2電極和第1電極配置在1個(gè)放電串上的狀態(tài)的圖片。
分析圖5，則第2電極102和第1電極103包括，與尋址電極113交叉的多 個(gè)線部521a， 521b， 531a， 531b和，從多個(gè)線部521a， 521b， 531a， 531b當(dāng) 中的至少一個(gè)線部凸出的至少一個(gè)凸出部522a， 522b， 522c， 532a， 532b， 532c。
圖5a中只顯示了，第2電極102包括三個(gè)凸出部522a， 522b， 522c，第l 電極103也包括三個(gè)凸出部532a， 532b， 532c的例子，但是凸出部個(gè)數(shù)并不限 于此。例如，第2電極102和第1電極103可以分別包括2個(gè)凸出部，或者第2 電極102包括4個(gè)凸出部，第l電極103包括3個(gè)凸出部。
或者，第2電極102和第1電極103中也可以省略，沿著放電串的后方凸 出的凸出部，即省略編號(hào)522c， 532c的凸出部。
多個(gè)線部521a, 521b， 531a， 531b具有一定寬度，例如，第2電極102的 第l線部521a具有Wl寬度，第2線部521b具有W2寬度，同時(shí)第1電極103 的第1線部531a具有W3寬度，第2線部531b具有寬度。
在此，Wl， W2， W3， W4可以具有實(shí)際相同的值，也可以其中的一個(gè)以上具 有不同的值。例如，第2電極102的第1線部521a和第1電極103的第1線部531a寬度W1， W3約為35/zm，第2線部521b， 531b寬度W2， W4為45//m，第2 電極102的第l線部521a和第l電極103的第l線部531a寬度Wl， W3，要比 第2線部521b， 531b寬度W2， W4更小。
同時(shí)，第2電極102的第1線部521a和第2線部521b之間間距g3和第1 電極103的第1線部531a和第2線部531b之間間距g4過大時(shí)，第2電極102 和第1電極103之間開始的放電難以順利擴(kuò)散至第2電極102的第2線部521b 和第l電極103的第2線部531b,相反，過小時(shí)，難以沿著通過障壁112劃分 的放電串后方。因此，第2電極102的第l線部521a和第2線部521b之間間 距g3和第1電極103的第1線部531a和第2線部531b之間間距g4最好約為 170//m以上210泖以下。
而且，為了第2電極102和第1電極103之間開始的放電能夠充分?jǐn)U散至 放電串后方，與尋址電極113并排方向上的第2電極102的線部521a， 521b和 障壁112之間最短距離，即第2電極102的第2線部521b和障壁112之間，與 尋址電極113并排方向上的最短距離g5或與尋址電極113并排方向上的第1電 極103的線部531a， 531b和障壁112之間最短距離，即第1電極103的第2線 部531b和障壁112之間的與尋址電極113并排方向上最短距離g6最好約為120 岸以上150，以下。
凸出部522a。 522b， 522c， 532a， 532b， 532c當(dāng)中至少一個(gè)，從線部521a， 521b， 531a， 531b開始沿著通過障壁112劃分的放電串的中心方向凸出。例如， 第2電極102的編號(hào)522a， 522b的凸出部，從第2電極102的第L線部521a 開始沿著放電串中心方向凸出，第1電極103的編號(hào)532a， 532b的凸出部，從 第1電極103的第1線部531a開始沿著放電串中心方向凸出。
因此，圖5中，第2電極102的凸出部521a， 521b和第1電極103的凸出 部531a， 531b之間間距d為第2電極102和第1電極103之間最短間距，氣泡 91的粒徑應(yīng)比該最短間距d更小。
凸出部522a, 522b， 522c, 532a， 532b， 532c互相隔離一定距離配置。例 如，第2電極102的編號(hào)522a的凸出部和編號(hào)522b的凸出部以gl間距隔離， 第1電極103的編號(hào)532a的凸出部和編號(hào)532b的凸出部以g2間距隔離。
在此，為了充分確保放電效率，凸出部522a。 522b, 522c， 532a， 532b， 532c之間間距gl， g2最好為75 //m以上110戶以下。
而且，凸出部522a。 522b， 522c， 532a， 532b， 532c當(dāng)中至少一個(gè)凸出部 的長度與其他凸出部的長度不同。最好，凸出方向不同的兩個(gè)凸出部的長度不 同。例如，第2電極102的多個(gè)凸出部522a， 522b， 522c當(dāng)中，編號(hào)522a， 522b 的凸出部的長度和編號(hào)522c的凸出部的長度不同，第1電極103的多個(gè)凸出部532a， 532b， 532c當(dāng)中，編號(hào)532a， 532b的凸出部的長度和編號(hào)532c的凸出 部的長度不同。
而且，第2電極102和第1電極103可以包括，連接多個(gè)線部521a， 521b， 531a， 531b當(dāng)中的至少兩個(gè)線部的連接部523， 533。例如，可以再包括連接第 2電極102的第1線部521a和第2線部521b的連接部523和，連接第1電極 103的第1線部531a和第2線部531b的連接部533。
可以在這種從第2電極102的第1線部521a開始凸出的凸出部522a， 522b 和從第1電極103的第1線部531a開始凸出的凸出部532a， 532b之間開始放 電。
開始的放電擴(kuò)散到第2電極102的第1線部521a和第1電極103的第1線 部531a，同時(shí)經(jīng)由連接部523， 533擴(kuò)撒到第2電極102的第2線部521b和第 '1電極103的第2線部531b。
而且，擴(kuò)散到第2線部521b， 531b的放電，經(jīng)由第2電極102的編號(hào)522c 的凸出部和第1電極103的編號(hào)532c的凸出部，進(jìn)一步擴(kuò)撒到放電串的后方。
之后，分析圖6，第2電極102和第1電極103的多個(gè)凸出部521a， 521b, 521c， 531a， 531b， 531c當(dāng)中至少一個(gè)凸出部的一部分可具有曲率(Curvature)。 最好，多個(gè)凸出部521a， 521b， 521c， 531a， 531b， 531c當(dāng)中至少一個(gè)末端部 可以具有曲率。
而且，也可以使凸出部521a， 521b， 521c， 531a， 531b， 531c和線部521a, 521b， 531a， 531b連接的部分具有曲率。
而且，也可以使線部521a， 521b， 531a， 531b和連接部523， 533連接的 部分具有曲率。
如此，第2電極102和第1電極103的一部分具有曲率時(shí)，能夠進(jìn)一步簡(jiǎn) 化第2電極102和第1電極103的制造工序。同時(shí)，能夠防止驅(qū)動(dòng)時(shí)壁電荷過 度集中到指定位置，可以穩(wěn)定進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
以上介紹中，通過最佳實(shí)例介紹了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于此。顯然 本發(fā)明可以對(duì)上述最佳實(shí)例進(jìn)行變形。作為一例，上述最佳實(shí)例，本發(fā)明采用 單層結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了介紹，但是也可以適用到具有透明電極的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示板，其特征在于，它包括前面基板；與上述前面基板對(duì)置的后面基板；劃分上述前面基板和后面基板之間的空間形成放電串的障壁；上述放電串中對(duì)置形成的第1電極和第2電極；覆蓋上述第1電極和第2電極的上部電介質(zhì)層；及設(shè)在上述第1電極和第2電極周圍的氣泡。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，包括上述第1電極 和第2電極，及形成在上述前面基板之間的黑色層，上述第1電極和第2電極 寬度比上述黑色層更寬。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示板，其特征在于，上述氣泡設(shè)在上述 第1及第2電極和上述黑色層形成段差的部分。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示板，其特征在于，上述氣泡的粒徑比 上述第1電極和第2電極的最短距離更小。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示板，其特征在于，上述氣泡的粒徑為 2戶 12 ，。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的等離子顯示板，其特征在于，上 述第1電極和第2電極由單層形成。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第l電極和第 2電極分別包括，與上述尋址電極交叉的多個(gè)線部；連接上述多個(gè)線部當(dāng)中的至 少兩個(gè)線部的至少一個(gè)連接部；及從上述多個(gè)線部開始凸出的至少一個(gè)凸出部。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子顯示板，包括前面基板，與上述前面基板對(duì)置的后面基板，劃分上述前面基板和后面基板之間的空間形成放電串的障壁，上述放電串中對(duì)置形成的第1電極和第2電極，覆蓋上述第1電極和第2電極的上部電介質(zhì)層及設(shè)在上述第1電極和第2電極周圍的氣泡的等離子顯示板。
文檔編號(hào)H01J17/49GK101409194SQ20081017839
公開日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2008年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月7日
發(fā)明者洪相玟 申請(qǐng)人:樂金電子(南京)等離子有限公司