專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為等離子顯示板(Plasma Display Panel)相關(guān)發(fā)明。
背景技術(shù)：
通常，等離子顯示板中，在由障壁劃分的放電串(Cell)內(nèi)形成的熒光體層的 同時形成多個電極(Electrode)。通過這種電極向放電串提供驅(qū)動信號，放電串內(nèi) 通過供應(yīng)的驅(qū)動信號產(chǎn)生放電。其中，在放電串內(nèi)通過驅(qū)動信號放電時，充入放 電串內(nèi)的放電氣體會產(chǎn)生真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)，這種真空紫外線 激發(fā)形成在放電串內(nèi)的熒光體，產(chǎn)生可見光。通過這種可見光，在等離子顯示板 的畫面上顯示影像。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供通過調(diào)整熒光體層厚度，增加可見光發(fā)生量的等離子 顯示板。
本發(fā)明的技術(shù)方案是
一種等離子顯示板包括前面基板，和與前面基板對置配置，并配置下部電 介質(zhì)層的后面基板，和在前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁及配置在放 電串的熒光體層，熒光體層包括釋放紅色光的第1熒光體層，釋放藍(lán)色光的第2 熒光體層及釋放綠色光的第3熒光體層，第2熒光體層的側(cè)面部厚度可以為下部 厚度的1.64倍以上3.2倍以下。
而且，第2熒光體層的側(cè)面部厚度可以為下部厚度的1. 64倍以上2. 6倍以下。
而且，第3熒光體層的側(cè)面部厚度可以為下部厚度的1. 72倍以上2. 4倍以下。
而且，第1熒光體層的側(cè)面部厚度可以為下部厚度的1. 2倍以上2. 0倍以下。 而且，第2熒光體層的側(cè)面部厚度可以比第1熒光體層及第3熒光體層當(dāng)中 的至少一個側(cè)面部厚度更厚。
而且，熒光體層的側(cè)面部厚度在將障壁的高度設(shè)為h時，可以是在h/2支點 中與后面基板并排方向上的厚度。
而且，熒光體層的下部厚度在將放電串間距設(shè)為L時，可以是在L/2支點與 上述后面基板和交叉的方向上的厚度。而且，第1熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50可以為1. 0 //m以上2. 0 ，以下。 而且，第2熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50可以為1. 5拜以上2. 5 //m以下。 而且，第3熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50可以為1. 5拜以上2. 5 /an以下。 有益效果本發(fā)明的等離子顯示板通過調(diào)整熒光體層的厚度，增加可見光的
發(fā)生量，具有提高影像亮度的效果。


圖1為介紹等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片；
圖2為介紹等離子顯示板的驅(qū)動方法的圖片；
圖3為介紹第2熒光體層的圖片；
圖4為介紹熒光體層的側(cè)面部厚度和亮度之間關(guān)系的圖片；
圖5為介紹第2熒光體層的側(cè)面部厚度和下部厚度之間關(guān)系的圖片；
圖6為介紹第3熒光體層的圖片；
圖7為介紹第3熒光體層的側(cè)面部厚度和下部厚度之間關(guān)系的圖片； 圖8為介紹第1熒光體層的圖片；
圖9為介紹第1熒光體層的側(cè)面部厚度和下部厚度之間關(guān)系的圖片；
圖10至圖12為比較第1， 2， 3熒光體層的圖片； 圖13至圖14為介紹熒光體顆粒大小的圖片。
附圖中主要部分符號說明
IOI:前面基板 102:掃描電極
103:維持電極 104:上部電介質(zhì)層
105:保護(hù)層 lll:后面基板
112:障壁 113:尋址電極
114:熒光體層 115:下部電介質(zhì)層
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)一步的說明-圖1為介紹等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。
分析圖1，本發(fā)明一實例的等離子顯示板可以包括形成并排的掃描電極 (102， Y)和維持電極(103, Z)的前面基板lOl，和形成與掃描電極102及維持電 極103交叉的尋址電極113的后面基板111。
可以在掃描電極102和維持電極103的上部，配置限制掃描電極(102， Y)和維持電極(103， Z)的放電電流，使掃描電極(102， Y)和維持電極(103， Z)之間 絕緣的上部電介質(zhì)層104。
可以在上部電介質(zhì)層104的上部形成易化放電條件的保護(hù)層105。這種保護(hù) 層105可以包含二次電子釋放系數(shù)高的材料，例如氧化鎂(MgO)材質(zhì)。
而且，后面基板111上形成尋址電極(113， X),可以在這種尋址電極(113， X)的上部形成使尋址電極(113， X)絕緣的下部電介質(zhì)層115。
同時，下部電介質(zhì)層115的上部可以形成劃分放電空間即放電串的條形 (StripeType),井形(WellType)，三角形(DeltaType)，蜂窩形等障壁112。通 過這種障壁112。由此，可以在前面基板101和后面基板111之間形成釋放紅色 (Red:R)光的第l放電串，釋放藍(lán)色(Blue:B)光的第2放電串及釋放綠色(Blue:B) 光的第3放電串。
而且，除了第l， 2， 3放電串之外，可以再形成釋放白色(White:W)或黃色 (Yellow:Y)的第4放電串。
同時，第l， 2， 3放電串的寬度可以實際相同，也可以將第l放電串，第2 放電串及第3放電串當(dāng)中的一個以上的放電串的寬度設(shè)為與其他放電串寬度不 同。
例如，可以設(shè)為釋放紅色(R)光的第1放電串的寬度最小，使釋放綠色(G) 光的第3放電串及釋放藍(lán)色(B)光的第1放電串寬度大于釋放紅色(R)光的第1 放電串的寬度。則可以提高所顯現(xiàn)的影像的色溫特性。第2放電串的寬度可以與 第3放電串的寬度實際相同或不同。
而且，不僅可以采用圖1所示的障壁112結(jié)構(gòu)，也可以采用多種形狀的障壁 結(jié)構(gòu)。例如，障壁112包括互相交叉的第1障壁和第2障壁。在此可以采用，第 1障壁高度與第2障壁高度互不相同的差分型障壁結(jié)構(gòu)。在第1障壁或第2障壁 當(dāng)中至少任一個以上障壁形成可作為排氣通道的頻道(Channel)的頻道型障壁結(jié)
構(gòu)，第1障壁或第2障壁當(dāng)中至少任一個以上障壁形成槽(Hollow)的槽形障壁結(jié) 構(gòu)。
而且，圖示和介紹了第l， 2, 3放電串分別在同一個線上的例子，但是也可 以采用其他方式排列。比如第l， 2， 3放電串以三角形排列的三角洲(Delta)型 的排列。放電串的形狀也同樣，不僅可以采取四角形，也可以采取五角形，六角 形等多種多角形狀。而且，在此圖1中只顯示了障壁112形成在后面基板111上的例子，但是障 壁112可以形成在前面基板201或后面基板111當(dāng)中的至少一個上。 在此，由障壁112劃分的放電串內(nèi)充入放電氣體。
同時，可以在由障壁112劃分的放電串內(nèi)形成尋址放電時釋放顯示圖像的可 見光的熒光體層114。例如，可以形成釋放紅光的第1熒光體層，釋放藍(lán)色光的 第2熒光體層及釋放綠色光的第3熒光體層。
而且，除了第l， 2， 3熒光體層之外，還可以再形成釋放白色(White:W)及/ 或黃色(Yellow: Y)光的第4熒光體層。
以上介紹中只顯示了上部電介質(zhì)層104及下部電介質(zhì)層115分別為一個層 (Layer)的例子，但是這種上部電介質(zhì)層104及下部電介質(zhì)層104當(dāng)中可以至少 一個是由多個層組成。
同時，為了防止障壁112引起的外光反射，可以在障壁112的上部增設(shè)可以 吸收外光的黑色層(圖中未顯示)。
而且，也可以在與障壁112對應(yīng)的前面基板101上的特定位置增設(shè)黑色層(圖 中未顯示)。
而且，形成在后面基板111上的尋址電極113的寬或厚度可以是一定值，但 是放電串內(nèi)的寬或厚度可以與放電串外部的寬或厚度不同。例如，放電串內(nèi)部的 寬或厚度大于放電串外部的寬或厚度。
圖2為介紹等離子顯示板的驅(qū)動方法的圖片。
分析圖2，可以在初始化的重置期間向掃描電極(Y)提供重置信號。重置信 號可以包含上斜(Ra即-Up)信號和下斜(Ramp-Down)信號。
具體地說，在創(chuàng)建(Set-Up)期間內(nèi)，向掃描電極提供上斜信號，由此創(chuàng)建期 間內(nèi)，放電串內(nèi)通過上斜信號發(fā)生弱的暗放電(DarkDischarge)即創(chuàng)建放電。通 過此創(chuàng)建放電，放電串內(nèi)將積累某一程度的壁電荷(WallCharge)。
在創(chuàng)建期間之后的記憶(Set-Down)期間內(nèi)，可以在上斜信號之后，向掃描電 極(Y)提供與這種上斜信號相反極性方向的下斜信號。則放電串內(nèi)發(fā)生微弱的消 除放電(EraseDischarge)，即記憶放電。通過此記憶放電，將在放電串內(nèi)均勻殘 留可以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷。
在重置期間之后的尋址期間內(nèi)，可以向掃描電極提供實際維持比下斜信號的 最低電壓(V5)更高電壓，例如第6電壓(V6)的掃描偏置信號。同時，可以向掃描電極提供從掃描偏置信號開始下降的掃描信號。 同時，至少一個子字段的尋址期間內(nèi)，向掃描電極提供的掃描信號(Scan) 的脈沖寬度可以與其他子字段脈沖寬度不同。例如，在時間上位于后位的子字段 中的掃描信號(Scan)寬度可以比在前面的子字段中的掃描信號(Scan)寬度更小。 而且，子字段排列順序的掃描信號(Scan)寬度減少可以采用2. 6 //s (微秒)，2. 3
z"s， 2.1 //s， 1. 9 /"s等漸進(jìn)的方式，或采用2. 6 //s， 2. 3 /ws， 2. 3 //s， 2. 1 //s......l. 9
/"s， 1.9//s等方式。
向掃描電極提供掃描信號時，可以與掃描信號對應(yīng)，向?qū)ぶ冯姌O(X)提供數(shù) 據(jù)信號。
隨著這些掃描信號和數(shù)據(jù)信號信號的供應(yīng)，掃描信號與數(shù)據(jù)信號之間的電壓 之差將與，重置期間內(nèi)生成的壁電荷引起的壁電壓相加，由此在供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的 放電串內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。
在此，在尋址期間內(nèi)，為了防止維持電極(Z)的干涉引起尋址放電的不穩(wěn)定， 可以向維持電極提供維持偏置信號(Vzb)。
在此，維持偏置信號穩(wěn)定維持小于在維持期間施加維持信號的電壓，大于接 地電平(GND)的電壓的維持偏置電壓(Vz)。
之后，在顯示影像的維持期間內(nèi)向掃描電極或維持電極當(dāng)中的一個以上電極 提供維持信號。例如，可以向掃描電極或維持電極交替施加維持信號。
若提供這樣的維持信號，則通過尋址放電被選的放電串在隨著放電串內(nèi)壁電
壓和維持信號的維持電壓(Vs)相加而提供維持信號時，在掃描電極和維持電極之
間產(chǎn)生維持放電即顯示放電。
同時，至少一個子字段中，在維持期間內(nèi)提供多個維持信號，多個維持信號 當(dāng)中至少一個維持信號的脈沖寬度可以與其他維持信號的脈沖寬度不同。例如，
多個維持信號當(dāng)中，最早提供的維持信號的脈沖寬度大于其他維持信號的脈沖寬 度。貝U，維持信號能夠更穩(wěn)定。
圖3為介紹第2熒光體層的圖片。
分析圖3,第2熒光體層114B中側(cè)面部厚度(tl)比下部厚度(t2)更厚。 在此，第2熒光體層114B的側(cè)面部厚度在將障壁112高度設(shè)為h時，可以 為在h/2支點與后面基板111并排方向上的厚度。
而且，第2熒光體層114B的下部厚度(t2)在將放電串間距設(shè)為L時，可以為在L/2支點與后面基板111交叉的方向上的厚度。
如此，在第2熒光體層114B中，將側(cè)面部厚度(tl)設(shè)為相對比下部厚度(t2) 更厚時，可見光的發(fā)生量會增加，從而提高體現(xiàn)的影像亮度。
參照圖4，具體介紹熒光體層(114R， 114B， 114G)的側(cè)面部厚度和亮度。
圖4為介紹熒光體層的側(cè)面部厚度和亮度關(guān)系的圖片。
圖4顯示了，第1熒光體層的側(cè)面部厚度約為19拜，下部厚度約為12拜， 第2熒光體層的側(cè)面部厚度約為26戶，下部厚度約為18岸，第3熒光體層的側(cè) 面部厚度約為26拜，下部厚度約為16泖的第l類型(Typel)，和第1熒光體層 的側(cè)面部厚度約為19 #m，下部厚度約為12 //m，第2熒光體層的側(cè)面部厚度約為 33戶，下部厚度約為16拜，第3熒光體層的側(cè)面部厚度約為27拜，下部厚度 約為12周的第2類型(Type2)的亮度特性。
可以得知，第1類型中，在所有放電串形成第1熒光體層之后測量的紅色光 的亮度約為153(cd/m2)，第2類型中約為165(cd/m2)。
而且可以得知，第1類型中，在所有放電串形成第3熒光體層之后測量的綠 色光的亮度約為366(cd/m2),第2類型中約為398(cd/m2)。
而且可以得知，第1類型中，在所有放電串形成第2熒光體層之后測量的藍(lán) 色光的亮度約為61 (cd/m2)，第2類型中約為65(cd/m2)。
而且，第l放電串中形成第l熒光體層，第2放電串在形成第2熒光體層， 第3放電串中形成第3熒光體層時，第1類型中白色(White)光的亮度約為 207 (cd/m2)，第2類型中約為222 (cd/m2)。
分析以上的圖4的數(shù)據(jù)時，可以得知，影像亮度隨著熒光體層的下部厚度比 側(cè)面部厚度增加而增加。
圖5為介紹第2熒光體層的側(cè)面部厚度和下部厚度關(guān)系的圖片。
圖5顯示了，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl)為下部厚度(t2)的1. 32倍以 上3. 7倍以下的范圍中，評價第2熒光體層的制造工序中的工序難易度和所顯現(xiàn) 的影像亮度的數(shù)據(jù)。 表示影像亮度充分高或，工序難易度充分低因此很好，〇 表示相對良好，X表示很差。
首先，從影像亮度角度分析時可以得知，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl) 為下部厚度(t2)的L32倍時，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl)過薄，影像的亮 度會過低，因此很差。相反，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl)為下部厚度(t2)的1.48倍時，影像 的亮度相對良好。
而且可以得知，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl)為下部厚度(t2)的1. 64倍 以上時，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl)充分厚，因此影像的亮度很好。
同時，從工序難易度的角度分析時可以得知，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl) 為下部厚度(t2)的3. 55倍以上3. 7倍以下時，工序難易度很差。
為了在熒光體層的制造工序中，相對加厚側(cè)面部厚度，在假設(shè)熒光體顆粒大 小一致時，應(yīng)增加熒光體組成物的粘度。
更具體地說，熒光體組成物的粘度相對低時，障壁和熒光體組成物之間的附 著力會變?nèi)?，因此熒光體層的側(cè)面部厚度會相對變薄。相反，熒光體組成物粘度 過高時，可以充分加厚側(cè)面部厚度，但是熒光體調(diào)配(Dispensing)工序時會堵塞 調(diào)配裝置的噴頭(Nozzle)，采用絲網(wǎng)印刷(ScreenPrinting)方法印刷熒光體組成 物時，會過度增加工序所需的時間。因此，制造工序中的工序難易度會過度增高， 因此工序難易度很差。
熒光體顆粒的大小或材質(zhì)改變時，熒光體組成物的粘度和工序難易度特性之 間關(guān)系也會變化。
相反可以得知，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl)為下部厚度(t2)的1. 32倍 以上1.48倍以下或，2.85倍以上3.2倍以下時，工序難易度相對良好。
而且可以得知，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl)為下部厚度(t2)的1.64倍 以上2.6倍以下時，工序難易度很好。
分析以上圖5的數(shù)據(jù)時，第2熒光體層的側(cè)面部厚度(tl)最好是下部厚度(t2) 的1. 64倍以上3. 2倍以下，最好是1. 64倍以上2. 6倍以下。
圖6為介紹第3熒光體層的圖片。以下將省略以上已經(jīng)具體介紹的內(nèi)容。 分析圖6，第3熒光體層114G中側(cè)面部厚度(t3)可以比下部厚度(t4)更厚。如 此，第3熒光體層114G中，將側(cè)面部厚度(t3)設(shè)為相對比下部厚度(t4)更厚時， 會增加可見光的發(fā)生量，從而提高顯現(xiàn)的影像亮度。
圖7為介紹第3熒光體層的側(cè)面部厚度和下部厚度之間關(guān)系的圖片。
圖7顯示了 ，在第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3)為下部厚度(t4)的1. 31倍 以上3. 2倍以下的范圍內(nèi)，評價第3熒光體層的制造工序中的工序難易度和顯現(xiàn) 影像的亮度的數(shù)據(jù)。 表示影像亮度充分高，或工序難易度充分低，因此很好，o表示相對良好，x表示很差。 .
首先，從影像的亮度角度分析時可以得知，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3) 為下部厚度(t4)的1.31倍時，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3)會過薄，因此影 像亮度過低而很差。
相反可以得知,第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3)為下部厚度(t4)的1.6倍時， 影像亮度相對良好。
而且可以得知，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3)為下部厚度(t4)的1. 72倍 以上時，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3)充分厚，因此影像亮度很好。
同時可以得知，從工序難易度角度分析時，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3) 為下部厚度(t4)的3.2倍時，工序難易度很差。
相反可以得知，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3)為下部厚度(t4)的1. 31倍 或2.56倍以上3.0倍以下時，工序難易度相對良好。
而且可以得知，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3)為下部厚度(t4)的1. 6倍以 上2.4倍以下時，工序難易度很好。
分析以上圖7的數(shù)據(jù)時，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t3)最好是下部厚度(t4) 的1. 6倍以上3. 0倍以下，最好為1. 72倍以上2. 4倍以下。
圖8為介紹第1熒光體層的圖片。以下將省略以上具體介紹的內(nèi)容。
分析圖8,則第1熒光體層114R中側(cè)面部厚度(t5)可以比下部厚度(t6)更 厚。如此，第1熒光體層114R中，將側(cè)面部厚度(t5)設(shè)得相對比下部厚度(t6) 更厚時，會增加可見光的發(fā)生量，會提高所顯現(xiàn)的影像亮度。
圖9為介紹第1熒光體層的側(cè)面部厚度和下部厚度之間關(guān)系的圖片。
圖9顯示了 ，在第1熒光體層的側(cè)面部厚度(t5)為下部厚度(t6)的1. 0倍以 上3. 4倍以下的范圍內(nèi)，評價第1熒光體層的制造工序中的工序難易度和顯現(xiàn)影 像的亮度的數(shù)據(jù)。 表示影像亮度充分高，或工序難易度充分低，因此很好，〇 表示相對良好，X表示很差。
首先，從影像的亮度角度分析時可以得知，第1熒光體層的側(cè)面部厚度(t5) 為下部厚度(t6)的1.0倍時，第3熒光體層的側(cè)面部厚度(t5)會過薄，因此影像 亮度過低而很差。
相反可以得知，第1熒光體層的側(cè)面部厚度(t5)為下部厚度(t6)的1. 1倍時， 工序難易度相對良好。而且可以得知，第1熒光體層的側(cè)面部厚度(t5)為下部厚度(t6)的1. 2倍以 上時，第l熒光體層的側(cè)面部厚度(t5)充分厚，因此影像亮度很好。
同時，從工序難易度角度分析時可以得知，第1熒光體層的側(cè)面部厚度(t5) 為下部厚度(t6)的3. 0倍以上3. 4倍以下時，工序難易度很差。
相反可以得知，第1熒光體層的側(cè)面部厚度(t5)為下部厚度(t6)的1. 0倍或 2.32倍以上2.72倍以下時，工序難易度相對良好。
而且可以得知，第1熒光體層的側(cè)面部厚度(t5)為下部厚度(t6)的1. 1倍以 上2.0倍以下時，工序難易度很好。
分析以上圖9的數(shù)據(jù)時，第1熒光體層的側(cè)面部厚度(t5)最好為下部厚度(t6) 的1. 1倍以上2. 72倍以下，最好為1. 2倍以上2. 0倍以下。
圖10至圖12為比較第1， 2， 3熒光體層的圖片。
首先分析圖10，則第2熒光體層114B的側(cè)面部厚度(t20)可以比第1熒光 體層114R的側(cè)面部厚度(tlO)及第3熒光體層114G的側(cè)面部厚度(t30)更厚。而 且，第3熒光體層114G的側(cè)面部厚度(t30)可以比第1熒光體層114R的側(cè)面部 厚度(tlO)更厚。
如此，第2熒光體層114B的側(cè)面部厚度(t20)比第1熒光體層114R的側(cè)面 部厚度(tlO)及第3熒光體層114G的側(cè)面部厚度(t30)更厚時，藍(lán)色光的發(fā)生量 比紅色光及綠色光的發(fā)生量更多，從而可以提高影像色溫。
以下，分析圖11時，第2熒光體層114B的下部厚度(tl2)可以比第l熒光 體層114R的下部厚度(tll)更厚。而且，第3熒光體層114G的下部厚度(t13) 可以比第1熒光體層114R的下部厚度(tll)更厚，而且第2熒光體層114B的下 部厚度(tl2)可以比第3熒光體層114G的下部厚度(tl3)更厚。
如此，第2熒光體層114B的下部厚度(t12)比第1熒光體層114R的下部厚 度(tll)更厚時，藍(lán)色光的發(fā)生量比紅色光的發(fā)生量更多，因此可以提高影像的 色溫。
以下，分析圖12，則第2熒光體層114B間距(Pitch)(L2)可以比第l熒光 體層114R間距(L1)更長。而且，第3熒光體層114G間距(L3)可以比第1熒光體 層114R間距(L1)更長，而且第2熒光體層114B間距(L2)可以比第3熒光體層 114G間距(L3)更長。
如此，第2熒光體層1MB間距(L2)比第1熒光體層114R間距(L1)更長時，藍(lán)色光的發(fā)生量比紅色光的發(fā)生量更多，因此可以提高影像色溫。 圖13至圖14為介紹熒光體顆粒大小的圖片。
首先，分析圖13，則第1熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50可以為l.O戶 以上2.0/zm。在此，D50為1.0，以上2.0，以下表示，整體顆粒的約為50%左 右的粒度為1. 0 ^以上2. 0 //m以下。
例如，假設(shè)第1熒光體層的熒光體材質(zhì)的D50約為5 ，。此時，第1熒光體 層的熒光體材質(zhì)的粒度過大，而且其重量也大，因此進(jìn)行第1熒光體層的制造工 序時，熒光體材質(zhì)的顆粒不能充分粘到障壁上，因此第1熒光體層的側(cè)面部厚度 會過薄。
相反，第1熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50為1. 0周以上2. 0 ，以下，第 1熒光體層的熒光體材質(zhì)的粒度充分小時，進(jìn)行第1熒光體層的制造工序時，熒 光體材質(zhì)可以充分粘貼到障壁上，由此可以充分加厚己〖第1熒光體層側(cè)面厚度。
而且，第2熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50可以為1. 5 ，以上2. 5 ，以下。
而且，第3熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50可以為1. 5 ^以上2. 5戶以下。
如上所述，設(shè)置第2熒光體層的熒光體材質(zhì)顆?；虻?熒光體層的熒光體材 質(zhì)顆粒的粒度時，可以充分加厚第2熒光體層或第3熒光體層的側(cè)面部厚度。
以下，圖14的(a)中顯示第2熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50為4. 5 ，時 的一例，(b)中顯示了第2熒光體層的熒光體材質(zhì)顆粒的D50為2 ，時的一例。 使用(a)和(b)的熒光體材質(zhì)，分別形成多個第2熒光體層，多個第2熒光體層中 測量了側(cè)面部厚度和下部厚度。
分析測量結(jié)果時可以得知，(a)中，第一個第2熒光體層的左側(cè)側(cè)面部厚度 (t100)約為25. 3 ，，右側(cè)側(cè)面部厚度(120)約為28. 3拜，下部厚度(tl10)為17. 3 聲。而且可以得知，第二個第2熒光體層的左側(cè)側(cè)面部厚度(tlOO)約為32. 3 ，， 右側(cè)側(cè)面部厚度(tl20)約為33. 6 )Wn，下部厚度(tl10)為21. 3戶。
而且可以得知，(a)中，平均為第2熒光體層的左側(cè)側(cè)面部厚度(tl00)約為 26.5，，右側(cè)側(cè)面部厚度(tl20)約為28.2，，下部厚度(tl10)為17. 8 ，。 相反可以得知，(b)中，第一個第2熒光體層的左側(cè)側(cè)面部厚度(tl30)約為32.5 戶，右側(cè)側(cè)面部厚度(150)約為34.6，，下部厚度(tl40)為16.7，。而且可以 得知，第二個第2熒光體層的左側(cè)側(cè)面部厚度(tl30)約為30.8/zm，右側(cè)側(cè)面部 厚度(tl50)約為26.4，，下部厚度(tl40)為14. 1風(fēng)而且，(b)中，平均為第2熒光體層的左側(cè)側(cè)面部厚度(tl30)約為33. l卿， 右側(cè)側(cè)面部厚度(tl50)約為31.7，，下部厚度(tl40)為16. 0肌
分析以上的圖14數(shù)據(jù)時，第2熒光體材質(zhì)顆粒的D50為2 ，，相對小時， 第2熒光體層的側(cè)面部厚度可以比下部厚度充分厚。
由此，可以理解，上述本發(fā)明的技術(shù)組成是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)內(nèi)人士 不對本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特點進(jìn)行變更，就可以以其他具體形式實施。
因此，應(yīng)理解以上所記述的實例是在各方面的例示，并不是為限制。比上述 詳細(xì)介紹，更能顯示本發(fā)明的范圍的是后述的專利申請范圍，應(yīng)解釋為從專利申 請范圍的意義及范圍且其等價觀念導(dǎo)出的所有變更或變更形式都包括在本發(fā)明 的范圍。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示板，包括前面基板；與上述前面基板對置配置，并配置下部電介質(zhì)層的后面基板；在上述前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁；及配置在上述放電串的熒光體層；熒光體層包括釋放紅色光的第1熒光體層，釋放藍(lán)色光的第2熒光體層及釋放綠色光的第3熒光體層，其特征在于上述第2熒光體層的側(cè)面部厚度可以為下部厚度的1.64倍以上3.2倍以下的等離子顯示板。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述第2熒光體層 的側(cè)面部厚度可以為下部厚度的1. 64倍以上2. 6倍以下的等離子顯示板。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述第3熒光體層 的側(cè)面部厚度萬下部厚度的1. 72倍以上2. 4倍以下的等離子顯示板。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述第1熒光體層 的側(cè)面部厚度為下部厚度的1. 2倍以上2. 0倍以下的等離子顯示板。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述第2熒光體層 的側(cè)面部厚度比上述第1熒光體層及上述第3熒光體層當(dāng)中至少一個的側(cè)面部厚 度更厚的等離子顯示板。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述熒光體層的側(cè) 面部厚度在將上述障壁的高度設(shè)為h時，可以是在h/2支點中與上述后面基板并 排方向上的厚度的等離子顯示板。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述熒光體層的下 部厚度在將上述放電串間距設(shè)為L時，可以是在L/2支點與上述后面基板和交叉 的方向上的厚度的等離子顯示板。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述第1熒光體層 的熒光體材質(zhì)顆粒的D50為1. 0 ，以上2. 0戶的等離子顯示板。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述第2熒光體層 的熒光體材質(zhì)顆粒的D50為1. 5 //m以上2. 5戶以下的等離子顯示板。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述第3熒光體層 的熒光體材質(zhì)顆粒的D50為1. 5拜以上2. 5 /an以下的等離子顯示板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子顯示板，包括前面基板，和與前面基板對置配置，并配置下部電介質(zhì)層的后面基板，和在前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁及配置在放電串的熒光體層，熒光體層包括釋放紅色光的第1熒光體層，釋放藍(lán)色光的第2熒光體層及釋放綠色光的第3熒光體層，第2熒光體層的側(cè)面部厚度可以為下部厚度的1.64倍以上3.2倍以下。本發(fā)明的等離子顯示板通過調(diào)整熒光體層的厚度，增加可見光的發(fā)生量，具有提高影像亮度的效果。
文檔編號H01J17/49GK101436501SQ200810178399
公開日2009年5月20日 申請日期2008年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者具滋仁, 柳 樸, 李智勛, 李鉉宰, 柳成男, 鄭明淳, 金熙權(quán) 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司