專利名稱：顯示屏和顯示屏加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氣體放電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及顯示屏和顯示屏加工 方法。
背景技術(shù)：
PDP (等離子體顯示板)顯示屏由前、后基板及制作在基板上 的電極、障壁、介質(zhì)、熒光粉等功能器件組成。隨著分辨率的提高， 顯示單元的不斷縮小，增大放電間隙提高發(fā)光亮度是未來的主要研 究方向，但是放電間隙增大的結(jié)果造成顯示器件的著火電壓大幅提 高，為了配合驅(qū)動(dòng)線路方面的要求適當(dāng)降低著火電壓。
PDP的傳統(tǒng)制作方法主要是每個(gè)顯示單元都由障壁、顯示電極、 尋址電才及和上下介質(zhì)組成，由于顯示單元空間^艮小只有20(H效米x 60(M效米左右，沒有足夠的空間制作輔助;改電單元。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述的一個(gè)或多個(gè)問題，本發(fā)明提出了一種顯示屏和 顯示屏加工方法，通過本發(fā)明降^氐顯示屏的著火電壓。
才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的顯示屏，在其非有效發(fā)光區(qū)域，沒置有 一組或多組輔助;改電單元。才艮據(jù)本發(fā)明的另 一方面的顯示屏加工方法包4舌以下步驟在顯
示屏的非有效發(fā)光區(qū)i或加工一組或多組輔助;改電單元。
其中， 一組或多組輔助;改電單元是分布在有效發(fā)光區(qū)域之外的 上下兩側(cè)的輔助;故電單元。 一組或多組輔助;改電單元中的總線電核_ 為圓弧形。
通過在顯示屏的非有效發(fā)光區(qū)i或制作輔助;改電單元，可以達(dá)到 降低高發(fā)光效率顯示器的著火電壓的效果。


此處所i兌明的附圖用來沖是供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申 請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并 不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的位于非有效發(fā)光區(qū)域的輔助放電單 元的示意圖；以及
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的輔助放電單元的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。
為了解決顯示單元空間小以致于沒有足夠的空間制作輔助》文電 單元等的諸多問題，在本發(fā)明的實(shí)施例中，在顯示屏的非有效發(fā)光 區(qū)域制作兩組輔助》文電單元以達(dá)到降〗氐高發(fā)光效率顯示器的著火電 壓。
才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示屏，在其非有效發(fā)光區(qū)域i殳置有一組 或多組輔助;故電單元。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示屏加工方法包括以下步驟在顯示屏 的非有效發(fā)光區(qū)域加工一組或多組輔助》文電單元。
其中，加工一組或多組輔助;改電單元包括
步驟一，在掩膜版上繪制相應(yīng)于顯示電極和一組或多組輔助放 電單元的圖案；
步驟二，在iE皮璃基才反上加工透明導(dǎo)電月莫；
步驟三，在透明導(dǎo)電膜表面上涂覆干式光敏膠膜或感光膠；
步驟四，利用掩膜版對(duì)涂覆有干式光*丈膠膜或感光膠的玻璃基 板進(jìn)行曝光；
步驟五，對(duì)曝光后的玻璃基板進(jìn)行顯影；
步驟六，對(duì)顯影后的玻璃基板進(jìn)行濕法刻蝕以獲得顯示電極和 一纟且或多《且壽t助》文電單元；
步驟七，在顯示電才及和一組或多組輔助;改電單元上涂覆總線電 極漿料；
步驟八，利用掩膜版對(duì)總線電極漿料進(jìn)行曝光；
步驟九，對(duì)曝光后的玻璃基板進(jìn)行顯影以獲得總線電極；以及
步驟十，在高溫下燒結(jié)玻璃基4反。
其中， 一組或多組輔助放電單元是分布在有效發(fā)光區(qū)域之外的 上下兩側(cè)的輔助;故電單元。 一組或多組輔助;改電單元中的總線電招_ 為圓弧形。如圖1和圖2所示，在本發(fā)明的實(shí)施例中
在顯示屏的非有效發(fā)光區(qū)域制作兩組輔助放電單元以達(dá)到降低 高發(fā)光效率顯示器的著火電壓。
具體步—驟如下
A、 在已完成尋址電極、介質(zhì)制作障壁。
B、 在制作顯示電極時(shí)設(shè)計(jì)特殊的輔助放電單元于非發(fā)光區(qū)顯 示電才及的兩側(cè)。為了簡(jiǎn)化加工工藝該工藝與顯示電才及制作工藝類同， 先制作ITO,再制作總線(bus)電極；
C、 使用印刷法或涂覆法在電極上制作一層厚度約30孩t米透明 介質(zhì)層；
D、 蒸鍍一層保護(hù)膜；
E、 最后將加工完成的上下基纟反對(duì)和，封4妻排氣，最終充入高 含氙氣體以得到高的發(fā)光效率。
F、 在屏老煉時(shí)可以啟用兩組輔助;改電單元以達(dá)到降j氐高發(fā)光 效率顯示器的著火電壓。
1、 該專利主要是在制作顯示電極時(shí)設(shè)計(jì)特殊的輔助放電單元于 非發(fā)光區(qū)顯示電極的兩側(cè)，
2、 我們采用光刻蝕電極工藝，因此我們?cè)陲@示電極掩膜版一同 繪制特殊的輔助放電單元，首先在加工顯示電極同時(shí)制作輔助放電 電極。
63、 首先利用貼附DFR ( dry film resist,干式光壽文月交膜)膜或涂 覆PR (photoresist,感光膠)膠與ITO (透明導(dǎo)電膜)表面。
4、 利用顯示電極掩膜版對(duì)貼過DFR膜或涂覆過PR膠的玻璃 基板曝光。曝光量為200 ~ 500mJ/cm2。
5、 對(duì)曝光后的玻璃基板顯影。
6、 將顯影后的玻璃基板進(jìn)行濕法刻蝕，得到所需透明電極圖形。
7、 印刷總線電極并在在90~ ll(TC溫度范圍內(nèi)干燥。
8、 利用顯示電才及掩膜版對(duì)電極漿沖牛曝光。曝光量為400 ~ 700mJ/cm2。
9、 對(duì)曝光后的玻璃基板顯影，得到所需電極圖形。
10、 對(duì)形成附帶輔助力文電電才及圖形的iE皮璃基纟反在550°C~570 。C高溫下》免結(jié)。
11、 在制作障壁時(shí)預(yù)留相應(yīng)的輔助;改電空間。
12、 輔助放電空間不需要涂敷熒光粉。
總而言之，在本發(fā)明的實(shí)施例中，在非發(fā)光區(qū)制作輔助放電單 元，利用較低的放電間隙使氣體迅速電離，待顯示圖像訊號(hào)到來時(shí) 降寸氐顯示屏的著火電壓。其中，所述的輔助;汶電單元分布在顯示畫 面之外。輔助放電單元的電極為圓弧放電結(jié)構(gòu)，有利于提高放電的 穩(wěn)定性?？梢詫⒈景l(fā)明的技術(shù)應(yīng)用于PDP等顯示器件。也可以將本 發(fā)明應(yīng)用于制作高亮度高發(fā)光效率的器件。通過本發(fā)明，可以制作出優(yōu)質(zhì)的高發(fā)光效率顯示器，并且工藝 簡(jiǎn)單，無需額外的工藝設(shè)備。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，
乂t于本4頁i成的才支術(shù)人員來i兌，本發(fā)明可以有各種更改和變4b。凡在
本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等， 均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示屏，其特征在于，在顯示屏的非有效發(fā)光區(qū)域設(shè)置有一組或多組輔助放電單元。
2. —種顯示屏加工方法，其特;f正在于，包4舌以下步驟在顯示屏的非有效發(fā)光區(qū)域加工一組或多組輔助;汶電單元。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述一組或多組輔 助放電單元是分布在有效發(fā)光區(qū)域之外的上下兩側(cè)的輔助放 電單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述一組或多 組輔助;改電單元中的總線電才及為圓卩瓜形。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種顯示屏和顯示屏加工方法。其中，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的顯示屏加工方法包括以下步驟在顯示屏的非有效發(fā)光區(qū)域加工一組或多組輔助放電單元。通過本發(fā)明，可以制作出優(yōu)質(zhì)的高發(fā)光效率顯示器，并且工藝簡(jiǎn)單，無需額外的工藝設(shè)備。
文檔編號(hào)H01J17/04GK101615549SQ20081011541
公開日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2008年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月23日
發(fā)明者呂旭東, 宋利建 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司