專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板的技術(shù)，特別是關(guān)于適用于在顯示 電極對之間的非發(fā)光區(qū)域形成暗色的遮光膜的等離子體顯示面板的有 效技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來，作為平面型的等離子體顯示裝置，進(jìn)行面放電的交流型 等離子體顯示裝置被實(shí)用化，廣泛使用為個(gè)人計(jì)算機(jī)、工作站等的等 離子體顯示裝置、平面型的壁掛式電視機(jī)、或者用于顯示廣告和信息 等的裝置。而且，在組裝于這種等離子體顯示裝置的等離子體顯示面
板(PDP: Plasma Display Panel)中，為了改善畫質(zhì)，強(qiáng)烈要求能夠得 到高對比度的技術(shù)。
PDP包括前面基板與背面基板，在前面基板與背面基板之間形成 有在這些基板之間密封入稀有氣體等放電氣體的放電空間。在前面基 板上配置有多個(gè)顯示電極對，形成有覆蓋該顯示電極對的電介質(zhì)層。 而且，在相鄰的顯示電極對之間具有對PDP的顯示發(fā)光沒有貢獻(xiàn)的非 發(fā)光區(qū)域。而且，在背面基板上形成有劃分放電空間的隔壁和按照與 上述顯示電極對交叉的方式配置的地址電極。而且，在由隔壁所劃分 的各放電空間內(nèi)的發(fā)光區(qū)域，形成有分別發(fā)出三原色的紅色(R)、綠 色(G)、和藍(lán)色(B)可見光的熒光體。
在PDP中對該顯示電極對之間施加電壓，使放電空間內(nèi)發(fā)生面放 電，通過此時(shí)發(fā)生的真空紫外線激勵(lì)熒光體，由此顯示所希望的彩色 圖像。而且，選擇點(diǎn)亮/非點(diǎn)亮的單元在每個(gè)該顯示電極對與地址電極 的交叉處構(gòu)成。
單元的選擇方式是，通過對顯示電極對的一方與地址電極之間施 加電壓，在它們交叉的單元發(fā)生相向放電(地址放電)，選擇進(jìn)行上述 面放電的單元。外界光從前面基板側(cè)照射到上述非發(fā)光區(qū)域，該外界光被反射時(shí)， PDP的對比度(亮室對比度)下降。作為改善該亮室對比度的方法，
例如在日本專利特開2000-82395公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中記述有在前面
基板側(cè)的非發(fā)光區(qū)域形成被稱為黑帶層的帶狀遮光膜的結(jié)構(gòu)。
而且，例如在日本專利特開2002-75229公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中，
作為使形成該遮光膜的工序有效率的方法，記述有使用與構(gòu)成顯示電 極對的總線電極相同的材料形成遮光膜的方法。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在上述非發(fā)光區(qū)域形成以與總線電極相同的材料構(gòu)成的遮 光膜的情況下，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)以下的問題。
艮口，在使用與總線電極相同的導(dǎo)電性材料作為遮光膜的情況下， 在總線電極與遮光膜之間，或遮光膜與地址電極之間會(huì)發(fā)生電容耦合。
如果發(fā)生電容耦合，則在電流流過總線電極或地址電極時(shí)，增加 對發(fā)光沒有貢獻(xiàn)的無效電力。
而且，在作為用于選擇單元的點(diǎn)亮/非點(diǎn)亮的放電的地址放電時(shí)， 如果在總線電極與地址電極之間施加大的電壓，由于電容耦合而存在 發(fā)生誤放電的情況。即，由于為了防止誤放電而必須使地址放電時(shí)的 施加電壓小，所以發(fā)生適當(dāng)?shù)姆烹姷娜菰S電壓值的裕量(驅(qū)動(dòng)裕量) 也減小。
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的發(fā)明，其目的在于，提供能夠抑 制成為無效電力的增加和驅(qū)動(dòng)裕量的減小的原因的電容耦合的技術(shù)。
本發(fā)明的上述及其它目的以及新的特征，能夠通過本說明書的記 載和附圖得到更好的理解。
在本申請公開的發(fā)明中，對代表性的內(nèi)容的概要簡單說明如下。
艮口，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的等離子體顯示面板，具有隔著放電 空間相互相對的第一基板結(jié)構(gòu)體與第二基板結(jié)構(gòu)體，
上述第一基板結(jié)構(gòu)體包括第一基板；在上述第一基板與上述第 二基板結(jié)構(gòu)體相對的第一面?zhèn)龋氐谝环较蛐纬傻亩鄠€(gè)顯示電極對； 覆蓋上述多個(gè)顯示電極對的電介質(zhì)層；以在相鄰的兩對上述顯示電極 對之間沿上述第一方向延伸的方式形成的非發(fā)光區(qū)域；和在上述非發(fā)
7光區(qū)域，與上述顯示電極對隔開間隔形成的多個(gè)遮光膜，
上述第二基板結(jié)構(gòu)體包括第二基板；在上述第二基板的與上述
第二基板結(jié)構(gòu)體相對的第二面?zhèn)?，沿與上述第一方向交叉的第二方向
形成的地址電極；和形成于上述第二基板的上述第二面?zhèn)?，并且以?br> 分上述放電空間的方式沿上述第二方向形成的隔壁，
上述多個(gè)遮光膜含有與構(gòu)成上述顯示電極對的金屬材料通用的金
屬材料，在相鄰的上述隔壁之間隔開間隔形成為島狀。
在本申請公開的發(fā)明中，對代表性的內(nèi)容所得到的效果簡單說明如下。
艮口，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，由于能夠使具有與顯示電極對 或地址電極構(gòu)成電容耦合部的可能性的遮光膜的面積減小，所以即使 在遮光膜中使用導(dǎo)電性材料，也能夠抑制與顯示電極對或地址電極的 電容耦合。
本發(fā)明的上述及其它特征、方式與優(yōu)點(diǎn)，可以通過以下參照附圖 的實(shí)施例的說明而得到更深刻的理解。


圖l是表示組裝有本發(fā)明的實(shí)施方式l中PDP的PDP裝置的一個(gè) 例子的整體結(jié)構(gòu)的概略框圖。
圖2是表示圖1所示的PDP裝置的灰度等級驅(qū)動(dòng)順序的一個(gè)例子 的說明圖。
圖3是對本發(fā)明的實(shí)施方式1的PDP的主要部分進(jìn)行放大表示的 主要部分放大立體圖。
圖4是表示圖3所示的電極組、隔壁、和遮光膜的平面位置關(guān)系 的從顯示面?zhèn)人^察到的主要部分放大平面圖。
圖5是對沿圖4所示的A-A線的截面的一部分進(jìn)行放大表示的主 要部分放大截面圖。
圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的PDP的電極組、隔壁、和遮光 膜的平面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)人^察到的主要部分放大平面圖。
圖7是對沿圖6所示的C-C線的截面的一部分進(jìn)行放大表示的主 要部分放大截面圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的PDP的電極組、隔壁、和遮光 膜的平面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)人^察到的主要部分放大平面圖。
圖9是對沿圖8所示的D-D線的截面的一部分進(jìn)行放大表示的主 要部分放大截面圖。
圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的PDP的電極組、隔壁、和遮光 膜的平面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)人^察到的主要部分放大平面圖。
圖11是進(jìn)一步放大圖IO所示的E區(qū)域的主要部分放大平面圖。
圖12是表示作為本發(fā)明的比較例的PDP的電極組、隔壁、和遮光 膜的平面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)人^察到的主要部分放大平面圖。
圖13是對沿圖12所示的B-B線的截面的一部分進(jìn)行放大表示的 主要部分放大截面圖。
具體實(shí)施例方式
在以下的實(shí)施方式中，為了方便，在必要時(shí)，分為多個(gè)部分或?qū)?施方式進(jìn)行說明，但是除了特別說明的情況之外，這些并非相互無關(guān)， 而是存在一方為另一方的一部分或全部的變形例、詳細(xì)說明和補(bǔ)充說 明等的關(guān)系。
此外，在為了說明本實(shí)施方式的全部的圖中，對具有相同功能的 要素都賦予同樣的符號，原則上省略其重復(fù)說明。而且，在為了說明 本實(shí)施方式的全部的圖中，為了對各部分的結(jié)構(gòu)容易理解，即使是在 平面圖中，也有賦予陰影和模樣的情況，下面使用附圖詳細(xì)說明本發(fā) 明的實(shí)施方式。
(實(shí)施方式l)
<等離子體顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)>
首先，使用圖1和圖2，對組裝有本實(shí)施方式1的PDP的等離子 體顯示裝置(以下記載為PDP裝置)的整體結(jié)構(gòu)和灰度等級驅(qū)動(dòng)方法 進(jìn)行說明。
圖1是表示組裝有本發(fā)明的實(shí)施方式1的PDP的PDP裝置的一個(gè) 例子的整體結(jié)構(gòu)的概略框圖。而圖2是表示圖1所示的PDP裝置的灰 度等級驅(qū)動(dòng)順序的一個(gè)例子的說明圖。
圖1所示的PDP1的詳細(xì)結(jié)構(gòu)后面敘述，PDP1由X電極14、 Y
9電極15、地址電極20、以及未圖示的隔壁(肋)等構(gòu)成。此外，為了 對各電極(14、 15、 20)施加電壓，電連接有地址驅(qū)動(dòng)器ADRV、 Y 掃描驅(qū)動(dòng)器YSCDRV、 Y維持驅(qū)動(dòng)器YSUSDRV、 X維持驅(qū)動(dòng)器 XSUSDRV。而且，還具備用于控制各驅(qū)動(dòng)器的控制電路CNT。
例如，從TV調(diào)諧器和計(jì)算機(jī)等外部裝置輸入表示紅(R)、綠(G)、 藍(lán)(B)三色的亮度等級的作為多值圖像數(shù)據(jù)的場數(shù)據(jù)(field data)和 各種同步信號(時(shí)鐘信號CLK、水平同步信號Hsync、垂直同步信號 Vsync)。而且，控制電路CNT從上述場數(shù)據(jù)和各種同步信號輸出適合 于各個(gè)驅(qū)動(dòng)器的控制信號，進(jìn)行規(guī)定的圖像顯示。
PDP1構(gòu)成為，進(jìn)行維持放電(維持放電、顯示放電)的X電極(XI 、 X2、 X3、…Xn) 14與Y電極(Yl、 Y2、 Y3、…Yn) 15交替配置構(gòu) 成顯示行，在由X電極14與Y電極15的對構(gòu)成的顯示電極對和與該 顯示電極對(顯示行)大體直角交叉的地址電極(A、A2、 A3、… An) 20的每個(gè)交叉處構(gòu)成矩陣狀的單元。
Y掃描驅(qū)動(dòng)器YSCDRV在地址過程TA (參照圖2)中，控制Y 電極15，依次選擇Y電極(顯示行)15，使與地址驅(qū)動(dòng)器ADRV電連 接的地址電極20與各Y電極15之間，發(fā)生用于選擇對各子場SFl SFn (參照圖2)的單元的點(diǎn)亮/非點(diǎn)亮的地址放電。
而且，Y維持驅(qū)動(dòng)器YSUSDRV和X維持驅(qū)動(dòng)器XSUSDRV，在 顯示過程TS (參照圖2)中，對于通過地址放電所選擇的單元，發(fā)生 對應(yīng)于各子場的權(quán)重的數(shù)目的維持放電。
而且，如圖2所示，PDP裝置的灰度等級驅(qū)動(dòng)順序是，由分別具 有規(guī)定的亮度權(quán)重的多個(gè)子場(子幀)SFl SFn構(gòu)成一個(gè)場(幀)Fl， 通過各子場SFl SFn的組合進(jìn)行所希望的灰度等級顯示。
若對多個(gè)子場的結(jié)構(gòu)例進(jìn)行說明，例如，由具有2的乘方的亮度 權(quán)重的8個(gè)子場SF1 SF8 (維持放電的次數(shù)比為l: 2: 4: 8: 16: 32: 64: 128)而進(jìn)行256灰度等級的顯示。其中，子場的數(shù)目和各子場的 權(quán)重，當(dāng)然可以進(jìn)行各種組合。
而且，各子場SFl SFn由使各個(gè)顯示區(qū)域的全部單元的壁電荷均 勻的初始化過程(復(fù)位期間)TR、選擇點(diǎn)亮單元的地址過程(地址期 間)TA、和以對應(yīng)于亮度(各子場的權(quán)重)的次數(shù)使所選擇的單元放
10電(點(diǎn)亮)的顯示過程(維持放電期間)TS所構(gòu)成，對各子場的每個(gè)
顯示根據(jù)亮度使單元點(diǎn)亮，例如，通過顯示8個(gè)子場(SF1 SF8)進(jìn)行 一個(gè)場的顯示。
<PDP的基本結(jié)構(gòu)>
接著，使用圖3和圖4對本實(shí)施方式1的PDP結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子， 以交流放電型的PDP為例進(jìn)行說明。圖3是對本發(fā)明的實(shí)施方式1的 PDP的主要部分進(jìn)行放大表示的主要部分放大組裝立體圖。圖4是表 示圖3所示的電極組、隔壁、和遮光膜的平面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)?所觀察到的主要部分放大平面圖。
其中，為了容易理解地表示圖4中PDP所具有的電極組、隔壁、 和遮光膜的位置關(guān)系，對于其他的部件在圖中予以省略。
在圖3中，PDP1具有前面基板結(jié)構(gòu)體(第一基板結(jié)構(gòu)體)11與背 面基板結(jié)構(gòu)體(第二基板結(jié)構(gòu)體)12。前面基板結(jié)構(gòu)體ll與背面基板 結(jié)構(gòu)體12以相互相對的狀態(tài)重合，在其之間有放電空間24。
前面基板結(jié)構(gòu)體11包括PDP1的顯示面，在顯示面?zhèn)染哂兄饕?玻璃構(gòu)成的前面基板(基板、第一基板)13。在與前面基板13的顯示 面相反一側(cè)的面(第一面)13a上，分別形成有多個(gè)作為PDP1的顯示 電極的X電極(第二電極、維持電極、SUSTAIN電極)14、和Y電極 (第一電極、掃描電極、SCAN電極)15 (參照圖4)。
X電極14和Y電極15是構(gòu)成用于進(jìn)行維持放電(也稱為顯示放 電或維持放電)的一對顯示電極對，例如，以沿行方向(第一方向、 橫方向)DX延伸的方式相互交替配置。該一對X電極14和Y電極 15構(gòu)成PDP1中的顯示行。
一般地，i亥X電極14和Y電極15例如由ITO(IndiumTin Oxide: 氧化銦錫)等透明電極材料所構(gòu)成的X透明電極(透明電極部)14a、 Y透明電極(透明電極部)15a、與各透明電極電連接的X總線電極(遮 光電極部)14b、 Y總線電極(遮光電極部)15b所構(gòu)成。
該X透明電極14a 、 Y透明電極15a與X總線電極14b、 Y總線 電極15b，對于從后述的熒光體部23發(fā)出的可見光的透過性不同。
該X透明電極14a 、 Y透明電極15a，為了維持放電的穩(wěn)定化和 放電效率的提高，例如如圖4所示，以一對電極對之間的最短距離(稱為放電間隙)對應(yīng)于單元25的位置而局部靠近的方式從X總線電極 14b 、 Y總線電極15b分別向相對的方向突出而形成。由于該X透明 電極14a 、 Y透明電極15a突出形成的位置與PDPl的單元25相當(dāng)， 所以為了使從后述的熒光體部23發(fā)出的可見光透過，X透明電極14a、 Y透明電極15a由透明的電極材料所形成。
其中，圖4中作為X透明電極14a、 Y透明電極15a分別具有的突 出部的形狀的一個(gè)例子，表示的是T型的形狀，但是并不限于該形狀， 能夠適用各種變形例。
例如，突出部的前端可以不是T型，而是單純的I型結(jié)構(gòu)。而且， 也存在X透明電極14a、 Y透明電極15a上不形成突出部，而是與X 總線電極14b、 Y總線電極15b相同，為帶狀的電極結(jié)構(gòu)的情況。
另一方面，X總線電極14b和Y總線電極15b是為了降低X電極 14與Y電極15的電阻而形成，與透明電極相比，由電阻低的Cu、 Ag 等金屬材料所形成。而且，該金屬材料也不限于單一的成分，例如在 使用Cu的情況下，為了防止Cu的氧化、提高與ITO的粘接性，也可 以是Cr/Cu/Cr依次疊層的結(jié)構(gòu)。
這樣，由于X總線電極14b與Y總線電極15b是由金屬材料所構(gòu) 成，所以對于可見光的遮光性與前面基板13和X透明電極14a 、 Y 透明電極15a相比，相對較高。即可見光的透過率低。而且，為了防 止或抑制外界光的反射，在X總線電極14b和Y總線電極15b的表面 以成為黑色或暗色的色調(diào)的方式而形成。
因此，當(dāng)外界光照射到該前面基板結(jié)構(gòu)體ll的厚度方向時(shí)，在配 置有X總線電極14b、 Y總線電極15b的位置光被吸收，成為降低外 界光的反射率的結(jié)構(gòu)。
而且，如圖4所示，在相鄰的2對顯示電極對(X電極14、 Y電 極15的對)之間，形成有對PDP1的顯示發(fā)光沒有貢獻(xiàn)的非發(fā)光區(qū)域 16。非發(fā)光區(qū)域16沿著行方向DX而形成。在該非發(fā)光區(qū)域16上形 成有多個(gè)遮光膜10。該遮光膜10的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和功能在后面敘述。
而且，如圖3所示，在前面基板結(jié)構(gòu)體ll上形成的電極組(X電 極14、 Y電極15)和遮光膜10被電介質(zhì)層17所覆蓋。而且，在電介 質(zhì)層17的表面形成有由MgO (氧化鎂)等金屬氧化物所構(gòu)成的保護(hù)層18。保護(hù)層18以覆蓋電介質(zhì)層17的一個(gè)表面的方式而形成。
由于要求保護(hù)層18具有高的耐濺射性和2次電子放出系數(shù)，所以 一般使用MgO，但材料也不限定于此。例如也可以使用在MgO中混 合有CaO (氧化轉(zhuǎn))的復(fù)合材料。通過混合CaO，能夠提高保護(hù)層18 的耐濺射性?；蛘撸部梢允褂?次電子放出系數(shù)比MgO高的SrO等 材料。
另一方面，圖3所示的背面基板結(jié)構(gòu)體12具有主要由玻璃構(gòu)成的 背面基板(基板、第二基板)19。在背面基板19的與前面基板結(jié)構(gòu)體 ll相對的面(第二面)19a上，形成有多個(gè)地址電極(第三電極)20。 各地址電極20以沿與X電極14和Y電極15的延伸方向交叉(大體 正交)的列方向(第二方向、縱方向)DY延伸的方式形成。而且，各 地址電極20以大體平行的方式以規(guī)定的配置間隔配置。
該地址電極20與形成在前面基板結(jié)構(gòu)體11上的Y電極15構(gòu)成用 于進(jìn)行作為用于選擇單元25的點(diǎn)亮/非點(diǎn)亮的放電的地址放電的電極 對。即，Y電極14兼具有作為維持放電用的電極的功能和作為地址放 電用的電極的功能。
地址電極20由電介質(zhì)層21所覆蓋。在電介質(zhì)層21上形成有在背 面基板結(jié)構(gòu)體12的厚度方向上延伸的多個(gè)隔壁(第一隔壁、縱肋)22。 隔壁22以沿著地址電極20延伸的列方向DY線狀地延伸的方式形成。 而且，隔壁22的平面上的位置，如圖4所示，配置在相鄰的地址電極 20之間。通過將隔壁22配置在相鄰的地址電極20之間，對應(yīng)于各地 址電極的位置，形成將電介質(zhì)層21的表面在列方向DY上進(jìn)行劃分的 放電空間24。
而且，在地址電極20上的電介質(zhì)層21上面，以及隔壁22的側(cè)面， 分別在規(guī)定的位置形成有由真空紫外線激勵(lì)而發(fā)生紅(R)、綠(G)、 藍(lán)(B)各色的可見光的熒光體部23r、 23g、 23b。
而且，圖3所示的前面基板結(jié)構(gòu)體11與背面基板結(jié)構(gòu)體12，是在 形成有保護(hù)層18的面與形成有隔壁22的面相對的狀態(tài)下固定。而且， 未圖示的PDP1的周圍部，例如由被稱為玻璃料的低熔點(diǎn)玻璃材料等密 封材料所密封，在放電空間24內(nèi)，以規(guī)定的壓力封入有未圖示的被稱 為放電氣體的氣體(例如Ne與Xe的混合氣體)。如圖4所示，對應(yīng)于一對X電極14和Y電極15與地址電極20 的交叉而構(gòu)成一個(gè)單元25。單元25的平面面積由一對X電極14與Y 電極15的配置間隔和隔壁22的配置間隔所規(guī)定。
而且，在各單元25分別形成有圖3所示的紅色用熒光體部23r、 綠色用熒光體部23g、或者藍(lán)色用熒光體部23b中的任意一個(gè)。
由該R、 G、 B的各單元25的組合(set)構(gòu)成像素(pixel)。艮卩， 各熒光體部23r、 23g、 23b是PDPl的發(fā)光元件，由維持放電發(fā)生的規(guī) 定波長的真空紫外線所激勵(lì)，發(fā)出紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)各色的 可見光。
PDP1是使每個(gè)該單元25發(fā)生維持放電，由通過維持放電而發(fā)生 的真空紫外線激勵(lì)R、 G、 B各熒光體部23而發(fā)光的結(jié)構(gòu)。 <遮光膜的詳細(xì)結(jié)構(gòu)>
接著，使用圖3 圖5，對圖3和圖4所示的遮光膜10的詳細(xì)結(jié) 構(gòu)進(jìn)行說明。其中，作為本發(fā)明的實(shí)施方式1的PDP1的比較例，在圖 12和圖13中表示本實(shí)施方式1的比較例的PDP50。
圖5是對沿圖4所示的A-A線的截面的一部分進(jìn)行放大表示的主 要部分放大截面圖。而且，圖12是表示本實(shí)施方式1的比較例的PDP 的電極組、隔壁、和遮光膜的平面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)人^察到的 主要部分放大平面圖，圖13是對沿圖12所示的B-B線的截面的一部 分進(jìn)行放大表示的主要部分放大截面圖。
其中，在圖12和圖13所示的PDP50中，對具有與本發(fā)明的實(shí)施 方式1相同的結(jié)構(gòu)、功能的部件賦予同樣的符號，其重復(fù)說明予以省 略。
在圖4中，遮光膜10由與構(gòu)成PDP1 (參照圖3)的顯示電極對的 X電極14和Y電極15相同的材料所形成。SP，遮光膜10具有由與X 透明電極14a、 Y透明電極15a相同的材料(例如ITO等)構(gòu)成的透明 部10a、和由與X總線電極14b、 Y總線電極15b相同的材料所構(gòu)成的 金屬材料(例如Cr/Cu/Cr疊層體)構(gòu)成的遮光部10b。
這樣，由于遮光膜10由導(dǎo)電性材料所形成，所以與X電極14和 Y電極15隔開間隔而形成。
通過由與構(gòu)成PDP1 (參照圖3)的顯示電極對的X電極14和Y電極15相同的材料形成遮光膜10，在PDP1的制造工序中，由于能夠 將遮光膜10與X電極14和Y電極15 —并形成，所以能夠縮短制造 工序。
然而，如圖12所示的PDP50所具有的遮光膜51那樣，將由導(dǎo)電 性材料構(gòu)成的遮光膜51沿著行方向DX形成帶狀時(shí)，X總線電極14b 或Y總線電極15b與遮光膜51相互沿著延伸的面積就增大。
因此，導(dǎo)致X總線電極14b或Y總線電極15b與遮光膜51電容 耦合，像電容器一樣起作用。在這樣的狀態(tài)下，例如，在使用圖2說 明過的初始化過程(復(fù)位期間)TR、選擇點(diǎn)亮單元的地址過程(地址 期間)TA、或者顯示過程(維持放電期間)TS中的任意一個(gè)過程中， 對X總線電極14b或Y總線電極15b供給規(guī)定的電位時(shí)，在X總線電 極14b或Y總線電極15b與遮光膜51之間流過充電電流。該充電電流 不是對發(fā)光有貢獻(xiàn)的電流。艮P，為了充電而消耗的電力是對PDP50的 圖像顯示沒有貢獻(xiàn)的無效電力。
而且，如果由該電容耦合而在遮光膜51上形成電荷，則在進(jìn)行使 用圖2說明過的地址放電或維持放電時(shí)，也存在成為誤放電的原因的 情況。
在發(fā)生電容耦合的情況下，該電容耦合部的電容，可以認(rèn)為與平 面平板電容(condenser)等電容器(capacitor)的靜電電容相同。平面 平板電容的靜電電容是與相對配置的2枚平板之間存在物質(zhì)的介電常 數(shù)(相對介電常數(shù))成比例增大。而且，也與2枚平板的相對面的平 面面積成比例(即相對面的平面面積越小，靜電電容越小)。而且，與 2枚平板間的距離成反比，距離越大，靜電電容越小。
因此，在本實(shí)施方式l中，如圖5所示，遮光膜10形成為島狀， 在每個(gè)單元25 (參照圖4)為孤立的結(jié)構(gòu)。通過將遮光膜10形成為島 狀，能夠減小與X總線電極14b或Y總線電極15b大體平行配置的遮 光膜10的相對面的面積。
所以，能夠抑制成為無效電力或誤放電原因的X總線電極14b或 Y總線電極15b與遮光膜51的電容耦合。
而且，透明部10a和遮光部10b，如圖3所示，是從前面基板13 的面13a—側(cè)開始依次疊層。當(dāng)在顯示面?zhèn)鹊幕宓那懊婊?3的表面上直接形成具有黑色或暗色色調(diào)的遮光部10b時(shí)，形成有遮光部10b 的區(qū)域?yàn)殓R面狀態(tài)。
形成有成為鏡面狀態(tài)的遮光部10b的區(qū)域，直角入射的外界光的 反射(規(guī)則反射)增加。因此，在組裝有PDP1的PDP裝置中，產(chǎn)生 觀察者等的姿態(tài)照入在該顯示面上的現(xiàn)象。
因此，在本實(shí)施方式l中，通過從前面基板13的13a—側(cè)開始依 次疊層透明部10a和遮光部10b，制成在遮光部10b與前面基板13之 間隔有透明部10a的結(jié)構(gòu)。
由此，能夠防止形成有遮光部10b的區(qū)域成為鏡面狀態(tài)。即，能 夠抑制上述照入現(xiàn)象。
而且，如圖4和圖5所示，遮光膜10是在相鄰的隔壁22之間隔 開間隔而形成。即，遮光膜10未形成在與隔壁22重疊的位置。
這里，在本實(shí)施方式1的比較例的圖13所示的PDP50的情況下， 由與X電極14和Y電極15相同的材料所形成的遮光膜51也形成在 與隔壁22重疊的位置。在遮光膜51形成在與隔壁22重疊的位置的情 況下，如圖13中作為電容器(電容耦合部)CA而模式性地表示的那 樣，存在遮光膜51與地址電極20電容耦合的情況。
這是由于，在形成有隔壁22的區(qū)域，通過介電常數(shù)比放電空間24 內(nèi)封入的放電氣體高的電介質(zhì)層17、保護(hù)層18、隔壁22、熒光體部 23、電介質(zhì)層21等，遮光膜51與地址電極20 (大體直線地)連接。
這樣，當(dāng)遮光膜51與地址電極20由介電常數(shù)高的部件(大體直 線地)連接時(shí)，該電容器CA的理論上的電容就大到不能忽視的程度。 即，在使用圖2說明過的地址過程(地址期間)TA，對圖13所示的地 址電極20施加用于供給規(guī)定電位的脈沖時(shí)，在遮光膜51與地址電極 20之間流過對發(fā)光沒有貢獻(xiàn)的充電電流，PDP50的無效電力增大。
而且，如圖13所示，電容器CA跨越隔壁22而形成。因此，例 如，在對形成有電容器CA的地址電極20a施加用于供給規(guī)定電位的脈 沖時(shí)，存在由電容器CA所示的電容耦合而在與相鄰的放電空間24a 重疊的區(qū)域52形成電荷的情況。
這樣，在與配置有地址電極20a的行的相鄰放電空間24a重疊的 區(qū)域52形成電荷時(shí)，在配置在該放電空間24a的單元25 (參照圖12)
16中進(jìn)行地址放電動(dòng)作、維持放電動(dòng)作等時(shí)成為誤放電的原因。
為了防止該誤放電，需要將地址電極20a與Y電極14(參照圖12) 之間施加的脈沖電壓抑制得較低，但是，在將施加的脈沖電壓抑制得 過低吋則可能會(huì)不發(fā)生規(guī)定的地址放電。所以，為了在防止遮光膜51 與地址電極20電容耦合而引起的誤放電的同時(shí)實(shí)現(xiàn)規(guī)定的地址放電動(dòng) 作，所施加的脈沖電壓的裕量(容許范圍、驅(qū)動(dòng)裕量)就很小。艮P， 圖2中說明過的地址過程(地址期間)TA的控制困難。
因此，在本實(shí)施方式1中，如圖5所示，將遮光膜10在相鄰的隔 壁22之間隔開間隔形成為島狀，為遮光膜10不形成在與隔壁22重合 的位置的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠避免在PDP1 (參照圖4)中，通過比放電 空間24內(nèi)封入的放電氣體的介電常數(shù)高的電介質(zhì)層17、保護(hù)層18、 隔壁22、熒光體部23、電介質(zhì)層21等，遮光膜10與地址電極20 (大 體直線地)連接的情況。
此外，遮光膜10與地址電極20通過放電空間24內(nèi)封入的放電氣 體而連接的位置產(chǎn)生。但是，由于放電氣體的介電常數(shù)與電介質(zhì)層17、 保護(hù)層18、隔壁22、熒光體部23、電介質(zhì)層21相比極其低，所以， 這里即使在發(fā)生了電容耦合的情況下，其電容也小得可以忽略不計(jì)。
然而，如圖4所示，PDP1在形成有隔壁22的區(qū)域未形成遮光膜 10的遮光部10b。因此，形成有隔壁22的區(qū)域的外界光的反射率與圖 12所示的PDP50相比要高。
但是，在形成有隔壁22的區(qū)域未形成圖3所示的熒光體部23 (由 于一般具有白色的色調(diào)，所以反射率高)。所以，形成有隔壁22的區(qū) 域的反射率為形成有熒光體部23的區(qū)域的一半以下，能夠抑制亮室對 比度的下降。
如以上所述，根據(jù)本實(shí)施方式l，通過使遮光膜IO形成為島狀， 由于能夠減小與X總線電極14b或Y總線電極15b大體平行配置的遮 光膜10的相對面的面積，所以能夠抑制成為無效電力、誤放電原因的 X總線電極14b或Y總線電極15b與遮光膜10的電容耦合。
此外，通過使遮光膜10在相鄰的隔壁22之間隔開間隔形成為島 狀，能夠抑制成為無效電力、誤放電原因的跨越隔壁22的電容耦合的
17形成。
<PDP的制造方法>
接著，使用圖3和圖4，對本實(shí)施方式1的PDP1的制造方法的概 要進(jìn)行說明。本實(shí)施方式1的PDP1的制造方法包括以下工序。
(a)首先，形成圖3所示的前面基板結(jié)構(gòu)體11。前面基板結(jié)構(gòu)體 ll例如按照以下方式形成。
首先，準(zhǔn)備前面基板(第一基板)13，在與顯示面相反一側(cè)的面 (第一面)13a上形成X電極14、 Y電極15和遮光膜10。 X電極14、 Y電極15和遮光膜10的形成方法，例如可以通過光刻法和蝕刻法進(jìn) 行。
首先，在前面基板13的面13a上，例如由印刷法形成作為X透明 電極(透明電極部)14a、 Y透明電極(透明電極部)15a和遮光膜10 的透明部10a的材料的例如ITO等透明的透明材料膜。
接著，對該表面涂覆抗蝕膜后，例如在由圖4所示圖形的掩模覆 蓋的狀態(tài)下進(jìn)行曝光、顯影，形成所希望圖形的抗蝕膜。接著，通過 蝕刻，將未被抗蝕膜覆蓋的區(qū)域去除，之后剝離抗蝕膜，由此得到例 如圖4所示的所希望圖形的X透明電極14a、 Y透明電極15a和透明部 10a。
接著，在X透明電極14a、 Y透明電極15a上分別疊層形成X總 線電極(遮光電極部)14b、 Y總線電極(遮光電極部)15b。該X總 線電極14b、 Y總線電極15b和遮光膜10的遮光部10b，也同樣可以 通過光刻法和蝕刻法進(jìn)行。
首先，在形成有X透明電極14a、 Y透明電極15a和遮光膜10的 透明部10a的前面基板13的面13a上，形成作為X總線電極(遮光電 極部)14b、 Y總線電極(遮光電極部)15b和遮光膜10的遮光部10b 的材料的金屬材料膜。
在形成該金屬材料膜的工序中，例如在涂敷被稱為導(dǎo)電性槳料的、 分散有Ag等金屬顆粒的樹脂漿料以后，對其進(jìn)行燒制而得到。而且， 例如在形成Cr/Cu/Cr的疊層結(jié)構(gòu)的金屬材料膜的情況下，可以由蒸鍍 法形成。
接著，對該表面涂覆抗蝕膜后，例如在由圖4所示圖形的掩模覆蓋的狀態(tài)下進(jìn)行曝光、顯影，形成所希望圖形的抗蝕膜。接著，通過 蝕刻，將未被抗蝕膜覆蓋的區(qū)域去除以后，剝離抗蝕膜，由此得到例
如圖4所示的所希望圖形的X透明電極14a、 Y透明電極15a和透明部 10a。
這里，在使用光刻法和蝕刻法的情況下，由于加工精度的關(guān)系， 使各透明電極14a、 15a和透明部10a的面積分別大于各總線電極14b、 15b和遮光部10b的面積。這是由于使前面基板13與各總線電極14b、 15b和遮光部10b之間隔有各透明電極14a、 15a和透明部10a的緣故。
在本實(shí)施方式1中，由與X電極14、 Y電極15相同的材料形成 遮光膜10。所以，如上所述，由于能夠?qū)⒄诠饽?0與X電極14、 Y 電極15—并形成，所以能夠縮短制造工序。
在前面基板13的面13a上形成有X電極14、 Y電極15和遮光膜 IO之后，在前面基板13上，依次疊層形成覆蓋X電極14、 Y電極15 和遮光膜10的電介質(zhì)層17、保護(hù)層18。
(b) 此外，形成圖1所示的背面基板結(jié)構(gòu)體12。背面基板結(jié)構(gòu)體 12例如按照以下方式形成。
首先，準(zhǔn)備背面基板19，在一個(gè)面(第二面)上以規(guī)定的圖形形 成地址電極20。接著在背面基板19的表面以覆蓋地址電極20的方式 形成電介質(zhì)層21。接著，在電介質(zhì)層21的表面形成劃分放電空間24 的隔壁22。隔壁22以沿著地址電極20延伸的方式形成。接著，在由 隔壁22劃分的放電空間24內(nèi)，涂敷、加熱形成熒光體部23。
其中，背面基板結(jié)構(gòu)體12并非一定要在該階段準(zhǔn)備，也可以在后 述的(c)工序之前準(zhǔn)備。
(c) 接著，將前面基板結(jié)構(gòu)體11的第一面?zhèn)扰c第二基板結(jié)構(gòu)體 的第二面?zhèn)?，在相對的狀態(tài)下重合組裝。
在該工序中，形成在各基板結(jié)構(gòu)體11、 12的任一個(gè)上的電極組(X 電極14、 Y電極15、地址電極20)，例如在按照成為圖2所示的規(guī)定 位置關(guān)系的方式進(jìn)行定位之后，在重疊的狀態(tài)下固定，對各基板結(jié)構(gòu) 體ll、 12的外周，由未圖示的密封材料(例如密封玻璃料)等密封。
在各基板結(jié)構(gòu)體11、 12的外周被密封后，放電空間24的內(nèi)部空 間的氣體，通過至少一個(gè)基板結(jié)構(gòu)體ll、 12上形成的未圖示的通氣孔排出。而且之后通過該通氣孔以規(guī)定的壓力封入規(guī)定的放電氣體。在
封入放電氣體之后，密封通氣孔，得到圖3所示的PDP1。 (實(shí)施方式2)
在上述實(shí)施方式1中，以構(gòu)成X電極14和Y電極15的材料與構(gòu) 成遮光膜10的材料完全使用相同的材料為例進(jìn)行了說明。但是，也可 以通過形成遮光膜10，為了得到能夠降低對于外界光的反射率、提高 亮室對比度的效果，而形成有遮光部10b。
以下使用圖6和圖7對本實(shí)施方式2的PDP進(jìn)行說明。其中，在 本實(shí)施方式2中說明的PDP30中，對具有與上述實(shí)施方式1中說明過 的PDP1相同的結(jié)構(gòu)、功能的部件賦予同樣的符號，其重復(fù)說明予以省 略。
圖6是表示作為本實(shí)施方式1的第一變形例的PDP的電極組、隔 壁、和遮光膜的平面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)人^察到的主要部分放大 平面圖。圖7是對沿圖6所示的C-C線的截面的一部分進(jìn)行放大表示 的主要部分放大截面圖。
圖6所示的本實(shí)施方式2的PDP30與圖4所示的PDP1的不同點(diǎn) 在于，圖6所示的PDP30的遮光膜10僅由遮光部10b所形成。
遮光膜10的構(gòu)成材料，并非一定要與X電極14、 Y電極15完全 相同。S卩，如圖6和圖7所示，X電極14、 Y電極15的構(gòu)成材料中， 具有與具有遮光性的金屬材料(例如Ag和Cu、 Cr等)通用的金屬材 料即可。
X電極14、 Y電極15的構(gòu)成材料中，通過使用與具有遮光性的金 屬材料(例如Ag和Cu、 Cr等)通用的金屬材料形成遮光膜IO，與上 述實(shí)施方式1相同，能夠?qū)⒄诠饽?0與X電極14、 Y電極15 —并形 成。
在X電極14、 Y電極15的構(gòu)成材料中，通過僅由具有遮光性的 金屬材料形成遮光膜10 (即僅由遮光部10b形成遮光膜10)，如圖6 和圖7所示，能夠增大非發(fā)光區(qū)域16內(nèi)的遮光部10b的面積。這是由 于，在上述形成遮光部10b的工序中，沒有必要在透明部10a (參照圖 4)上形成遮光部10b，所以即使考慮到光刻法和蝕刻法的加工精度， 也能夠?qū)⒄诠獠?0b擴(kuò)大到圖4所示的透明部10a同等程度的大小(即，與X電極14、 Y電極15和隔壁22不重疊的范圍的最大限度的大小)。 這樣，根據(jù)本實(shí)施方式2， PDP30與前面實(shí)施方式1中說明過的 PDP1相比，由于能夠擴(kuò)大遮光膜10的遮光部10b的面積，所以能夠 更有效吸收照射到非發(fā)光區(qū)域16的外界光。因此，能夠進(jìn)一步改善亮 室對比度。
(實(shí)施方式3)
接著，使用圖8和圖9對本實(shí)施方式3的PDP進(jìn)行說明。其中， 在本實(shí)施方式3中說明的PDP35中，對具有與上述實(shí)施方式1中說明 過的PDP1相同的結(jié)構(gòu)、功能的部件賦予同樣的符號，其重復(fù)說明予以 省略。
圖8是表示本實(shí)施方式3的PDP的電極組、隔壁、和遮光膜的平 面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)人^察到的主要部分放大平面圖。圖9是對 沿圖8所示的D-D線的截面的一部分進(jìn)行放大表示的主要部分放大截 面圖。
圖8所示的本實(shí)施方式3的PDP35與圖4所示的PDP1的不同點(diǎn) 在于，圖8所示的PDP35的遮光膜10的透明部10a的面積，形成得比 遮光部10b的面積小。
如上所述，遮光膜10的透明部10a具有防止外界光的規(guī)則反射的 增加，抑制照入現(xiàn)象的功能。上述實(shí)施方式2中說明過PDP30由于沒 有該透明部10a (參照圖8)，所以與上述實(shí)施方式1的PDP1相比，發(fā) 生該照入現(xiàn)象的可能性高。
這里，在圖8所示的PDP35中，遮光膜10是具有透明部10a的結(jié) 構(gòu)。通過形成透明部10a，能夠抑制照入現(xiàn)象。
其中，由于PDP35如圖9所示，遮光部10b的外緣部是在前面基 板13上直接形成的狀態(tài)，所以與上述實(shí)施方式1中說明過的PDP1相 比，發(fā)生照入現(xiàn)象的可能性少許偏高。
但是，在前面基板13上直接形成的部分僅是外緣部，遮光部10b 與前面基板13接觸的面積小于透明部10a與前面基板13接觸的面積。 所以，與上述實(shí)施方式2中說明過的PDP30相比，發(fā)生照入的程度極 其低。
而且，如圖8和圖9所示，PDP35按照遮光膜10的透明部10a的面積小于遮光部10b的面積的方式形成。通過使透明部10a的面積小 于遮光部10b的面積，即使考慮光刻法和蝕刻法的加工精度，也能夠 增大非發(fā)光區(qū)域16內(nèi)的遮光部10b的面積。
根據(jù)這樣的實(shí)施方式3，通過使透明部10a的面積小于遮光部10b 的面積，能夠抑制照入現(xiàn)象，且由于能夠增大遮光部10b的面積，所 以能夠更有效吸收照射到非發(fā)光區(qū)域16的外界光。 (實(shí)施方式4)
接著，使用圖10和圖11對本實(shí)施方式4的PDP進(jìn)行說明。其中， 在本實(shí)施方式4中說明的PDP40中，對具有與上述實(shí)施方式1中說明 過的PDP1相同的結(jié)構(gòu)、功能的部件賦予同樣的符號，其重復(fù)說明予以 省略。
圖10是表示本實(shí)施方式4的PDP的電極組、隔壁、和遮光膜的平 面位置關(guān)系的從顯示面?zhèn)人^察到的主要部分放大平面圖。圖11是進(jìn) 一步放大圖IO所示的區(qū)域E的主要部分放大平面圖。
圖10所示的本實(shí)施方式4的PDP40與圖4所示的PDP1的不同點(diǎn) 在于，圖10所示的PDP40所具有的遮光膜41形成為帶狀。其中，遮 光膜41與圖3和圖4所示的遮光膜10的不同點(diǎn)僅在于其形狀，其它 方面(材質(zhì)、制造方法、由透明部41a和遮光部41b構(gòu)成的方面等) 都與上述實(shí)施方式1中說明過的遮光膜IO相同，所以其重復(fù)的說明予 以省略。
如圖10所示，通過將遮光膜41形成為帶狀，能夠提高在形成該 遮光膜41的工序中的制造效率。其理由說明如下。
本實(shí)施方式4的PDP40可以由與上述實(shí)施方式1中說明過的PDP1 相同的制造工序進(jìn)行制造。
如上述實(shí)施方式1中的說明，遮光膜41使用光刻法和蝕刻法形成。 這里，如上述實(shí)施方式1中的說明，為了以所希望的圖形形成遮光膜 41的透明部41a和遮光部41b，需要在曝光前由所希望圖形形成的掩 模覆蓋的工序和蝕刻后去除抗蝕膜的工序。
這里，在上述實(shí)施方式1中說明過的PDP1的情況下，由于遮光膜 IO是形成孤立的島狀，所以該覆蓋掩模的工序，或剝離抗蝕膜的工序， 就必須對每個(gè)孤立的遮光膜10單獨(dú)進(jìn)行。另一方面，由于本實(shí)施方式4的PDP40是將遮光膜41連接成帶狀， 所以在該覆蓋掩模的工序，或剝離抗蝕膜的工序中，能夠一并進(jìn)行處 理。
由此，根據(jù)本實(shí)施方式4，能夠提高形成遮光膜41的工序中的制 造效率。
然而，在將遮光膜41連接成帶狀的情況下，如上述實(shí)施方式1中 的說明，必須有效地抑制X總線電極14b、 Y總線電極15b或地址電 極20與遮光膜41的電容耦合。
因此，本實(shí)施方式4的PDP40如圖ll所示，是以使與隔壁22重 疊的區(qū)域(第一區(qū)域)42的遮光膜41的寬度L42窄于與隔壁22不重 疊的區(qū)域(第二區(qū)域)43的遮光膜41的寬度L43的方式而形成。其中， 在圖11中是以寬度L42、 L43作為遮光部41b的寬度而表示，但是關(guān) 于透明部41a的寬度也是同樣。
與隔壁22重疊的區(qū)域42的遮光膜41的寬度L42，在上述覆蓋掩 模的工序，或剝離抗蝕膜的工序中，只要是具有掩模和抗蝕膜不被切 斷的程度的寬度即可，優(yōu)選盡可能的窄。
如上述實(shí)施方式l中的說明，在遮光膜41b與地址電極20之間形 成電容耦合部的情況下，如果以跨越隔壁22的方式形成電容耦合部， 則其電容會(huì)大到不能忽視的程度。
但是在本實(shí)施方式4中，通過減小與隔壁22重疊的區(qū)域42的遮 光膜41的寬度L42,能夠使以跨越隔壁22的方式形成電容耦合部的遮 光膜41的面積保持為最小限度。
所以，與上述實(shí)施方式1中作為比較例說明過的圖12和圖13所 示的PDP50相比，能夠抑制成為無效電力的增加和驅(qū)動(dòng)裕量的減小的 原因的電容耦合。
其中，在本實(shí)施方式4中說明過的圖10所示的PDP40中，也可以 適用上述實(shí)施方式2或上述實(shí)施方式3中說明過的結(jié)構(gòu)。即，圖10所 示的遮光膜41可以僅由遮光部41b所形成。而且，也能夠以遮光膜41 的透明部41a的面積小于遮光部41b的面積的方式形成。
在這種情況下，當(dāng)然也可以得到上述實(shí)施方式2或上述實(shí)施方式3 中說明過的效果。以上，基于實(shí)施方式對由本發(fā)明的發(fā)明人完成的發(fā)明進(jìn)行了具體 說明，但本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在不脫離其技術(shù)思想的范圍 中，能夠進(jìn)行各種變更。
例如，PDP根據(jù)要求性能和驅(qū)動(dòng)方式等具有各種結(jié)構(gòu)，也能夠適
用于與實(shí)施方式1 4中說明過的PDP1、 30、 35、 40不同結(jié)構(gòu)的PDP。
例如，在實(shí)施方式1中作為PDP的結(jié)構(gòu)例，對放電空間24由線狀 (縱方向)延伸的隔壁(第一隔壁、縱肋)22所劃分的被稱為條紋肋 的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明。
但是也存在以提高亮度等為目的，形成多個(gè)與該隔壁22大體正交 方向交叉的橫隔壁(第二隔壁、橫肋)，在每個(gè)單元25由隔壁22與橫 隔壁所劃分的被稱為盒形肋的結(jié)構(gòu)。
在適用于這樣的盒形肋結(jié)構(gòu)的PDP的情況下，例如，通過使實(shí)施 方式1中說明過的遮光膜IO在相鄰的上述第一隔壁與相鄰的上述第二 隔壁之間隔開間隔形成為島狀，能夠抑制電容耦合。
而且，如本實(shí)施方式4中的說明，在形成帶狀遮光膜41的情況下， 由于不需要在與上述第二隔壁重疊的區(qū)域形成遮光膜41，所以，如果 以與上述第一隔壁重疊的區(qū)域的遮光膜41的寬度窄于與上述第一隔壁 不重疊的區(qū)域的遮光膜41的寬度的方式而形成，能夠抑制電容耦合。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體顯示面板，其特征在于包括隔著放電空間相互相對的第一基板結(jié)構(gòu)體和第二基板結(jié)構(gòu)體，所述第一基板結(jié)構(gòu)體包括第一基板；在所述第一基板的與所述第二基板結(jié)構(gòu)體相對的第一面?zhèn)龋氐谝环较蛐纬傻亩鄠€(gè)顯示電極對；覆蓋所述多個(gè)顯示電極對的電介質(zhì)層；以在相鄰的兩對所述顯示電極對之間沿所述第一方向延伸的方式形成的非發(fā)光區(qū)域；和在所述非發(fā)光區(qū)域，與所述顯示電極對隔開間隔形成的多個(gè)遮光膜，所述第二基板結(jié)構(gòu)體包括第二基板；在所述第二基板的與所述第一基板結(jié)構(gòu)體相對的第二面?zhèn)?，沿與所述第一方向交叉的第二方向形成的地址電極；和形成于所述第二基板的所述第二面?zhèn)?，并且以劃分所述放電空間的方式沿所述第二方向形成的隔壁，所述多個(gè)遮光膜含有與構(gòu)成所述顯示電極對的金屬材料通用的金屬材料，在相鄰的所述隔壁之間隔開間隔形成為島狀。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述顯示電極對具有對可見光的遮光性不同的透明電極部和遮光電極部，所述遮光電極部由金屬材料構(gòu)成，所述遮光膜從所述第一基板的所述第一面?zhèn)纫来委B層有由與所述 透明電極部相同的材料構(gòu)成的透明部、和由與所述遮光電極部相同的 所述金屬材料構(gòu)成的遮光部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述遮光膜的所述透明部的面積比所述遮光膜的所述遮光部的面積小。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述顯示電極對具有對可見光的遮光性不同的透明電極部和遮光電極部，所述遮光電極部由金屬材料構(gòu)成，所述遮光膜僅由與所述遮光電極部相同的所述金屬材料構(gòu)成的遮 光部所形成。
5. —種等離子體顯示面板，其特征在于包括隔著放電空間相互相對的第一基板結(jié)構(gòu)體和第二基板結(jié)構(gòu)體，所述第一基板結(jié)構(gòu)體包括 第一基板；在所述第一基板的與所述第二基板結(jié)構(gòu)體相對的第一面?zhèn)?，沿?一方向形成的多個(gè)顯示電極對；覆蓋所述多個(gè)顯示電極對的電介質(zhì)層；以在相鄰的兩對所述顯示電極對之間沿所述第一方向延伸的方式 形成的非發(fā)光區(qū)域；和在所述非發(fā)光區(qū)域，與所述顯示電極對隔開間隔形成為帶狀的遮 光膜，所述第二基板結(jié)構(gòu)體包括 第二基板；在所述第二基板的與所述第一基板結(jié)構(gòu)體相對的第二面?zhèn)?，沿與 所述第一方向交叉的第二方向形成的地址電極；禾口形成于所述第二基板的所述第二面?zhèn)?，并且以劃分所述放電空間 的方式沿所述第二方向形成的隔壁，所述多個(gè)遮光膜含有與構(gòu)成所述顯示電極對的金屬材料通用的金 屬材料，與所述隔壁重疊的第一區(qū)域的所述遮光膜的寬度窄于與所述隔壁不重疊的第二區(qū)域的所述遮光膜的寬度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述顯示電極對具有對可見光的遮光性不同的透明電極部和遮光電極部，所述遮光電極部由金屬材料構(gòu)成，所述遮光膜從所述第一基板的所述第一面?zhèn)纫来委B層有由與所述 透明電極部相同的材料構(gòu)成的透明部、和由與所述遮光電極部相同的 所述金屬材料構(gòu)成的遮光部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述遮光膜的所述透明部的面積比所述遮光膜的所述遮光部的面積小。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其特征在于 所述顯示電極對具有對可見光的遮光性不同的透明電極部和遮光電極部，所述遮光電極部由金屬材料構(gòu)成，所述遮光膜僅由與所述遮光電極部相同的所述金屬材料構(gòu)成的遮 光部所形成。
9. 一種等離子體顯示面板的制造方法，其特征在于，包括-(a) 在第一基板的第一面上沿第一方向一并形成多個(gè)顯示電極對 和多個(gè)遮光膜之后，形成覆蓋所述顯示電極對的電介質(zhì)層，形成第一 基板結(jié)構(gòu)體的工序；(b) 在第二基板的第二面上沿與所述第一方向交叉的第二方向形 成地址電極之后，形成將所述第二面?zhèn)葎澐譃槎鄠€(gè)放電空間的隔壁， 形成在由所述隔壁劃分的放電空間內(nèi)形成有熒光體部的第二基板結(jié)構(gòu) 體的工序；和(c) 使所述第一基板結(jié)構(gòu)體的所述第一面?zhèn)扰c所述第二基板結(jié)構(gòu)體的所述第二面?zhèn)仍谙鄬Φ臓顟B(tài)下疊合的工序，所述多個(gè)遮光膜在相鄰的兩對所述顯示電極對之間分別沿所述第 一方向延伸的非發(fā)光區(qū)域，與所述顯示電極對隔開間隔形成為帶狀，與所述隔壁重疊的第一區(qū)域的所述遮光膜的寬度窄于與所述隔壁 不重疊的第二區(qū)域的所述遮光膜的寬度。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板及其制造方法，抑制成為PDP的無效電力的增加和驅(qū)動(dòng)裕量的減小的原因的電容耦合。本發(fā)明是在形成于前面基板結(jié)構(gòu)體(第一基板結(jié)構(gòu)體)上的兩對X電極(14)和Y電極(15)(顯示電極對)之間形成的非發(fā)光區(qū)域(16)內(nèi)，具有與X電極(14)和Y電極(15)隔開間隔形成的多個(gè)遮光膜(10)的PDP(等離子體顯示面板)(1)。遮光膜(10)含有與構(gòu)成X電極(14)和Y電極(15)的金屬材料通用的金屬材料。而且，遮光膜(10)在形成于背面基板結(jié)構(gòu)體(第二基板結(jié)構(gòu)體)上的相鄰的隔壁(22)之間隔開間隔形成為島狀。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠減小可能與X電極(14)、Y電極(15)或地址電極(20)構(gòu)成電容耦合的遮光膜(10)的面積，所以即使遮光膜(10)使用導(dǎo)電性材料，也能抑制電容耦合。
文檔編號H01J11/22GK101452799SQ20081010981
公開日2009年6月10日 申請日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者小林裕司, 澤將裕, 瀬戶口典明 申請人:株式會(huì)社日立制作所