專利名稱：：等離子顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板及其制造方法，尤其涉及同時(shí)實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)與防止電荷損失的技術(shù)。
背景技術(shù)：
：等離子顯示面板(下面稱為PDP)是利用了來自氣體放電的放射的平面顯示裝置。較容易進(jìn)行高速顯示或大型化，在影像顯示裝置或情報(bào)顯示裝置等領(lǐng)域中被廣泛實(shí)用化。PDP中有直流型(DC型)與交流型(AC潛力，并且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商品化。圖8是作為一般AC型PDP中的放電單位的放電單元構(gòu)造的示意組圖。該圖8所示的PDPlx是將前面板2和后面板9貼合而成的。前面板2在前面板玻璃3的單面上，成對(duì)配設(shè)多個(gè)以掃描電才及5和維持電極4為一對(duì)的顯示電極對(duì)6,依次層疊電介質(zhì)層7和表面層8,以覆蓋該顯示電極對(duì)6。掃描電極5、維持電極4分別層疊透明電極51、41和總線52、42而構(gòu)成。電介質(zhì)層7由玻璃軟化點(diǎn)為550°C66(TC左右范圍的^f氐融點(diǎn)玻璃形成，具有AC型PDP特有的電流限制功能。表面層8實(shí)現(xiàn)如下作用，即在保護(hù)上述電介質(zhì)層7和顯示電極對(duì)6不受等離子放電的離子沖擊的同時(shí)，高效釋放二次電子，使放電開始電壓下降。通常，該表面層8使用二次電子釋放特性、耐濺射性、光學(xué)透明性優(yōu)良的氧化鎂(MgO),以真空蒸鍍法或印刷法成膜。與表面層8相同的結(jié)構(gòu)，除了被設(shè)置成保護(hù)電介質(zhì)層7和顯示電極對(duì)6的保護(hù)層之外，還被設(shè)置成以確保二次電子釋放特性為目的的保護(hù)層。另一方面，后面板9在后面板玻璃10上同時(shí)設(shè)置用于寫入圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)數(shù)據(jù)(地址)電極11,以與所述前面板2的顯示電極對(duì)6以正交方向交叉。在后面板玻璃10中覆蓋數(shù)據(jù)電極11地配設(shè)由低融點(diǎn)玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12中，在與相鄰的放電單元(省略圖示)的邊界上，組合井字形等的圖案部1231、1232而形成由低融點(diǎn)玻璃構(gòu)成的規(guī)定高度的隔壁(肋)13,以區(qū)分放電i間15。在電介質(zhì)層12表面與隔壁13的側(cè)面，形成了涂敷和燒結(jié)R、G、B各色的熒光體墨水而構(gòu)成的熒光體層14(熒光體層14R、14G、14B)。前面板2與后面板9配置成顯示電極對(duì)6與數(shù)據(jù)電極11間隔放電空間15后彼此正交，其各周圍被密封。此時(shí)，在內(nèi)部密封的放電空間15中，以約數(shù)十kPa的壓力封入Xe-Ne類或Xe-He類等惰性氣體，作為放電氣體。以上構(gòu)成PDPlx。為了通過PDP顯示圖像，使用將1場的影像分割成多個(gè)子場(S.F.)的灰度表現(xiàn)方式(例如場內(nèi)分時(shí)顯示方式)。但是，近年來的電氣制品期望低功率驅(qū)動(dòng)，PDP也有同樣的要求。由于高精細(xì)的PDP中放電單元被細(xì)微化，放電單元數(shù)量亦增大，故產(chǎn)生為了提高寫入放電的可靠性而導(dǎo)致動(dòng)作電壓升高的問題。PDP的動(dòng)作電壓依賴于上述表面層的二次電子釋放系數(shù)(Y)。y是由材料與放電氣體確定的值，已知材料的功函數(shù)越小，則Y越高。因此，專利文獻(xiàn)4中記載了使用氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)等作為保護(hù)層的主要成分。據(jù)此，可形成具有比MgO良好的二次電子釋放特性的高y膜，以較低的電壓驅(qū)動(dòng)PDP。專利文獻(xiàn)k特開平8-236028號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開平10-334809號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:特開2006-54158號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:特開2002-231129號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:WO2005/043578但是，若保護(hù)層中使用氧化4丐(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)等，則雖然能夠以較低的電壓驅(qū)動(dòng)PDP,但保護(hù)層中將產(chǎn)生'電荷損失'的問題。所謂'電荷損失，是指PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)從保護(hù)層過度釋放電子的現(xiàn)象。CaO、SrO、BaO—般比MgO的雜質(zhì)吸附性高，若吸附該雜質(zhì)，則在保護(hù)層的帶構(gòu)造中，發(fā)生氧缺陷，并在真空能級(jí)附近形成無用的能級(jí)。這些較淺的能級(jí)誘發(fā)電荷損失的問題。若在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生電荷損失，則在子場中的維持期間，不能保持維持放電所需的電荷，導(dǎo)致放電不良。另外，為了解決電荷損失的問題，還考慮為了保持放電所需的電荷而從外部重新提供電荷，但由此驅(qū)動(dòng)電壓變高，所以將喪失使用CaO、SrO、BaO的較大優(yōu)勢。另外，在PDP中還存在'放電延遲，的問題。即，在PDP等顯示器領(lǐng)域中，影像源的高精細(xì)化正在推進(jìn)，為了正確顯示高精細(xì)圖像，掃描電極(掃描線)數(shù)量傾向于增加。例如，在全HDTV中，掃描線的數(shù)量為NTSC方式的TV的2倍以上。由于需要在1/60[s]以內(nèi)驅(qū)動(dòng)1個(gè)場，故為了由PDP影像顯示高精細(xì)影像，需要在子場中的寫入期間，使施加于數(shù)據(jù)電極的脈沖寬度變窄。但是，在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，從電壓脈沖的上升沿起至放電單元內(nèi)發(fā)生放電為止，存在被稱為'放電延遲'的時(shí)滯問題。若為了高速驅(qū)動(dòng)而縮短脈沖的寬度，則'放電延遲，的影響變大，各脈沖寬度內(nèi)可放電終止的概率變低。結(jié)果，產(chǎn)生不亮單元(點(diǎn)亮故障)，損害圖像顯示性能。另外，公開了如下技術(shù)，即對(duì)于以MgO為主要成分的保護(hù)層而言，通過向MgO結(jié)晶中添加Fe、Cr或Si、Al,進(jìn)行變性，容易釋放用于寫入放電或維持放電的觸發(fā)電子，由此實(shí)現(xiàn)高速驅(qū)動(dòng)(專利文獻(xiàn)1、2),但同樣的對(duì)策對(duì)于CaO、SrO、BaO難說有效。這樣，在目前的PDP中，存在難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)的幾個(gè)i果題，對(duì)此還存留著應(yīng)解決的余地。
發(fā)明內(nèi)容本申請(qǐng)鑒于以上各課題而作出，并以下述的各種情況為目的。第一目的是提供一種等離子顯示面板，通過改良保護(hù)層的結(jié)構(gòu)，能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)PDP,同時(shí)，在保護(hù)層中發(fā)揮電荷保持特性，可發(fā)揮良好的圖像顯示功能。第二目的是提供一種等離子顯示面板，除了發(fā)揮上述PDP的低電壓驅(qū)動(dòng)化與電荷保持特性的效果外，還防止放電延遲的發(fā)生，即便高精細(xì)的PDP也可良好地進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)，從而可實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的圖像顯示。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的PDP構(gòu)成為配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板的臨近放電空間的面上，配設(shè)以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層，表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。這里，表面層可由CaO、SrO、BaO中的至少一種以上的固溶體構(gòu)成。本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)表面層，表面層以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分，并且，僅存在距真空能級(jí)的深度為2eV以上的電子這里，表面層可在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)表面層，表面層以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分，并且，排除了距真空能級(jí)的深度不足2eV的電子能帶的存在。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層，表面層在向其表面照射了光能量的情況下，當(dāng)使光能量的強(qiáng)度升序變化時(shí)，以2eV以上的能量開始釋放光電子。并且，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)了以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)MgO微粒子，表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。這里，MgO微粒子能夠以氣相氧化法制作?；蛘?，可以在700。C以上的溫度下燒結(jié)MgO前驅(qū)體而得到。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以CaO、SrO、BaO內(nèi)的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面中，配設(shè)了MgO微粒子，在表面層中，僅存在距真空能級(jí)的深度為2eV以上的電子能帶。并且，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)了以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了MgO微粒子，表面層排除了距真空能級(jí)的深度不足2eV的電子能帶的存在。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板的臨近放電空間的面上，配設(shè)了以CaO、SrO、BaO中的至少一種8以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了MgO微粒子，表面層在向其表面照射光能量的情況下，當(dāng)使光能量的強(qiáng)度升序變化時(shí)，以2eV以上的能量開始釋放光電子。并且，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板的制造方法，經(jīng)過表面層形成工序，在配設(shè)了顯示電極的第一基板中，在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下，形成以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層；和密封工序，經(jīng)放電空間，以表面層臨近該放電空間的狀態(tài)密封第一基板與第二基板。這里，在表面層形成工序中，能夠以蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法中的一種以上的方法形成表面層?；蛘?，在表面層形成工序中，由CaO、SrO、BaO中的至少1種以上的固溶體形成所述表面層。另外，本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板的制造方法，經(jīng)過表面層形成工序，在配設(shè)了顯示電極的第一基板上，在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下，形成以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分的表面層；MgO微粒子配設(shè)工序，在表面層中配設(shè)MgO微粒子；和密封工序，經(jīng)放電空間，以表面層臨近放電空間的狀態(tài)密封第一基板與第二基板。這里，在MgO微粒子配設(shè)工序中，也可以使用以氣相氧化法制作的MgO微粒子?；蛘?，使用以700度以上的溫度燒結(jié)MgO前驅(qū)體而制成的MgCM敬粒子。發(fā)明效果通過上述表面層的結(jié)構(gòu)，能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)PDP，同時(shí)，在保護(hù)層中改善電荷保持特性。并且，通過采用在上述表面層中配設(shè)MgO微粒子的結(jié)構(gòu)，除上述效果外，還能夠抑制放電延遲的發(fā)生，實(shí)現(xiàn)高速驅(qū)動(dòng)。這里，本發(fā)明的表面層與MgO微粒子的組合，一般在PDP中采用相當(dāng)于為了保護(hù)電介質(zhì)層而設(shè)置的保護(hù)層的結(jié)構(gòu)。圖l是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的PDP結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示各電極與驅(qū)動(dòng)器的關(guān)系的示意圖。圖3是表示PDP的驅(qū)動(dòng)波形例的圖。圖4是用于說明本實(shí)施方式1的PDP的表面層和現(xiàn)有PDP的表面層的各能級(jí)的圖。圖5是表示陰極場致發(fā)光測定中的由堿土類金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層的特性圖。圖6是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的PDP結(jié)構(gòu)的截面圖。圖7是表示成膜時(shí)的氧氣分壓與電荷損失電壓之間的關(guān)系的曲線。圖8是表示現(xiàn)有的一般PDP結(jié)構(gòu)的組圖。符號(hào)說明1、lxPDP2前面板3前面板玻璃4維持電極5掃描電^L6顯示電極對(duì)7.12電介質(zhì)層8、8a表面層(高y膜)9后面板10后面一反3皮璃11數(shù)據(jù)(地址)電極13隔壁14、14R、14G、14B熒光體層15放電空間16MgO微粒子具體實(shí)施例方式下面，說明本發(fā)明的實(shí)施方式及實(shí)施例，當(dāng)然本發(fā)明并不限于這些方式，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍的范圍內(nèi)，可適當(dāng)進(jìn)行變更后實(shí)施。<實(shí)施方式1>(PDP的結(jié)構(gòu)例)圖1是沿本發(fā)明實(shí)施方式1的PDP1的xz平面的示意性截面圖。該P(yáng)DP1除保護(hù)層周邊的結(jié)構(gòu)外，整體上與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(圖8)相同。PDP1在這里是42英寸等級(jí)的NTSC規(guī)格例的AC型，但本發(fā)明當(dāng)然也可適用于XGA或SXGA等其它規(guī)格例。作為具有HD(HighDefinition:高清晰)以上分辨率的高精細(xì)PDP，例如可列舉如下標(biāo)準(zhǔn)。在面板尺寸為37、42、50英寸等各種尺寸的情況下，順序設(shè)定為1024x720(像素?cái)?shù))、1024x768(像素?cái)?shù))、1366x768(像素?cái)?shù))。此外，可包含分辨率比該HD面板還高的面板。作為具有HD以上的分辨率的面板，可包含具備1920x1080(像素?cái)?shù))的全HD面板。如圖1所示，PDP1的結(jié)構(gòu)大致分為使主面彼此對(duì)置配設(shè)的前面板2和后面板9。在成為前面板2的基板的前面板玻璃3中，在其一個(gè)主面上成對(duì)形成多個(gè)間隔了規(guī)定的放電間隙(75微米)而配設(shè)的一對(duì)顯示電極對(duì)6(掃描電極5、維持電極4)。各顯示電極對(duì)6是相對(duì)于由氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(Sn02)等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成的帶狀透明電極51、41(厚度為0.1微米、寬度為150微米)，層疊由Ag厚膜(厚度為2微米~10微米)、Al薄膜(厚度為0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr層疊薄膜(厚度為0.1微米~1微米)等構(gòu)成的總線52、42(厚度為7微米、寬度為95微米)而構(gòu)成。利用該總線52、42降低透明電極51、41的薄膜電阻。這里，所謂'厚膜，是指通過涂敷了包含導(dǎo)電性材料的膠等之后燒結(jié)形成的各種厚膜法所形成的膜。另外，所謂'薄膜，是指通過包含濺射法、離子電鍍法、電子線蒸鍍法等的、使用了真空處理的各種薄膜法所形成的膜。在配設(shè)了顯示電極對(duì)6的前面板玻璃3中，在其整個(gè)主面上，利用網(wǎng)印法等形成以氧化鉛(PbO)或氧化鉍(Bi203)或氧化磷(P04)為主要成分的低融點(diǎn)玻璃(厚度為35微米)的電介質(zhì)層7。電介質(zhì)層7具有AC型PDP特有的電流限制功能，并且是實(shí)現(xiàn)比DC型PDP壽命長的要素。在電介質(zhì)層7的放電空間側(cè)的面上，分散配設(shè)了膜厚約1微米的表面層8,在該表面層8的表面上分散配設(shè)了MgO微米子16。利用該表面層8和MgO微粒子16的組合，構(gòu)成了對(duì)電介質(zhì)層7的保護(hù)層。表面層8是為了保護(hù)電介質(zhì)層7不受放電時(shí)的離子沖擊，并使放電開始電壓降低而配設(shè)的，并且由耐賊射性和二次電子釋放系數(shù)y較好的材料構(gòu)成。該材料還具備良好的光學(xué)透明性、電氣絕緣性。另一方面，MgO微粒子16是用于發(fā)揮較高的初始電子釋放特性而配設(shè)的。由此，保護(hù)層增效地發(fā)揮彼此功能分離的表面層8和MgO微粒子16所具有的特性。另外，在表面層8的表面中的MgO微粒子16的覆蓋區(qū)域中，可防止從放電空間15附著雜質(zhì)，實(shí)現(xiàn)PDP1的壽命特性的提高。表面層8、MgO微粒子16的細(xì)節(jié)將在下文進(jìn)行敘述。另外，圖l中為了說明起見，示意性地比實(shí)際大地示出了配設(shè)在表面層8的表面中的MgO微粒子16。在形成為后面板9的基板的后面板玻璃10中，在其一個(gè)主面上，以x方向?yàn)殚L度方向、沿y方向每間隔一定間隔(360微米)條狀地設(shè)置由Ag厚膜(厚度為2微米~10微米)、Al薄膜(厚度為0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr層疊薄膜(厚度為0.1微米~1微米)等之一構(gòu)成的寬度為100微米的數(shù)據(jù)電極11。另外，內(nèi)包各個(gè)數(shù)據(jù)電極11地在后面板玻璃9的整個(gè)面上配設(shè)了厚度為30微米的電介質(zhì)層12。在電介質(zhì)層12上進(jìn)一步配合相鄰的數(shù)據(jù)電極11的間隙，配設(shè)井字形的隔壁13(高度約為110微米、寬度為40微米)，通過區(qū)分放電單元，防止誤放電或光學(xué)串?dāng)_的發(fā)生。在相鄰的兩個(gè)隔壁13的側(cè)面和其間的電介質(zhì)層12的面上，形成了分別彩色顯示用的紅色⑧、綠色(G)、藍(lán)色(B)對(duì)應(yīng)的熒光體層14。電介質(zhì)層12不是必需的，也可直接由焚光體層14內(nèi)包數(shù)據(jù)電極11。前面板2與后面板9對(duì)置配置，以使數(shù)據(jù)電極ll與顯示電極對(duì)6彼此的長度方向正交，兩面板2、9的外周緣部由玻璃粉密封。在該兩個(gè)面板2、9之間，以規(guī)定壓力封入由包含He、Xe、Ne等惰性氣體成分構(gòu)成的放電氣體。隔壁13之間是放電空間15,而相鄰的一對(duì)顯示電極對(duì)6與1條數(shù)據(jù)電極ll夾持放電空間15而交叉的區(qū)域，對(duì)應(yīng)于與圖像顯示有關(guān)的放電單元(也稱為'子像素，)。放電單元間距為x方向?yàn)?75微米，y方向?yàn)?00微米。相鄰的RGB各色所對(duì)應(yīng)的3個(gè)放電單元構(gòu)成1個(gè)像素(675孩i米x900樣i米)。在每個(gè)掃描電極5、維持電極4和數(shù)據(jù)電極11上，如圖2所示，在面板外部連接掃描電極驅(qū)動(dòng)器111、維持電極驅(qū)動(dòng)器112、數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)器113，作為驅(qū)動(dòng)電路。(PDP的驅(qū)動(dòng)例)12上述結(jié)構(gòu)的PDP1在驅(qū)動(dòng)時(shí)，利用包含各驅(qū)動(dòng)器111~113的公知驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)，向各顯示電極對(duì)6的間隙施加數(shù)十kHz~數(shù)百kHz的AC電壓。由此，在任意的放電單元內(nèi)發(fā)生放電，向熒光體層14照射包含基于激發(fā)Xe原子的波長為147nm主體的諧振線與基于激發(fā)Xe分子的波長為173nm主體的分子線的紫外線(圖1的虛線和箭頭)。熒光體層14-陂激發(fā)后發(fā)出可見光。之后，該可見光透過前面板2在前面發(fā)光。作為該驅(qū)動(dòng)方法的一例，采用場內(nèi)分時(shí)灰度顯示方式。該方式將所顯示的場分成多個(gè)子場(S.F)，再將各子場分成多個(gè)期間。1個(gè)子場進(jìn)一步被分割成(1)將全部放電單元變?yōu)槌跏蓟癄顟B(tài)的初始化期間(2)選址各放電單元、并選擇對(duì)應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)的顯示狀態(tài)后輸入到各放電單元的地址(寫入)期間(3)使處于顯示狀態(tài)的放電單元顯示發(fā)光的維持期間(4)擦除由維持放電形成的壁電荷的擦除期間等4個(gè)期間。各子場在初始化期間利用初始化脈沖復(fù)位畫面整體的壁電荷之后，在寫入期間進(jìn)行僅在應(yīng)點(diǎn)亮的放電單元中存儲(chǔ)壁電荷的寫入放電，在之后的放電維持期間，通過對(duì)全部的放電單元同時(shí)施加交流電壓(維持電壓)，在一定時(shí)間內(nèi)進(jìn)行放電維持，從而進(jìn)行發(fā)光顯示。這里，圖3是場中第m個(gè)子場中的驅(qū)動(dòng)波形例。如圖3所示，向各子場分別分配初始化期間、寫入期間、放電維持期間、擦除期間。所謂初始化期間是為了防止此前的放電單元點(diǎn)亮造成的影響(存儲(chǔ)的壁電荷造成的影響)，進(jìn)行畫面整體的壁電荷擦除(初始化放電)的期間。在圖3所示的驅(qū)動(dòng)波形例中，向掃描電極5施加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4高的電壓(初始化脈沖)，使放電單元內(nèi)的氣體放電。由此產(chǎn)生的電荷存儲(chǔ)在放電單元的壁面中以抵消數(shù)據(jù)電極11、掃描電極5和維持電極4間的電位差，所以在掃描電才及5附近的表面層8和MgO微粒子16的表面中，存儲(chǔ)負(fù)電荷以作為壁電荷。另外，在數(shù)據(jù)電極11附近的熒光體層14表面和維持電極4附近的表面層8和MgO微粒子16的表面上，存儲(chǔ)正電荷，作為壁電荷。利用該壁電荷，在掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11之間、掃描電極5-維持電極4之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。寫入期間是執(zhí)行根據(jù)分割給子場的圖像信號(hào)而選擇的放電單元的選址(點(diǎn)亮/不點(diǎn)亮的設(shè)定)的期間。在該期間中，在使放電單元點(diǎn)亮的情況下，向掃描電極5施加比數(shù)據(jù)電極11和維持電極4低的電壓(掃描脈沖)。即，在向掃描電極5-數(shù)據(jù)電極11沿與所述壁電位相同方向施加電壓的同時(shí)，向掃描電極5-維持電極4之間沿與壁電位相同方向施加數(shù)據(jù)脈沖，產(chǎn)生寫入放電(寫入放電)。由此，在熒光體層14表面、維持電極4附近的表面層8和MgO微粒子16的表面存儲(chǔ)負(fù)電荷，在掃描電極5附近的表面層8和MgO微粒子16的表面存儲(chǔ)正電荷，并作為壁電荷。如上所述，在維持電極4-掃描電極5之間產(chǎn)生規(guī)定值的壁電位。放電維持期間是為了確保對(duì)應(yīng)于灰度的亮度、擴(kuò)大由寫入放電設(shè)定的點(diǎn)亮狀態(tài)后放電維持的期間。這里，在上述壁電荷存在的放電單元中，向一對(duì)掃描電極5和維持電極4分別以彼此不同的相位施加維持放電用的電壓脈沖(例如約200V的矩形波電壓)。由此，對(duì)于寫入了顯示狀態(tài)的放電單元，在電壓極性每次變化時(shí)產(chǎn)生脈沖放電。利用該維持放電，從放電空間中的激發(fā)Xe原子放射147nm的諧振線，從激發(fā)Xe分子放射173nm主體的分子線。該諧振線、分子線照射到熒光體層14表面，進(jìn)行基于可見光發(fā)光的顯示發(fā)光。之后，利用RGB各色各自的子場單位的組合，進(jìn)行多色、多灰度顯示。在未向表面層8中寫入壁電荷的非放電單元中，不產(chǎn)生維持放電，顯示狀態(tài)變?yōu)楹陲@示。在擦除期間中，向掃描電極5施加漸減型的擦除脈沖，由此擦除壁電何。表面層8以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分，在壓力為0.025Pa以上的氧氣分壓環(huán)境下，利用濺射法、離子電鍍法、蒸鍍法等任一方法成膜，降低放電開始電壓，發(fā)揮改善電荷損失的效果。(放電開始電壓的降低)表面層8以CaO、SrO、BaO中的至少一種以上為主要成分。作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級(jí)而存在的能級(jí)存在于距真空能級(jí)的深度比MgO淺的區(qū)域。因此，在驅(qū)動(dòng)PDP1的情況下，當(dāng)存在于作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級(jí)而存在的能級(jí)的電子遷移到Xe離子的基底狀態(tài)時(shí)，受到其它電子的俄歇效應(yīng)而獲得的能量比MgO的情況大。另外，該能量是足夠使電子超出真空能級(jí)而釋放的量。結(jié)果，在表面層8中，該材料與MgO的情況相比，發(fā)揮良好的二次電子釋放特性。具體而言，作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級(jí)而存在的能級(jí)存在于距真空能級(jí)的深度為6.05eV以下的區(qū)域，作為MgO固有的電子能級(jí)而存在的能級(jí)存在于距真空能級(jí)的深度超過6.05eV的區(qū)域。下面，使用與表面層8和放電空間中封入的氣體間的能量交換相伴隨的電子狀態(tài)遷移路徑的說明，詳述上述區(qū)域中存在固有的電子能級(jí)的根據(jù)。若放電空間內(nèi)產(chǎn)生的放電氣體引起的離子接近表面層8的表面中可相互作用之處，則存在于構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級(jí)處的電子將遷移到放電氣體離子的基底狀態(tài)，從而其它電子通過俄歇效應(yīng)，得到從放電氣體離子的基底狀態(tài)的能級(jí)深度中、減去構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級(jí)的深度后的能量，飛越了至真空能級(jí)的能量間隙后，釋放2次電子(細(xì)節(jié)參照專利文獻(xiàn)5)。如圖4所示，Xe離子在帶構(gòu)造中，在距真空能級(jí)12.1eV的深度處具有基底狀態(tài)的能級(jí)。因此，構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級(jí)，當(dāng)存在于比上述12.1eV的一半、即6.05eV淺的區(qū)域中的情況下(圖4中的(a)),得到從離子化狀態(tài)的能級(jí)深度(12.1eV)中減去構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級(jí)深度的能量(超過6.05eV),從而可飛越至真空能級(jí)的能量間隙后，并釋放電子。相反，構(gòu)成表面層8的材料所固有的電子能級(jí)，在存在于比上述12.leV的一半、即6.05eV深的能級(jí)的情況下(圖4中的(b)),即便得到從基底狀態(tài)的能級(jí)深度(12.1eV)中減去構(gòu)成表面層8的材料固有的電子能級(jí)深度的能量(不足6.05eV),也不能飛越至真空能級(jí)的能量間隙，不能釋放電子。另一方面，通過發(fā)明者的其它實(shí)驗(yàn)，確認(rèn)出在放電氣體中使用了Xe時(shí)的放電開始電壓在以MgO為主要成分的保護(hù)層中比以CaO、SrO、BaO為主要成分的本實(shí)施方式的表面層8高。該傾向與放電氣體中的Xe分壓成正比，更顯著。根據(jù)以上描述可知，作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級(jí)而存在的能級(jí)存在于6.05eV以內(nèi)的區(qū)域中，作為MgO固有的電子能級(jí)而存在的能級(jí)存在于距真空能級(jí)的深度超過6.05eV的區(qū)域中。通常，各材料固有的帶間隙與電子親和力之和就MgO而言約為8.8eV,就CaO而言約為8.0eV,就SrO而言約為6.9eV,就BaO而言約為5.2eV。這是表面層8中的體相(bulk)部分的觀測值。另一方面，在本發(fā)明中，MgO的帶間隙與電子親和力之和比6.05eV大，CaO、SrO、BaO的帶間隙與電子親和力之和為6.05eV以下，比上述值還低2eV。這是因?yàn)椋緦?shí)施方式1中的帶間隙與電子親和力之和是表面層8中實(shí)際影響放電的表面部分的觀測值。表面附近的帶間隙比表面層8中的體相的帶間隙小是因?yàn)樵诒砻娌糠种校c內(nèi)部狀態(tài)不同，曝露于表面?zhèn)鹊脑犹幱阪I斷開的狀態(tài)。所謂"表面部分"是指從表面層8的最表面至約數(shù)十原子層左右的深度。(電荷損失的改善)表面層8通過在0.025Pa以上的氧氣分壓環(huán)境下成膜CaO、SrO、BaO任一種以上，以混入雜質(zhì)或氧缺陷少的結(jié)晶構(gòu)造形成。因此，構(gòu)成為排除了真空能級(jí)附近的無用能級(jí)，僅存在距真空能級(jí)的深度為2eV以上的電子能帶。即，在本實(shí)施方式1的表面層8中，排除了距真空能級(jí)的深度不足2eV的電子能帶的存在。由此，抑制在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)從接近真空能級(jí)的無用能級(jí)過剩地釋放電子，除了所述低電壓驅(qū)動(dòng)與二次電子釋放特性同時(shí)成立的效果外，還發(fā)揮適當(dāng)?shù)碾娮颖３痔匦缘男ЧＴ撾姾杀３痔匦杂绕湓诔跏蓟陂g保持存儲(chǔ)的壁電荷、在寫入期間防止寫入故障進(jìn)行可靠的寫入放電方面4艮有效。具體而言，所謂真空能級(jí)附近的無用能級(jí)是能量帶中距真空能級(jí)的深度不足2eV中存在的能級(jí)。下面，進(jìn)行由堿土類金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層中的陰極場致發(fā)光測定，利用該測定結(jié)果，詳述上述的根據(jù)。圖5中示出進(jìn)行由堿土類金屬氧化物構(gòu)成的保護(hù)層(樣品A、樣品B)的陰極場致發(fā)光測定的結(jié)果。照射電子線的能量為3kV,測定波長區(qū)域?yàn)?00~900nm。橫軸是將檢測到的波長變換為能量的值。樣品A、樣品B均在3eV附近存在較強(qiáng)的發(fā)光頻語。另外，樣品A在1~2eV附近基本上看不到發(fā)光頻譜，樣品B在1~2eV附近看到了較強(qiáng)的發(fā)光頻譜。另一方面，通過發(fā)明者的其它實(shí)驗(yàn)，確認(rèn)出在使用了樣品A的保護(hù)層的PDP中，在通常設(shè)定驅(qū)動(dòng)電壓下不存在基于電荷損失的不亮單元，具有難以引起電荷損失的性質(zhì)。另外，確認(rèn)出在使用了樣品B的保護(hù)層的PDP中，在通常設(shè)定驅(qū)動(dòng)電壓下存在基于電荷損失的不亮單元，具有容易引起電荷損失的性質(zhì)。如上可知，PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)過剩釋放的電子是能量帶中占有距真空能級(jí)的深度不足2eV處存在的能級(jí)的電子。(確i^方法)本實(shí)施方式1的表面層8利用向以CaO、SrO、BaO為主要成分的表面層8照射光時(shí)，對(duì)從表面層8釋放的電子量進(jìn)行測定的測定結(jié)果，確認(rèn)出排除了能量帶中距真空能級(jí)的深度不足2eV中存在的能級(jí)。這是因?yàn)榇嬖谟陔娮幽軒У碾娮荧@得被照射的光所具有的能量部分的能量，當(dāng)獲得僅超過至真空能級(jí)的能量間隙的能量時(shí)，便開始電子釋放(光電子釋放)。即，在排除了不足2eV中存在的能級(jí)的表面層8中，當(dāng)使照射到表面層8的光的能量升序變化時(shí)，以2eV以上的能量開始釋放電子。另一方面，在0.01Pa左右的氧氣環(huán)境下使用CaO、SrO、BaO成膜的保護(hù)層(例如專利文獻(xiàn)4)在不足2eV的能級(jí)中形成了多個(gè)引起氧缺陷的能級(jí)，所以可知，即便不足2eV的能量也開始釋放電子。即，作為CaO、SrO、BaO固有的電子能級(jí)而存在的能級(jí)存在于表面層8的表面部分中6.05eV以內(nèi)的區(qū)域中，并且，表面層8中不足2eV的能級(jí)中不存在由氧缺陷等引起的無用能級(jí)，從而可同時(shí)實(shí)現(xiàn)放電開始電壓的降低與電荷損失的改善。這里，所謂光是指X射線、紫外線、紅外線等寬范圍的光。本實(shí)施方式1中的表面層8排除如下結(jié)構(gòu)僅存在距真空能級(jí)的深度為2eV以上的電子能帶的結(jié)構(gòu)、或存在距真空能級(jí)的深度不足2eV的電子能帶的結(jié)構(gòu)，但只要是可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明效果的量，則不足2eV中存在多少電子能帶都無妨。并且，在本實(shí)施方式l中，表面層8構(gòu)成為以CaO、SrO、BaO中的1種以上為主要成分，但其中CaO的雜質(zhì)的吸附性較低，在得到高純度的結(jié)晶構(gòu)造方面很合適。另外，若將表面層8構(gòu)成為CaO、SrO、BaO的固溶體，則該層還具有抑制雜質(zhì)吸附的效果，根據(jù)多個(gè)理由可知，比由單體材料構(gòu)成該層更合適。如上所述，在0.01Pa左右的氧氣環(huán)境下使用CaO、SrO、BaO成膜的層(例如專利文獻(xiàn)4中記載的保護(hù)層)以氧缺陷多的結(jié)晶構(gòu)造形成，所以會(huì)在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)從接近真空能級(jí)的無用能級(jí)過剩地釋放電子。此時(shí)，雖然存在為了彌補(bǔ)壁電荷的保持而提高驅(qū)動(dòng)電壓的對(duì)策，但在本發(fā)明中不需要這種對(duì)策，利用低電壓驅(qū)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)功耗的降低。并且，也不需要對(duì)應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電路的耐壓對(duì)策，在制造成本降低方面具有較大優(yōu)勢。以前存在向保護(hù)層中摻雜雜質(zhì)、或者設(shè)置氧缺陷部分從而在距真空能級(jí)4eV以內(nèi)的深度處設(shè)置能級(jí)的技術(shù)(細(xì)節(jié)參照專利文獻(xiàn)5),但這種結(jié)構(gòu)就PDP的壽命特性而言不影響本發(fā)明。即，保護(hù)層中的雜質(zhì)或氧缺陷等不是原來的保護(hù)層主要成分所固有的電子能級(jí)，由于PDP的長期使用，導(dǎo)致保護(hù)層的結(jié)晶構(gòu)造發(fā)生變化，而逐漸消失。相反，在PDP1中，設(shè)置表面層8的主要成分中的固有能級(jí)，具有長期發(fā)揮穩(wěn)定的二次電子釋放特性的較大優(yōu)勢。通過本發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)，確認(rèn)出MgO微粒子16具有主要抑制寫入放電中的"放電延遲，，的效果、和改善"放電延遲，，的溫度依賴性的效果。因此，在本實(shí)施方式1中，利用MgCM敖粒子16比表面層8高的初始電子釋放特性良好的性質(zhì)，而配設(shè)為驅(qū)動(dòng)時(shí)的初始電子釋放部。'放電延遲，的主要原因被認(rèn)為是由于放電開始時(shí)，構(gòu)成觸發(fā)的初始電子從表面層8表面釋放到放電空間15中的量不足所致。因此，由于有助于對(duì)放電空間15的電子釋放性，所以在表面層8的表面分散配置MgO微粒子16,確保較寬的表面積。由此，驅(qū)動(dòng)初期釋放出大量MgO微粒子16中的電子，消除了放電延遲。因此，利用這種初始電子釋放特性，即便在PDP1高精細(xì)的情況等下也能夠放電響應(yīng)性良好地進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)。在表面層8的表面上配設(shè)MgO微粒子16群的結(jié)構(gòu)中，除主要抑制寫入放電中的"放電延遲，，的效果外，還能夠得到改善"放電延遲，，的溫度依賴性的效果。如上所述，在PDP1中，將對(duì)表面層8同時(shí)實(shí)現(xiàn)低電壓驅(qū)動(dòng)與電荷保護(hù)兩種效果的表面層8與實(shí)現(xiàn)了防止放電延遲的效果的MgO微粒子16進(jìn)行組合，從而作為PDP1整體，即便高精細(xì)的PDP也可由低電壓進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)，并且能夠?qū)崿F(xiàn)抑制不亮單元發(fā)生的高品質(zhì)的圖像顯示性能。并且，MgO微粒子16通過層疊設(shè)置在表面層8的表面，從而具有對(duì)該表面層8的一定保護(hù)效果。即，表面層8具有較高的二次電子釋放系數(shù)，能夠進(jìn)行PDP的低電壓驅(qū)動(dòng)，相反，則具有水或二氧化碳等雜質(zhì)的吸附性較高的性質(zhì)。若產(chǎn)生雜質(zhì)吸附，則損害二次電子釋放特性等放電的初始特性。因此，若以MgO微粒子16覆蓋這種表面層8，則可防止該覆蓋區(qū)域中從放電空間15向表面層8的表面吸附雜質(zhì)。由此，可實(shí)現(xiàn)PDP1的壽命特性的提高。<實(shí)施方式2>本發(fā)明的實(shí)施方式2主要說明與實(shí)施方式1的差異。圖6是表示實(shí)施方式2的PDP結(jié)構(gòu)的截面圖。在實(shí)施方式l中，在表面層8中分散配置MgO微米子16,構(gòu)成保護(hù)層。但是，當(dāng)面板標(biāo)準(zhǔn)不是全HD(縱向900線以上)的單掃描驅(qū)動(dòng)而是雙掃描驅(qū)動(dòng)的情況下，或一般的HD(縱向800線以下)或VGA標(biāo)準(zhǔn)等情況下，基本不要求PDP進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)。此時(shí)，需要配設(shè)MgO微粒子16來防止高速驅(qū)動(dòng)PDP時(shí)的放電延遲的必要性較低。。實(shí)施方式2的PDPla是可適用于這種情況的結(jié)構(gòu)。具體而言，如圖6所示，僅由表面層8a構(gòu)成保護(hù)層。即，表面層8a在氧氣環(huán)境下成膜BaO、CaO、SrO的至少一種以上而構(gòu)成。根據(jù)具有以上表面層8a的實(shí)施方式2的PDPla,利用驅(qū)動(dòng)時(shí)在氧氣環(huán)境下處理成膜的、以BaO、CaO、SrO的至少一種以上作為主要成分的表面層8a，發(fā)揮良好的二次電子釋放特性。結(jié)果，PDPla可與實(shí)施方式l一樣進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)。并且，表面層8a通過在0.025Pa以上的氧氣分壓環(huán)境下成膜，從而高純度形成，抑制不足2eV的無用能級(jí)的發(fā)生。其結(jié)果，防止從該無用的能級(jí)過度地釋放電子，抑制電荷損失的問題，由此，在實(shí)施方式2中，在低電壓驅(qū)動(dòng)下，防止不亮單元的發(fā)生，可發(fā)揮良好的圖像顯示性能。<PDP的制造方法>下面，說明上述各實(shí)施方式中的PDP1和la的制造方法例。PDP1和la的差異實(shí)質(zhì)上僅為有無配設(shè)MgO微粒子16,其它制造工序相同。(背面板的制作)在由厚度約2.6mm的蘇打石灰(soda-lime)玻璃構(gòu)成的背面板玻璃10的表面上，利用網(wǎng)印法，以規(guī)定間隔條狀涂敷以Ag為主要成分的導(dǎo)電體材料，形成厚度為數(shù)微米(例如約5微米)的數(shù)據(jù)電極。作為數(shù)據(jù)電極11的電極材料，根據(jù)需要也可以使用Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等金屬、或各種金屬碳化物或氮化物等導(dǎo)電性陶瓷等材料或其組合、或?qū)⑵鋵盈B形成的層疊電極。這里，為了把要制作的PDP1設(shè)為40英寸等級(jí)的NTSC標(biāo)準(zhǔn)或VGA標(biāo)準(zhǔn)，而將相鄰的兩個(gè)數(shù)據(jù)電極11的間隔設(shè)定為大約0.4mm以下。接著，在形成數(shù)據(jù)電極的背面板玻璃10的整個(gè)面，涂敷厚度約為20~30微米的鉛類或非鉛類的低融點(diǎn)玻璃或由Si02材料構(gòu)成的玻璃膠，燒結(jié)后形成電介質(zhì)層。接著，在電介質(zhì)層12面上以規(guī)定的圖案形成隔壁13。涂敷低融點(diǎn)玻璃材料膠，使用噴砂法或光刻法，以分割行和列的井字狀圖案形成放電單元的多個(gè)排列，以分割與相鄰放電單元(省略圖示)的邊界周圍。一旦形成隔壁13,就在隔壁13的壁面與在隔壁13間露出的電介質(zhì)層12的表面上，涂敷AC型PDP所通常使用的包含紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光體、藍(lán)色(B)熒光體之一的熒光墨水。干燥并燒結(jié)該墨水，分別構(gòu)成熒光體層14?？蛇m用的RGB各色熒光的化學(xué)組成例如下所示。紅色熒光體(Y、Gd)B03:Eu綠色熒光體Zn2Si04:Mn藍(lán)色熒光體BaMgAl10O17:Eu最好各熒光體材料的平均粒徑為2.0微米。將其以50質(zhì)量％的比例放入到工作容器(server)內(nèi)，投入乙基纖維素(ethylcellulose)1.0質(zhì)量％、溶劑(a-松油醇)49質(zhì)量％,以砂磨機(jī)攪拌混合后，制作15xl9-3Pa*s的熒光體墨水。之后，用泵從直徑60微米的噴嘴向隔壁13間噴射該墨水并涂敷。此時(shí)，使噴嘴沿隔壁13的長度方向移動(dòng)，條狀涂敷熒光體墨水。之后，在500。C下燒結(jié)IO分鐘左右，形成熒光體層14。以上完成背面板9。在上述方法例中，i殳前面板玻璃3和后面板玻璃10由蘇打石灰玻璃構(gòu)成，但它只是作為材料的一例舉出，也可由其他的材料構(gòu)成。(前面板2的制作)在由厚度約2.6mm的蘇打石灰玻璃構(gòu)成的前面板玻璃的面上，制作顯示電極6。這里，示出利用印刷法形成顯示電極6的實(shí)例，但此外也可采用擠壓式涂敷(diecoating)法、刮涂法等形成。首先，以條狀等規(guī)定圖案在前面板玻璃上涂敷最終厚度約為100nm的ITO、Sn02、ZnO等透明電極材料并干燥。由此，制作透明電極41、51。另一方面，調(diào)整在Ag粉末與有機(jī)媒介物中混合了感光性樹脂(光分解性樹脂)而成的感光性膠，將其重合涂敷于所述透明電極材料上，并以具有所形成的顯示電極6的圖案的掩膜進(jìn)行覆蓋。之后，從該掩膜上曝光，經(jīng)顯影工序，在590-600。C左右的燒結(jié)溫度下燒結(jié)。由此，在透明電極41、51上形成最終厚度為數(shù)微米的總線42、52。根據(jù)該光掩膜法，與以往以IOO微米的線寬度為極限的網(wǎng)印法相比，可將總線42、52細(xì)線化至30微米左右的線寬度。總線42、52的金屬材料，除Ag夕卜，還可使用Au、Al、Ni、Cr或氧化錫、氧化銦等。總線42、52除上述方法以外，也可利用蒸鍍法、濺射法等成膜電極材料后，經(jīng)蝕刻處理后形成。接著，從顯示電極6上涂敷混合了軟化點(diǎn)為550°C-600。C的鉛類或非鉛類的低融點(diǎn)玻璃或Si02材料粉末和由二甘醇丁醚醋酸酯(butylcarbitolacetate)等構(gòu)成的有機(jī)粘合劑的膠。之后，在550°C~650。C左右燒結(jié)，形成最終厚度為膜厚數(shù)微米~數(shù)十微米的電介質(zhì)層7。(表面層8或8a的成膜)實(shí)施方式1中的表面層8和實(shí)施方式2中的表面層8a可以通過如下的形成工序形成。對(duì)電介質(zhì)層7的表面，在成膜材料中使用至少從CaO、SrO、BaO中選擇的一種，在氧氣環(huán)境下成膜。此外，也可成膜為使上述氧化物彼此固溶的固溶體。成膜方法可采用電子束蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等公知的方法。在成膜時(shí)的環(huán)境下，設(shè)定成氧氣為0.025Pa以上的壓力。該壓力的實(shí)際上限由成膜速率決定。作為一例，在濺射法中1Pa為實(shí)際可取得的壓力的上限，在作為蒸鍍法的一例的EB蒸鍍法中，O.lPa為實(shí)際可取得的壓力的上限。另外，成膜時(shí)的環(huán)境由于在表面層8(表面層8a)的成膜中防止水分吸附或雜質(zhì)吸附，故處于與外部隔斷的密閉狀態(tài)，且為利用了干燥氣體的干燥環(huán)境。作為干燥氣體，其露點(diǎn)在-20。C以下，期望為-40。C以下(細(xì)節(jié)參照專利文獻(xiàn)4)。利用這種成膜時(shí)的環(huán)境的調(diào)整，抑制雜質(zhì)或氧缺陷引起的無用電子能級(jí)的形成，構(gòu)成僅存在距真空能級(jí)的深度為2eV以上的電子能帶的表面層8。接著，在制作實(shí)施方式1的PDP1的情況下，需要準(zhǔn)備MgO微粒子16。MgO微粒子16準(zhǔn)備成粉體材料，并采用如下所示的氣相合成法或前驅(qū)體燒結(jié)法之一進(jìn)行制造。在充滿惰性氣體的環(huán)境下加熱鎂金屬材料(純度99.9%)。維持該加熱狀態(tài)的同時(shí)，向環(huán)境中導(dǎo)入少量氧氣，使鎂直接氧化，從而制作出MgO微粒子16。21在該方法中，在高溫(例如70(TC以上)下均勻燒結(jié)下面示出的MgO前驅(qū)體，漸漸冷卻后，得到MgO微粒子。作為MgO前驅(qū)體，例如可選擇鎂醇鹽(Mg(OR)2)、鎂乙酰丙酮(Mg(acac)2)、氫IU匕鎂(Mg(OH)2)、碳酸鎂、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgS04)、硝酸鎂(Mg(N03)2)、草酸鎂(MgC204)中的任一種以上(也可以混合使用兩種以上)。所選擇的化合物通常取水合物的形態(tài)，但也可以使用這種水合物。構(gòu)成MgO前驅(qū)體的鎂化合物調(diào)整為燒結(jié)后得到的MgO純度為99.95%以上，最佳值為99.98%以上。這是因?yàn)椋粼阪V化合物中混合一定量以上的各種堿性金屬、B、Si、Fe、Al等雜質(zhì)元素，則熱處理時(shí)產(chǎn)生無用的粒子間粘合或燒結(jié)，難以得到高結(jié)晶性的MgO微粒子。因此，通過去除雜質(zhì)元素等事先調(diào)整前驅(qū)體。使通過上述任一方法得到的MgO微粒子16分散到溶媒中。之后，根據(jù)噴涂法或網(wǎng)印法、靜電涂敷法，使該分散液分散散布到表面層8的表面中(MgO微粒子配設(shè)工序)。之后，經(jīng)千燥燒結(jié)工序去除溶媒，使MgO微粒子16定影于表面層8的表面中。(PDP的完成)使用密封用玻璃貼合所制作的前面板2與后面板9。之后，將放電空間15的內(nèi)部排氣到大致高真空(1.0xl(T4Pa),在其中以規(guī)定壓力(這里為66.5Pa~101Pa)封入Ne-Xe類或He-Ne-Xe類、Ne-Xe-Ar類等放電氣體。經(jīng)過以上工序，完成PDPl或la。<性能評(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn)>以濺射法成膜由BaO構(gòu)成的保護(hù)層(對(duì)應(yīng)于實(shí)施方式2的表面層8a),調(diào)查該成膜時(shí)的成膜環(huán)境中的氧氣分壓與電荷損失電壓的關(guān)系。圖7中示出該結(jié)果(成膜時(shí)的氧氣分壓與電荷損失電壓的關(guān)系)。電荷損失電壓的值在成膜環(huán)境中未添加氧氣的情況下的值取1,并繪制其相對(duì)值。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖7所示，可確認(rèn)出隨著成膜環(huán)境中氧氣分壓的上升，電荷損失電壓值減少。這是因?yàn)?，由于成膜環(huán)境中添加的氧氣，在保護(hù)層禁止帶內(nèi)，抑制了氧缺陷引起的較淺的電子能級(jí)的形成，其結(jié)果是，抑制了從保護(hù)層過度地釋放電子，確保了恒定的電荷保持特性。另一方面，若電荷損失電壓的相對(duì)值比0.5大，則在驅(qū)動(dòng)時(shí)所需的設(shè)定電壓下，開始產(chǎn)生不亮單元。根據(jù)以上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，成膜環(huán)境中的最佳氧氣分壓為0.025Pa以上。另外，通過本發(fā)明者的其它實(shí)驗(yàn)，即便成膜方法采用EB蒸鍍法、離子電鍍法而制作的膜，也能夠得到與圖7基本相同的結(jié)果。另外可知，即便在保護(hù)層材料中使用了CaO或SrO的情況下，也可得到與圖7基本相同的結(jié)果。這里，現(xiàn)有的成膜法存在如下技術(shù)，即在O.OlPa左右的氧氣環(huán)境下使用CaO、SrO、BaO來進(jìn)行保護(hù)層成膜的技術(shù)(例如專利文獻(xiàn)4)。但是，從圖7的內(nèi)容可知，在這種氧氣分壓值下得不到本發(fā)明的表面層。即，在成膜環(huán)境中的氧氣分壓為0.01Pa左右下，電荷的損失電壓為接近1.0的值，其電壓值與不向成膜環(huán)境中添加氧氣的情況幾乎相同。因此，為了有效防止PDP中電荷損失的問題，如上所述，應(yīng)將氧氣分壓至少設(shè)為0.025Pa以上。并且，通過設(shè)氧氣分壓為0.2Pa以上，可得到更顯著的改善效果。下面，準(zhǔn)備了以下的樣品1~IIPDP。這里，樣品7和8(實(shí)施例1和2)相當(dāng)于實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)，樣品10和11(實(shí)施例4和5)相當(dāng)于實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)。樣品1(比較例1):作為最基本的PDP的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，為由MgO構(gòu)成的表面層。樣品2(比較例2):為由摻雜了Al的MgO構(gòu)成的表面層。樣品3(比較例3):在由MgO構(gòu)成的表面層上，利用印刷法分散通過燒結(jié)MgO前驅(qū)體而得到的MgO微粒子的結(jié)構(gòu)。樣品4(比較例4):在摻雜了Al的由MgO構(gòu)成的表面層上，利用印刷法分散通過燒結(jié)MgO前驅(qū)體而得到的MgO微粒子的層疊體。樣品5(比較例5):在氧氣分壓為OPa(無氧氣)下成膜的BaO所構(gòu)成的表面層。樣品6(比較例6):在氧氣分壓為OPa(無氧氣)下成膜的BaO所構(gòu)成的表面層上，利用噴射法分散以氣相法制作的MgO微粒子的結(jié)構(gòu)。樣品7(實(shí)施例1):在氧氣分壓為0.2Pa下成膜的BaO所構(gòu)成的表面層。樣品8(實(shí)施例2):在氧氣分壓為0.05Pa下成膜的SrO所構(gòu)成的表23面層。樣品9(實(shí)施例3):在氧氣分壓為0.05Pa下成膜的CaO所構(gòu)成的表面層。樣品10(實(shí)施例4):在氧氣分壓為0.2Pa下成膜的BaO所構(gòu)成的表面層上，利用噴射法分散以氣相法制作的MgO微粒子的結(jié)構(gòu)。樣品11(實(shí)施例5):在氧氣分壓為0.05Pa下成膜的CaO所構(gòu)成的表面層上，利用噴射法分散通過燒結(jié)MgO前驅(qū)體而制作的MgO微粒子的結(jié)構(gòu)。(放電開始電壓的測定)對(duì)上述準(zhǔn)備的各樣品1~11的PDP，測定使用了Xe分壓為15%的Xe-Ne混合氣體或4吏用了100%Xe氣體作為放電氣體時(shí)的放電開始電壓的值。(放電延遲時(shí)間和電荷損失的測定)在使用Xe分壓為15%的Xe-Ne混合氣體作為放電氣體的情況下，評(píng)價(jià)寫入放電中的放電延遲和電荷損失。作為評(píng)價(jià)方法，向各樣品1~11的PDP中的任意1個(gè)放電單元施加相當(dāng)于圖3所示驅(qū)動(dòng)波形例的初始化脈沖的脈沖，之后，測定施加了數(shù)據(jù)脈沖和掃描脈沖時(shí)產(chǎn)生的放電的統(tǒng)計(jì)延遲。另外，對(duì)施加了相當(dāng)于初始化脈沖的脈沖之后保持壁電荷所需的施加電壓進(jìn)行測定，并將其作為電荷損失電壓進(jìn)行測定。任一測定中都設(shè)面板溫度為25°C。表l中示出上述條件下進(jìn)行的各實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>(實(shí)驗(yàn)結(jié)果)從表1的結(jié)果可知，相當(dāng)于實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)的樣品10和11(實(shí)施例4和5)與樣品1~6(比較例1-6)相比，均tf地發(fā)揮了放電開始電壓的降低效果、放電延遲時(shí)間的降低效果、電荷損失電壓降低的效果等各特性，具有作為PDP保護(hù)層的特別良好的性能。樣品10和11(實(shí)施例4和5)除了有利于放電氣體為100%Xe時(shí)的放電開始電壓低至350V以下、降低電荷損失電壓之外，還具有優(yōu)良的抑制放電延遲的效果。獲得上述各效果的高度平^f的理由如下在規(guī)定的氧化環(huán)境中成膜為表面層的高y膜起到低電壓驅(qū)動(dòng)與電荷保持的作用，MgO微粒子群起到釋放在寫入放電時(shí)所需的初始電子的作用(確保初始電子釋放特性)等，使功能分離的各膜的特性增效地發(fā)揮。在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下成膜的SrO所構(gòu)成的保護(hù)層上，即便利用噴射法使通過氣相合成法或前驅(qū)體燒結(jié)法制作成的MgCM敫粒子分散構(gòu)成的情況下，也能夠得到與樣品10和11(實(shí)施例4和5)相同的特性。另一方面，如實(shí)施方式2所述，在基本不要求涉及放電延遲時(shí)間的特性的情況下，認(rèn)為樣品7~9(實(shí)施例1~3)也高度地同時(shí)實(shí)現(xiàn)發(fā)揮放電開始電壓的降低效果與降低電荷損失電壓，與比較例相比具有明顯的優(yōu)越性。在這些樣品7~9(實(shí)施例1~3)中，即便在使用100。/。Xe放電氣體的情況下，放電開始電壓也低至350V以下，具有良好的降低電荷損失電壓的效果。因此，在這兩點(diǎn)上具有不遜色于樣品10、ll的優(yōu)良的特性。在本案發(fā)明人所進(jìn)行的其它實(shí)驗(yàn)中，樣品5、7~9(比較例5、實(shí)施例1~3)等高y膜中，放電開始電壓與放電時(shí)間、放置時(shí)間一起上升，相反，在樣品6、10、11(比較例6、實(shí)施例4、5)的PDP中，還同時(shí)得到抑制放電開始電壓上升的結(jié)果。在樣品1~4(比較例1~4)中，在使用了100y。Xe放電氣體的情況下，放電開始電壓為400V以上，所以可知不能進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)。另外，在樣品5和6(比較例5和6)中，使用了100%Xe放電氣體時(shí)的放電開始電壓為240V以下，良好，但由于得不到電荷保持的效果，所以得不到充分的電荷損失電壓的降低效果。因此可知，這些不適于低電壓驅(qū)動(dòng)。從以上各實(shí)驗(yàn)的結(jié)果可知本發(fā)明的優(yōu)越性。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的PDP特別是作為能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)高精細(xì)圖像顯示的氣體放電面板技術(shù)，可用于交通組織、公共設(shè)施、家庭等中的電視裝置和計(jì)算機(jī)用顯示裝置等。權(quán)利要求1.一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。2.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)表面層，表面層以氧化《丐、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分，并且，僅存在距真空能級(jí)的深度為2eV以上的電子能帶。3.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)表面層，表面層以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分，并且，排除了距真空能級(jí)的深度不足2eV的電子能帶的存在。4.一種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，表面層在向其表面照射了光能量的情況下，當(dāng)使光能量的強(qiáng)度升序變化時(shí)，以2eV以上的能量開始釋放光電子。5.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面中，配設(shè)以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了氧化鎂微粒子，表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。6.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了氧化鎂微粒子，在表面層中，僅存在距真空能級(jí)的深度為2eV以上的電子能帶。7.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化《丐、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了氧化鎂微粒子，表面層排除了距真空能級(jí)的深度不足2eV的電子能帶的存在。8.—種等離子顯示面板，配設(shè)了顯示電極的第一基板經(jīng)充滿放電氣體的放電空間，以與第二基板對(duì)置的狀態(tài)被密封，其中在第一基板臨近放電空間的面上，配設(shè)以氧化4丐、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層，在表面層的放電空間側(cè)的表面上，配設(shè)了氧化鎂微粒子，表面層在向其表面照射了光能量的情況下，當(dāng)使光能量的強(qiáng)度升序變化時(shí)，以2eV以上的能量開始釋放光電子。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示面板，其特征在于氧化鎂微粒子通過氣相氧化法進(jìn)行制作。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示面板，其特征在于氧化鎂微粒子以700度以上的溫度燒結(jié)氧化鎂前驅(qū)體而成。11.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的等離子顯示面板，其特征在于表面層是氧化釣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上的固溶體。12.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的等離子顯示面板，其特征在于表面層在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成。13.—種等離子顯示面板的制造方法，經(jīng)過表面層形成工序，在配設(shè)了顯示電極的第一基板上，在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下，形成以氧化4丐、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層；和密封工序，經(jīng)放電空間，以表面層臨近該放電空間的狀態(tài)密封第一基板與第二基板。14.一種等離子顯示面板的制造方法，經(jīng)過表面層形成工序，在配設(shè)了顯示電極的第一基板上，在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下，形成以氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上為主要成分的表面層；氧化鎂微粒子配設(shè)工序，在表面層中配設(shè)氧化鎂微粒子；和密封工序，經(jīng)放電空間，以表面層臨近放電空間的狀態(tài)密封第一基板與第二基板。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于在氧化鎂微粒子配設(shè)工序中，使用以氣相氧化法制作的氧化鎂微粒子。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于在氧化鎂微粒子配設(shè)工序中，使用以700度以上的溫度燒結(jié)氧化鎂前驅(qū)體而制成的氧化鎂微粒子。17.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于在表面層形成工序中，以蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法中的一種以上的方法形成表面層。18.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的等離子顯示面板的制造方法，其特征在于在表面層形成工序中，由氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶中的至少一種以上的固溶體形成所述表面層。全文摘要本發(fā)明提供一種PDP，在低電壓驅(qū)動(dòng)PDP的同時(shí)，在保護(hù)層發(fā)揮電荷保持特性，可實(shí)現(xiàn)良好的圖像顯示性。另外，除上述效果外，通過防止放電延遲的發(fā)生，在高精細(xì)的PDP中也能夠良好地進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的圖像顯示。作為所采用的手段，在電介質(zhì)層(7)的放電空間側(cè)的面上，配置了在氧氣分壓為0.025Pa以上的氧氣環(huán)境下形成的膜厚約1微米的表面層(8)，并在該表面層(8)的表面上分散配置MgO微粒子(16)。利用表面層(8)，保護(hù)電介質(zhì)層(7)不受放電時(shí)的離子沖擊，并在降低放電開始電壓的同時(shí)，發(fā)揮改善電荷損失的效果。另外，利用MgO微粒子(16)，發(fā)揮較高的初始電子釋放特性。文檔編號(hào)H01J9/02GK101479827SQ20078002431公開日2009年7月8日申請(qǐng)日期2007年4月27日優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日發(fā)明者寺內(nèi)正治,橋本潤,福井裕介,西谷干彥,西谷輝,辻田卓司申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社