專利名稱：用于光刻襯底的溫度控制方法
技術領域：
本發(fā)明涉及集成電路制造，并且涉及在集成電路制造中使用的光 掩模的制作。
背景技術：
為了改善器件性能，半導體器件電路密度正持續(xù)地增長。這種電 路密度的增長通過減小特征尺寸來實現(xiàn)。當前的技術目標是期待在不 遠的將來進一步減小0.15微米和0.13微米的特征尺寸。
器件內的準確的特征尺寸由制造工藝中所有的步驟來控制。豎直 尺寸由摻雜和分層工藝來控制，而水平尺寸主要由光刻工藝來確定。 形成電路圖案的線和間隔的水平寬度通常被稱為關鍵尺寸(CD)。
光刻是用于在襯底表面形成精確的電路圖案的技術。這些圖案通 過后續(xù)的蝕刻或沉積工藝而轉化成晶片結構。理想地，光刻步驟在所 設計的位置生成與設計尺寸(正確CD)完全匹配的圖案(也被稱為對 準或配準)。
光刻是其中所需的圖案首先形成在光掩模(或光罩)上的多步驟 工藝。通過光掩蔽操作(photomasking operation)將所述圖案轉移到襯底上，在感光掩蔽操作中，將射線(例如，UV光)發(fā)射通過有圖案的 光掩模，對襯底上的射線敏感涂層進行曝光。該涂層(光致抗蝕劑) 在暴露于射線之后，發(fā)生了化學變化，該變化使得所曝光的區(qū)域對于 后續(xù)的顯影化學反應更易溶解或者是更難溶解。光刻技術在本領域中 是公知的?？梢栽谟蓽丈热司庉嫷摹禝ntroduction to Microlithography》教科書中找到對于這些技術的綜述。
由于光掩模作為用于在大量襯底上生成電路圖案的母版，所以在 制作光掩模期間引入的任何缺陷都將被復制到利用該光掩模成像的所 有晶片上。因此，制作如實代表所設計的圖案和尺寸的高質量的光掩 模對于創(chuàng)造高產率器件的制造工藝是至關重要的。
在本領域中公知有兩種主要類型的光掩模光罩吸收型和相移型。 吸收型光掩模一般由涂覆有不透光膜(例如，Cr)的光學上透明的襯 底(例如，熔凝石英、CaF2等)組成。所述不透光膜可以包括單層或 多層材料(例如，在下面的鉻層的頂部上有抗反射層(AR鉻))。在 二元鉻光掩模(binary chromium photomask)的情況下，通常使用的不 透光膜的實例(按照商品名稱列出)包括，但是不限于，AR8、 NTAR7、 NTAR5、 TFll、 TF21。在光掩模的制作期間，在透明襯底上沉積不透 光膜。然后將抗蝕劑層沉積在該不透光層的頂部上并且對其進行構圖 (例如，在激光下或者電子束下曝光)。 一旦被曝光，就對抗蝕劑層 進行顯影，暴露下面的不透光膜的要被去除的區(qū)域。隨后的蝕刻操作 去除所暴露的膜，形成吸收型光掩模。
在本領域中存在兩種相移掩模的子類交替式掩模和嵌入式衰減 掩模。交替式相移掩模一般由涂覆有不透光膜(例如，Cr和抗反射Cr) 的光學上透明的襯底(例如，熔凝石英、CaF2等)組成。在制作光掩 模期間，在透明襯底上沉積不透光膜。然后，將抗蝕劑層沉積在該不 透光層的頂部上并且利用激光或電子束對其進行構圖。 一旦被曝光， 則對該抗蝕劑層進行顯影，暴露下面的不透光膜的要被去除的區(qū)域。蝕刻工藝去除所暴露的不透光膜以暴露下面的襯底。使用第二工藝來 蝕刻進入到下面襯底中的精確的深度。任選地，如本領域公知地，可 以對該襯底執(zhí)行第二抗蝕劑涂覆工藝并且在第二蝕刻工藝之前執(zhí)行顯 影工藝。
嵌入式衰減相移掩模(EAPSM) —般由涂覆有一層膜或疊層膜的 光學上透明的襯底(例如，熔凝石英、CaF2等)組成，所述一層膜或 膜堆疊(stack of film)使發(fā)射光在以所需波長移相180度的同時衰減。 于是，將不透光膜或膜堆疊(例如，Cr和抗反射Cr)沉積在該相移材 料上。然后，將抗蝕劑層沉積在該不透光層的頂部上并且對其進行構 圖(例如，使用激光或電子束)。 一旦被曝光，則對該抗蝕劑層進行 顯影，暴露下面的不透光膜的要被去除的區(qū)域。然后，使用蝕刻工藝 來去除所暴露的不透光膜，暴露下面的相移/衰減膜或膜堆疊。在蝕刻 該不透光膜之后，使用第二蝕刻工藝來蝕刻相移層，在下面的襯底上 停止。可選地，可以在相移層和襯底之間引入蝕刻停止層，在這種情 況下第二蝕刻工藝將選擇性地停止在蝕刻停止層。
理想地，蝕刻工藝將對最頂上的抗蝕掩模(例如，光致抗蝕劑、 電子束抗蝕劑等)和下面的材料(襯底或蝕刻停止層)均具有高的蝕 刻選擇性同時創(chuàng)造出具有準確復制原始掩模(例如，抗蝕劑)圖案的 CD的平滑豎直側壁的特征。濕法蝕刻工藝(例如，用于AR Cr/Cr蝕 刻的硝酸鈽銨和氯酸的水溶液)對于蝕刻掩模和下面的襯底顯示出良 好的蝕刻選擇性，但是其是各向同性的并且導致掩模的明顯的底切 (undercut)，該底切導致了傾斜的特征輪廓。底切和傾斜的特征輪廓 導致了蝕刻特征CD的改變。在CD中不需要的改變和/或傾斜的特征 輪廓使所完成的光掩模的光學性能劣化。
干法蝕刻(等離子體)處理公知是用來代替濕法刻蝕處理的。等 離子體蝕刻提供了比濕法工藝更好的各向異性蝕刻結果。干法蝕刻通 常用于所有三種掩模類型的制作中。干法蝕刻性能受若干工藝因素影響，所述工藝因素包括工藝氣體 組成和流速、工藝壓力、所施加的射頻(RF)功率一一包括等離子體
產生中的和施加到襯底的RF偏置的射頻功率、以及襯底表面溫度。
許多團體已經考慮在低于25'C的溫度下進行材料的等離子體蝕 刻。在降低的溫度下蝕刻可以消除在接近室溫的工藝中的不理想的折 衷(例如，在維持豎直蝕刻輪廓的同時改善了對蝕刻掩模材料的選擇 性)。對于大多數(shù)材料(電介質、半導體和金屬)而言，可實現(xiàn)降低 溫度的益處。在蝕刻包含上述材料的鉻的情況下，許多團體已經提出 在降低的溫度下進行等離子體蝕刻的益處。
在傳統(tǒng)的等離子體蝕刻工藝中，用于控制襯底表面溫度的最普遍 的方法是確保襯底與溫度受控的陰極緊密接觸并且在襯底和該陰極之 間引入增壓氣體。襯底一般使用通過機械方式或者靜電方式而實現(xiàn)的 夾緊機構來保持與該陰極接觸。
在機械夾緊的情況下，夾緊環(huán)將足夠的力施加到襯底以使得襯底 和陰極之間的空間能夠利用熱傳遞流體來增壓。機械夾緊情況下的冷 卻具有對襯底材料不敏感的益處，以及容易夾緊/松開襯底的益處。但
是機械夾緊襯底的局限性也是顯著的例如，夾子的存在會對等離子 體的均一性帶來不利影響。而且，夾緊機構的移動以及夾子和襯底之 間的物理接觸易于產生微粒。最后，襯底上被夾子接觸的區(qū)域一般被 從等離子體的環(huán)境中屏蔽掉，導致在該區(qū)域沒有蝕刻。在通過等離子 體蝕刻工藝的光罩制作的情況下，這些局限性都是不可接受的。因此， 在制作期間，光罩在等離子體蝕刻步驟期間一般不是機械夾緊的。
在克服機械夾子的局限性的努力中，開發(fā)了靜電夾緊。靜電夾子
(ESC)使用代替機械夾緊環(huán)而使用相反電荷的吸引力來在襯底和陰極
之間施加作用力。靜電夾緊具有能夠當僅物理接觸襯底的背面時夾緊材料的優(yōu)點。這一優(yōu)點能夠轉化成改善的工藝均一性以及更低的微粒 等級。但是，ESC構造也具有局限性。處理之后襯底上的殘留電荷能 夠導致在ESC已經去電之后殘留夾緊力。該殘留夾緊力使得在處理之
后傳送襯底變得困難。ESC的另一局限性是它們夾緊電介質襯底的能
力有限。雖然它可以"夾通"電介質襯底至襯底正面上的導電膜，但 是諸如光刻光罩的更厚的電介質襯底， 一般難以被靜電地夾緊。
注意到，由于一般光刻襯底的質量而使得能夠在沒有夾緊的情況
下在襯底和陰極之間以低壓引入熱傳遞氣體(對于當前150mmX 150mmX6mm石英光掩模襯底，小于大約1托(Torr))。雖然低壓 氣體將受限的熱傳遞提供給襯底，但是光掩模襯底的溫度在暴露到等 離子體期間也將升高。
由于光刻襯底的缺陷敏感性，光掩模襯底的允許的接觸以前被限 制在大約距襯底背面的外側10mm處。這種襯底接觸約束已經妨礙了 在干法蝕刻工藝期間機械夾緊光刻襯底。另外，由于大多數(shù)光刻襯底 由電介質材料(例如，石英)制作，所以靜電夾緊一般也是困難的。 因此，在光罩制作期間傳統(tǒng)等離子體蝕刻工藝不使用與背面冷卻相結 合的襯底夾緊。
圖1示出了用于在光罩制作中使用的光刻干法蝕刻系統(tǒng)的一般襯 底臺構造。襯底105被置于支撐蓋板115上。蓋板115可以與襯底支 撐120熱接觸或者熱隔離。支撐蓋板115擱在襯底支撐120上。蓋板 115 —般包含容納襯底105使得襯底105的頂部表面和蓋板115近似共 面的凹槽。蓋板115只在襯底105的背表面的外側邊緣110上接觸襯 底105。襯底105的背面的接觸區(qū)域一般處于襯底105背表面上的外側 10mm內。在襯底105和蓋板115之間的接觸可以是連續(xù)的凸緣(ledge)、 點接觸或它們的組合。由于蓋板115只在襯底105的背面的外側邊緣 110處接觸襯底105，所以一般在襯底105的背面和襯底支撐120之間 存在細小的間隙100。
9雖然在處理期間通過與熱傳遞流體(未示出)的接觸來控制襯底 支撐120的溫度，但是在襯底105和蓋板115之間只存在受限的熱傳 遞。因此，在缺少氦背面冷卻的情況下，在干法蝕刻工藝期間對光刻
襯底105進行等離子體加熱。處理期間的加熱速率是工藝參數(shù)的函數(shù)， 所述工藝參數(shù)包括RF功率、腔壁溫度等。 一般地，在干法蝕刻工藝中 不主動冷卻光刻襯底105。因此，襯底105的溫度在其暴露在等離子體 期間會升高。
基于現(xiàn)有技術，需要改進用于在光罩制作工藝期間的等離子體蝕 刻之前對光刻襯底的溫度進行控制的方法。
在現(xiàn)有技術中沒有提供本發(fā)明所帶來的益處。
因此，本發(fā)明的目的在于提供克服現(xiàn)有技術器件的不足的改進以 及對光掩模和光罩的處理的進步具有顯著貢獻的改進。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種用于處理光刻襯底的方法，包括
將所述光刻襯底放置在腔中的支撐構件上，所述光刻襯底具有初始溫
度；將熱傳遞流體引入到所述腔中；通過所述熱傳遞流體將所述光刻 襯底冷卻到目標溫度；以及在所述被冷卻的光刻襯底的溫度達到所述 初始溫度之前，對所述被冷卻的光刻襯底執(zhí)行等離子體工藝。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種用于處理光刻襯底的方法，包括 將所述光刻襯底放置在第一腔中的第一支撐構件上；將熱傳遞流體引 入到所述第一腔中；通過所述熱傳遞流體將所述光刻襯底冷卻到第一 工藝設定點；將所述被冷卻的光刻襯底從所述第一腔傳出到第二腔中 的第二支撐構件上；以及在所述被冷卻的光刻襯底的溫度達到第二工 藝設定點之前，在所述第二腔中對所述被冷卻的光刻襯底執(zhí)行等離子 體工藝。
10上面已經概述了本發(fā)明的一些相關目的。這些目的應該理解為僅 僅是說明了預期的發(fā)明的更多顯著特征和應用中的一些。通過以不同 的方式應用所公開的發(fā)明或在本公開內容的范圍內對本發(fā)明進行修 改，可以獲得許多其他有益結果。因此，通過結合附圖查閱由權利要 求書所限定的本發(fā)明的范圍以及本發(fā)明的概述和優(yōu)選實施例的詳細描 述，可得知本發(fā)明的其他目的并得到對本發(fā)明更全面的理解。

發(fā)明內容
出于概括本發(fā)明的目的，本發(fā)明包括用于通過在等離子體處理之 前預先冷卻光刻襯底來而對光刻襯底的蝕刻進行改善的方法。
本發(fā)明的特征是提供用于處理光刻襯底的方法，包括將光刻襯底 放置在腔內的支撐構件上。所述腔可以是真空腔。所述支撐構件可以 是與光刻襯底的外側5毫米接觸的臺?；蛘撸撆_可以在三個點處接 觸光刻襯底。所述臺可以具有多個擱架以保持多個襯底。光刻襯底被 以初始溫度放置在支撐構件上，該初始溫度處于大約0攝氏度到大約
50攝氏度的溫度范圍內。熱傳遞流體被引入腔中以將光刻襯底冷卻到 目標溫度，該目標溫度在低于大約0攝氏度到低于大約負40攝氏度的 溫度范圍內，或者更優(yōu)選到低于大約負30攝氏度的溫度范圍內。所述 熱傳遞流體可以引入到腔中使得在腔中的壓力升高大約為1托每秒。 在腔中的壓力達到大氣壓之后，可以增加熱傳遞流體的引入。所述熱 傳遞流體可以是干燥氣體或惰性氣體，或者可以包括N2?？梢栽跓醾?遞流體引入腔內期間連續(xù)地操作腔排出裝置。熱傳遞流體可以再循環(huán) 到該腔中。熱傳遞流體可以在其引入腔中之前進行冷卻。 一旦光刻襯 底已經達到了目標溫度，就可以排空該腔并且在被冷卻的光刻襯底的 溫度達到它的初始溫度之前，對被冷卻的光刻襯底執(zhí)行等離子體工藝。
本發(fā)明的另一特征在于提供一種用于處理光刻襯底的方法，包括 將光刻襯底放置在第一腔內的第一支撐構件上。所述第一腔可以是真空腔。所述第一支撐構件可以是與光刻襯底的外側5毫米接觸的臺。 或者，該臺可以在三個點處接觸光刻襯底。所述臺可以具有多個擱架 以保持多個襯底?？梢栽谛∮诖髿鈮旱膲毫ο聦⒐饪桃r底放置在第一 支撐構件上。熱傳遞流體被引入到第一腔中以將光刻襯底冷卻到第一 工藝設定點，例如，低于大約0攝氏度到低于大約負40攝氏度的溫度 范圍，或者更優(yōu)選到低于大約負30攝氏度的溫度范圍。所述熱傳遞流 體可以引入到第一腔中使得第一腔中的壓力升高大約為1托每秒。在
第一腔中的壓力已經達到大氣壓之后，可以增加熱傳遞流體的引入。 所述熱傳遞流體可以是干燥氣體或惰性氣體，或者可以包括N2?？梢?br> 在熱傳遞流體引入第一腔內期間連續(xù)地操作第一腔排出裝置。熱傳遞 流體可以再循環(huán)到該第一腔中。熱傳遞流體可以在其引入第一腔中之 前進行冷卻。 一旦光刻襯底已經達到了第一工藝設定點，就可以排空 第一腔。然后，該被冷卻的光刻襯底被從第一腔內傳出到第二腔的第 二支撐構件上。這一傳送可以在真空下執(zhí)行。所述第二腔可以是真空
腔。所述第二支撐構件可以是與光刻襯底的外側5毫米接觸的臺?；?br> 者，該臺可以在三個點處接觸光刻襯底。所述臺可以具有多個擱架以
保持多個襯底。在被冷卻的光刻襯底的溫度達到諸如大約o攝氏度到
大約50攝氏度的溫度范圍的第二工藝設定點之前，在第二腔中對該被 冷卻的光刻襯底執(zhí)行等離子體工藝。
上面已經相當廣泛地概述了本發(fā)明的更多相關的和重要的特征， 以便可以更好地理解下面的本發(fā)明的詳細說明，從而更全面的理解本 發(fā)明對本領域的貢獻。本發(fā)明的附加特征將在下文中描述，這形成了 本發(fā)明的權利要求書的主題。本領域的技術人員應該理解，已公開的 特定實施例和構思可以容易地被用作為用于對實現(xiàn)和本發(fā)明相同目的 的其他結構進行修改和設計的基礎。本領域的技術人員還應該認識到， 這些等價的構造不脫離在所附權利要求書中所闡述的本發(fā)明的精神和 范圍。


圖1是用于在光罩制作中使用的光刻干法蝕刻系統(tǒng)的現(xiàn)有技術襯 底臺構造的示意性視圖2是能夠在暴露到后續(xù)工藝之前冷卻光掩模光罩的處理腔的示 意圖；以及
圖3是根據(jù)本發(fā)明的工藝流程的框圖。
在附圖的幾個視圖中，相同的附圖標記表示相同的部件。
具體實施例方式
本發(fā)明提供一種用于在等離子體蝕刻工藝之前控制光刻襯底的溫 度的方法和裝置。
對于用于光刻襯底的一般的電感耦合等離子體(ICP)干法蝕刻工 藝，襯底處的熱負荷小于大約0.5W/cm2。由于光刻襯底的較高的熱質 量，所以沒有主動冷卻的干法蝕刻處理導致處理期間的最小溫升(一 般小于大約3C/分鐘)。對于用于蝕刻光刻襯底的一般的等離子體工 藝，總的溫升小于大約5(TC。
因此，雖然在等離子體蝕刻工藝期間可能不能冷卻光罩，但是由 于光罩的較高的熱質量(對于6" x 6" x 1/4"的石英光掩模而言大約為 220 J/K)，所以還是可能通過在等離子體蝕刻之前冷卻掩模來等離子 體蝕刻光罩，使得對于等離子體蝕刻工藝的至少某一部分，光罩的溫 度低于0。C。
圖2是能夠在暴露到后續(xù)工藝之前冷卻光掩模光罩的處理腔的示 意圖。所述后續(xù)工藝可以是等離子體蝕刻工藝。所述處理腔由真空兼 容腔(vacuum compatible chamber) 200組成，所述真空兼容腔200具 有至少一個開口 207，該開口 207足夠大以容許通過自動機械(robot) (未示出)而將襯底210傳送到所述腔中。任選地，開口 207可以通 過真空兼容閥(vacuum compatible valve) 205關閉。襯底傳送操作可以在真空或者壓力接近大氣壓的壓力下發(fā)生。開口 207與傳送腔(未 示出)連通。
襯底210由襯底支撐220保持在臺230的上方。襯底支撐220在 襯底210的背面的外側5mm上與襯底210接觸?？蛇x地，支撐220可 以接觸襯底210的側表面。襯底支撐220可以是圍繞襯底邊緣的一個 連續(xù)環(huán)，或者是分立的支撐。在優(yōu)選實施例中，三個分立點接觸件支 撐襯底210。
襯底210被保持緊靠于被冷卻的表面203。在優(yōu)選實施例中，襯底 210被保持在被冷卻的表面203的10mm內。被冷卻的表面203被保持 在低于或者等于襯底210的所需溫度。被冷卻的表面203通過冷卻單 元(未示出)而被保持在預定的溫度。在優(yōu)選實施例中，臺230是被 冷卻的表面。在另一實施例中，腔壁245是被冷卻的表面。
為了將熱量從被冷卻的表面203傳送到襯底210，將熱傳遞流體通 過流體輸入裝置240引入到腔200中。熱傳遞流體在冷卻工藝期間不 準殘留在襯底210上。熱傳遞流體可以是諸如氮氣、氦氣的不活潑氣 體或干凈的干燥空氣。如果流體是氣體，則該流體的露點必須大大低 于被冷卻的表面的溫度以便避免在襯底或被冷卻的表面上的冷凝。
在可選實施例中，流體輸入裝置240沒有直接瞄準襯底。
在另一實施例中，流體在被引入到冷卻腔中之前與被冷卻的表面 接觸。
熱傳遞流體可以以間歇模式、半間歇模式、或連續(xù)地引入。在流 體間歇引入的情況下，在襯底210和被冷卻的表面之間的熱傳遞可以 通過自然對流或強迫對流來發(fā)生。在強迫對流的情況下，通過再循環(huán) 泵(未示出)流體可以再循環(huán)經過腔。在冷卻流體連續(xù)引入的情況下，流體通過流體排出裝置215來排出。任選地，冷卻流體可以通過傳送
開口 207被排出。
注意到，在可選實施例中，熱傳遞流體可以在襯底210被傳送到 腔200內之前引入到冷卻腔200中。如之前一樣，熱傳遞流體可以以 間歇、半間歇、或連續(xù)的模式引入。
圖3示出了工藝流程的框圖。工藝以在具有要被干法蝕刻的材料 或已構圖的膜的、在傳送腔內處于某一初始溫度的光刻襯底開始。使 傳送腔和冷卻腔之間的壓力近似于平衡。 一旦該壓力近似平衡，襯底 就被傳送到冷卻腔中。傳送操作可以在接近大氣壓下或者在真空下發(fā) 生。
襯底處于冷卻腔中直到達到工藝設定點為止。工藝設定點可以是 所需的掩模溫度，或者該設定點可以是時間。在設定點是襯底溫度的 情況下，傳感器235用于監(jiān)測襯底溫度。在任何情況下，襯底的至少 某一部分的溫度與初始溫度相比都將降低。注意到，冷卻腔的壓力可 以接近大氣壓或者可選地小于大氣壓。在優(yōu)選實施例中，冷卻腔中的 壓力在冷卻工藝期間大于10托。冷卻腔的壓力可以在冷卻工藝的至少 某一部分期間受到監(jiān)控并且?guī)缀醣３趾愣ā?br> 可選地，為了最小化在冷卻工藝期間對襯底的初始熱沖擊，冷卻 腔的壓力可以以低于大氣壓的壓力開始，并且在冷卻工藝期間至少增 加一次。
在優(yōu)選實施例中，冷卻處理在少于30分鐘內完成。
一旦冷卻工藝已經達到了工藝設定點，冷卻腔和傳送腔就被排空。 一旦冷卻腔和傳送腔中的壓力已經近似平衡，襯底就被從冷卻腔傳送 到傳送腔中。然后，襯底被傳送到等離子體處理腔并暴露在等離子體
15中。在等離子體工藝的至少某一部分期間，襯底的至少某一部分處于 低于初始襯底溫度的溫度下。
可選地， 一旦干法蝕刻工藝已經完成，在暴露到大氣條件之前， 襯底可以被加熱到大約20°C。在大氣暴露之前加熱襯底防止了會對掩 模性能產生不利影響的冷凝。加熱步驟可以在等離子體反應器中執(zhí)行。 等離子體加熱步驟可以由反應氣體混合物(例如，包含用于剝離剩余 抗蝕劑的氣體混合物的氧氣)、或非反應氣體(例如，He、 Ar等)組 成。
在另一實施例中，通過在等離子體蝕刻工藝之前冷卻掩模，光罩 溫度在蝕刻工藝的持續(xù)期間仍然保持低于室溫(25°C)。這可以通過 將掩模冷卻到足夠低的初始溫度來補償掩模在等離子體處理期間的溫 升而實現(xiàn)。
可選地，可以在蝕刻工藝期間對掩模的溫度進行監(jiān)控。如果掩模 溫度超過了預定的溫度設定點，則中斷等離子體工藝，并且在繼續(xù)蝕 刻工藝之前冷卻該掩模。掩模的蝕刻和冷卻處理可以根據(jù)需要重復多 次，以便使光罩的溫度維持在所需溫度值之下。
雖然上述的公開內容主要關注于光刻襯底，但是所述方法和裝置 也可以適用于其他襯底類型，包括金屬、電介質和半導體。所述方法 尤其適用于具有高熱質量(例如，高于40J/K)的襯底。高熱質量襯底 的實例是陶瓷襯底(例如，AlTiC、即3等)。
本公開內容包括所附權利要求書中所包含的內容，以及前面的說 明書中的內容。雖然本發(fā)明已經用其帶有某種程度的具體性的優(yōu)選形 式進行了描述，但是應該理解的是，優(yōu)選形式的公開內容只以示例的 方式，并且可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，構造細節(jié)上 的大量變化以及部件的組合排列都可以采用。
1權利要求
1. 一種用于處理光刻襯底的方法，包括將所述光刻襯底放置在腔中的支撐構件上，所述光刻襯底具有初始溫度；將熱傳遞流體引入到所述腔中；通過所述熱傳遞流體將所述光刻襯底冷卻到目標溫度；以及在所述被冷卻的光刻襯底的溫度達到所述初始溫度之前，對所述被冷卻的光刻襯底執(zhí)行等離子體工藝。
2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述熱傳遞流體以大約1托 每秒的速率引入到所述腔中。
3. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述熱傳遞流體是干燥氣體。
4. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述熱傳遞流體是惰性氣體。
5. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述熱傳遞流體包含N2。
6. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述支撐構件沿著所述光刻 襯底的外側5毫米保持所述光刻襯底。
7. 根據(jù)權利要求l所述的方法，其中所述支撐構件通過三個點保 持所述光刻襯底。
8. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述初始溫度具有大約0攝 氏度到大約50攝氏度的溫度范圍。
9. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述目標溫度具有低于大約 O攝氏度到低于大約負40攝氏度的溫度范圍。
10. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述目標溫度具有低于大 約負30攝氏度的溫度范圍。
11. 一種用于處理光刻襯底的方法，包括 將所述光刻襯底放置在第一腔中的第一支撐構件上； 將熱傳遞流體引入到所述第一腔中；通過所述熱傳遞流體將所述第一腔中的所述光刻襯底冷卻到第一工藝設定點；將所述被冷卻的光刻襯底從所述第一腔傳出到第二腔中的第二支 撐構件上；以及在所述被冷卻的光刻襯底的溫度達到第二工藝設定點之前，在所 述第二腔中對所述被冷卻的光刻襯底執(zhí)行等離子體工藝。
12. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述熱傳遞流體以大約1 托每秒的速率引入到所述第一腔中。
13. 根據(jù)權利要求ll所述的方法，其中所述熱傳遞流體是干燥氣體。
14. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述熱傳遞流體是惰性氣體。
15. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述熱傳遞流體包含N2。
16. 根據(jù)權利要求ll所述的方法，其中所述第一支撐構件和所述 第二支撐構件沿著所述光刻襯底的外側5毫米保持所述光刻襯底。
17. 根據(jù)權利要求ll所述的方法，其中所述第一支撐構件和所述 第二支撐構件通過三個點保持所述光刻襯底。
18. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述第一工藝設定點具有 低于大約O攝氏度到低于大約負40攝氏度的溫度范圍。
19. 根據(jù)權利要求ll所述的方法，其中所述第一工藝設定點具有 低于大約負30攝氏度的溫度范圍。
20. 根據(jù)權利要求ll所述的方法，其中所述第二工藝設定點具有 大約0攝氏度到大約20攝氏度的溫度范圍。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于處理光刻襯底的方法，包括將光刻襯底放置在腔中的支撐構件上，其中，所述光刻襯底具有大約0攝氏度到大約50攝氏度的初始溫度。將熱傳遞流體引入到所述腔中以將所述光刻襯底冷卻至低于大約0攝氏度到低于大約負40攝氏度的目標溫度。在被冷卻的光刻襯底的溫度達到初始溫度之前，對該被冷卻的光刻襯底執(zhí)行等離子體工藝。
文檔編號H01J37/32GK101461031SQ200780020946
公開日2009年6月17日 申請日期2007年6月1日 優(yōu)先權日2006年6月5日
發(fā)明者大衛(wèi)·約翰遜, 拉里·瑞安, 約翰·諾蘭, 賈森·普盧姆霍夫, 魯塞爾·韋斯特曼 申請人:奧立孔美國公司