專(zhuān)利名稱(chēng)：雙面發(fā)光面光源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光源裝置。且特別涉及一種雙面發(fā)光的面光源裝置，以 產(chǎn)生所要的光。 -
背景技術(shù)：
光源裝置在日常生活中的使用非常廣泛。傳統(tǒng)的光源裝置例如燈泡是通 過(guò)燈絲，于通電后由于高溫而產(chǎn)生可見(jiàn)光源。此種燈泡是的光源基本上是點(diǎn) 狀的。接著管狀的光源也接著被發(fā)展出來(lái)。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的研發(fā)與改變，平面 光源的裝置也被提出，例如廣泛使用于平面顯示器上。
平面光源的機(jī)制有多種。圖1繪示傳統(tǒng)平面光源裝置機(jī)制的剖面示意圖。
參閱圖1，此發(fā)光機(jī)制是藉二電極結(jié)構(gòu)100、 102與電源106連接，在一搡作 電壓下產(chǎn)生電場(chǎng)，并利用氣體放電，又稱(chēng)為等離子體放電(Plasma Discharge) 方式促使氣體104被游離，通過(guò)氣體導(dǎo)電的方式使電子IIO撞擊氣體后產(chǎn)生 躍遷并發(fā)出紫外光，撞擊到在電極結(jié)構(gòu)102上對(duì)應(yīng)不同顏色的熒光層108a、 108b、 108c,例如紅、綠、藍(lán)熒光層吸收紫外光后便發(fā)出可見(jiàn)光112。于此， 電極結(jié)構(gòu)100是出光面，因此一般要采用透光材料，其例如利用由玻璃基板 以及銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電層所組成。
另一種光源的產(chǎn)生機(jī)制是場(chǎng)發(fā)射(Field Emission)機(jī)制如圖2所示。圖2 繪示另一傳統(tǒng)平面光源裝置機(jī)制的剖面示意圖。在玻璃基板120上設(shè)置有陰 極結(jié)構(gòu)層122。在陰極結(jié)構(gòu)層122設(shè)置有多個(gè)圓錐形導(dǎo)電體124。在圓錐形 導(dǎo)電體124上設(shè)置有柵層126(Gate layer)。在柵層126上對(duì)應(yīng)圓錐形導(dǎo)電體 124有多個(gè)孔洞。另一陽(yáng)極結(jié)構(gòu)層128有透明陽(yáng)極層設(shè)置在玻璃基板上。另 外熒光層130設(shè)置在陽(yáng)極結(jié)構(gòu)層128上。通過(guò)陰陽(yáng)極之間的高電場(chǎng)使電子132 從圃錐形導(dǎo)電體124的尖端逸出，經(jīng)電場(chǎng)加速后撞擊在熒光層130上使其發(fā) 出可見(jiàn)光。
上述兩種傳統(tǒng)發(fā)光機(jī)制各有優(yōu)缺點(diǎn)。氣體放電的方式容易產(chǎn)生且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn) 單，但是缺點(diǎn)是其過(guò)程需要產(chǎn)生等離子體且發(fā)光機(jī)制為能量二次轉(zhuǎn)換，因此很耗電。場(chǎng)發(fā)射的光源是冷光源的一種，其原理類(lèi)似陰極射線(xiàn)管(CRT),電
子在高速真空中直接撞擊熒光粉以發(fā)出可見(jiàn)光。其優(yōu)點(diǎn)是亮度高且較省電，
又容易做成平面結(jié)構(gòu)，而缺點(diǎn)是須在陰極上成長(zhǎng)或涂布均勻的發(fā)射(Emission) 材料，例如需要形成有針狀(spindle)結(jié)構(gòu)，或是要使用納米碳管。利用有大 的深寬比(Aspect Ratio)的微結(jié)構(gòu)使電子能克服陰極的功函數(shù)(work flmction) 以脫離陰才及到真空的空間中。如此的方式，有困難達(dá)到大面積均勻形成此陰 極結(jié)構(gòu)。另外，場(chǎng)發(fā)射之間的陰極與陽(yáng)極的距離需要準(zhǔn)確控制，因此其邊壁 結(jié)構(gòu)(Spacer)的規(guī)格要求很高，且真空的封裝也是問(wèn)題之一。
又，上述的光源裝置都是架構(gòu)在單方向發(fā)光的設(shè)計(jì)。就光源裝置而言， 仍有其應(yīng)用的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種雙面發(fā)光的面光源裝置，可以配合實(shí)際的需要做為照明 或是顯示裝置用的燈源模塊。
依照一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種雙面發(fā)光面光源裝置，包括透明陰極結(jié) 構(gòu)、透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)、熒光層、以及低壓氣體層。透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽(yáng)極結(jié) 構(gòu)相對(duì)且分別是面狀結(jié)構(gòu)。熒光層位于透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間。 低壓氣體層填充于透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射 電子的作用。又、低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的 電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。
依照一實(shí)施例，本發(fā)明又提供一種雙面發(fā)光面光源裝置，包括至少一條 陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)、透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)、熒光層、以及低壓氣體層。透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)是面 狀結(jié)構(gòu)，其中陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)相互平行。熒光層位于陰極線(xiàn)結(jié) 構(gòu)與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間。低壓氣體層填充于陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之 間，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用。又、低壓氣體層有一電子平均自由路 徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊熒光層。
依照一實(shí)施例，本發(fā)明又提供一種雙面發(fā)光面光源裝置，包括第一透明 基板、第二透明基板、間隙側(cè)壁、低壓氣體層、陰極結(jié)構(gòu)、以及一陽(yáng)極結(jié)構(gòu)。 間隙側(cè)壁設(shè)置在第 一透明基板與第二透明基板之間構(gòu)成一 空間。低壓氣體層 填充于此空間內(nèi)，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用。陰極結(jié)構(gòu)與陽(yáng)極結(jié)構(gòu)都 在該第 一透明基板上。熒光結(jié)構(gòu)層設(shè)置在第 一透明基板上且位于陰極結(jié)構(gòu)與陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間。低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電 子在一操作電壓下橫向移動(dòng)，直接撞擊該熒光結(jié)構(gòu)層。
依照一實(shí)施例，本發(fā)明也提供一種雙面發(fā)光面光源裝置，包括第一導(dǎo)電 透明基板與一第二導(dǎo)電透明基板，面對(duì)面配置，做為陽(yáng)極結(jié)構(gòu)。熒光結(jié)構(gòu)層 位在第 一與第二透明基板上。間隙側(cè)壁位在第 一透明基板與第二透明基板之 間構(gòu)成一空間。低壓氣體層填充于該空間內(nèi)，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作 用。線(xiàn)狀陰極結(jié)構(gòu)分布在第一與第二透明基板之間的平面上。低壓氣體層有 一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下橫向移動(dòng)， 直接撞擊該焚光結(jié)構(gòu)層。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)
選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)"i兌明如下。


圖l繪示傳統(tǒng)平面光源裝置機(jī)制的剖面示意圖。
圖2繪示另一傳統(tǒng)平面光源裝置機(jī)制的剖面示意圖。
圖3繪示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。
圖4繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。
圖5-7繪示依據(jù)本發(fā)明另 一些實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。
圖8~11繪示依據(jù)本發(fā)明另一些實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。
圖12A與圖12B是繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置 的側(cè)視與上視剖面示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
100、102:電極結(jié)構(gòu)104:氣體
106:電源108a、108b、 108c:焚光層
110:電子112:可見(jiàn)光
120:玻璃基板122:陰極結(jié)構(gòu)層
124:圓錐形導(dǎo)電體126:4冊(cè)層
128:陽(yáng)極結(jié)構(gòu)層130:焚光層
132:電子200、290、 300:透明基板
202、298、 302:透明基板204、232、 304:間隙側(cè)壁206、292、 310:透明陰才及結(jié)構(gòu)208、294、 306:透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)
210、308:熒光層212:電子
214:氣體離子216:二次電子
218、220:光224、226:易放電材料層
228:透明導(dǎo)電保護(hù)層228400:導(dǎo)電透明基板
402:焚光層404:陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)
406:間隙側(cè)壁
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提出一種雙面發(fā)光的面光源裝置，利用電子發(fā)射特性的基本機(jī) 制，通過(guò)氣體的真空度的控制，可以達(dá)到發(fā)光的效果。另外，配合透明電極 與透明基板的設(shè)置，可以達(dá)到雙面發(fā)光的功效。利用本發(fā)明的機(jī)制，可以容 易制造成均勻的雙面發(fā)光的面光源裝置。更利用熒光材料的選擇例如也可以 產(chǎn)生平面紫外光源，或是其他的波長(zhǎng)如可見(jiàn)光、紅外光等。本發(fā)明的雙面發(fā) 光的面光源裝置除了可提供做為照明與裝飾外，也可以配合顯示器做為發(fā)光 源。透明基板的材料可以是硬性材料或是可撓曲材料。又面光源裝置可以是 平面或是曲面，其依實(shí)際需要而變化。以下舉一些實(shí)施例做說(shuō)明，但是本發(fā) 明不4又現(xiàn)于所舉的一些實(shí)施例。又所舉的一些舉實(shí)施例也可以互相估文適當(dāng)結(jié) 合，不必是個(gè)別獨(dú)立的實(shí)施例。
本發(fā)明提出的光源裝置利用氣體傳導(dǎo)的特性，將足夠數(shù)量的電子從陰極 導(dǎo)出。這些電子在稀薄的氣體中飛行。由于稀薄氣體的平均電子自由路徑較 長(zhǎng)，仍有足夠數(shù)量的電子會(huì)直接撞擊到例如在陽(yáng)極上的熒光粉材料，使其發(fā) 光。此種熒光粉會(huì)^^皮電子激發(fā)而發(fā)光。如果需要紫外光，則可以調(diào)整會(huì)發(fā)出
紫外光的熒光粉的元素比例，促4吏發(fā)出例如波長(zhǎng)為100nm 400nm的光。另 外也可以利用電壓的改變來(lái)控制發(fā)光強(qiáng)度。
圖3繪示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。參閱圖 3,本發(fā)明需要一空間以維持低壓氣體。此有低壓氣體的空間例如是通過(guò)透 明基板200與透明基板202,以及在二者其間的間隙側(cè)壁204所構(gòu)成。此低 壓氣體層可通過(guò)一般技術(shù)達(dá)成，其細(xì)部技術(shù)不予詳迷。
本實(shí)施例的透明陰極結(jié)構(gòu)206設(shè)置在透明基板200上，透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208 設(shè)置在透明基板208上。間隙側(cè)壁204在透明基板200與透明基板202之間構(gòu)成容置低壓氣體層的空間。又，間隙側(cè)壁204可分隔出多空間或是單一空 間，其依實(shí)際需要來(lái)設(shè)置無(wú)須限定。透明的導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物 (ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、或是透明導(dǎo)電氧化物等常見(jiàn)的材料。
透明陰極結(jié)構(gòu)206與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208例如是相對(duì)且分別是面狀結(jié)構(gòu)。 一般而言，熒光層210位于透明陰極結(jié)構(gòu)206與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208之間，較 佳例如是設(shè)置在透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208上。低壓氣體層填充于透明陰極結(jié)構(gòu)206 與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208之間，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用。又、低壓氣體 層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞 擊該熒光層。低壓氣體層的氣壓例如是在8xl0" 10、orr的范圍內(nèi)。該低壓 氣體層的氣體包括例如鈍氣、大氣、He、 Ne、 Ar、 Kr、 Xe、 H2、或(302等。
在低壓氣體層中被有誘導(dǎo)出的電子212會(huì)被加速朝向透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208 移動(dòng)。由于電子平具自由路徑大，因此足夠數(shù)量的電子212可以直接撞擊熒 光層208。另外，在低壓氣體層中被游離的正電氣體離子214會(huì)朝向透明陰 極結(jié)構(gòu)206撞擊，因此可能也會(huì)有一些二次電子(secondary electrons) 216產(chǎn) 生，增加電子的數(shù)量。如何有效產(chǎn)生二次電子的方式會(huì)于后面描述。 一般而 言，不同的氣壓有不同的操作電壓，且亮度會(huì)隨操作電壓的增加而增加，約 略維持線(xiàn)性的關(guān)系。
由于透明基板200與透明基板202都是透光的，由熒光層產(chǎn)生的光218、 220會(huì)穿透過(guò)二個(gè)透明基板200、 202達(dá)到雙面發(fā)光的效果。
又關(guān)于熒光層210的結(jié)構(gòu)，其例如是單層結(jié)構(gòu)。然而依照熒光層的變化， 例如也可以是疊層結(jié)構(gòu)或是混層結(jié)構(gòu)，其包含有多種不同熒光材料所組成。 疊層結(jié)構(gòu)例如是多層不同熒光材料疊置所成，可以產(chǎn)生混光，例如由紅藍(lán)綠 混合成白光。另外，混層結(jié)構(gòu)是指不同顏色的熒光層設(shè)置在不同區(qū)域分別產(chǎn) 生對(duì)應(yīng)頻率的光，以達(dá)到混光效果。另外，焚光層除了可見(jiàn)光材料外，也可 以采用紅外光材料或紫外光材料。
上述的雙面發(fā)光面光源裝置僅是基本的結(jié)構(gòu)。為了更增加發(fā)光的效率， 在透明陰極結(jié)構(gòu)206或透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208上可以增設(shè)一些輔助功能層。以下 針對(duì)在透明陰極結(jié)構(gòu)206或透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208上的變化描述。圖4繪示依據(jù) 本發(fā)明另一實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。參閱圖4，為了能更 有效產(chǎn)生二次電子216,以增加發(fā)光亮度，可以例如在透明陰極結(jié)構(gòu)206上， 增加設(shè)置一層二次電子材料層222。 二次電子材料層222的材料例如包括氧化鎂(MgO)、三氧化二鋱(Tb20s)、三氧化二鑭(La203)或二氧化鈰(Ce02)。
圖5-7繪示依據(jù)本發(fā)明另 一些實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。 參閱圖5，在透明陰極結(jié)構(gòu)206上也可以再設(shè)置易放電材料層(emitter material layer)224。易放電材料層224提供表面結(jié)構(gòu)允許更容易放電，如此可以降低 操作電壓。易放電材料層224例如包括金屬材、納米碳管(carbonnanotube)、 纟內(nèi)米碳壁(carbon nanowall)、纟內(nèi)米孑L隙碳才才(carbon nanoporous)、 ；j主4大氧4匕《辛 (ZnO)、或是氧化鋅(ZnO)材等。
于圖5的實(shí)施例，易放電材料層224是例如設(shè)置在透明陰極結(jié)構(gòu)206上， 但是其不是唯一的設(shè)置方式。參閱圖6，另一層的易放電材料層226是設(shè)置 在透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208上，其也有助于放電效果。又參閱圖7，在透明陰極結(jié) 構(gòu)206與易透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)208上也可分別同時(shí)設(shè)置易放電材料層224與226。
又，圖5到圖7僅繪示易放電材料層。如果需要，也可以配合圖4增加 二次電子材料層的設(shè)置。換句或說(shuō)，本發(fā)明所舉的多個(gè)實(shí)施例，都可以適當(dāng) 結(jié)合變化，無(wú)需限制在個(gè)別的實(shí)施例。
接著、圖8繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意 圖。參閱圖8，本實(shí)施例再增加透明導(dǎo)電保護(hù)層228，設(shè)置在熒光層210上。 透明導(dǎo)電保護(hù)層228也是導(dǎo)電材料，用于保護(hù)熒光層210。透明導(dǎo)電保護(hù)層 228的作用其一是防止熒光層210被離子轟擊導(dǎo)致燒壞熒光體，因此可以增 加熒光層210的壽命。透明導(dǎo)電保護(hù)層228的作用較著重于保護(hù)的作用，因 此只要薄層即可，例如幾個(gè)nm。另外，透明陰極結(jié)構(gòu)206上例如也同時(shí)設(shè) 置有易放電材料層224。
前述實(shí)施例的熒光層是以面狀的方式設(shè)置，但是也允許其他的變化。圖 9繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。參閱圖9， 二個(gè)透明基板290、 298以及間隙側(cè)壁296的設(shè)置如先前的描述，可以成一 空間，以填入低壓氣體。本實(shí)施例的差異在于電極與熒光層的安排。陰極結(jié) 構(gòu)292與陽(yáng)極結(jié)構(gòu)294是在相同的基板290上。由于陽(yáng)極結(jié)構(gòu)292與陰極結(jié) 構(gòu)294的面積小，其可采用透明導(dǎo)電材料或是不透明的導(dǎo)電材料皆可，其中 仍以透明導(dǎo)電材料較佳。熒光結(jié)構(gòu)層是設(shè)置在透明基板290上且位于陰極結(jié) 構(gòu)292與陽(yáng)極結(jié)構(gòu)294之間。
熒光結(jié)構(gòu)層例如包括多個(gè)熒光單體所組成，每一個(gè)熒光單體表面有熒光 材料層。熒光單體295例如由球面狀的熒光單體，每一個(gè)熒光單體295表面有熒光材料層。又例如，熒光單體295是由柱面狀的熒光單體，每一個(gè)熒光 單體表面有熒光材料層。于本實(shí)施例，電子(e)的移動(dòng)方向如箭頭所示，是橫 向移動(dòng)。由于二個(gè)透明基板290、 298是透明的，產(chǎn)生的光是以雙面發(fā)出。 圖10繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。 參閱圖10，雙面發(fā)光面光源裝置更也可以設(shè)置間隙側(cè)壁232在電極206與熒 光層210之間，以達(dá)到容置低壓氣體的空間。換句話(huà)說(shuō)，在基板之間之間隙 側(cè)壁232可以無(wú)需提供支撐基板的效過(guò)果。這些都是達(dá)成空間隔離一些設(shè)計(jì) 的變化實(shí)施例。
根據(jù)圖3的相同原則，也可以對(duì)電及結(jié)構(gòu)做一些改變。圖11繪示依據(jù) 本發(fā)明另一實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置剖面示意圖。參閱圖11，透明基板 300、 302以及間隙側(cè)壁304,如先前描述可以構(gòu)成容置〗氐壓氣體的空間。以 下描述本實(shí)施例的變化。至少一條陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)310設(shè)置在透明基板300上方 的空間。本實(shí)施例以多條陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)310為例做說(shuō)明。透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)306是 面狀結(jié)構(gòu)，形成于透明基板300上，且與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)相互平行。熒光層 308位于陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)310與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)306之間。例如、熒光層308直接 形成在陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)310上。
由于陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)310例如是細(xì)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，因此不會(huì)實(shí)質(zhì)上影響發(fā)光的品質(zhì)。 另外，根據(jù)相同的原則，可以有其他的變化。例如、圖12A與圖12B 是繪示依據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例，雙面發(fā)光面光源裝置的側(cè)視與上視剖面示意 圖。參閱圖12A, 二個(gè)導(dǎo)電透明基板400以及間隙側(cè)壁406，如先前描述可 以構(gòu)成容置低壓氣體的空間。于此，導(dǎo)電透明基板400例如是導(dǎo)電玻璃，做 為陽(yáng)極。在導(dǎo)電透明基板400上設(shè)置有熒光層402。在二個(gè)導(dǎo)電透明基板400 之間設(shè)置有至少一條陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)404。本實(shí)施例以多條陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)404為例 做說(shuō)明，而條陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)404的分布如圖12B所示，是分布在二導(dǎo)電透明基 板之間的平面上。由于透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)402是面狀結(jié)構(gòu)，可以構(gòu)成雙面發(fā)光的 面板。
在本發(fā)明提出的雙面發(fā)光面光源裝置，更可配合顯示技術(shù)的發(fā)展，進(jìn)行 雙面影像顯示，或是曲面的影像顯示。
雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng) 域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種雙面發(fā)光面光源裝置，包括透明陰極結(jié)構(gòu)；透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，其中該透明陰極結(jié)構(gòu)與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)分別是面狀結(jié)構(gòu)且相互平行；熒光層，位于該透明陰極結(jié)構(gòu)與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間；以及低壓氣體層，填充于該透明陰極結(jié)構(gòu)與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用；其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。
2. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置，還包括第一透明基板、第 二透明基板、以及間隙側(cè)壁，其中該透明陰才及結(jié)構(gòu)在該第一透明基4反上、該 透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)在該第二透明基板上，該間隙側(cè)壁在該第一透明基板與該第二 透明基板之間構(gòu)成一空間，以容置該低壓氣體層，
3. 如權(quán)利要求2所述的雙面發(fā)光面光源裝置， 第二透明基板包括硬質(zhì)透明材料。
4. 如權(quán)利要求2所述的雙面發(fā)光面光源裝置， 第二透明基板包括可撓曲透明材料。
5. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置， 在該透明陰才及結(jié)構(gòu)上。
6. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置， 該透明陰極結(jié)構(gòu)與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的至少其一上
7. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置， 表面結(jié)構(gòu)，使達(dá)到易放電。
8. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置， 該熒光層上，以保護(hù)該熒光層。
9. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置， 是在8xl0"~l(T3torr的范圍內(nèi)。
10. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該低壓氣體層包括鈍其中該第一透明基^1與該其中該第一透明基板與該還包括二次電子材料層，還包括易放電材料層，在其中該易放電材料層包括還包括透明導(dǎo)電保護(hù)層在其中該低壓氣體層的氣壓
11. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該低壓氣體層包括大氣、He、 Ne、 Ar、 Kr、 Xe、 H2、或C02。
12. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光層包含一單層 結(jié)構(gòu)。
13. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光層包含疊層結(jié) 構(gòu)或是混層結(jié)構(gòu)，包含有多種不同熒光材料。
14. 如權(quán)利要求1所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光層包含有多區(qū) 域，分別產(chǎn)生對(duì)應(yīng)頻率的光。
15. —種雙面發(fā)光面光源裝置，包括 至少一條陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)；透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，是面狀結(jié)構(gòu)，其中該陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)相互 平行；焚光層，位于該陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間；以及 低壓氣體層，填充于該陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)與該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用；其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。
16. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置，還包括第一透明基板、 第二透明基板、以及間隙側(cè)壁，該間隙側(cè)壁在該第一透明基板與該第二透明 基板之間構(gòu)成一空間，以容置該低壓氣體層，其中該陰極線(xiàn)結(jié)構(gòu)在該第一透 明基板上方的該空間中、該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)與該熒光層形成在該第一透明基板 上。
17. 如權(quán)利要求16所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該第一透明基板與 該第二透明基板包括硬質(zhì)透明材料。
18. 如權(quán)利要求16所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該第一透明基板與 該第二透明基板包括可撓曲透明材料。
19. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置，還包括易放電材料層， 在該透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)上。
20. 如權(quán)利要求19所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該易放電材料層包 括表面結(jié)構(gòu)，使達(dá)到易放電。
21. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置，還包括透明專(zhuān)電保護(hù)層在該熒光層上，以保護(hù)該焚光層。
22. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該低壓氣體層的氣 壓是在8xl0-1 l(T3torr的范圍內(nèi)。
23. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光層包含一單 層結(jié)構(gòu)。
24. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光層包含疊層 結(jié)構(gòu)或是混層結(jié)構(gòu)，包含有多種不同熒光材料。
25. 如權(quán)利要求15所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光層包含有多 區(qū)域，分別產(chǎn)生對(duì)應(yīng)頻率的光。
26. —種雙面發(fā)光面光源裝置，包括 第一透明基板； 第二透明基板；間隙側(cè)壁，在該第 一 透明基板與該第二透明基板之間構(gòu)成 一 空間； 低壓氣體層，填充于該空間內(nèi)，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用； 陰極結(jié)構(gòu)，在該第一透明基板上； 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，在該第一透明基板上；以及熒光結(jié)構(gòu)層，在該第 一透明基板上且位于該陰極結(jié)構(gòu)與該陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間，其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在 一操作電壓下橫向移動(dòng)，直接撞擊該熒光結(jié)構(gòu)層。
27. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該低壓氣體層的氣 壓是在8xl0" 10-3torr的范圍內(nèi)。
28. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光結(jié)構(gòu)層包括 多個(gè)熒光單體所組成，每一個(gè)熒光單體表面有熒光材料層。
29. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光結(jié)構(gòu)層是由 球面狀的多個(gè)焚光單體所組成，每一個(gè)熒光單體表面有熒光材料層。
30. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光結(jié)構(gòu)層是由 柱面狀的多個(gè)焚光單體所組成，每一個(gè)熒光單體表面有熒光材料層。
31. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光結(jié)構(gòu)層構(gòu)成 至少一發(fā)光區(qū)域
32. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該熒光結(jié)構(gòu)層的熒光材料層包含一單層結(jié)構(gòu)。
33. 如權(quán)利要求26所述的光源裝置，其中該熒光層包含有多區(qū)域，分別 產(chǎn)生對(duì)應(yīng)頻率的光。
34. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該焚光結(jié)構(gòu)層的焚 光材料層包含疊層結(jié)構(gòu)或是混層結(jié)構(gòu)，有多種不同熒光材料。
35. —種雙面發(fā)光面光源裝置，包括第一導(dǎo)電透明基板與第二導(dǎo)電透明基板，面對(duì)面配置，做為一陽(yáng)極結(jié)構(gòu)； 熒光結(jié)構(gòu)層，在該第一與該第二透明基板上； 間隙側(cè)壁，在該第 一透明基板與該第二透明基板之間構(gòu)成一空間； 低壓氣體層，填充于該空間內(nèi)，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用；以及 線(xiàn)狀陰極結(jié)構(gòu)，分布在該第 一與該第二透明基板之間的平面上， 其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在 一操作電壓下橫向移動(dòng)，直接撞擊該熒光結(jié)構(gòu)層。
36. 如權(quán)利要求26所述的雙面發(fā)光面光源裝置，其中該低壓氣體層的氣 壓是在8xl0" l(T3torr的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種雙面發(fā)光面光源裝置，包括透明陰極結(jié)構(gòu)、透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)、熒光層、以及低壓氣體層。透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)相對(duì)且分別是面狀結(jié)構(gòu)。熒光層位于透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間。低壓氣體層填充于透明陰極結(jié)構(gòu)與透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間，有誘導(dǎo)陰極均勻發(fā)射電子的作用。又、低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。
文檔編號(hào)H01J63/00GK101471224SQ200710305220
公開(kāi)日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2007年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月29日
發(fā)明者卓連益, 李中裕, 林依萍, 陳世溥 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院