專利名稱：使用x射線制造等離子體顯示面板的下面板的方法
壓變化的時序圖。本實施例的移位寄存器100n的操作可分為致動預(yù)充階段 (pre-charge period) T。-L和致動輸出階段T2。當移位寄存器100n處于致 動預(yù)充階段T。-T,時，輸入端SR[n-l]輸入的輸入信號脈沖會導通預(yù)充開關(guān)140 的晶體管M4并開始預(yù)充電壓于位準移位節(jié)點Z[n]，使得晶體管Ml的柵極達 到接近2VDD-Vth,的電壓位準。同時耦接于晶體管Ml源極的頻率信號XCK的電 壓位準必須處于低電壓位準，如此晶體管M1就可以預(yù)先導通。在TfT,期間， 控制器110的第一反相器212會將輸入信號脈沖做反相的動作，但因為第一取 樣開關(guān)214處于關(guān)閉狀態(tài)，同時，第二取樣開關(guān)216會導通，并將輸入端SR[n-l] 的輸入信號脈沖經(jīng)由第二反相器216反相后傳入晶體管M2、 M3的柵極，以將 晶體管M2、 M3操作在關(guān)閉狀態(tài)。在時點L的瞬間，預(yù)充開關(guān)140的晶體管M4 會關(guān)閉，因此在致動輸出階段T廠T2時，位準移位節(jié)點Z[n]為浮接狀態(tài)，同時 耦接于晶體管Ml的源極的頻率信號XCK的電壓位準則恰好處于高電壓位準， 連帶讓位準移位節(jié)點Z[n]上電壓位準成為2VDD-Vth4。因為位準移位節(jié)點Z[n] 在致動預(yù)充階段T -L時就已預(yù)充電壓，使其電壓位準略為提高，所以在致動 輸出階段T,-T2時，位準移位節(jié)點Z[n]就能快速地到達至2V^VtM并使晶體管 Ml完全導通。如此一來，因為晶體管Ml在致動輸出階段1\-T2完全導通，所 以輸出端SR[n]的電壓位準可確保提高至所要的VDD電壓位準。由于在致動預(yù)充階段T。-1\時，位準移位節(jié)點Z[n]的電壓位準能接近VD[rVth 越好，所以預(yù)充位準補償電容C的功能在增加位準移位節(jié)點Z[n]的預(yù)充位準。請繼續(xù)參閱圖18，移位寄存器100n另包含第一重置開關(guān)170以及第二重 置開關(guān)180。第一重置開關(guān)170耦接于位準移位節(jié)Z[n]，用來依據(jù)一重置信號 Vkst重置移位寄存器100n。第二重置開關(guān)180耦接于輸入端SR[n-l]，用來依 據(jù)該重置信號V^重置移位寄存器100n。請注意，在較佳實施例中，重置信號 V^可以是用來觸發(fā)第一級移位寄存器的觸發(fā)起始脈沖Vst。第一重置開關(guān)170 可為第十二晶體管M12，第十二晶體管M12的柵極耦接于重置信號VRST，第十 二晶體管M12的第一極以及第二極分別耦接于位準移位節(jié)點Z[n]以及電源電 壓Vss。第二重置開關(guān)180可為一第十三晶體管M13，第十三晶體管M13的柵 極耦接于重置信號VRST，第十三晶體管M13的第一極以及第二極分別耦接于輸 入端SR[n-l]以及電源電壓Vss。第一或是第二重置開關(guān)170、 180可在移位寄 存器100n沒有運作時，適時地關(guān)閉晶體管M1、 M6、 M7，以減少靜態(tài)電流所產(chǎn)空間G之間的單元間距而確定圖像的分辨率。因而，阻擋肋24影響圖像質(zhì) 量和發(fā)光效率。隨著面板的尺寸增加并且提供更高清晰度的圖像，已經(jīng)進行 了許多阻擋肋的研究。通常，阻擋肋通過絲網(wǎng)印刷、噴沙、蝕刻、使用光敏膏的光刻等制造。 其中，使用光敏膏的光刻如下所述進行。首先，包含陶瓷阻擋肋材料的光敏 膏涂覆在基板上并且被干燥從而獲得具有希望厚度的膜。然后，光敏膏通過對齊的光掩模而選擇性地暴露于uv光線，并且使用顯影器顯影從而去除未固化(uncured)的部分。最終，燒結(jié)完成的結(jié)構(gòu)，由此完成阻擋肋。在曝光 于UV光線期間，通過聚合反應(yīng)固化曝光于UV光線的光敏膏部分，從而形 成阻擋肋，而被光掩模屏蔽的光敏膏的殘留部分未被固化，而是在顯影期間 被分解和去除。光敏膏可以包括無機微顆粒和有機材料。UV光線可以在無機微顆粒和 有機材料之間的界面上散射，并且因而在相鄰于目標光敏膏部分的光敏膏部 分可以出現(xiàn)光固化。此外，由于沿UV光線的光路出現(xiàn)的光散射，提供到光 敏膏的靠近底部的部分(或者圖1中最靠近下介電層21的光敏膏的部分) 的UV光線的量可能不足以固化靠近底部的部分光敏膏。這樣，如同在圖1 中所示出的，阻擋肋24在底部比頂部寬。當增加UV光線的強度以便增加 UV光線的穿透深度時，散射光線的強度也增加。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一方面提供了一種制造等離子體顯示器(PDP)的下面板的方 法，其中可以使用X射線實現(xiàn)高精度的阻擋肋的精細間距構(gòu)圖。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種制造PDP的下面板的方法，所述 方法包括提供基底基板；在基底基板上形成阻擋肋材料層；通過在阻擋肋 材料層上掃描X射線而界定阻擋肋圖案；并且顯影阻擋肋材料層從而形成阻 擋肋。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種PDP的下面板的制造方法，所述 方法包括在基底基板上形成第一厚度的第一阻擋肋材料層；通過在第一阻 擋肋材料層上掃描X射線而界定第一阻擋肋圖案；在第一阻擋肋材料層上形 成第二厚度的第二阻擋肋材料層；在第一和第二阻擋肋材料層上通過掃描X 射線而界定第二阻擋肋圖案；并且顯影第一和第二阻擋肋材料層，從而形成具有不同高度的阻擋肋。本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點將在下列描述中部分提出，并且從下列描述 中部分顯見，或者可以通過本發(fā)明的實踐而學得。


結(jié)合附圖，從本發(fā)明的實施例的下列描述中，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點將變得更為顯見和更容易理解，其中圖1是示出常規(guī)等離子體顯示面板PDP的分解透視圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明多個方面的PDP的下面板的制造方法的流程圖；圖3A至3E是示出圖2的方法的詳細工藝的垂直截面圖；圖4是示出作為本發(fā)明的對比實例的使用紫外線光刻制造的阻擋肋的垂直截面圖；圖5是示出使用根據(jù)在圖2中示出的方法制造的阻擋肋圖案的圖； 圖6A至6C是示出在不同的曝光條件下制造的阻擋肋的圖； 圖7A至7D是示出根據(jù)本發(fā)明一方面的PDP的下面板的制造方法的透 視圖；圖8是示出根據(jù)圖7A至7D的方法制造的下面板的實例的透視圖； 圖9是示出使用根據(jù)本發(fā)明的多個方面的方法制造的阻擋肋圖案的圖； 圖IO是示出根據(jù)本發(fā)明的多個方面的下面板的制造方法的圖；并且 圖IIA至IID是示出根據(jù)本發(fā)明的多個方面的PDP的下面板的制造方 法的圖。
具體實施方式
現(xiàn)將詳細描述本發(fā)明的實施例，其實例在附圖中示出，其中相似的參考 標號通篇指示相似的元件。描述下面的實施例以便參考附圖解釋本發(fā)明。但 是本發(fā)明的各個方面可以以不同的形式實施，并且不應(yīng)理解為局限于在此提 出的實施例。當介紹一層或電極布置或形成于另一層或基板"上"時，該術(shù) 語意指所述層或電極可以直接形成于另一層或基板上，或者第三層可以布置 在其間。另外為了清楚起見，可以夸大層或區(qū)的厚度。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明多個方面的等離子體顯示面板PDP的下面板的 制造方法的流程圖。參考圖2，在此描述了根據(jù)本發(fā)明多個方面的PDP的下面板的制造方法。首先提供PDP的下基板(S101 ),在下基板上形成希望厚度的阻擋肋材料層(S103)，并且在阻擋肋材料層上掃描X射線從而界定阻 擋肋圖案(S105)。然后，阻擋肋材料層被顯影和構(gòu)圖(S107)。最終，燒結(jié) 完成的結(jié)構(gòu)(S109),由此完成PDP的下面板。以下，將更詳細地按順序描述上述操作。圖3A至3E是示出上述操作 的示意工藝圖。首先，參考圖3A,先前提供的PDP的下基板120布置在工 作臺S上。下基板120可以是由玻璃材料制成的玻璃基板或由柔性塑料材料 制成的柔性基板。此時，如同所示出的，多個電極122可以布置在下基板120 上，但是在其它方面可以不同地布置。介電層121布置在下基板120上從而 覆蓋電極122。電極122布置得相互平行，從而以這樣的方式以預(yù)定間距分 離使得其對應(yīng)于其中要形成;^文電空間的區(qū)。介電層121可以通過在覆蓋電極 122的下基板120上整體涂覆介電膏而形成，但不局限于此。根據(jù)PDP的希 望的結(jié)構(gòu)，可以省略電極122和/或介電層121。例如，在不包括尋址電極的 PDP結(jié)構(gòu)內(nèi)，電極122和介電層121都可以被省略或使用其它方法構(gòu)造。如上所述使用X射線在提供的下基板120上形成阻擋肋圖案。此后，將 描述使用X射線光刻的形成阻擋肋圖案的方法。首先，參考圖3B,在其上 形成了電極122和介電層121的下基板120上形成阻擋肋材料層150至厚度 H。厚度H相對于介電層121的頂部。阻擋肋材料層150可以由對X射線顯 示顯影特性或顯影(例如可以通過X射線光或熱固化或在蒸發(fā)期間干燥的材 料)的材料形成并且因而可以通過顯影而構(gòu)圖。此外，阻擋肋材料層150可 以通過在下基板120上(或如圖所示在介電層121上)涂覆膏狀的阻擋肋材 料而形成，或者作為替代，在下基板120上層疊片形阻擋肋材料。例如，阻擋肋材料層150可以由包括無機微顆粒152的可光固化有機-無機復(fù)合材料和多種有機材料151形成，無機微顆粒152是待燒結(jié)從而形成 阻擋肋的基本玻璃材料。更詳細地，無機微顆粒152可以由玻璃料粉末構(gòu)成， 并且無機材料151可以包括使得無機微顆粒152成為膏狀的載體、粘合無機 微顆粒152的粘合劑、通過光化學反應(yīng)促進固化的光引發(fā)劑等。另外，有機 材料151可以包括單體、分散劑或其它材料。阻擋肋材料層150的厚度H對應(yīng)于要形成的阻擋肋的高度。因而，優(yōu)選 阻擋肋材料層150應(yīng)當形成至足夠的厚度。例如，考慮到燒結(jié)后阻擋肋的收 縮，如果阻擋肋材料層150在燒結(jié)前形成至160至180|im的厚度，則在燒結(jié)后可以獲得具有120至130pm高度的阻擋肋。在形成阻擋肋材料層150 至希望的厚度之后，阻擋肋材料層150通過干燥而被固化。當阻擋肋材料層 150由膏狀的阻擋肋材料形成時需要阻擋肋材料層150的干燥。因而，當無 需穩(wěn)定阻擋肋的形狀的附加工藝，例如當阻擋肋材料層150由片形阻擋肋材 料形成時，可以省略阻擋肋材料層150的干燥。接著，參考圖3C，具有預(yù)定圖案的X射線掩模130布置在所述阻擋肋 材料層150上方。此時，X射線掩模130和具有布置在其上的阻擋肋材料層 150的下基板120相互垂直對齊。X射線纟奄;漠130劃分為透射區(qū)Wmask和屏 蔽區(qū)。如同在圖3C中所示出的，當X射線掩模130包括透明基板131和吸 收器132時，吸收器132至少在透明基板131的表面均勻地構(gòu)圖。這樣，透 射區(qū)Wmask對應(yīng)于不用吸收器132覆蓋的透明基板131的部分，并且屏蔽 區(qū)對應(yīng)于用吸收器132覆蓋的透明基板131的部分。對應(yīng)于透射區(qū)Wmask 的阻擋肋材料層150的部分(圖示為150a)在光固化后傾向于形成阻擋肋 155，并且對應(yīng)于屏蔽區(qū)的阻擋肋材料層150的部分未^^固化并且隨后被去 除。這里，透明基板131可以由具有良好透射性的材料制成，使得高強度的 X射線100可以通過透射區(qū)Wmask而透射。為此，透明基^反131可以由j氐 原子序數(shù)的材料制成以便具有低吸收性。例如，為了制造大尺寸掩模，透明 基板131可以由硬玻璃基板或柔性聚酰亞胺膜制成。同時，吸收器132可以 形成至例如預(yù)定的厚度t,以便不出現(xiàn)穿過屏蔽區(qū)的光透射。吸收器132可 以由高原子序數(shù)的材料制成，例如金(Au)或鴒(W)，以便增加吸收性。 布置在透明基板131表面上的吸收器132可以使用光刻或電鍍構(gòu)圖。盡管對 于X射線描述了 X射線掩模130、透明基板131和吸收器132,但是X射線 掩模130、透明基板131和吸收器132不僅局限于此，以便任何形式的電磁 輻射可以用于構(gòu)圖阻擋肋材料層150。例如，透明基板131可以對于較高能 量的電磁輻射透明并且吸收器132可以阻擋其透射。接著，X射線IOO通過X射線掩纟莫130在阻擋肋材料層150上掃描，從 而在阻擋肋材料層150上界定希望的圖案。該操作可以參考圖3D更詳細地 解釋。即當發(fā)出X射線IOO的X射線源(未示出)在X射線掩模130和下 基板120被對齊的狀態(tài)下在一方向上(箭頭A)移動時，可以掃描X射線 100。作為替代，當X射線掩模130和支撐下基板120的工作臺S在一方向 上(箭頭B)移動時，可以從固定X射線源(未示出)掃描X射線100。方其中圖23中所示的電影數(shù)據(jù)與圖21中所示的菜單顯示屏幕合成。下面示意#^錄上^!^^單顯示屏幕中實現(xiàn)下拉菜單顯示屏幕的示例方 法。例如，下面參照圖24描述如下情況通過，具有選擇狀態(tài)的按鈕201A 的遙控命令器的回車^顯示下拉菜單202。應(yīng)注意，參照圖24，與圖21中示 出的那些部分類似的部分用相同的標e^示并il^'9^詳細的描述。在圖24的示例中，假設(shè)包樹景200、獨201A、敏201B、敏201C 和下拉菜單202的菜單顯示屏幕顯示在由頁"O"指示的菜單屏幕上。絲201A、 按鈕201B和按鈕201C屬于BOG (^fe重疊組)，其中作為用于識別這些^ 的ID的值buttonJd財這些獨中的^個敗義為"l"、 "2"和'3"。對應(yīng) 于獨201A的下拉菜單202中的絲203A、 203B和203C屬于值button— id 敗義為"3"、 "4"和'5，，的BOG。在例:ftw^201A的情況下，在用于定義^201A的塊bu加nO中，例如 命令被如下寫入將由^^ 201A 1^詢命令navigation_ commandO的部分中。 應(yīng)注意，以下描述的每^"4"是由BD-ROM邏#^^義的命令。EnableBu加n(3);EnableButton (4);EnableBu加n(5);SetButtonPage(1，03，0，0)命令EnableButtonO表示襯中指出的值狄:M 值buttoii—id的^^j: 于啟動狀態(tài)(^f效狀態(tài))。另一方面，為了將^L置于禁ibR態(tài)或無效狀態(tài)， 朋命令DisableButtonO。例如,命令Se迅uttonPageO^^)iHU特定頁以便使由命令EnableButtonO 啟動的^成為可選擇的，命令SetButtonPageO具有5個參數(shù)，它們是button一 flag、 page一flag、 button—id、 page一id和out—effect一off一flag。 button—flag 表示第三個l^t button—id的值被設(shè)置到作為播放器中用于管理再現(xiàn)狀態(tài)的存 儲器的PSR (播放器狀態(tài)寄存器)。參故pag^flag表示^!"在PSR中的頁識 別值page— id是否將改變?yōu)榈谒腲lt page— id。
out— effect_ off— flag表示另一方面，當纟賊下拉菜早202的每個獨203A、 203B和203C妙于回 車狀態(tài)H^y^ft^I命令navigatioi^cominandO^W這些命4^C寫入。在圖24材料層150的部分更加曝光于UV光線。與此相反，根據(jù)本發(fā)明的多個方面，免由于光線散射的不可控制的曝光的出現(xiàn)。因此，可以精確地制造具有對應(yīng) 于掩模的透射區(qū)的均勻?qū)挾鹊淖钃趵邎D案。根據(jù)本發(fā)明多個方面所使用的具有短波長的x射線具有足以穿透具有厚的厚度的良好的透射性，并且因而可以貫穿到達阻擋肋材料層的底部。因 而，根據(jù)本方面的多個方面，可以克服根據(jù)所使用的光線的透射性而確定的 阻擋肋材料層的厚度的限制。此外，當需要時，通過形成阻擋肋材料層至厚 的厚度，可以容易地制造具有高縱橫比的阻擋肋(即其中阻擋肋的高度對阻擋肋的寬度的比率高)。另外，由于x射線的高穿透性，可以降低由有機材料和無機微顆粒之間折射率的差別所引起的折射現(xiàn)象，并且因而提高了光線方向性的精度，由此使得可以實現(xiàn)阻擋肋的精細間距的構(gòu)圖。圖5示出了使 用X射線構(gòu)圖的精細間距的阻擋肋，其中阻擋肋的上寬度是大約14pm。在阻擋肋材料層內(nèi)吸收的單位體積的能量數(shù)量(曝光劑量，單位kJ/cm3) 與最終獲得的阻擋肋結(jié)構(gòu)的精度密切相關(guān)。因而，根據(jù)本發(fā)明的多個方面在 將阻擋肋材料層曝光于X射線時，優(yōu)選(但不必須)通過數(shù)量計算精確地控 制施加到阻擋肋材料層的X射線的劑量?？紤]到X射線的貫穿深度和阻擋 肋材料層的X射線吸收性，施加到阻擋肋材料層的X射線的劑量可以通過 控制曝光條件(例如X射線的強度，曝光時間)而優(yōu)化。圖6A至6C是示 出在不同曝光條件下制造的阻擋肋的圖。如果曝光時間太短，則由于阻擋肋 材料層由于缺少曝光而未足夠地固化，所以阻擋肋未能正確地形成，如同在 圖6A中所示出的。與此相反，如果曝光時間太長，如同在圖6C中所示出 的，則在完成的阻擋肋內(nèi)產(chǎn)生缺陷(例如空腔或裂縫)，并且對應(yīng)于X射線 掩模的屏蔽區(qū)的阻擋肋材料層的部分也曝光于X射線，由此導致對應(yīng)于X 射線掩模的屏蔽區(qū)的阻擋肋材料層的部分的固化。但是，通過合適的曝光時 間制造的阻擋肋具有光滑的表面，如同在圖6B中所示出的。再次參考圖3A至3E，燒結(jié)通過上述圖案界定以及顯影所獲得的阻擋肋 材料層圖案。為此，阻擋肋材料層圖案被加熱到接近在阻擋肋材料層圖案中 所包含的無機微顆粒152 (例如玻璃料)的熔點的高溫，使得無機微顆粒152 被熔化和燒結(jié)，并且同時，去除阻擋肋材料層圖案中所包含的有機材料151。根據(jù)本發(fā)明的多個方面，示出了使用X射線光刻的阻擋肋的形成。但是，17，螺帽可臥在擴大臥槽17內(nèi)。上述金屬罩蓋8的兩側(cè)邊預(yù)留有搭接邊16，該搭接邊16包住金屬罩殼7，搭接處可以焊接 或緊箍連接。上述金屬護套6、金屬罩殼7和金屬罩蓋8采用銅、銅合金、不銹鋼或其它金屬合金材料 制作。金屬罩蓋8的形狀為梯形，節(jié)點處形狀為偏心的扁圓臺形。 上述預(yù)制分支電纜的制造方法，其特征在于制造步驟如下步驟l，參見圖l、圖2，在主干線1與分支線2的連接處，剝?nèi)ソ饘僮o套6及部分絕緣層 5，使連接部位的主干線和分支線的導體4裸露。步驟2，參見圖3，將主干線l與分支線2進行y形連接，并配上連接件3，經(jīng)機械壓縮，使 主干線導體與分支線導體連接成一體。步驟3，參見圖4，絕緣層5用耐高溫、耐潮濕的礦物絕緣帶將裸露導體嚴密包扎2-3層， 進行電氣絕緣。為增加密封效果，在絕緣層5外面再用PVC膠帶保護膜密封包扎。步驟4，參見圖4、 5，將金屬罩殼7和金屬罩蓋財卩合在y形節(jié)點處，金屬罩殼7和金屬罩 蓋8為兩個半片，每片的兩端頭均與銅質(zhì)騎馬夾焊接一體。主干線進線端置于單線騎馬夾IO 的主干線進線凹槽12內(nèi)，主干線1和分支線2的進線端分別置于雙線騎馬夾11的主干線出線凹 槽13和分支線出線凹槽14內(nèi)。步驟5，參見圖4、 5，將金屬罩蓋8的兩側(cè)的搭接邊16包住金屬罩殼7的兩側(cè)邊，金屬罩 殼7和金屬罩蓋8緊固在聯(lián)接體外，保護連接處絕緣，用緊固件9穿過金屬罩殼7和金屬罩蓋8 的連接孔15，將主干線與分支線連成一體。連接孔15位于靠近主干線兩側(cè)的位置?；蚣^A)移動時，可以掃描X射線100，或者作為替代，當X射線掩模130和支撐下基板120的工作臺S在一方向(例如x軸方向，或箭頭B)移 動時，X射線IOO可以從固定X射線源(未示出)掃描。當如上所述且如圖7C所示完成第一圖案界定時，第二阻擋肋材料層 150，，在具有厚度ho的第一阻擋肋材料層150，上被涂覆以厚度Ah。因而，包 括第一和第二阻擋肋材料層150，和150"的阻擋肋材料層150在下基板120 上形成至厚度h (ho+ Ah)。此時，阻擋肋材料層150的厚度h對應(yīng)于階梯阻 擋肋之中具有相對較高高度的第二阻擋肋的高度。如上所述形成第二阻擋肋 材料層150"之后，如果需要，可以干燥阻擋肋材料層150。接著，參考圖7D, X射線掩模130，在阻擋肋材料層150上方被對齊。X 射線掩模130，可以是其中吸收器132，在透明基板131，的表面上被構(gòu)圖的掩 模。X射線l備模130，可以被設(shè)計為具有在一方向(例如在z軸方向)上被條 形構(gòu)圖的透射區(qū)。透射區(qū)可以延伸，從而與在上述第一圖案的界定中所使用 的X射線掩模130的透射區(qū)交叉。再一次，使用X射線掩模130，在阻擋肋材料層150上界定希望的圖案 (第二圖案界定)。此時，對應(yīng)于X射線掩模130，的透射區(qū)的阻擋肋材料層 150的部分150c曝光于X射線100并且通過聚合反應(yīng)而固化。此時，通過 第二圖案界定固化的圖案可以與通過第一圖案界定固化的圖案重疊。同時，在該操作中，當發(fā)出X射線100的X射線源(未示出)在X射線掩模130' 和下基板120固定地對齊的狀態(tài)下在一方向(例如在z軸方向，或箭頭A，) 移動時，可以掃描X射線IOO,或者作為替代，當X射線掩模130，和支撐下 基板120的工作臺S在一方向上(例如在z軸方向，或箭頭B，)移動時，X 射線IOO可以從固定的X射線源(未示出)掃描。盡管作為x軸和z軸方向 描述和圖示了方向，但是方向不僅局限于此，使得x軸和z軸方向無需垂直 而僅需要交叉或延伸至相交。此外，可以應(yīng)用第三和/或第四等X射線圖案 界定工藝以進一步界定具有不同高度的阻擋肋，從而獲得多階梯的阻擋肋和 具有不同高度的不同圖案的阻擋肋。如上所述，如上所述進行兩步X射線圖案界定工藝之后，阻擋肋材料層 150被顯影和燒結(jié)，由此獲得如同在圖8中所示出的階梯阻擋肋124。參考 圖8,階梯阻擋肋124包括延伸以相互交叉并且分別具有高度h，o和h，的第 一阻擋肋124a和第二阻擋肋124b，使得第一阻擋肋124a和第二阻擋肋124b其中圖23中所示的電影數(shù)據(jù)與圖21中所示的菜單顯示屏幕合成。下面示意#^錄上^!^^單顯示屏幕中實現(xiàn)下拉菜單顯示屏幕的示例方 法。例如，下面參照圖24描述如下情況通過，具有選擇狀態(tài)的按鈕201A 的遙控命令器的回車^顯示下拉菜單202。應(yīng)注意，參照圖24，與圖21中示 出的那些部分類似的部分用相同的標e^示并il^'9^詳細的描述。在圖24的示例中，假設(shè)包樹景200、獨201A、敏201B、敏201C 和下拉菜單202的菜單顯示屏幕顯示在由頁"O"指示的菜單屏幕上。絲201A、 按鈕201B和按鈕201C屬于BOG (^fe重疊組)，其中作為用于識別這些^ 的ID的值buttonJd財這些獨中的^個敗義為"l"、 "2"和'3"。對應(yīng) 于獨201A的下拉菜單202中的絲203A、 203B和203C屬于值button— id 敗義為"3"、 "4"和'5，，的BOG。在例:ftw^201A的情況下，在用于定義^201A的塊bu加nO中，例如 命令被如下寫入將由^^ 201A 1^詢命令navigation_ commandO的部分中。 應(yīng)注意，以下描述的每^"4"是由BD-ROM邏#^^義的命令。EnableBu加n(3);EnableButton (4);EnableBu加n(5);SetButtonPage(1，03，0，0)命令EnableButtonO表示襯中指出的值狄:M 值buttoii—id的^^j: 于啟動狀態(tài)(^f效狀態(tài))。另一方面，為了將^L置于禁ibR態(tài)或無效狀態(tài)， 朋命令DisableButtonO。例如,命令Se迅uttonPageO^^)iHU特定頁以便使由命令EnableButtonO 啟動的^成為可選擇的，命令SetButtonPageO具有5個參數(shù)，它們是button一 flag、 page一flag、 button—id、 page一id和out—effect一off一flag。 button—flag 表示第三個l^t button—id的值被設(shè)置到作為播放器中用于管理再現(xiàn)狀態(tài)的存 儲器的PSR (播放器狀態(tài)寄存器)。參故pag^flag表示^!"在PSR中的頁識 別值page— id是否將改變?yōu)榈谒腲lt page— id。
out— effect_ off— flag表示另一方面，當纟賊下拉菜早202的每個獨203A、 203B和203C妙于回 車狀態(tài)H^y^ft^I命令navigatioi^cominandO^W這些命4^C寫入。在圖24便起見，可以選擇最佳方法并且可以涉及X射線源和工作臺S的移動。但是，當X射線100和阻擋肋材料層150相互相對運動時在X射線100從阻擋肋 材料層150的一側(cè)向?qū)?cè)掃描方面這兩種方法是相同的。曝光于X射線100 的阻擋肋材料層150的部分150a通過聚合反應(yīng)而固化，并且在顯影期間留 下由此形成阻擋肋155。與此相反，未曝光于X射線100的阻擋肋材料層150 的部分未被固化，并且在顯影期間被去除，由此界定放電空間。通常，在圖 案界定中所使用的X射線IOO可以具有0.01至100 A的波長但是不僅局限 于此。出現(xiàn)上述圖案界定之后，進行顯影。在顯影工藝期間，合適的顯影劑(例 如堿溶液)施加于阻擋肋材料層150，從而選擇性地溶解、分散和去除阻擋 肋材料層150未固化的部分。在完成顯影之后，僅留下被X射線100曝光和 固化的阻擋肋材料層150的部分并且形成阻擋肋155,如同在圖3E中所示 出的。如同在圖3A至圖3E中所示出的，由于X射線100的光學特性，具有 預(yù)定寬度Wrib的阻擋肋155可以被形成得對應(yīng)于X射線掩模130的透射區(qū) Wmask。這樣.，本發(fā)明的優(yōu)點是可以獲得具有均勻?qū)挾龋驅(qū)挾炔辉诟叨确?向上變化的精細間距的阻擋肋。圖4是示出使用UV光線構(gòu)圖的阻擋肋的截面圖。參考圖4,阻擋肋材 料層150包括有機材料151和無機微顆粒152。當照射在阻擋肋材料層150 上的UV光線通過阻擋肋材料層150時，其在無機微顆粒152的界面處以寬 角度散射并且隨后擴散到希望的阻擋肋材料層部分之外進入相鄰于希望的 阻擋肋材料層部分的阻擋肋材料層150的部分內(nèi)。曝光于散射光線的阻擋肋 材料層150的部分可能被不希望地固化。即對應(yīng)于掩模的屏蔽區(qū)的阻擋肋材 料層150的部分也曝光于UV光線。因為這個原因，在高度方向上阻擋肋的 寬度W，rib不均勻，而是沿UV光線的光路逐漸增加，即參考圖1，阻擋肋 材料層150固化從而形成具有在從上基板10至下基板20的方向上增加的寬 度的阻擋肋24。另外，由于光線沿光路被散射，所以UV光線的數(shù)量沿UV光線的光路 持續(xù)地降低。結(jié)果，數(shù)量不足的UV光線可以施加到最接近于圖4的基板120 的阻擋肋材料層150的靠近底部的部分內(nèi)。考慮到這樣的問題，當增力口UV 光線的強度時，散射的強度也增加，并且因而對應(yīng)于掩模的屏蔽區(qū)的阻擋肋于具有厚度ho的第一阻擋肋材料層150，上，如同在圖11C中所示出的。因 而，包括第一和第二阻擋肋材料層150，和150，，的阻擋肋材料層150以h (ho+Ah)的厚度在下基板120上形成。此時，阻擋肋材料層150的厚度h對 應(yīng)于階梯阻擋肋之中具有相對較高的高度的第二阻擋肋的高度。形成第二阻 擋肋材料層150"之后，可以干燥阻擋肋材料層150。接著，參考圖IID，提供X射線掩模230，并且置于X射線100的光路 內(nèi)。盡管并非在所有方面都需要，但是X射線掩模230，可以包括透明基板 231，和布置在透明基板231，上的吸收器232，，從而界定X射線掩模230，在 一方向(例如在示出的z軸方向)上的透射區(qū)。X射線掩模230，的透射區(qū)可 以與在第 一 圖案界定工藝中使用的X射線掩模230的透射區(qū)交叉。X射線掩 模230，具有小的面積從而僅覆蓋X射線照射之下的阻擋肋材料層150的部 分或掩模整個X射線照射的光路，由此減小掩模的制造成本。接著，使用X射線掩模230，在阻擋肋材料層150上界定希望的圖案。 支撐阻擋肋材料層150的下基板120布置在沿至少一方向(例如在z軸方向) 上可移動地安裝的工作臺S上，并且X射線槍(未示出)和X射線掩模230， 固定地安裝在下基板120上方并且以預(yù)定距離與下基板120分離。此時，X 射線掩模230，在X射線100的光路上對齊。當其上布置了下基板120的工 作臺S在一方向(例如z軸方向)上工作時，X射線IOO在阻擋肋材料層150 上掃描。當阻擋肋材料層150對于X射線100相對移動時，從固定的X射 線槍發(fā)出的X射線100可以從阻擋肋材料層150的一側(cè)向?qū)?cè)掃描。隨著X 射線IOO被掃描，曝光于X射線100的阻擋肋材料層150的部分150f通過 聚合反應(yīng)而固化。此時，通過第二圖案界定工藝而被曝光和固化的部分150f 可以與通過第一圖案界定工藝而曝光和固化的部分150e重疊。當顯影和燒結(jié)如上所述界定了圖案的阻擋肋材料層150時，阻擋肋材料 層150的無機微顆粒相互熔合從而最終形成階梯的阻擋肋(見圖8的124)。 階梯的阻擋肋包括延伸得相互交叉并且具有不同高度(見圖8的h，o和h，) 的第一阻擋肋(見圖8的124a)和第二阻擋肋(見圖8的124b)，使得第一 阻擋肋和第二阻擋肋相互成垂直的階梯。根據(jù)本發(fā)明的多個方面，可以使用具有預(yù)定光學特性的X射線在阻擋肋 材料層上精確地界定希望的圖案，并且因而可以以高精度實現(xiàn)精細間距和高 分辨率的阻擋肋的構(gòu)圖。此外，在圖案界定中所使用的X射線具有高穿透效率，使得X射線可以固化甚至最接近于基板的阻擋肋材料。因而，為了以高 縱橫比制造阻擋肋，可以以降低的工藝限制將光敏膏制涂覆到希望的厚度。此外根據(jù)本發(fā)明的多個方面，在包含兩種或多種不同成分的阻擋肋材料 內(nèi)X射線示出了相對低的散射特性。因而，當選擇阻擋肋材料時，無需考慮 阻擋肋材料的其它光學特性(例如折射率)，由此與使用特殊阻擋肋材料的 常規(guī)UV光刻相比，降低了制造成本。另夕卜，根據(jù)本發(fā)明的多個方面，當使用X射線掩模進行圖案界定時，根據(jù)x射線照射的面積，可以減小x射線掩模的尺寸，由此降低制造成本和增加價格的竟爭性。具體地，當制造大尺寸(例如大于或等于40英寸)的 等離子體顯示面板時，可以顯著地降低制造成本。盡管示出和描述了本發(fā)明的一些實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理 解，在不偏離本發(fā)明的原理和精神的前提下可以對這些該實施例進行變更， 本發(fā)明的范圍在所附權(quán)利要求及其等同物中界定。本申請要求2006年12月29日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請 第2006-138906號和韓國專利申請第2006-138907號的優(yōu)先權(quán)，其整個內(nèi)容 引用在此處作為參考。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板的下面板的制造方法，所述方法包括在提供的基底基板上形成阻擋肋材料層；通過在所述阻擋肋材料層上掃描X射線而界定阻擋肋圖案；并且顯影所述的具有通過X射線界定的阻擋肋圖案的阻擋肋材料層從而形成阻擋肋。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述阻擋肋材料層包括響應(yīng)X射線而 顯影的材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述阻擋肋材料層包括無機微顆粒和 有機材料，所述無機微顆粒被X射線熔化從而形成阻擋肋，并且至少部分有 機材料可以通過X射線去除。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述阻擋肋材料層的形成還包括在所 述基底基板上涂覆膏體或在所述基底基板上層疊片狀材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括提供基底基板，在所述基底基板上 形成多個電極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，還包括提供基底基板，形成介電層從而覆 蓋所述多個電極，在所述介電層上將形成阻擋肋材料層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在界定所迷阻擋肋圖案之前，干燥 所述阻擋肋材料層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述阻擋肋圖案的界定包括，在所述 X射線的光路內(nèi)放置光掩模，所述光掩模具有屏蔽區(qū)和透射區(qū)，并且將所述 光掩模暴露于X射線，使得所述屏蔽區(qū)將所述阻擋肋材料層與X射線屏蔽， 并且透射區(qū)允許X射線的透射。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述光掩模具有足夠掩蔽所述X射線 的整個光路的小面積，所述小面積比所述阻擋肋材料層小。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中發(fā)出所述X射線的X射線源和所述 光掩模布置在預(yù)定位置，并且當所述基底基板在掃描方向移動時，掃描所述 X射線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述X射線在預(yù)定路徑內(nèi)移動從而界 定所述阻擋肋圖案。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，還包括燒結(jié)所述構(gòu)圖的阻擋肋材料層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述X射線具有0.01至100 A的波長。
14. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述顯影還包括，去除未暴露于所述 掃描X射線的阻擋肋材料層的部分。
15. —種等離子體顯示面板的下面板的制造方法，所述方法包括 在基底基板上形成第 一厚度的第 一阻擋肋材料層； 通過在所述第一阻擋肋材料層上掃描X射線而界定第一阻擋肋圖案； 在所述第 一 阻擋肋材料層上形成第二厚度的第二阻擋肋材料層； 在所述第一和第二阻擋肋材料層上，通過掃描X射線而界定第二阻擋肋圖案；并且顯影具有通過X射線界定的所述第一和第二阻擋肋圖案的第一和第二 阻擋肋材料層從而形成具有不同高度的阻擋肋。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述第一阻擋肋圖案的界定和所述 第二阻擋肋圖案的界定使用不同的光掩模進行。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述第一阻擋肋圖案和第二阻擋肋 圖案以條狀延伸而相互交叉。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述第一阻擋肋材料層的形成還包 括，在所述基底基板上涂覆膏體或在所述基底基板上層疊片狀材料，并且所 述第二阻擋肋材料層的形成還包括在所述第一阻擋肋材料層上涂覆膏體或 在所述第一阻擋肋材料層上層疊片狀材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15的方法，還包括提供所述基底基板，所述基底基 板包括下基板；形成得跨過所迷下基板的尋址電極；和 形成得覆蓋所述下基板和尋址電極的介電層。
20. —種等離子體顯示面板，包括布置得以預(yù)定間距相互面對的上基板和下基板； 布置在所述上和下基板之間從而界定放電單元的阻擋肋；和 在所述上基板上形成從而在放電單元內(nèi)產(chǎn)生放電的掃描和維持電極， 其中下面板至少包括下基板并且所述阻擋肋通過權(quán)利要求1的方法形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種使用X射線制造等離子體顯示面板的下面板的方法，包括制備基底基板；在所述基底基板上形成阻擋肋材料層；通過在所述阻擋肋材料層上掃描X射線而界定阻擋肋圖案；并且顯影所述阻擋肋材料層從而形成阻擋肋。通過使用X射線可以實現(xiàn)高精度的阻擋肋的精細間距圖案。
文檔編號H01J9/02GK101221873SQ20071030520
公開日2008年7月16日 申請日期2007年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者崔鐘書, 崔龜錫, 樸奭熙, 李范旭, 柳承玟, 梁東烈 申請人:三星Sdi株式會社