專利名稱：場發(fā)射電子源及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子源及其制備方法，尤其涉及一種場發(fā)射電子源及其 制備方法。
背景技術(shù)：
場發(fā)射電子源是利用在外場作用下，從固體材料表面逸出的電子來實(shí)現(xiàn) 電子發(fā)射的一種電子源。場發(fā)射電子源在低溫或者室溫下工作，與電真空器 件中的熱發(fā)射電子源相比具有能耗低、響應(yīng)速度快以及低放電等優(yōu)點(diǎn)，因此 用場發(fā)射電子源替代電真空器件中的熱發(fā)射電子源成為了人們研究的一個 熱點(diǎn)。
早期的場發(fā)射電子源以Spindt微尖結(jié)構(gòu)為場發(fā)射陣列。這種基于微納米 加工技術(shù)制造的電子源包括 一絕緣基底； 一形成于該絕緣基底上的陰極電 極； 一形成于該陰極電極上的發(fā)射體微尖陣列； 一形成于該陰極電極上的帶 有開孔的絕緣層； 一設(shè)置在該絕緣層上的柵極，且每一個發(fā)射體微尖與一開 孔對準(zhǔn)。由于采用薄膜光刻工藝，陰極導(dǎo)電層和柵極的間距在微米級或者亞 微米級。這種電子源的主要問題是柵極和陰極電極之間的漏電嚴(yán)重，導(dǎo)致一 般柵極電壓只能加到100V左右，場發(fā)射電流密度小，因此受到限制。
碳納米管(Carbon Nanotube, CNT)是一種新型石友材料，由日本研究人員 Iijima在1991年發(fā)現(xiàn)，請參見"Helical Microtubules of Graphitic Carbon", S. Iijima, Nature, vol.354, p56 (1991)。碳納米管具有極優(yōu)異的導(dǎo)電性能、良好的 化學(xué)穩(wěn)定性和大的長徑比，且其具有幾乎接近理論極限的尖端表面積(尖端 表面積愈小，其局部電場愈集中)，因而碳納米管在場發(fā)射真空電子源領(lǐng)域 -故廣泛應(yīng)用。
現(xiàn)有的碳納米管場發(fā)射電子源的結(jié)構(gòu)包括 一絕緣基底； 一形成于該絕 緣基底上的陰極電極；形成于該陰極電極上的一高度密排的碳納米管場發(fā)射 體陣列； 一設(shè)置于陰極電極上的隔離體； 一設(shè)置在該隔離體頂部的金屬柵網(wǎng)。 其中，該金屬柵網(wǎng)和陰極電極之間的間距在100微米到數(shù)毫米。這種結(jié)構(gòu)的 缺點(diǎn)是發(fā)射體密度過高，電場屏蔽效應(yīng)嚴(yán)重，工作時往往只有少部分發(fā)射體
4發(fā)射電子，所以很難做出高電流密度的電子源。另外，該場發(fā)射電子源的隔 離體的絕緣性設(shè)計(jì)不是最優(yōu)，限制了加在金屬柵網(wǎng)與陰極電極之間的工作電 壓。
有鑒于此，確有必要提供一種金屬柵網(wǎng)與陰極電極之間絕緣設(shè)計(jì)較優(yōu)， 且可以有效防止發(fā)射體陣列密度過高而導(dǎo)致屏蔽效應(yīng)，能夠獲得較大密度的 場發(fā)射電流的場發(fā)射電子源及其制備方法。

發(fā)明內(nèi)容
一種場發(fā)射電子源，其包括 一絕緣基底； 一陰極發(fā)射電極設(shè)置于該絕 緣基底上，且該陰極發(fā)射電極包括一陰極電極和一陰極發(fā)射體設(shè)置于該陰極 電極上； 一隔離體設(shè)置于該絕緣基底上；以及一金屬柵網(wǎng)設(shè)置在該隔離體上， 且該金屬柵網(wǎng)進(jìn)一步延伸到陰極發(fā)射電極上方；其中，該隔離體與陰極電極 間隔設(shè)置。
一種場發(fā)射電子源的制備方法，其具體包括以下步驟提供一絕緣基底； 在上述絕緣基底上制備一陰極發(fā)射電極，且該陰極發(fā)射電極包括一陰極電極 和一陰極發(fā)射體設(shè)置于其上；在絕緣基底上制備一隔離體預(yù)制體，并對該隔 離體預(yù)制體進(jìn)行曝光；在上述隔離體預(yù)制體上制作一金屬柵網(wǎng)；以及除去上 述隔離體預(yù)制體已經(jīng)曝光部分，形成一隔離體與陰極電極間隔設(shè)置，從而得 到一場發(fā)射電子源。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述的場發(fā)射電子源，隔離體與陰極電極間隔設(shè)置。 這種結(jié)構(gòu)有效增加了陰極電極與金屬柵網(wǎng)之間的絕緣距離，解決了陰極電極 和金屬柵網(wǎng)絕緣的問題，可以大幅度提高柵極的電壓，從而獲得較大密度的
場發(fā)射電 流o


圖1為本技術(shù)方案實(shí)施例場發(fā)射電子源的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為沿圖i中線n-n的剖^L圖。
圖3為本技術(shù)方案實(shí)施例場發(fā)射電子源的發(fā)射體微尖的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖4為本技術(shù)方案實(shí)施例場發(fā)射電子源的制備方法流程圖。 圖5為本技術(shù)方案實(shí)施例場發(fā)射電子源的制備過程示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖對本技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請參閱圖1及圖2，本技術(shù)方案實(shí)施例提供一種場發(fā)射電子源100，其包 括 一絕緣基底102， 一陰極發(fā)射電極108設(shè)置于該絕緣基底102上表面，一 隔離體116設(shè)置于該絕緣基底102上表面，以及一金屬柵網(wǎng)120設(shè)置在該隔離 體116上，且該金屬柵網(wǎng)120進(jìn)一步延伸到陰極發(fā)射電極108上方，其中，該 陰極發(fā)射電極108包括一陰極電極110和一陰極發(fā)射體112設(shè)置于該陰極電極 IIO上。
所述的絕緣基底102為一絕緣基板，如SOI(Silicon-On-Insulator，絕緣 襯底上的硅)基底或玻璃基板等。本實(shí)施例中，優(yōu)選SOI基底作為絕緣基底 102。該絕緣基底102包括一硅層104和一二氧化硅絕緣層106設(shè)置于硅層 104的表面。該二氧化硅絕緣層106的厚度為100微米。
所述的陰極電極110由導(dǎo)電材料制成，如金屬薄膜。本實(shí)施例中，該陰 極電極IIO優(yōu)選為一高濃度摻雜的硅導(dǎo)電層形成于緣基底102上。該陰極電 極110的面積小于絕緣基底102的面積。可以理解，陰極電極110的面積可 以根據(jù)場發(fā)射電子源100的大小來確定，且，該陰極電極IIO可以根據(jù)需要 制作成不同的形狀，如圓形、方形、正六邊形或三角形等。該陰極電極IIO 的厚度為10~100微米。
所述的陰極發(fā)射體112為一微尖陣列，包括多個發(fā)射體微尖114設(shè)置于 陰極電極110上，且該多個發(fā)射體微尖114按一定形狀分散排列。該發(fā)射體 孩i尖114可以為三角形、方形、矩形、圓形或其它形狀排列，本實(shí)施例中， 優(yōu)選為密排正六邊形排列。該發(fā)射體微尖114可以是硅尖、鉬尖、鴒尖或其 它材料制備的可以用于場發(fā)射的微尖。該發(fā)射體微尖114形狀不限，可為任 意形狀的微尖，本實(shí)施例中，優(yōu)選為類圓錐形。每個發(fā)射體微尖114的高度 為1~2微米，相鄰的發(fā)射體微尖114的尖端間距為1~2微米。多個發(fā)射體微 尖114平行排列。采用微米尺度分散排列的陰極發(fā)射體112作為場發(fā)射體， 可以減小屏蔽效應(yīng)，提高場發(fā)射電流密度。請參閱圖3,該陰極發(fā)射電極108 進(jìn)一步包括一表面修飾層130,該表面修飾層130覆蓋于發(fā)射體微尖114的 表面，其厚度為1 10納米，優(yōu)選為5納米。該表面修飾層130為碳化鉿、 碳化鋯、碳化鈦或碳化鈮等碳化物薄膜，優(yōu)選的，該表面修飾層130選用碳 化鈦或碳化鋯，其逸出功分別為3.82電子伏特和3.32電子伏特。表面修飾 層130可以減小場發(fā)射電壓，增大場發(fā)射電流密度。
所述的金屬柵網(wǎng)120厚度為1 10孩i米。金屬柵網(wǎng)120包括多個網(wǎng)孔124。金屬柵網(wǎng)120的形狀不限，網(wǎng)孔124形狀不限。本實(shí)施例中，優(yōu)選圓形金屬 柵網(wǎng)120，網(wǎng)孔124為正六邊形。該金屬柵網(wǎng)120為采用微納加工技術(shù)制作 或采用編織技術(shù)制作。該金屬柵網(wǎng)120具有很高的透過率，大約在85%~95% 之間。此處，透過率指金屬柵網(wǎng)120的網(wǎng)孔124與金屬柵網(wǎng)120的面積比。
所述的隔離體116為一環(huán)形結(jié)構(gòu)或"C"型結(jié)構(gòu)，該隔離體116包圍陰極 電極UO，且與陰極電極110間隔設(shè)置于絕緣基底102上。本實(shí)施例中，該隔 離體116為一 "C"型結(jié)構(gòu)，其包括一本體138以及一形成于本體138上的開孔 118與一開口126。該隔離體116的開孔118與陰極發(fā)射電極108對應(yīng)，開孔118 面積大于陰極發(fā)射電極108的面積，使陰極發(fā)射電極108完全露出。該隔離體 116的開口 126可以設(shè)置于隔離體116的側(cè)壁任意位置，開口 126寬度小于5微 米。該隔離體116的開口126用來布置陰極引線128。該隔離體116與陰極電極 110之間的水平距離大于20微米，本實(shí)施例中，隔離體116與陰極電極110的 水平距離優(yōu)選為50 10(M效米。該隔離體116材料為SU-8光刻膠或其它厚膜曝 光膠，其厚度為50 1000微米。進(jìn)一步，該隔離體116本體138的側(cè)壁122為一 凹凸結(jié)構(gòu)122。該凹凸結(jié)構(gòu)122可以為棱錐狀，柱狀或半球狀。該凹凸結(jié)構(gòu)122 可以增加陰極電極110與金屬柵網(wǎng)120之間的絕緣距離。
所述的場發(fā)射電子源100進(jìn)一步包括一陰極引線128，該陰極引線128— 端與陰極電極110電性連接，另一端與外電路連接。本實(shí)施例中，陰極引線 128穿過開口126與外電路連接。該陰極引線128選自高熱導(dǎo)、低電阻材料， 優(yōu)選為金膜?？梢岳斫猓ㄟ^開口126將陰極引線128引出，使陰極引線128 不與隔離體116接觸，可以使隔離體116與陰極電極110之間完全絕緣。
所述的場發(fā)射電子源100進(jìn)一步還包括一設(shè)置于絕緣基底102底部且與 絕緣基底102下表面接觸的散熱片(圖中未顯示)或風(fēng)扇等配套散熱系統(tǒng)。 該散熱系統(tǒng)用來散發(fā)場發(fā)射電子源100工作時產(chǎn)生的熱，降低其工作溫度。
本實(shí)施例中，該隔離體116側(cè)壁122采用凹凸結(jié)構(gòu)122，并使隔離體116與 陰極電極110間隔設(shè)置，該結(jié)構(gòu)可以有效增大陰極電極110與金屬柵網(wǎng)12 0之 間的絕緣距離，解決了陰極電極110和金屬柵網(wǎng)120絕緣的問題，可以大幅度 提高柵極的電壓，從而獲得較大密度的場發(fā)射電流。另外，采用分散排列的 發(fā)射體微尖陣列作為陰極發(fā)射體112 ，這種結(jié)構(gòu)避免了發(fā)射體之間的屏蔽作 用。
請參閱圖4及圖5，本技術(shù)方案實(shí)施例還進(jìn)一步提供場發(fā)射電子源100 的制備方法，其具體包括以下步驟步驟一，提供一絕緣基底102。
該絕緣基底102為一 SOI基底，包括一第一硅層104、 一形成于該第一 硅層104上的二氧化硅絕緣層106，以及設(shè)置于該二氧化硅絕緣層106上的 第二硅層132。其中，二氧化硅絕緣層106厚度為100微米，第二硅層132 的厚度為10-100微米。
步驟二，在上述絕緣基底102上制備一陰極發(fā)射電極108，且該陰極發(fā)射 電極108包括一陰極電極110和一陰極發(fā)射體112設(shè)置于其上。
陰極發(fā)射電極108制備于第二硅層132上，具體包括以下步驟 首先，采用高濃度摻雜的方法，對第二硅層132進(jìn)行部分摻雜。 所述的高濃度摻雜的方法為離子注入法或擴(kuò)散法。摻雜區(qū)域的面積小于 第二硅層132的面積。
其次，刻蝕掉第二硅層132上沒有摻雜的區(qū)域，形成一陰極電極IIO。 刻蝕可以采用反應(yīng)離子刻蝕法、離子賊射刻蝕法、反應(yīng)氣體刻蝕法或其 它刻々蟲方法。
進(jìn)一步，制備上述陰極電極110的方法包括制備一陰極引線128。該陰 極引線128可以采用濺射法、氣相沉積法、蒸鍍法或摻雜工藝制作。本實(shí)施 例中，該陰極引線128選自高熱導(dǎo)、低電阻材料，優(yōu)選為金膜。
再次，在上述陰極電極110上制作陰極發(fā)射體112,得到一陰極發(fā)射電 極108。
制作陰極發(fā)射體112的方法為微納加工技術(shù)。該陰極發(fā)射體112為一密 排正六邊形排列的硅尖陣列。每個硅尖為類圓錐形，硅尖高度為1 2微米， 間距為1 2微米。
進(jìn)一步，本實(shí)施例還可以包括在上述陰極發(fā)射體112表面制備一表面 修飾層130。該表面修飾層130可以采用賊射法、蒸鍍法或化學(xué)氣相沉積法 制備。該表面修飾層130覆蓋于陰極發(fā)射體112表面，厚度為1~10納米， 優(yōu)選為5納米。該表面修飾層130為碳化鉿、碳化鋯、碳化鈦或碳化鈮等碳 化物薄膜，優(yōu)選的，該表面修飾層130選用碳化鈦或碳化鋯，其逸出功分別 為3.82電子伏特和3.32電子伏特。
步驟三，在絕緣基底102上制備一隔離體預(yù)制體136,并對該隔離體預(yù)制 體136進(jìn)行曝光。
所述隔離體預(yù)制體136為一絕緣層，采用厚膜甩膠工藝制作，且該隔離 體預(yù)制體136覆蓋了上述陰極發(fā)射電極108。該隔離體預(yù)制體136的厚度為50~1000微米。該隔離體預(yù)制體136材料通常采用光刻膠，如SU-8光刻膠 或其它厚膜曝光膠。
所述曝光過程采用普通曝光技術(shù)即可實(shí)現(xiàn)。曝光過程主要是對離體預(yù)制 體136與開孔118和開口 126對應(yīng)的地方進(jìn)行曝光，以便于后面步驟中將該 曝光部分去除，得到一開孔118與一開口 126。
步驟四，在上述隔離體預(yù)制體136上制作一金屬柵網(wǎng)120。
制作金屬柵網(wǎng)120具體包括以下步驟
首先，在上述隔離體預(yù)制體136上鍍一金屬薄膜。
所述鍍膜工藝可以采用賊射法、蒸鍍法或化學(xué)氣相沉積法。金屬薄膜的 厚度為1 10微米。
其次，刻蝕上述金屬薄膜得到一金屬柵網(wǎng)120。
刻蝕金屬薄膜采用普通刻蝕技術(shù)。該金屬柵網(wǎng)120采用密排正六邊形排 列，具有4艮高的透過率，大約在85%~95%之間。
步驟五，除去上述隔離體預(yù)制體136已經(jīng)曝光部分，形成一隔離體116與 陰極電極110間隔設(shè)置，從而得到一場發(fā)射電子源IOO。
本實(shí)施例中，所述除去隔離體預(yù)制體136已經(jīng)曝光部分的方法為通過丙 酮浸泡。浸泡過程在常溫下進(jìn)行，浸泡時間為10 30分鐘。除去隔離體預(yù)制 體136已經(jīng)曝光部分后，形成一 "C"型結(jié)構(gòu)的隔離體116 ，其包括一開孔118 與一開口126。其中，開孔118使陰極發(fā)射體112露出，并與金屬柵網(wǎng)120通過 開孔118相對，開口 126使陰極陰線128露出且不與隔離體116接觸。
在曝光過程中，由于光的反射，使得入射光與反射光形成駐波效應(yīng)，于 是在隔離體116側(cè)壁會形成曝光不均勻，這樣在除去隔離體預(yù)制體136已經(jīng) 曝光的部分后就會在隔離體116側(cè)壁上形成一凹凸結(jié)構(gòu)122。該凹凸結(jié)構(gòu)122 可以增加陰極電極110與金屬柵網(wǎng)120之間的絕緣距離。
可以理解，本實(shí)施例中，可以在一絕緣基底102上制備多個場發(fā)射電子 源100，得到一場發(fā)射電子源100陣列。制備上述場發(fā)射電子源100陣列， 進(jìn)一步需要在絕緣基底102底部設(shè)置一散熱片。也可以對該場發(fā)射電子源 100陣列配置一風(fēng)扇或冷卻水系統(tǒng)。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依 據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種場發(fā)射電子源，其包括一絕緣基底；一陰極發(fā)射電極設(shè)置于該絕緣基底上，且該陰極發(fā)射電極包括一陰極電極和一陰極發(fā)射體設(shè)置于該陰極電極上；一隔離體設(shè)置于該絕緣基底上；以及一金屬柵網(wǎng)設(shè)置在該隔離體上，且該金屬柵網(wǎng)延伸到陰極發(fā)射電極上方；其特征在于，該隔離體與陰極電極間隔設(shè)置。
2. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源，其特征在于，所述的隔離體為一 "C" 型結(jié)構(gòu)或環(huán)型結(jié)構(gòu)，且該隔離體包圍陰極電極。
3. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源，其特征在于，所述的隔離體與陰極電 極之間的水平距離大于20微米。
4. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源， 一凹凸結(jié)構(gòu)。
5. 如權(quán)利要求4所述的場發(fā)射電子源， 凸結(jié)構(gòu)為棱錐狀，柱狀或半球狀。
6. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源 50 1000微米。
7. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源， 或厚膜曝光膠。
8. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源， 微尖陣列。
9. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源， 陣列、鉬尖陣列或鴒尖陣列。
10. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源 微尖的尖端間距為1 ~2微米。
11. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源 的高度為1 2微米。
12. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源其特征在于，所述的隔離體的側(cè)壁為 其特征在于，所述的隔離體側(cè)壁的凹其特征在于，所述的隔離體厚度為 其特征在于，所述的隔離體為光刻膠 其特征在于，所述的陰極發(fā)射體為一 其特征在于，所述的微尖陣列為硅尖 其特征在于，所述的微尖陣列中相鄰 其特征在于，所述的微尖陣列中微尖其特征在于，所述的微尖陣列采用方形、三角形、矩形或密排正六邊形排列。
13.如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射電子源，其特征在于，所述的陰極發(fā)射電極進(jìn)一步包括一表面修飾層設(shè)置于其表面，該表面修飾層材料為碳化鉿、碳化 鋯、碳化鈦或碳化鈮。
14. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源，其特征在于，所述的金屬柵網(wǎng)的透過 率為85% 95%。
15. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源，其特征在于，所述的場發(fā)射電子源進(jìn) 一步包括一散熱片設(shè)置于絕緣基底底部。
16. —種如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其具體包括以下步 驟 提供一絕緣基底；在上述絕緣基底上制備一 陰極發(fā)射電極，且該陰極發(fā)射電極包括一 陰極電 極和 一 陰極發(fā)射體設(shè)置于其上；在絕緣基底上制備一隔離體預(yù)制體，并對該隔離體預(yù)制體進(jìn)行曝光； 在上述隔離體預(yù)制體上制作一金屬柵網(wǎng)；以及除去上述隔離體預(yù)制體已經(jīng)曝光部分，形成一隔離體與陰極電極間隔設(shè) 置，從而得到一場發(fā)射電子源。
17. 如權(quán)利要求16所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述絕緣 基底包括一二氧化硅絕緣層以及分別設(shè)置于該二氧化硅絕緣層兩面的第 一硅層與第二硅層。
18. 如權(quán)利要求17所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述陰極 發(fā)射電極的制備方法，具體包括以下步驟采用高濃度摻雜的方法，對第 二硅層進(jìn)行部分摻雜；刻蝕掉第二硅層上沒有摻雜的區(qū)域，形成一陰極電 極；在上述陰極電極上制備陰極發(fā)射體，得到一陰極發(fā)射電極。
19. 如權(quán)利要求18所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述在絕 緣基底上制備一陰極發(fā)射電極進(jìn)一步包括在上述陰極發(fā)射體表面制備一 表面修飾層。
20. 如權(quán)利要求16所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述在絕 緣基底上制備一 隔離體預(yù)制體通過厚膜甩膠工藝實(shí)現(xiàn)。
21. 如權(quán)利要求16所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述在隔 離體預(yù)制體上制作一金屬柵網(wǎng)，具體包括以下步驟在上述隔離體預(yù)制體 上鍍一金屬薄膜；刻蝕上述金屬薄膜得到一金屬柵網(wǎng)。
22. 如權(quán)利要求16所述的場發(fā)射電子源的制備方法，其特征在于，所述除去 隔離體預(yù)制體已經(jīng)曝光部分通過丙酮浸泡實(shí)現(xiàn)。
全文摘要
一種場發(fā)射電子源，其包括一絕緣基底；一陰極發(fā)射電極設(shè)置于該絕緣基底上，且該陰極發(fā)射電極包括一陰極電極和一陰極發(fā)射體設(shè)置于該陰極電極上；一隔離體設(shè)置于該絕緣基底上；以及一金屬柵網(wǎng)設(shè)置在該隔離體上，且該金屬柵網(wǎng)進(jìn)一步延伸到陰極發(fā)射電極上方；其中，該隔離體與陰極電極間隔設(shè)置。一種場發(fā)射電子源的制備方法，其具體包括以下步驟提供一絕緣基底；在上述絕緣基底上制備一陰極發(fā)射電極，且該陰極發(fā)射電極包括一陰極電極和一陰極發(fā)射體設(shè)置于其上；在絕緣基底上制備一隔離體預(yù)制體，并對該隔離體預(yù)制體進(jìn)行曝光；在上述隔離體預(yù)制體上制作一金屬柵網(wǎng)；以及除去上述隔離體預(yù)制體已經(jīng)曝光部分，形成一隔離體與陰極電極間隔設(shè)置，從而得到一場發(fā)射電子源。
文檔編號H01J1/304GK101452797SQ20071012482
公開日2009年6月10日 申請日期2007年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月5日
發(fā)明者亮 劉, 力 潛, 范守善 申請人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司