專利名稱：場發(fā)射像素管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射裝置，尤其涉及一種場發(fā)射像素管。
背景技術(shù)：
碳納米管(Carbon Nanotube, CNT)是一種新型碳材料，由日本研究人員 Iijima在1991年發(fā)現(xiàn)，請參見"Helical Microtubules of Graphitic Carbon", S. Iijima， Nature, vol.354, p56 (1991)。碳納米管具有極大的長徑比(其長度在微 米量級以上，直徑只有幾個納米或幾十個納米)，具有良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能， 并且還有很好的機(jī)械強(qiáng)度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，這些特性使得碳納米管成為 一種優(yōu)良的場發(fā)射材料。因此，碳納米管在場發(fā)射裝置中的應(yīng)用成為目前納 米科技領(lǐng)域的 一個研究熱點(diǎn)。
碳納米管長線是由超順排碳納米管陣列制備出來的線狀碳納米管材料。 首先，從超順排碳納米管陣列抽出碳納米管薄膜，再經(jīng)有機(jī)溶液收縮成纖維 狀或用旋轉(zhuǎn)的方法擰成繩狀。這種線狀碳納米管材料具有宏觀的尺度，對其 進(jìn)行一些操作極為方便。這種碳納米管長線的端面具有很好的場發(fā)射能力， 是一種良好的場發(fā)射電子源。
場發(fā)射像素管是碳納米管場發(fā)射電子源的 一個重要應(yīng)用領(lǐng)域。傳統(tǒng)的場 發(fā)射像素管包括一個中空殼體，該殼體具有一個出光部，該出光部的內(nèi)壁依 次涂覆有熒光粉層和陽極層，該殼體內(nèi)部與該出光部相對處有一 陰極發(fā)射 體，該陰極發(fā)射體包括一碳納米管長線作為場發(fā)射電子源。當(dāng)該場發(fā)射像素 管工作時，在陽極層和陰極之間加上電壓形成電場，通過電場作用使陰極發(fā) 射體尖端發(fā)射出電子，電子穿透陽極層轟擊熒光粉層，發(fā)出可見光。這種傳 統(tǒng)的場發(fā)射像素管，由于采用在殼體出光部內(nèi)壁涂覆形成熒光層和陽極，受 制備工藝限制， 一般具有較大的體積。
傳統(tǒng)的具有碳納米管陰極發(fā)射體的像素管在用作大型戶外顯示器時，由 于像素管體積較大，則組裝成大型戶外顯示器后，分辨率較低。而且，每個 像素管需要一個獨(dú)立的真空管，且僅為一個顯示像素單元， 一個個獨(dú)立的真空管的制造和封裝是一個耗時又耗成本的過程，因此會提高該像素管的應(yīng)用 成本。另外，傳統(tǒng)的具有碳納米管陰極發(fā)射體的像素管，由于制造過程中陰 極與陽極需要準(zhǔn)確對準(zhǔn)，制造工藝難度大，良品率低。
有鑒于此，確有必要提供一種體積較大，成本低廉，且，更易于制造和 應(yīng)用的場發(fā)射像素管。

發(fā)明內(nèi)容
一種場發(fā)射像素管，其包括一殼體及多個顯示像素單元間隔設(shè)置于該殼 體內(nèi)，其中，每個顯示像素單元包括一陰極，至少一陽極，以及至少一熒光
粉層，該陰極包括至少一個陰極發(fā)射體，該陰極發(fā)射體與陽極對應(yīng)設(shè)置，該 熒光粉層設(shè)置于陽極上。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述的場發(fā)射像素管具有以下優(yōu)點(diǎn)第一，該場發(fā)射
像素管包括多個顯示像素單元，且每個顯示像素單元體積很小，所以組裝成 大型戶外顯示器后，分辨率較高。第二，該場發(fā)射像素管中，多個顯示像素 單元置于一個殼體內(nèi)，且每個顯示像素單元中陰極與陽極無需精確對準(zhǔn)，可 以簡化制備工藝，降低制備成本，易于實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)使用。


圖1是本技術(shù)方案第一實施例的場發(fā)射像素管的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本技術(shù)方案第 一實施例采用碳納米管長線作為陰極發(fā)射體的電子
發(fā)射端》文大示意圖。
圖3是本技術(shù)方案第 一 實施例采用碳納米管長線作為陰極發(fā)射體的電子 發(fā)射端的掃描電鏡照片。
圖4是本技術(shù)方案第 一實施例采用碳納米管長線作為陰極發(fā)射體的場發(fā) 射尖端的透射電鏡照片。
圖5至圖8是本技術(shù)方案第一實施例的陰極發(fā)射體與陽極的位置關(guān)系示 意圖。
圖9是本技術(shù)方案第 一實施例的場發(fā)射像素管的制備方法的流程示意
圖"
圖10是本技術(shù)方案第二實施例的場發(fā)射像素管的結(jié)構(gòu)示意圖的俯視圖。
具體實施例方式
以下將結(jié)合附圖對本技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請參閱圖l，本技術(shù)方案第一實施例提供一種場發(fā)射像素管100，包括一
殼體136以及設(shè)置于該殼體136內(nèi)的多個顯示像素單元102,所述的多個顯示像 素單元102間隔一定距離設(shè)置，且按照預(yù)定規(guī)律排列。每個顯示像素單元102 包括一陰極112、 一陽極106、 一陰極引線124、 一陽極引線122和一熒光粉層 110。每個陰極112分別與一陽極106對應(yīng)且間隔設(shè)置。該陰極112包括一陰極 支撐體114與一陰極發(fā)射體116,該陰極支撐體114的一端與陰極發(fā)射體116— 端電性連接，陰極支撐體114的另一端通過一陰極引線124電性連接到殼體136 外。該陰極發(fā)射體116與陽極106對應(yīng)設(shè)置。該陽極106包括一端面108,該熒 光粉層110至少設(shè)置在該陽極106的端面108上。該陽極106遠(yuǎn)離端面108的另一 端通過一陽極引線122電性連接到殼體136外。
所述殼體136為一真空密封的結(jié)構(gòu)。該殼體136正對陽極106的端面 108的部分為一出光部104。該殼體136的材料為一透明材料，如石英石 或玻璃。本實施例中，該殼體136為一中空玻璃圓柱體，且該圓柱體直徑為 2毫米至10毫米，長度為5毫米至100厘米?？梢岳斫獾氖牵摎んw136 還可以是中空的立方體、長方體、三棱柱、其它多邊形棱柱或V型、S型、 W型、Z型或其它形狀的透明管，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況進(jìn)行選 擇。
所述顯示像素單元102在殼體136中可以有不同的排列方式，如線性排 列或按一定的陣列排列，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況進(jìn)行設(shè)置。本實 施例中，顯示像素單元102為線性等距離排列在殼體136中?？梢岳斫?，當(dāng) 用該場發(fā)射像素管IOO組裝大屏幕顯示器時，多個顯示像素單元102之間的 行距與列距要保持相等。
所述陰極支撐體114為一導(dǎo)電體，如:金屬絲或金屬桿。該陰極支撐體 114形狀不限，且能夠?qū)岵⒕哂幸欢◤?qiáng)度。本實施例中該陰極支撐體114 優(yōu)選為鎳絲。
所述的陰極發(fā)射體116可以選自碳納米管長線、單根碳納米管、單根納 米碳纖維或其它場發(fā)射電子源。本實施例中，陰極發(fā)射體116優(yōu)選為一碳納 米管長線。該碳納米管長線的長度為0.1毫米至10毫米，直徑為1微米至100微米。該碳納米管長線是由多個平行的首尾相連的碳納米管束組成的束
狀結(jié)構(gòu)或由多個首尾相連的碳納米管束組成的絞線結(jié)構(gòu)，該相鄰的碳納米管 束之間通過范德華力緊密結(jié)合，該碳納米管束中包括多個定向排列的碳納米 管。該碳納米管長線中的碳納米管為單壁、雙壁或多壁碳納米管。該碳納米
管的長度范圍為10 100微米，且碳納米管尖端的直徑小于5納米。當(dāng)采用 該碳納米管長線作為陰極發(fā)射體116時，碳納米管長線一端與陰極支撐體 114電性連接，碳納米管長線遠(yuǎn)離陰極支撐體114的另一端作為陰極發(fā)射體 116的電子發(fā)射端120。該碳納米管長線一端與陰極支撐體114的電性連接 方式可以為通過一導(dǎo)電膠電性連接，也可以通過分子間力或者其他方式實 現(xiàn)。請參見圖2,采用碳納米管長線作為陰極發(fā)射體116時，陰極發(fā)射體116 的電子發(fā)射端120可以是平整的端面或包括多個突出的場發(fā)射尖端300。當(dāng) 陰極發(fā)射體116的電子發(fā)射端120可以包括多個突出的場發(fā)射尖端300時， 場發(fā)射尖端300的頂端突出有一根碳納米管302。該碳納米管302與其他遠(yuǎn) 離該場發(fā)射尖端300的頂端的碳納米管緊密結(jié)合，使得該場發(fā)射尖端300的 頂端的碳納米管在場發(fā)射過程中產(chǎn)生的熱量可以很有效地被傳導(dǎo)出去，并且 可以承受較強(qiáng)的電場力。請參閱圖3及圖4，其分別為采用碳納米管長線作 為陰極發(fā)射體116時，陰極發(fā)射體116的電子發(fā)射端120的掃描電鏡照片和 電子發(fā)射端120的場發(fā)射尖端300的透射電鏡照片。可以理解，本實施例采 用碳納米管長線作為陰極發(fā)射體116，且該碳納米管長線包括多個突出的場 發(fā)射尖端300，可以有效降低該陰極發(fā)射體116的電場屏蔽效應(yīng)，獲得具有 較大密度的場發(fā)射電流。
所述的陽極106為一導(dǎo)電體，如金屬桿。該陽極106形狀不限，且能 夠?qū)岵⒕哂幸欢◤?qiáng)度。本實施例中，陽極106優(yōu)選為銅金屬桿。該銅金屬 桿直徑為IOO微米至I厘米?？梢岳斫?，該銅金屬桿直徑可以根據(jù)實際需要 選擇。所述的端面108位于陽才及106的一端，且與出光部104對應(yīng)設(shè)置，乂人 而^^電子發(fā)射端120靠近端面108i殳置。該端面108為一拋光面，可以為平 面、半3求面、J求面、錐面、凹面或其它形狀端面。該拋光的端面108可以反 射熒光粉層IIO發(fā)出的光。
所述的熒光粉層IIO設(shè)置在陽極106表面，優(yōu)選為設(shè)置于陽極106的端 面108上。該萸光粉層110的材料可以為白色焚光粉，也可以為單色熒光粉，例如紅色，綠色，藍(lán)色熒光粉等，當(dāng)電子轟擊熒光粉層110時可發(fā)出白光或
其它顏色可見光。該熒光粉層110可以釆用沉積法或涂敷法設(shè)置在陽極106 的一端的端面108上。該焚光粉層110厚度為5至50微米。不同陽極106 的端面108可以設(shè)置相同或不同顏色的熒光粉層110?？梢岳斫猓摕晒夥?層110還可以設(shè)置在整個陽極106上，但需要確保端面108上有熒光粉層 110。
所述的陰極發(fā)射體116—端與陰極支撐體114電性連接，遠(yuǎn)離陰極支撐 體114的另一端，即電子發(fā)射端120,靠近陽才及106的端面108,且與陽核^ 的106端面108間隔設(shè)置。請參見圖5至圖8，可以使電子發(fā)射端120與陽 極106的端面108正對設(shè)置；可以使石友納米管長線與金屬桿軸向成一銳角， 使電子發(fā)射端120與陽極106的端面108斜對設(shè)置；可以使碳納米管長線與 金屬桿軸向互相垂直或平行，使電子發(fā)射端120設(shè)置在陽極106的端面108 附近?？傊?，電子發(fā)射端120與陽極106的端面108設(shè)置的位置不限，只需 使電子發(fā)射端120與端面108的距離小于5毫米即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以 依據(jù)實際情況設(shè)置。
另外，該場發(fā)射像素管IOO進(jìn)一步包括一位于殼體136內(nèi)的吸氣劑118, 用于吸附場發(fā)射像素管內(nèi)的殘余氣體，維持場發(fā)射像素管內(nèi)部的真空度。該 吸氣劑118可以為蒸散型吸氣劑金屬薄膜，在殼體136封接后通過高頻加熱 蒸鍍的方式形成于殼體136的內(nèi)壁上。該吸氣劑118也可以為非蒸散型吸氣 劑，設(shè)置在陰極支撐體114上。所述的非蒸散型吸氣劑118的材料主要包括 鈦、鋯、鉿、釷、稀土金屬及其合金。
當(dāng)該場發(fā)射像素管1 OO工作時，在 一 陽極106和 一 陰極114之間加上電壓形
發(fā)射的電子到達(dá)陽極106,轟擊陽極106表面的熒光粉層110，發(fā)出可見光。其 中， 一部分可見光直接透過殼體136—端的出光部104射出，另一部分可見光 則經(jīng)過陽極106端面108反射后，透過殼體136—側(cè)的出光部104射出。
所述場發(fā)射像素管100包括多個顯示像素單元102，而且，每個顯示像素 單元102體積較小，可以方便的用來組裝大型戶外顯示器，且組裝的大型戶外 顯示器分辨率較高。另外，該場發(fā)射像素管100中，多個顯示像素單元102置 于一個殼體136內(nèi)，且每個顯示^f象素單元102中陰極114與陽極106無需精確對準(zhǔn)，可以簡化制備工藝，降低制備成本。
請參閱圖9，本技術(shù)方案第一實施例還進(jìn)一步提供場發(fā)射像素管100的
制備方法，具體包括以下步驟
步驟一，提供一玻璃芯柱，該玻璃芯柱包括兩個金屬絲分別作為陰極引 線124與陽極引線122。
所述的玻璃芯柱進(jìn)一步包括一玻璃將上述兩個金屬絲固定并隔開，形成 H形狀玻璃芯柱。該金屬絲為可以實現(xiàn)和玻璃熔封的材料，通常為杜美絲、 鴒絲、鉬絲等。
步驟二，提供一金屬桿作為陽極106，并將該陽極106與上述陽極引線122 一端電性連接。
將作為陽極106的金屬桿的一端通過點(diǎn)焊技術(shù)與陽極引線122 —端電性 連接。本技術(shù)方案實施例中，該金屬桿優(yōu)選為銅金屬桿，直徑為IOO微米至 1厘米。將金屬桿的另一端端面108拋光，該拋光端面108可以為平面、半 J求面、J求面、《,面、凹面或其它形纟犬端面。
步驟三，提供一熒光粉，并將該熒光粉設(shè)置于上述陽極106—端的端面108 上，形成一熒光粉層IIO。
將上述熒光粉采用涂敷或沉積的方法設(shè)置于陽極106拋光的端面108。 該焚光粉可以為白色焚光粉，也可以為單色熒光粉，例如紅色，綠色，藍(lán)色 熒光粉等。
步驟四，提供一金屬絲作為陰極支撐體114,并將該陰極支撐體114與上 述陰極引線124—端電性連接。
將陰極支撐體114與陰極引線124—端電性連接的方法為點(diǎn)焊法。本技術(shù) 方案實施例中，陰極支撐體114優(yōu)選為鎳絲。
步驟五，提供一陰極發(fā)射體116,并將該陰極發(fā)射體116與陰極支撐體114 遠(yuǎn)離陰極引線124的一端電性連接，形成一顯示像素單元102。
陰極發(fā)射體116為碳納米管長線，單根碳納米管，單根納米碳纖維或其 它場發(fā)射電子源。本實施例中，陰極發(fā)射體116優(yōu)選為碳納米管長線。其中， 該碳納米管長線的長度為0.1毫米至IO毫米，直徑為l微米至100微米。碳 納米管長線一端通過導(dǎo)電膠與陰極支撐體114一端電性連接，另一端作為電 子發(fā)射端120。該電子發(fā)射端120可以是一平整的端面或包括多個突出的場發(fā)射尖端300。當(dāng)使用碳納米管長線作為陰極發(fā)射體116時，制備該陰極發(fā) 射體116具體包括以下步驟
首先，提供一超順排碳納米管陣列形成于一硅基板上。 其次，從上述超順排碳納米管陣列中抽出 一碳納米管薄膜或一碳納米管 絲，通過使用有機(jī)溶劑或者施加機(jī)械外力處理該碳納米管薄膜或者碳納米管 絲得到一碳納米管長線。
從超順排碳納米管陣列中抽出 一束碳納米管時，相鄰的碳納米管由于范 德華力的作用而相互連接在一起而形成一碳納米管薄膜或一碳納米管絲。本 實施例中，也可以采用扭轉(zhuǎn)紡紗技術(shù)制備一碳納米管長線。
最后，使上述碳納米管長線斷裂，從而得到一陰極發(fā)射體116。 上述使碳納米管長線斷裂的方法為機(jī)械切割法或激光燒灼熔斷法。碳納 米管長線斷裂后，在斷點(diǎn)形成兩個電子發(fā)射端120。其中，采用機(jī)械切割法 得到的電子發(fā)射端120為一平整的端面。采用激光燒灼熔斷法得到的電子發(fā) 射端120包括多個突出的場發(fā)射尖端300，且每個場發(fā)射尖端300的頂端突
出有一根碳納米管302。
步驟六，提供一玻璃管作為殼體136，將多個上述顯示像素單元102封裝 在玻璃管內(nèi)，得到一場發(fā)射像素管IOO。
玻璃管為一端開口，另一端封口的玻璃管。封裝具體包括以下步驟
首先，將多個上述顯示像素單元102通過管壁裝入該玻璃管內(nèi)，并對開口 進(jìn)行密封，密封時在密封處留一排氣孔。
將顯示像素單元102通過管壁裝入該玻璃管內(nèi)時，使陰極引線124與陽極 引線122固定在玻璃管管壁上，玻璃芯柱的玻璃則位于玻璃管內(nèi)以保證陰極 112與陽極106位于同一平面內(nèi)。封裝后的顯示像素單元102按玻璃管長度方向 線性等距離排列?？梢岳斫?，也可以將多個顯示像素單元102按照預(yù)定陣列排 列封裝于一殼體136內(nèi)，得到一場發(fā)射像素管IOO，如顯示像素單元102可以5 x 5排列。
其次，將該排氣孔外接真空泵，用以將殼體136抽真空，使殼體136內(nèi) 達(dá)到一定的真空度。
最后，密封排氣孔，得到所述場發(fā)射像素管100。
可以理解，在封裝上述場發(fā)射像素管100前，進(jìn)一步還可以在場發(fā)射像素管100內(nèi)設(shè)置一吸氣劑118，該吸氣劑118設(shè)置于殼體136內(nèi)壁。
屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
本實施例中，將多個顯示像素單元102封裝在一個殼體136中，簡化了制 備工藝，降低了制備成本。另外，采用機(jī)械切割法或激光燒灼熔斷法制備碳 納米管長線作為陰極發(fā)射體116,制備方法簡單，且陰極發(fā)射體116的電子發(fā) 射端120中包括多個場發(fā)射尖端300，可以有效降低該陰極發(fā)射體116的電場屏 蔽效應(yīng)。
請參閱圖10，本技術(shù)方案第二實施例提供一種具有RGB三原色的場發(fā)射 像素管200,該場發(fā)射像素管200的結(jié)構(gòu)與本技術(shù)方案第一實施例提供的場發(fā) 射像素管100的結(jié)構(gòu)基本相同，包括一殼體204及設(shè)置于該殼體204內(nèi)的多個像 素單元202,所述的多個顯示像素單元202間隔設(shè)置，且按照預(yù)定規(guī)律排列。 其區(qū)別在于，每個顯示^f象素單元202包括一個陰極212，三個陽極206以及分別 設(shè)置于該三個陽極206端面的熒光粉層210。每個陰極212包括一個陰極支撐體 214和三個陰極發(fā)射體216,且每個陰極發(fā)射體216與一陽極206對應(yīng)設(shè)置。三 個陰極發(fā)射體216的一端與陰極支撐體214—端電性連接。三個陰極發(fā)射體216 成一夾角設(shè)置，優(yōu)選為成120度夾角設(shè)置。三個陽極206呈三角形設(shè)置，優(yōu)選 為呈等邊三角形設(shè)置，陰極212設(shè)置于三角形中間。三個陽極端面上分別設(shè)置 有紅色熒光粉層210、綠色熒光粉層210和藍(lán)色熒光粉層210。本技術(shù)領(lǐng)域人員 可以理解，三個陽4及206端面上可以設(shè)置相同或不同顏色的熒光粉層210。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依 據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種場發(fā)射像素管，其包括一殼體及多個顯示像素單元間隔設(shè)置于該殼體內(nèi)，其特征在于，每個顯示像素單元包括一陰極，至少一陽極，以及至少一熒光粉層，該陰極包括至少一個陰極發(fā)射體，該陰極發(fā)射體與陽極對應(yīng)設(shè)置，該熒光粉層設(shè)置于陽極上。
2. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的場發(fā)射像素管中，多個顯示像素單元線性排列或按一定的陣列排列。
3. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的場發(fā)射像素管中， 陽極與陰極發(fā)射體數(shù)量相同，且，每個陰極發(fā)射體與一陽極對應(yīng)設(shè)置。
4. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的熒光粉層為白色 熒光粉層、紅色熒光粉層、綠色熒光粉層或藍(lán)色熒光粉層。
5. 如權(quán)利要求4所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的場發(fā)射像素管中， 每個顯示像素單元包括三個陽極，且，三個陽極上分別設(shè)置有紅色熒光粉 層、綠色熒光粉層和藍(lán)色熒光粉層。
6. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的陽極為一金屬桿。
7. 如權(quán)利要求6所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的金屬桿的直徑為 100微米至1厘米。
8. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的陽極一端設(shè)置有 一端面，且焚光粉層設(shè)置于該陽極端面上。
9. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的端面為拋光的平 面、半5求面、3求面、4,面或凹面。
10. 如權(quán)利要求8所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的陰極發(fā)射體包括 一電子發(fā)射端，該電子發(fā)射端為陰極發(fā)射體遠(yuǎn)離陰極支撐體的一端。
11. 如權(quán)利要求10所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的電子發(fā)射端正 對陽極端面設(shè)置、斜對陽極端面設(shè)置或設(shè)置在陽極端面附近。
12. 如權(quán)利要求ll所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的電子發(fā)射端與 陽極端面的距離小于5毫米。
13. 如權(quán)利要求10所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的電子發(fā)射端包 括多個突出的場發(fā)射尖端。
14. 如權(quán)利要求13所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的場發(fā)射尖端的 頂端突出有一根碳納米管。
15. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的陰極發(fā)射體為一碳納米管長線、單根碳納米管或單根納米碳纖維。
16. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的殼體為一中空透 明的圓柱體、立方體或三棱柱。
17. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的殼體為一中空透 明的V形管、Z形管、W形管或S形管。
18. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射像素管，其特征在于，所述的場發(fā)射像素管進(jìn) 一步包括一吸氣劑位于殼體內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射像素管，其包括一殼體及多個顯示像素單元間隔設(shè)置于該殼體內(nèi)，其中，每個顯示像素單元包括一陰極，至少一陽極，以及至少一熒光粉層，該陰極包括至少一個陰極發(fā)射體，該陰極發(fā)射體與陽極對應(yīng)設(shè)置，該熒光粉層設(shè)置于陽極上。
文檔編號H01J63/06GK101441972SQ20071012477
公開日2009年5月27日 申請日期2007年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月23日
發(fā)明者亮 劉, 范守善, 洋 魏 申請人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司