專利名稱：磁控管的扼流圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁控管，特別是高頻加熱裝置中磁控管的扼流圏。
背景技術(shù)：
磁控管是一種重入式諧振型正交場(chǎng)振蕩器，是微波技術(shù)中的一種髙功率 源，其主要由諧振系統(tǒng)、陰極組件及能量輸出裝置等部件組成，由通電的釷 鎢陰極達(dá)到一定溫度后開始發(fā)射電子，發(fā)射電子在正交的直流電磁場(chǎng)中產(chǎn)生 高速旋轉(zhuǎn)電子云(即高頻場(chǎng))，當(dāng)電子云的旋轉(zhuǎn)與諧振腔達(dá)到同步時(shí)，電子 云就將能量轉(zhuǎn)交給諧振系統(tǒng)，產(chǎn)生微波，然后微波由能量輸出系統(tǒng)輸出到所 用部件如微波爐的波導(dǎo)中。
諧振系統(tǒng)是由10個(gè)均勻的小諧振腔構(gòu)成，但是由于工藝等因素，每個(gè) 小諧振腔總會(huì)存在一些差異，所以諧振系統(tǒng)除了產(chǎn)生2450MHZ的基波外， 還會(huì)產(chǎn)生一些其他的雜波如其他頻率的空間諧波和髙次諧波，電磁干擾按其 能量傳播的方式可分為輻射干擾和傳導(dǎo)干擾兩種。為了抑制0 18GHZ的雜 波，對(duì)于輻射干擾，釆用屏蔽技術(shù)來消除效果最好；而對(duì)于傳導(dǎo)干擾，釆用 磁性濾波電路件來消除、抑制則是最有效和最經(jīng)濟(jì)的方法.因此，制造商在 陰極端子上增加了一個(gè)由帶長(zhǎng)磁芯扼流圏和穿芯電容組成的濾波電路，如圖 l所示。前期釆用單段磁芯單段扼流團(tuán)、單段磁芯多段扼流圏及多段磁芯多 段扼流圏來抑制雜波。
中國專利文獻(xiàn)號(hào)CN1577700A中公開了一種磁控管，包括扼流圏，該 扼流圏被連接在陰極端子與電容器之間，并且與電容器協(xié)同工作來形成LC 濾波電路，該扼流圏包括有串聯(lián)的第一和第二鐵芯式電感器以及空心式電感 器，第一和第二鐵芯式電感器分別在其繞組內(nèi)具有棒狀高頻吸收元件，空心 式電感器不帶有髙頻吸收元件，并且被連接在陰極端子上，在第一和第二鐵 芯式電感器中的髙頻吸收元件之間存在有一個(gè)寬度為1至6毫米的間隙，并 且一種絕緣材料被置于該間隙內(nèi)。但經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，這種磁控管的扼流圏結(jié)構(gòu) 在0 1GHZ頻段內(nèi)的雜波吸收效果還不是太理想，直接影響到相關(guān)頻段的 EMC測(cè)試
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、性能可靠、
LC回路能有效吸收0 1GHZ頻段內(nèi)的雜波、以解決該頻段內(nèi)EMC問題的 磁控管的扼流圈，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題釆用的技術(shù)方案是 一種磁控管的扼流圏，扼 流圏連接在穿芯電容端子和陰極端子之間，其結(jié)構(gòu)特征是扼流圈包括依次串 接的第一磁芯電感器、第二磁芯電感器和第三磁芯電感器，第一磁芯設(shè)置在 第一磁芯電感器的密集型繞線內(nèi)，第二磁芯穿套在第二磁芯電感器的密集型 繞線和第三磁芯電感器的密集型繞線內(nèi)，第一磁芯和第二磁芯之間設(shè)置有間 隙D1。
上述的第一磁芯電感器和第二磁芯電感器通過第一空心電感器的疏散 型繞線相接。第二磁芯電感器和第三磁芯電感器通過第四磁芯電感器的疏散 型繞線相接。
本發(fā)明中的扼流圏由多段組合而成，故能產(chǎn)生多個(gè)LC回路，即形成多 個(gè)濾波電路，能有效吸收磁控管的扼流圏電路中較低頻段的雜波，延長(zhǎng)磁芯 的長(zhǎng)度以利于更好的吸收0 1GHZ頻段內(nèi)的雜波,并可有效改善磁控管的扼 流圈0 1GHZ頻段的EMC問題，該扼流圏具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能可靠、易于 實(shí)施的特點(diǎn)。


圖1為本發(fā)明一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為扼流圏的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
參見圖1-圖2，本磁控管的扼流圏，包括依次串接的第一磁芯電感器 12、第二磁芯電感器14和第三磁芯電感器16，第一磁芯ll設(shè)置在第一磁芯 電感器的密集型繞線內(nèi)，第二磁芯17穿套在第二磁芯電感器的密集型繞線 和第三磁芯電感器的密集型繞線內(nèi)，第一磁芯和第二磁芯之間設(shè)置有間隙 Dl ， Dl=3—mm。第一磁芯電感器12和第二磁芯電感器14通過第一空心 電感器13的疏散型繞線相接.第二磁芯電感器14和第三磁芯電感器16通 過第四磁芯電感器15的疏散型繞線相接。其中，第四磁芯電感器15的疏散 型繞線長(zhǎng)度d2為2 3mm，第一磁芯電感器12的密集型繞線長(zhǎng)度Ll為 9~12mm，第一空心電感器13的疏散型繞線長(zhǎng)度dl為3^5 mm，第二磁芯 電感器14的密集型繞線長(zhǎng)度L2為6~8mm，第三磁芯電感器16的密集型繞 線長(zhǎng)度L3為5~8mm，第一磁芯11的長(zhǎng)度Cl為9 12 mm,第二磁芯17的長(zhǎng)度C2為17 23 mm.
權(quán)利要求
1. 一種磁控管的扼流圈，扼流圈連接在穿芯電容端子和陰極端子之間，其特征是扼流圈包括依次串接的第一磁芯電感器(12)、第二磁芯電感器(14)和第三磁芯電感器(16)，第一磁芯(11)設(shè)置在第一磁芯電感器的密集型繞線內(nèi)，第二磁芯(17)穿套在第二磁芯電感器的密集型繞線和第三磁芯電感器的密集型繞線內(nèi)，第一磁芯和第二磁芯之間設(shè)置有間隙D1。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁控管的扼流圏，其特征是所述的第一磁芯電感 器(12)和第二磁芯電感器(14)通過第一空心電感器(13)的疏散型繞線 相接，第二磁芯電感器(14)和第三磁芯電感器(16)通過第四磁芯電感器(15)的疏散型繞線相接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管的扼流圏，其特征是所述的第一磁芯和第 二磁芯之間設(shè)置有間隙Dl為3~6mm.
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管的扼流圏，其特征是所述的第四磁芯電感 器(1S)的疏散型繞線長(zhǎng)度d2為2~3mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁控管的扼流圏，其特征是所述的第一磁芯 電感器(12)的密集型繞線長(zhǎng)度Ll為9 12mm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁控管的扼流圏，其特征是所述的第一空心 電感器(13 )的疏散型繞線長(zhǎng)度dl為3巧mm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁控管的扼流團(tuán)，其特征是所述的第二磁芯 電感器(14)的密集型繞線長(zhǎng)度L2為6 8mm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁控管的扼流團(tuán)，其特征是所述的第三磁芯 電感器(16)的密集型繞線長(zhǎng)度L3為5 8mm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管的扼流團(tuán)，其特征是所述的第一磁芯(ll) 的長(zhǎng)度Cl為9~12 mm。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁控管的扼流圈，其特征是所述的第二磁芯 (17)的長(zhǎng)度C2為17~23 mm。
全文摘要
一種磁控管的扼流圈，扼流圈連接在穿芯電容端子和陰極端子之間，扼流圈包括依次串接的第一磁芯電感器、第二磁芯電感器和第三磁芯電感器，第一磁芯設(shè)置在第一磁芯電感器的密集型繞線內(nèi)，第二磁芯穿套在第二磁芯電感器的密集型繞線和第三磁芯電感器的密集型繞線內(nèi)，第一磁芯和第二磁芯之間設(shè)置有間隙D1。第一磁芯電感器和第二磁芯電感器通過第一空心電感器的疏散型繞線相接。第二磁芯電感器和第三磁芯電感器通過第四磁芯電感器的疏散型繞線相接。本發(fā)明中的扼流圈由多段組合而成，故能形成多個(gè)濾波電路，能有效吸收磁控管的扼流圈電路中較低頻段的雜波，延長(zhǎng)磁芯的長(zhǎng)度以利于更好的吸收0～1GHZ頻段內(nèi)的雜波。
文檔編號(hào)H01J23/54GK101452802SQ20071003200
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月5日
發(fā)明者陳錦聰 申請(qǐng)人:廣東格蘭仕集團(tuán)有限公司