專利名稱：電子發(fā)射顯示器的分隔件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射顯示器，更具體地講，涉及一種安裝在電子發(fā)射顯示器的真空容器內(nèi)的分隔件(spacer)。
背景技術(shù)：
通常，根據(jù)電子源的種類，電子發(fā)射裝置分為熱陰極型和冷陰極型。
在冷陰極型中存在場(chǎng)發(fā)射陣列(FEA)型、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射(SCE)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型。
電子發(fā)射元件的陣列典型地布置在第一基底上以形成電子發(fā)射單元，發(fā)光單元形成在第二基底的面向第一基底并具有熒光體層和陽極電極的表面上，從而構(gòu)成電子發(fā)射顯示器。
電子發(fā)射單元具有電子發(fā)射區(qū)和具有掃描電極和數(shù)據(jù)電極的驅(qū)動(dòng)電極，以在各個(gè)像素向第二基底發(fā)射預(yù)定量的電子。發(fā)光單元用電子發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子來激發(fā)熒光層，以發(fā)射可見光線，從而顯示期望的圖像。
第一基底和第二基底利用密封構(gòu)件在它們的外圍彼此密封，第一基底和第二基底之間的內(nèi)部空間被抽真空至大約10-6托，從而與密封構(gòu)件一起構(gòu)成了真空容器。由于真空容器內(nèi)外的壓差導(dǎo)致其承受強(qiáng)壓。因此，將多個(gè)分隔件安裝在第一基底和第二基底之間，以使第一基底和第二基底彼此分隔預(yù)定距離。
用具有抗壓性而幾乎不導(dǎo)電的材料來形成分隔件，以有效承受施加到真空容器的壓力并防止電子發(fā)射單元和發(fā)光單元之間的電短路。就此，用電介質(zhì)材料比如玻璃和陶瓷來形成普通的分隔件，并利用金剛石砂輪(diamondwheel)或激光切割機(jī)(laser cutter)將分隔件加工成預(yù)定形狀。
在與電子束碰撞的情況下，用電介質(zhì)形成的分隔件在其表面容易帶上電荷，這使得環(huán)繞分隔件的電子束的軌跡變形。因此，基于氧化鉻(Cr2O3)的高電阻層形成在分隔件的側(cè)面上，從而防止分隔件表面帶電。
然而，在分隔件本體的表面上呈現(xiàn)出微觀裂縫或微孔，由此，分隔件本體具有預(yù)定的表面粗糙度。因此，當(dāng)將電阻材料涂覆到分隔件上以形成電阻層時(shí)，只是用電阻層對(duì)分隔件進(jìn)行局部涂覆。沒有電阻層的分隔件表面帶電，使得電子束的軌跡變形，從而產(chǎn)生不理想的發(fā)光。
此外，即使當(dāng)在分隔件上形成電阻層時(shí)，分隔件仍然會(huì)具有不平坦的表面，隨著電子發(fā)射顯示器的運(yùn)行，電場(chǎng)集中在分隔件的表面上，使得在真空容器內(nèi)會(huì)產(chǎn)生弧光放電?；」夥烹娛沟秒娮影l(fā)射顯示器的內(nèi)置結(jié)構(gòu)損壞，從而導(dǎo)致產(chǎn)品故障。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，提供了一種電子發(fā)射顯示器，該電子發(fā)射顯示器具有表面粗糙度降低的分隔件，以防止異常發(fā)光和弧光放電。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，第一基底和第二基底與密封構(gòu)件一起形成真空容器，分隔件位于第一基底和第二基底之間以承受施加到真空容器上的壓力。每個(gè)分隔件具有分隔件本體、電阻層和平板層，其中，分隔件本體具有表面粗糙度，電阻層置于分隔件本體的至少一個(gè)側(cè)面上，平板層覆蓋電阻層。平板層的厚度大于電阻層的厚度，平板層的表面粗糙度小于分隔件本體的表面粗糙度。
所述電阻層可具有105-108Ωcm的特定電阻率和0.5-1μm的厚度。
所述平板層可具有1-1.5μm的厚度和0.01-0.1μm的表面粗糙度。所述平板層可以由絕緣材料形成，或者由電阻材料形成，其中，所述電阻材料的特定電阻率大于所述電阻層的特定電阻率。
在制造分隔件的方法中，通過將分隔件本體材料圖案化來形成具有表面粗糙度的分隔件本體。將電阻材料涂覆到分隔件本體的至少一個(gè)側(cè)面上，以形成覆蓋分隔件本體側(cè)面的電阻層。平板層形成在電阻層上，并且平板層的厚度大于電阻層的厚度，平板層的表面粗糙度小于分隔件本體的表面粗糙度。
可以通過噴射或浸潤(rùn)來形成平板層，并且可以對(duì)平板層進(jìn)行表面處理。平板層可以由絕緣材料形成，或者由特定電阻率比電阻層的特定電阻率大的材料形成。
根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例，電子發(fā)射顯示器包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)以形成真空容器；電子發(fā)射單元，設(shè)置在第一基底上；發(fā)光單元，設(shè)置在第二基底上；多個(gè)分隔件，位于第一基底和第二基底之間。每個(gè)分隔件具有分隔件本體、電阻層和平板層，其中，分隔件本體具有表面粗糙度，電阻層置于分隔件本體的側(cè)表面上，平板層覆蓋電阻層。平板層的厚度大于電阻層的厚度，平板層的表面粗糙度小于分隔件本體的表面粗糙度。
電阻層可具有105-108Ωcm的特定電阻率和0.5-1μm的厚度。所述平板層可具有1-1.5μm的厚度和0.01-0.1μm的表面粗糙度。
電子發(fā)射單元可具有彼此絕緣的陰極電極和柵電極以及與陰極電極電連接的電子發(fā)射區(qū)。
可選擇地，電子發(fā)射單元可具有第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜，彼此分隔開；第一電極和第二電極，電連接到第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜；電子發(fā)射區(qū)，位于第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜之間。
發(fā)光單元可具有熒光體層；黑層，位于熒光體層之間；陽極電極，置于熒光體層和黑層的一個(gè)表面上。
第一基底和第二基底具有有源區(qū)和非有源區(qū)，其中，有源區(qū)分別具有電子發(fā)射單元和發(fā)光單元，非有源區(qū)置于有源區(qū)外部。分隔件包括置于有源區(qū)中的第一分隔件和置于非有源區(qū)中的第二分隔件。


圖1A、圖1B和圖1C示意性示出制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的分隔件的步驟。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子發(fā)射顯示器的示意性剖視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的FEA型電子發(fā)射顯示器的局部分解透視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的FEA型電子發(fā)射顯示器的局部剖視圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的SCE型電子發(fā)射顯示器的局部剖視圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1A所示，制備抗壓分隔件材料，并利用切割機(jī)(比如金剛石砂輪或激光切割機(jī))將其切割成預(yù)定形狀，從而形成分隔件本體10。
用玻璃、陶瓷、強(qiáng)化玻璃和目前用于形成分隔件的各類其它材料中的任意一種材料來形成分隔件材料。分隔件本體10可以形成為條形、柱形或各種其它形狀。在附圖中示出了條形的分隔件本體。
可選擇地，分隔件本體10可以由感光玻璃材料形成，并通過用局部曝光、熱處理和刻蝕使感光玻璃材料圖案化來完成分隔件本體10。
如在圖1A的放大部分中所示的，在表面粗糙度為0.12-0.2μm的成品分隔件本體10的表面上呈現(xiàn)出微觀裂縫或微孔。
如圖1B所示，通過將電阻材料涂覆到分隔件本體10的側(cè)面上來形成電阻層12。電阻層12具有提供電子運(yùn)動(dòng)路線的功能，使得與分隔件表面碰撞的電子流出至電子發(fā)射單元(未示出)或流出至發(fā)光單元(未示出)，從而防止分隔件表面帶電。
電阻層12被設(shè)計(jì)成通過分隔件防止電子發(fā)射單元和發(fā)光單元彼此短路，并被設(shè)計(jì)成提供電子的運(yùn)動(dòng)路線。為此，電阻層12具有大概105-108Ωcm的特定電阻率。例如，電阻層12可以由Cr2O3形成。
為了保持上述特定的電阻值，電阻層12可以大體形成為0.5-1μm薄的厚度。因此，由于分隔件本體10的表面粗糙度，所以電阻層12不能充分地填充分隔件本體10的表面微觀裂縫或微孔，并且電阻層12可僅僅部分地形成在分隔件本體10的表面上。
然而，如圖1C所示，平板層(flatten layer)14形成在電阻層12的表面上，其厚度大于電阻層12的厚度。平板層14大致具有1-1.5μm的厚度，并充分覆蓋分隔件本體10和電阻層12，使得平板層14填充分隔件本體10的表面微觀裂縫和微孔。平板層14不受電阻層12和分隔件本體10的表面粗糙度的影響，并且平板層14的外表面具有極小的表面粗糙度0.01-0.1μm。
平板層14由絕緣材料形成，或者由具有特定電阻率的電阻材料形成，其中，所述特定電阻率大于電阻層12的電阻率。例如，平板層14可以由聚酰亞胺(PI)形成?？梢砸愿鞣N方式(比如噴射或浸潤(rùn))來形成平板層14，并且通過表面處理工藝使平板層14具有上述確定的表面粗糙度范圍。
采用根據(jù)本實(shí)施例的分隔件16，通過具有上述特定電阻值的電阻層12來提供電子的運(yùn)動(dòng)路線，從而防止分隔件16表面帶電。此外，分隔件16防止基于電介質(zhì)材料的分隔件本體10的表面被具有上述確定厚度和表面粗糙度的平板層14暴露，并且使表面粗糙度最小化，從而防止了在真空容器內(nèi)由于安裝分隔件而產(chǎn)生弧光放電。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，圖2是具有上述分隔件的電子發(fā)射顯示器的示意性剖視圖。
如圖2所示，電子發(fā)射顯示器包括以預(yù)定距離彼此平行地面對(duì)的第一基底20和第二基底22。在第一基底20和第二基底22的外圍設(shè)置密封構(gòu)件24以使兩基底彼此密封，且第一基底20和第二基底22之間的內(nèi)部空間被抽真空至大約10-6托，從而形成真空容器。
第一基底20和第二基底22具有位于密封構(gòu)件24內(nèi)的有源區(qū)26和環(huán)繞有源區(qū)26的非有源區(qū)28，其中，有源區(qū)26用于發(fā)射可見光線。電子發(fā)射單元200設(shè)置在第一基底20的有源區(qū)26中，用于發(fā)射電子；發(fā)光單元300設(shè)置在第二基底22的有源區(qū)中，用于發(fā)射可見光線。
多個(gè)分隔件161、162設(shè)置在第一基底20和第二基底22之間，以承受施加到真空容器的壓力，并使兩基底彼此分隔預(yù)定距離。分隔件161設(shè)置在有源區(qū)26中，分隔件162設(shè)置在非有源區(qū)28中。為了方便說明，放置在有源區(qū)26中的分隔件被稱作“第一分隔件161”，而放置在非有源區(qū)28中的分隔件被稱做“第二分隔件162”。
第一分隔件161的寬度很小，以致于在電子發(fā)射顯示器的運(yùn)行過程中，從用戶的角度看不到第一分隔件161。由于與第一分隔件161的寬度相比，第二分隔件162的寬度不那么受限制，所以可以將第二分隔件162的分隔件本體102形成得比第一分隔件161的分隔件本體101的寬度大。
第一分隔件161具有分隔件本體101以及置于分隔件本體101側(cè)面上的電阻層121和置于電阻層121的表面上的平板層141，第二分隔件162具有分隔件本體102以及置于分隔件本體102側(cè)面上的電阻層122和置于電阻層122的表面上的平板層142。分隔件本體101、102的表面粗糙度、電阻層121、122的厚度和特定電阻率、平板層141、142的厚度和表面粗糙度與在制造分隔件的方法中提到的那些(參數(shù))相同。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D3和圖4來說明FEA型電子發(fā)射顯示器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和分隔件操作，參照?qǐng)D5來說明SCE型電子發(fā)射顯示器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和分隔件操作。
如圖3和圖4所示，對(duì)于FEA型電子發(fā)射顯示器，電子發(fā)射單元210包括電子發(fā)射區(qū)30、陰極電極32、柵電極34和用于聚焦電子束的聚焦電極36。
具體地講，陰極電極32在第一基底201的方向上是第一基底201上的帶形圖案，且第一絕緣層38形成在第一基底201的整個(gè)表面上以覆蓋陰極電極32。柵電極34是第一絕緣層38上的帶形圖案，使得柵電極34與陰極電極32交叉。
在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)陰極電極32和柵電極34的交叉區(qū)域被限定為像素時(shí)，電子發(fā)射區(qū)30形成在相應(yīng)像素的陰極電極32上，且開口381形成在第一絕緣層38中，開口341形成在與相應(yīng)電子發(fā)射區(qū)30對(duì)應(yīng)的柵電極34中，使得電子發(fā)射區(qū)30在第一基底201上通過開口341和381暴露。
電子發(fā)射區(qū)30由在真空氣氛中當(dāng)被施加電場(chǎng)時(shí)發(fā)射電子的材料形成，所述材料比如含碳材料或納米級(jí)的材料。例如，電子發(fā)射區(qū)30可以由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、富勒烯C60、硅納米線或其組合物通過絲網(wǎng)印刷、直接生長(zhǎng)、噴濺或化學(xué)氣相沉積形成。
可選擇地，電子發(fā)射區(qū)可以由主要基于鉬(Mo)或硅(Si)的頂部尖銳的尖端結(jié)構(gòu)形成。
附圖中示出了環(huán)形的電子發(fā)射區(qū)30線性地布置在陰極電極32的縱向方向上。然而，每個(gè)像素的形狀、數(shù)目和電子發(fā)射區(qū)30的布置不限于所示出的那樣，而是可以以各種方式改變。
聚焦電極36形成在柵電極34和第一絕緣層38上。第二絕緣層40置于聚焦電極36之下，以使柵電極34與聚焦電極36絕緣，開口361形成在聚焦電極36中，開口401形成在第二絕緣層40中，以使電子束穿過。
聚焦電極36具有與相應(yīng)電子發(fā)射區(qū)30對(duì)應(yīng)的開口，以分開地聚焦從相應(yīng)電子發(fā)射區(qū)30發(fā)射的電子?？蛇x擇地，每個(gè)像素形成一個(gè)開口361，以將像素發(fā)射的電子共同地聚焦。圖3示出了第二種情況。
發(fā)光單元310包括熒光體層42、位于相鄰的熒光體層42之間的黑層44、置于熒光體層42和黑層44表面上的陽極電極46。
熒光體層42包括紅色熒光體層42R、綠色熒光體層42G和藍(lán)色熒光體層42B，使得在陰極電極32和柵電極34的每個(gè)交叉區(qū)域放置一個(gè)有顏色的熒光體層。在相應(yīng)熒光體層42之間放置矩陣形狀的黑層42，以增強(qiáng)屏幕對(duì)比度。
陽極電極46由類鋁的金屬層形成，類鋁的金屬層放置在熒光體層42和黑層44面向第一基底201的表面上。陽極電極46從外部接收使熒光體層42處于高電勢(shì)狀態(tài)用于加速電子束所需的高壓，并且陽極電極46將熒光體層42照向第一基底201的可見光向著第二基底221反射，從而增強(qiáng)了屏幕亮度。
可選擇地，陽極電極可以由透明的導(dǎo)電層比如氧化銦錫(ITO)形成。在這種情況下，陽極電極置于熒光體層42和黑層44面向第二基底221的表面上。也可同時(shí)將金屬層和透明導(dǎo)電層形成為陽極電極。
第一分隔件161與黑層44對(duì)應(yīng)，且不侵入到熒光體層42的區(qū)域。第一分隔件161具有分隔件本體101、電阻層121和平板層141，其中，分隔件本體101大致具有0.12-0.2μm的表面粗糙度，電阻層121置于分隔件本體101的側(cè)面上且具有0.5-1μm的厚度和105-108Ωcm的特定電阻率，平板層141置于電阻層121的表面上且大致具有1-1.5μm的厚度和0.01-0.1μm的粗糙度。
導(dǎo)電粘合層(未示出)置于第一分隔件161面向第一基底201的表面上或第一分隔件161面向第二基底221的表面上，以使電阻層121與聚焦電極36電連接或者使電阻層121與陽極電極46電連接。
雖然在附圖中沒有示出，但是第二分隔件置于第一基底201和第二基底221的非有源區(qū)，并且第二分隔件的寬度大于第一分隔件161的寬度。第二分隔件與第一分隔件除了它們的分隔件本體的寬度不同之外，它們的總體結(jié)構(gòu)相同。
通過從外部向陰極電極32、柵電極34、聚焦電極36和陽極電極46提供預(yù)定電壓來驅(qū)動(dòng)上述結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射顯示器。
例如，陰極電極32和柵電極34中的一個(gè)接收掃描驅(qū)動(dòng)電壓，另一個(gè)電極接收數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓。聚焦電極36接收聚焦電子束所需的電壓例如0V或負(fù)直流電壓，陽極電極46接收加速電子束所需的電壓例如幾百伏至幾千伏的正直流電壓。
然后，在陰極電極32和柵電極34之間的電壓差超過閾值電壓的像素中，環(huán)繞電子發(fā)射區(qū)30形成電場(chǎng)，電子從這些電子發(fā)射區(qū)30發(fā)射出。發(fā)射出的電子穿過聚焦電極36的開口361，并被聚焦在多束的電子束中心。聚焦的電子受施加到陽極電極46的高壓吸引，并在相應(yīng)像素與熒光體層42碰撞，從而激發(fā)熒光體層來發(fā)光。
由于上述的驅(qū)動(dòng)過程，甚至在聚焦電極36操作的情況下，從相應(yīng)的電子發(fā)射區(qū)30發(fā)射出的電子以預(yù)定的漫射角度漫射。因此，雖然一些電子與第一分隔件161的表面碰撞，但是這些電子通過電阻層121流向聚焦電極36或陽極電極46，從而防止第一分隔件161表面帶電。
此外，由于第一分隔件161的平板層141防止基于電介質(zhì)材料的分隔件主體101的表面被暴露，從而可以防止在沒有電阻層121的區(qū)域的表面帶電。因?yàn)榈谝环指艏偷诙指艏捎谄桨鍖佣哂衅交谋砻?，所以可以有效防止由分隔件引起的弧光放電?br> 如圖5所示，對(duì)于SCE型電子發(fā)射顯示器，電子發(fā)射單元220包括第一電極48和第二電極50，彼此隔開一定距離；第一導(dǎo)電薄膜52和第二導(dǎo)電薄膜54，在相應(yīng)的第一電極48和第二電極50上；電子發(fā)射區(qū)56，位于第一導(dǎo)電薄膜52和第二導(dǎo)電薄膜54之間。
第一電極48和第二電極50可以由各種導(dǎo)電材料形成。第一導(dǎo)電薄膜52和第二導(dǎo)電薄膜54可以由基于導(dǎo)電材料(比如鎳(Ni)、金(Au)、鉑(Pt)和鈀(Pd))的微粒薄膜形成。
電子發(fā)射區(qū)56可以由第一導(dǎo)電薄膜52和第二導(dǎo)電薄膜54之間設(shè)置的微觀裂縫形成，或者由含有碳化合物的層形成。在第二種情況中，電子發(fā)射區(qū)56可以包含碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、富勒烯C60或其組合物。
發(fā)光單元320可以具有與前面描述的FEA型電子發(fā)射顯示器的發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。置于有源區(qū)的第一分隔件161和置于非有源區(qū)的第二分隔件(未示出)也具有與前面描述的電子發(fā)射顯示器的分隔件的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。為了方便說明，將把相同的標(biāo)號(hào)用于表示與FEA型電子發(fā)射顯示器相關(guān)結(jié)構(gòu)組件相同的結(jié)構(gòu)組件，并且將省略對(duì)這些結(jié)構(gòu)組件的詳細(xì)說明。
對(duì)于SEC型電子發(fā)射顯示器，當(dāng)預(yù)定的驅(qū)動(dòng)電壓施加到第一電極48和第二電極50時(shí)，電流通過第一導(dǎo)電薄膜52和第二導(dǎo)電薄膜54平行于電子發(fā)射區(qū)56的表面流動(dòng)，從而產(chǎn)生表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射。發(fā)射出的電子受施加到陽極電極46的高壓影響，并被導(dǎo)向第二基底222，從而撞擊熒光體層42來發(fā)光。
由于上述的驅(qū)動(dòng)過程，從相應(yīng)的電子發(fā)射區(qū)56發(fā)射出的電子以預(yù)定的漫射角度漫射，使得一些電子與第一分隔件161的表面碰撞。然而，由于這些電子通過電阻層121流向陽極電極46，所以可以防止第一分隔件161表面帶電。
此外，由于第一分隔件161的平板層141防止分隔件本體101的表面被暴露，因此防止了在沒有電阻層121的區(qū)域第一分隔件161的表面帶電。由于平板層具有極小的表面粗糙度，因此第一分隔件和第二分隔件可以有效防止由分隔件引起的弧光放電。
雖然以上已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)該清楚地理解，對(duì)于本發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，對(duì)于本發(fā)明中的基本發(fā)明構(gòu)思的許多變形和/或修改仍將落入權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種分隔件，位于第一基底和第二基底之間，所述第一基底和所述第二基底與密封構(gòu)件一起形成了真空容器，所述分隔件承受施加到所述真空容器的壓力，所述分隔件包括分隔件本體，具有表面粗糙度；電阻層，置于所述分隔件主體的至少一個(gè)側(cè)面上；平板層，覆蓋所述電阻層，所述平板層的厚度大于所述電阻層的厚度，并且所述平板層的表面粗糙度小于所述分隔件主體的表面粗糙度。
2.如權(quán)利要求1所述的分隔件，其中，所述電阻層具有105-108Ωcm的特定電阻率和0.5-1μm的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的分隔件，其中，所述平板層具有1-1.5μm的厚度和0.01-0.1μm的表面粗糙度。
4.如權(quán)利要求1所述的分隔件，其中，所述平板層由絕緣材料形成，或者由電阻材料形成，其中，所述電阻材料的特定電阻率大于所述電阻層的特定電阻率。
5.一種制造分隔件的方法，所述方法包括通過將分隔件本體材料圖案化來形成分隔件本體，所述分隔件本體的表面有表面粗糙度；通過將電阻材料涂覆到所述分隔件本體的側(cè)面上來形成電阻層，所述電阻層覆蓋所述分隔件本體的至少一個(gè)側(cè)面；在所述電阻層之上形成平板層，所述平板層的厚度大于所述電阻層的厚度，并且所述平板層的表面粗糙度小于所述分隔件本體的表面粗糙度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述電阻層具有105-108Ωcm的特定電阻率和0.5-1μm的厚度。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述平板層具有1-1.5μm的厚度和0.01-0.1μm的表面粗糙度。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述平板層通過噴射或浸潤(rùn)形成，并且形成所述平板層的步驟還包括對(duì)所述平板層進(jìn)行表面處理。
9.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述平板層由絕緣材料形成，或者由特定電阻率大于所述電阻層的特定電阻率的材料形成。
10.一種電子發(fā)射顯示器，包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)并與密封構(gòu)件一起形成真空容器；電子發(fā)射單元，設(shè)置在所述第一基底上；發(fā)光單元，設(shè)置在所述第二基底上；多個(gè)分隔件，位于所述第一基底和所述第二基底之間，其中，每個(gè)分隔件包括分隔件本體、電阻層和平板層，其中，所述分隔件本體具有表面粗糙度，所述電阻層置于所述分隔件本體的側(cè)面上，所述平板層覆蓋所述電阻層，所述平板層的厚度大于所述電阻層的厚度并且所述平板層的表面粗糙度小于所述分隔件本體的表面粗糙度。
11.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中，所述電阻層具有105-108Ωcm的特定電阻率和0.5-1μm的厚度。
12.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中，所述平板層具有1-1.5μm的厚度和0.01-0.1μm的表面粗糙度。
13.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中，所述平板層由絕緣材料形成，或者由電阻材料形成，其中，所述電阻材料的特定電阻率大于所述電阻層的特定電阻率。
14.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中，所述電子發(fā)射單元包括彼此絕緣的陰極電極和柵電極以及與所述陰極電極電連接的電子發(fā)射區(qū)。
15.如權(quán)利要求14所述的電子發(fā)射顯示器，其中，所述電子發(fā)射單元還包括聚焦電極，所述聚焦電極置于所述陰極電極和所述柵電極之上，從而所述聚焦電極與所述陰極電極和所述柵電極絕緣。
16.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中，所述電子發(fā)射單元包括第一導(dǎo)電薄膜和第二導(dǎo)電薄膜，彼此分隔開；第一電極，電連接到所述第一導(dǎo)電薄膜；第二電極，電連接到所述第二導(dǎo)電薄膜；電子發(fā)射區(qū)，位于所述第一導(dǎo)電薄膜和所述第二導(dǎo)電薄膜之間。
17.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中，所述發(fā)光單元包括熒光體層；黑層，位于所述熒光體層之間；陽極電極，置于所述熒光體層和所述黑層的表面上。
18.如權(quán)利要求10所述的電子發(fā)射顯示器，其中所述第一基底和所述第二基底包括有源區(qū)，分別具有所述電子發(fā)射單元和所述發(fā)光單元；非有源區(qū)，在所述有源區(qū)外部，所述分隔件包括第一分隔件，置于所述有源區(qū)；第二分隔件，置于所述非有源區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種電子發(fā)射顯示器，用于防止由于分隔件導(dǎo)致環(huán)繞分隔件的電子束變形和弧光放電。該電子發(fā)射顯示器包括第一基底和第二基底，彼此面對(duì)以形成真空容器；電子發(fā)射單元，設(shè)置在第一基底上；發(fā)光單元，設(shè)置在第二基底上；多個(gè)分隔件，位于第一基底和第二基底之間。每個(gè)分隔件具有分隔件本體，具有表面粗糙度；電阻層，置于分隔件主體的側(cè)面上；平板層，覆蓋電阻層。平板層的厚度大于電阻層的厚度，平板層的表面粗糙度小于分隔件本體的粗糙度。
文檔編號(hào)H01J31/12GK101013647SQ20071000692
公開日2007年8月8日 申請(qǐng)日期2007年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日
發(fā)明者李在勛, 宣亨來, 張喆鉉 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社