專利名稱：磁控管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用在微波加熱設(shè)備等中的磁控管。
背景技術(shù)：
輸出高頻波的磁控管，例如用于食品的烹飪和解凍等的微波爐用的磁控管，由生成高頻波的高頻波生成部、向外部取出高頻波的天線、及包圍天線并形成真空容器的一部分的筒狀的金屬容器等構(gòu)成。
微波爐用磁控管產(chǎn)生具有例如2450MHz帶寬的頻率的微波。這時(shí)，基波分量與高次諧波分量同時(shí)產(chǎn)生。如果將高次諧波分量向外部放出，則高次諧波分量與基波分量一起被送入微波爐等的加熱空間中。由于高次諧波分量波長(zhǎng)短，屏蔽較困難，所以向外泄漏，有時(shí)會(huì)引起無(wú)線干擾等問(wèn)題。因此，用法律規(guī)定了泄漏的極限值。
過(guò)去的微波爐用磁控管，為了抑制高次諧波分量，例如在輸出部配置了λ/4型抗流結(jié)構(gòu)(參照專利文獻(xiàn)1～3)。λ/4型抗流結(jié)構(gòu)例如設(shè)置一邊短路而另一邊開路的所謂的抗流槽。
這里，關(guān)于以往的磁控管，以微波爐用磁控管為例，參照抽出其中一部分的圖2的截面圖來(lái)說(shuō)明。
產(chǎn)生高頻波的高頻波生成部31由陽(yáng)極圓筒32等構(gòu)成，在陽(yáng)極圓筒32的上下開口部分分別固定著漏斗狀的極片33。圖2中由于圖面上的關(guān)系，僅表示圖示上方的極片33。在陽(yáng)極圓筒32的中心例如管軸m上配置螺旋狀的陰極34。陰極34的兩端固定在端帽(end hat)35上。圖2中由于圖面上的關(guān)系，僅表示固定陰極34的上端的端帽35。
從陽(yáng)極圓筒32面向陰極34放射狀地設(shè)置多個(gè)葉片(vane)。多個(gè)葉片36在陽(yáng)極圓筒32的圓周方向上相隔一定的間隔設(shè)置。葉片36的一端與陽(yáng)極圓筒32的內(nèi)表面接合，另一端延伸到陰極34附近，成為自由端。利用直徑不同的一對(duì)大小的連接環(huán)37a、37b(strap ring)每隔一個(gè)連接各葉片36的上邊部分極下邊部分。圖2中由于圖面上的關(guān)系，僅表示連接葉片36的上邊部分的連接環(huán)37a、37b。
筒狀的金屬容器38固定在極片33的輸出側(cè)。金屬容器38的下端，例如向外側(cè)展寬的環(huán)狀的第1凸緣部分38a的前端與陽(yáng)極圓筒32的上端接合。
在金屬容器38的內(nèi)側(cè)設(shè)置第1筒狀體39。第1筒狀體39與金屬容器38形成環(huán)狀的抗流槽，例如構(gòu)成抑制5次諧波分量的第1λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C1。
筒狀陶瓷40與金屬容器38的上端38b接合，排氣管41與筒狀陶瓷40的上端接合。整個(gè)排氣管41由罩42(cap)覆蓋。
排氣管41由例如雙重圓筒部41a及密封部41b等構(gòu)成。雙重圓筒部41a構(gòu)成抑制例如4次諧波分量的第2λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C2。密封部41b構(gòu)成抑制例如3次諧波分量的第3λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C3。
在金屬容器38及筒狀陶瓷40、排氣管41的內(nèi)側(cè)設(shè)置取出由高頻波生成部31生成的高頻波的天線43。天線43的一端與一個(gè)葉片36連接，另一端穿過(guò)極片33的開口33a，并且延伸到金屬容器38的內(nèi)側(cè)，被排氣管41夾住并固定。
在上述結(jié)構(gòu)中，由高頻波生成部31生成的高頻波被天線43取出到外部。這時(shí)，與基波分量同時(shí)生成的高次諧波分量，例如3次諧波分量(7.35GHz)～5次諧波分量(12.25GHz)通過(guò)第1～第3λ/4型抗流結(jié)構(gòu)來(lái)抑制。
特許第961611號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]特許第2128827號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]特開昭63-264848號(hào)公報(bào)過(guò)去的磁控管例如微波爐用磁控管，在輸出部設(shè)置多個(gè)λ/4型抗流結(jié)構(gòu)來(lái)抑制高次諧波分量。λ/4型抗流結(jié)構(gòu)具有例如由內(nèi)側(cè)圓筒及外側(cè)圓筒組成的同軸雙重圓筒結(jié)構(gòu)，在內(nèi)側(cè)圓筒與外側(cè)圓筒之間等，形成一端短路且另一端開路的所謂抗流槽?？沽鞑鄣拈L(zhǎng)度，例如抗流槽的管軸方向上的尺寸一般設(shè)定為抑制的高次諧波分量的波長(zhǎng)的約1/4。
λ/4型抗流結(jié)構(gòu)的電場(chǎng)集中在抗流槽的開路端，并產(chǎn)生電容分量。因此可以知道，如果頻率升高，則寄生電容的影響將增大，能夠以比理論上的1/4波長(zhǎng)更小的尺寸得到抑制高次諧波的效果。
另外在經(jīng)驗(yàn)上還知道，若抗流槽的內(nèi)部尺寸、即從抗流槽的一側(cè)的開路端沿著其內(nèi)表面到位于與其反面?zhèn)鹊牧硪粋?cè)的開路端所測(cè)得的長(zhǎng)度(抗流槽的沿面距離)接近于該高次諧波分量的半波長(zhǎng)，則抑制高次諧波的效果會(huì)增大。
例如，5次諧波分量(12.25GHz)的1/4波長(zhǎng)約為6.12mm。但是，由于寄生電容的影響及有關(guān)抗流槽的內(nèi)部尺寸的經(jīng)驗(yàn)規(guī)則，實(shí)際的抗流槽的長(zhǎng)度大概為5mm左右，例如為4～6mm。
然而，如果λ/4型抗流結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑減小，則與天線的距離會(huì)縮短，抑制高次諧波的效果增大。但是，如果內(nèi)徑變小，則制造性能變差。另外，在天線與抗流結(jié)構(gòu)構(gòu)件的筒狀體之間等處，發(fā)生二次電子倍增效應(yīng)放電的可能性提高。與天線的耦合度增強(qiáng)，微波爐的加熱設(shè)備等的阻抗及電源、載荷條件等的影響將增大，存在振蕩不穩(wěn)定的區(qū)域變大的問(wèn)題。
另外，過(guò)去的微波爐用磁控管中使用的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)，是假設(shè)利用將天線作為內(nèi)導(dǎo)體、將金屬容器作為外導(dǎo)體的同軸線路的基本模式、即所謂TEM模式的傳播。抗流槽的尺寸也以自由空間波長(zhǎng)的1/4波長(zhǎng)為基準(zhǔn)。但是，根據(jù)作為同軸線路起作用的內(nèi)導(dǎo)體及外導(dǎo)體的直徑大小，能夠利用高次諧波分量的高次模式的傳播。
例如，若設(shè)截?cái)鄻?gòu)成同軸線路的內(nèi)導(dǎo)體時(shí)內(nèi)導(dǎo)體的外圓周面形成的圓的半徑(內(nèi)導(dǎo)體外直徑的1/2)為a，截?cái)嗤鈱?dǎo)體時(shí)外導(dǎo)體的內(nèi)圓周面形成的圓的半徑(外導(dǎo)體內(nèi)直徑的1/2)為b，TEn1模式的截止波長(zhǎng)為λc，則有式(1)的關(guān)系λc＝π(a+b)/n …(1)從式(1)可知，TE11模式的情況下，如果π(a+b)的值比λc大，則能夠進(jìn)行高次模式的傳播。例如，在內(nèi)導(dǎo)體的外直徑為2.5mm時(shí)，如果外導(dǎo)體的內(nèi)直徑在13.08mm以上，則5次諧波分量能夠用高次模式(TE11模式)來(lái)傳播。因此，為了防止制造性能變差，或者為了使振蕩穩(wěn)定，如果增大λ/4型抗流結(jié)構(gòu)的內(nèi)直徑，則能夠進(jìn)行TE11模式的傳播。
如果能夠傳播高次模式例如TE11模式，則該高次諧波主要選擇TEM模式的負(fù)載阻抗與TE11模式的負(fù)載阻抗中的較小的一方、即容易傳播的一方。
過(guò)去的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)以自由空間波長(zhǎng)的1/4波長(zhǎng)為基準(zhǔn)來(lái)決定抗流槽的尺寸。另外，即使是相同的高次諧波分量，用基波模式與高次模式的管內(nèi)波長(zhǎng)也不相同。因此，過(guò)去的微波爐用磁控管中使用的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)即使能夠抑制用基本模式來(lái)傳播的高次諧波分量，但是由于用高次模式的波長(zhǎng)不同，所以抑制得也不充分，該高次諧波分量將泄漏。
另外，過(guò)去的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)是這樣設(shè)定尺寸等，使得抑制具有基波的整數(shù)倍的頻率的N次諧波分量(后面，稱為通常的高次諧波分量)。實(shí)際上，夾在3次諧波分量與4次諧波分量的各頻率間的頻帶等，也會(huì)發(fā)生夾在相鄰的2個(gè)通常的高次諧波分量的頻帶間的高次諧波分量(后面，稱為中間頻帶的高次諧波分量)。例如位于中間頻帶的近似中心的3.5次諧波分量及4.5次諧波分量等的不需要輻射分量，有時(shí)達(dá)到與通常的高次諧波分量相同、或更高的能級(jí)。
過(guò)去的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)不能充分地抑制中間頻帶的高次諧波分量，存在著中間頻帶的高次諧波分量泄漏的問(wèn)題。另外，為了抑制中間頻帶的高次諧波分量，如果專門設(shè)置中間頻帶用的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)，則存在成本提高或大型化的問(wèn)題。
本發(fā)明提供一種磁控管，目的在于解決上述缺點(diǎn)，具有抑制用高次模式傳播的高次諧波分量、或者抑制中間頻帶的高次諧波分量的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的磁控管具有生成高頻波的高頻波生成部、取出上述高頻波的天線、包圍該天線的筒狀金屬容器、抑制用基本模式在上述金屬容器內(nèi)傳播的高次諧波分量的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)，在這樣的磁控管中，特點(diǎn)是設(shè)置抑制用高次模式在上述金屬容器內(nèi)傳播的上述高次諧波分量的第2λ/4型抗流結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明的磁控管具有生成高頻波的高頻波生成部、取出上述高頻波的天線、包圍該天線的筒狀金屬容器、在該金屬容器內(nèi)形成λ/4型抗流結(jié)構(gòu)的抗流槽的筒狀體，在這樣的磁控管中，特點(diǎn)是按照抑制用基本模式在上述金屬容器內(nèi)傳播的第1高次諧波分量、以及與上述第1高次諧波分量頻率不同并且用高次模式在上述金屬容器內(nèi)傳播的第2高次諧波分量這兩者，從而設(shè)定上述抗流槽的長(zhǎng)度的大小。
如果采用本發(fā)明，則設(shè)置抑制用基本模式傳播的高次諧波分量的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)，同時(shí)設(shè)置抑制相同高次諧波分量的用高次模式的傳播的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)。因此，即使在一個(gè)高次諧波分量能夠用基本模式及高次模式兩者傳播的情況下，也能夠確實(shí)地進(jìn)行抑制，能夠防止高次諧波分量的泄漏。
另外，通過(guò)用一個(gè)λ/4型抗流結(jié)構(gòu)來(lái)同時(shí)抑制用基本模式傳播的第1高次諧波分量、以及與其頻率不同而用高次模式傳播的第2高次諧波分量。因此，能夠用共同的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)來(lái)抑制不同傳播模式的多個(gè)高次諧波分量，不使成本提高并能夠防止高次諧波分量的泄漏。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的簡(jiǎn)要截面圖。
圖2是說(shuō)明過(guò)去例子的簡(jiǎn)要截面圖。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明11高頻波生成部12陽(yáng)極圓筒13極片14陰極15端帽16葉片17a、17b連接環(huán)18金屬容器19第1筒狀體20第2筒狀體21筒狀陶瓷22排氣管23罩24天線C1～C4第1～第4的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)m管軸具體實(shí)施方式
關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)，以微波爐用磁控管為例，參照?qǐng)D1的截面圖來(lái)說(shuō)明。
生成高頻波的高頻波生成部11由陽(yáng)極圓筒12等構(gòu)成。在陽(yáng)極圓筒12的開口部分、例如圖示上方的輸出側(cè)及圖示下方的輸入側(cè)的開口部分，分別固定漏斗狀的極片13。由于圖面的關(guān)系，圖1僅表示輸出側(cè)的極片13。在陽(yáng)極圓筒12的中心、例如管軸m上配置螺旋狀的陰極14。
陰極14的圖示上下兩端固定在端帽15上。由于圖面的關(guān)系，圖1僅表示固定在陰極14的上端、例如輸出側(cè)的端帽15。
從陽(yáng)極圓筒12向陰極14呈放射狀地設(shè)置多個(gè)葉片16。葉片16例如為矩形，并在陽(yáng)極圓筒12的圓周方向上隔開一定的間隔來(lái)設(shè)置。葉片16的一端與陽(yáng)極圓筒12的內(nèi)表面接合，另一端一直延伸到陰極14附近，成為自由端。沿著葉片16的上邊部分及下邊部分配置著直徑不同的一對(duì)大小的連接環(huán)17a、17b。各葉片16由連接環(huán)17a或連接環(huán)17b每隔一個(gè)連接起來(lái)。由于圖面的關(guān)系，圖1僅表示連接葉片16的上邊部分的連接環(huán)17a、17b。
筒狀的金屬容器18固定在極片13的輸出側(cè)。金屬容器18由例如位于圖示下端且外側(cè)展寬的環(huán)狀的第1凸緣部分18a、與管軸m平行地延伸的筒狀部18b、從簡(jiǎn)狀部18b的上端向內(nèi)側(cè)延伸的環(huán)狀的第2凸緣部分18c、以及從第2凸緣部分18c向管軸m方向彎曲的彎曲部18d等構(gòu)成。第1凸緣部分18a的端部邊緣與陽(yáng)極圓筒12的上端接合。
第1筒狀體19與金屬容器18的內(nèi)側(cè)、例如筒狀部18b的內(nèi)側(cè)接合。第1筒狀體19具有例如與管軸m平行地延伸的筒狀部19a、以及從筒狀部19a的上端垂直于管軸向外側(cè)延伸的環(huán)狀的凸緣部分19b等，該截面大致呈倒L字形狀。筒狀部19a與金屬容器18的筒狀部18b同軸配置，凸緣部分19b的環(huán)狀端面與金屬容器18的內(nèi)表面接合。
金屬容器18及第1筒狀體19形成圖示上方的一端短路且圖示下方的另一端開路的環(huán)狀抗流槽，構(gòu)成第1λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C1。關(guān)于形成第1λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C1的抗流槽的管軸m方向上的長(zhǎng)度，例如第1筒狀體19的筒狀部19a與金屬容器18對(duì)向的長(zhǎng)度，如后所述，設(shè)定為抑制具有基波的4.5倍的頻率并用基本模式傳播的4.5次諧波分量、和具有基波的5倍的頻率并用高次模式傳播的5次諧波分量的大小。
環(huán)狀的第2筒狀體20與金屬容器18的內(nèi)側(cè)、例如第2凸緣部分18c的圖示的下表面接合。第2筒狀體20由筒狀部20a及凸緣部分20b等形成。雖然與第1筒狀部19的尺寸不同，但形狀大致相同，該截面形成為大致倒L字形。
金屬容器18與第2筒狀體20與第1λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C1的情況相同，形成環(huán)狀的抗流槽，構(gòu)成抑制例如具有基波的5倍頻率且用基本模式傳播的5次諧波分量的第2λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C2。
筒狀陶瓷21與金屬容器18的上端、例如彎曲部18d的前端接合。排氣管22與筒狀陶瓷21的上端接合，整個(gè)排氣管22由罩23覆蓋。
排氣管22由例如雙重圓筒部22a及密封部22b等構(gòu)成。雙重圓筒部22a由內(nèi)圓筒部a1及外圓筒部a2等構(gòu)成。在內(nèi)圓筒部a1與外圓筒部a2之間形成環(huán)狀的抗流槽，例如，構(gòu)成抑制具有基波的4倍的頻率的4次諧波分量的第3λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C3。內(nèi)圓筒部a1及密封部22b在其內(nèi)側(cè)形成連續(xù)的空間。
密封部22b例如其中央向上方突出，密封部22b及內(nèi)圓筒部a1的內(nèi)側(cè)空間構(gòu)成抑制具有基波的3倍的頻率的3次諧波分量的第4λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C4。
另外，在金屬容器18及筒狀陶瓷21、排氣管22等的內(nèi)側(cè)，設(shè)置取出用高頻波生成部11生成的高頻波的天線24。天線24的一端與一個(gè)葉片16連接，另一端穿過(guò)極片13的開口13a，并且向金屬容器18的內(nèi)側(cè)延伸，被排氣管22的密封部22b夾住并且固定。
這里，說(shuō)明關(guān)于上述第1及第2的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C1、C2。在以下的說(shuō)明中，設(shè)金屬容器18的筒狀部18b的內(nèi)徑φ為19mm，天線24的外徑為2.5mm，第2筒狀體20的筒狀部20a的內(nèi)徑φ2為14mm，板厚為0.3mm。
然后，第1λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C1設(shè)定在其抗流槽的管軸m方向上的尺寸，使得能夠抑制4.5次諧波的TEM模式及5次諧波的TE11模式。例如金屬容器18的筒狀部18b與第1筒狀體19的筒狀部19a平行且對(duì)向的部分的長(zhǎng)度決定第1筒狀體19的筒狀部19a的外徑φ3，從而使得與4.5次諧波的TEM模式及5次諧波的TEll模式的各自的管內(nèi)波長(zhǎng)的1/4相等。
一般，管內(nèi)波長(zhǎng)(λg)由下式(2)來(lái)求得。
λg=λn/1-(λnλc)2---(2)]]>如果設(shè)4.5次諧波為11GHz，則該TEM模式的管內(nèi)波長(zhǎng)為27.254mm。因此，使用式(1)及式(2)，求得第1筒狀體19的筒狀部19a的外徑φ3，從而使得5次諧波的TE11模式的管內(nèi)波長(zhǎng)為27.254mm。
在式(2)中，如果代入λg＝27.254mm，λn(5次諧波的自由空間波長(zhǎng))＝24.473mm，則求得λc＝55.61mm。
接著，在式(1)中如果代入λc＝55.61mm，則55.61＝π(a+b)。因?yàn)閎＝19/2＝9.5，所以求出a＝8.2。
這里，a是抗流槽部分的筒狀體19的外圓周面半徑，即在將平行于第1筒狀體19的管軸m的筒狀部19a進(jìn)行截面時(shí)、該筒狀部19a的外圓周面形成的圓的半徑，b是抗流槽部分的筒狀部18b的內(nèi)圓周面半徑，即在將平行于金屬容器18的管軸的簡(jiǎn)狀部18b進(jìn)行截面時(shí)、該筒狀部18b的內(nèi)圓周面形成的圓的半徑。
因此，第1筒狀體19的筒狀部19a的外徑φ3為16.4mm(8.2×2)，如果設(shè)板厚為0.3mm，則內(nèi)徑φ4為15.8mm。
如果將金屬容器18的筒狀部18b以及第1筒狀體19的筒狀部19a的直徑設(shè)定為上述尺寸，則4.5次諧波的TEM模式以及5次諧波的TE11模式的管內(nèi)波長(zhǎng)變得相同。因此，通過(guò)第1λ/4型抗流結(jié)構(gòu)C1能夠抑制4.5次諧波的TEM模式以及5次諧波的TE11模式。
4.5次諧波的1/4波長(zhǎng)為6.813mm(27.254/4mm)。但是，如果要使抗流槽的內(nèi)部尺寸(沿面距離)為半波長(zhǎng)(13.626mm)，則實(shí)際的抗流槽的管軸方向上的長(zhǎng)度約為6.2mm左右。
將第2筒狀體20的筒狀部20a的管軸m方向上的尺寸設(shè)定為基本模式(TEM模式)的管內(nèi)波長(zhǎng)的1/4，使得第2筒狀體20抑制5次諧波的TEM模式?；灸Ｊ降墓軆?nèi)波長(zhǎng)等于自由空間波長(zhǎng)，1/4波長(zhǎng)為6.12mm。這種情況下，如果使抗流槽的尺寸(沿面距離)也為半波長(zhǎng)的12.24mm，則實(shí)際的抗流槽的長(zhǎng)度約為5mm。
上述的實(shí)施形態(tài)說(shuō)明的情況是，使用第1及第2λ/4型抗流結(jié)構(gòu)，抑制用基本模式及高次模式傳播的5次諧波分量。但是，如果適當(dāng)?shù)卦O(shè)定λ/4型抗流結(jié)構(gòu)的尺寸，則也能夠抑制用基本模式及高次模式傳播的其它高次諧波分量。
另外，是分別形成金屬容器與筒狀體，再將兩者接合。但是，也能夠?qū)⒔饘偃萜髋c筒狀體形成一體。
如果采用上述結(jié)構(gòu)，則一個(gè)高次諧波分量用基本模式、或者用高次模式來(lái)傳播的情況下，都能夠防止高次諧波分量向外部泄漏。另外，也能夠抑制中間頻帶區(qū)域的高次諧波分量，能夠確實(shí)地防止高次諧波分量向外部的不需要的輻射。
中間頻帶的高次諧波分量一般在中間頻帶的中央部分處(例如將夾在2個(gè)高次諧波分量中間的中間頻帶10等分的情況下，從低頻處向上數(shù)4～6的范圍內(nèi))有最大值。因此，如果抑制了中間頻帶的中央部分的高次諧波分量、例如3.5次諧波分量及4.5次諧波分量等，則防止向外泄漏的效果會(huì)增大。
另外，使用一個(gè)λ/4型抗流結(jié)構(gòu)，能夠同時(shí)抑制通常的高次諧波分量與中間頻帶的高次諧波分量。因此能夠不提高成本，而能夠減少或抑制高次諧波分量向外部的泄漏。
另外，在同時(shí)抑制通常的高次諧波分量與中間頻帶的高次諧波分量的情況下，通過(guò)筒狀體的直徑的變更而能夠調(diào)整管內(nèi)波長(zhǎng)的范圍有限。因此，希望同時(shí)抑制的兩個(gè)高次諧波分量的頻率接近。另外，TE11模式的管內(nèi)波長(zhǎng)比基本模式長(zhǎng)。因此，在同時(shí)抑制通常的高次諧波分量與中間頻帶的高次諧波分量的情況下，希望該組合為例如用基本模式傳播的(N/2)次諧波分量(N≥3)、以及用TE11傳播的(N+1)/2次諧波分量(N≥3)。
另外，不采用很大的尺寸的結(jié)構(gòu)，使得金屬容器不會(huì)大型化。因此，減少用比TE11高的高次模式來(lái)傳播，如果對(duì)于高次模式抑制TE11模式，則在實(shí)用上不會(huì)發(fā)生問(wèn)題。
如果采用上述結(jié)構(gòu)，能夠抑制用高次模式例如TE11模式來(lái)傳播的高次諧波分量。因此，能夠增大形成抗流槽的筒狀體的內(nèi)徑，能夠防止二次電子倍增效應(yīng)放電及振蕩不穩(wěn)定等情況。
在上述實(shí)施形態(tài)中使用第1～第4等的表現(xiàn)。這些數(shù)字并不意味著順序及位置等特別的內(nèi)容，只是為了與其它的區(qū)別開來(lái)而使用的。
另外，采用了λ/4型抗流結(jié)構(gòu)的方向、例如該抗流槽的開路端方向?yàn)槊嫦蜉斎雮?cè)的結(jié)構(gòu)。但是，也可以是抗流槽的開路端面向輸出側(cè)的結(jié)構(gòu)，在這種情況下，也能夠得到相同的效果。
權(quán)利要求
1.一種磁控管，具有生成高頻波的高頻波生成部、取出所述高頻波的天線、包圍該天線的筒狀金屬容器、以及抑制用基本模式在所述金屬容器內(nèi)傳播的高次諧波分量的第1λ/4型抗流結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置了抑制用高次模式在所述金屬容器內(nèi)傳播的所述高次諧波分量的第2λ/4型抗流結(jié)構(gòu)。
2.一種磁控管，具有生成高頻波的高頻波生成部、取出所述高頻波的天線、包圍該天線的筒狀金屬容器、以及在該金屬容器內(nèi)形成λ/4型抗流結(jié)構(gòu)的抗流槽的筒狀體，其特征在于，按照抑制用基本模式在所述金屬容器內(nèi)傳播的第1高次諧波分量、以及與所述第1高次諧波分量頻率不同并且用高次模式在所述金屬容器內(nèi)傳播的第2高次諧波分量這兩者的大小，設(shè)定所述抗流槽的長(zhǎng)度。
3.如權(quán)利要求2中所述的磁控管，其特征在于，高次模式是TE11模式，設(shè)用基本模式傳播的第1高次諧波分量的管內(nèi)波長(zhǎng)為λg，第2高次諧波分量的自由空間波長(zhǎng)為λn，在金屬容器內(nèi)傳播的TE11模式的截止波長(zhǎng)為λc，抗流槽部分的筒狀體外周面的半徑為a，抗流槽部分的金屬容器內(nèi)周面的半徑為b，抗流槽的長(zhǎng)度為λg/4，在這種情況下，滿足以下關(guān)系λc＝π(a+b)λg=λn/1-(λnλc)2.]]>
4.如權(quán)利要求2中所述的磁控管，其特征在于，第1高次諧波分量的頻率在具有基波的整數(shù)倍的頻率且具有相鄰大小的頻率的2個(gè)高次諧波分量之間。
5.如權(quán)利要求2中所述的磁控管，其特征在于，第1高次諧波分量的頻率大小是位于具有基波的整數(shù)倍的頻率且有相鄰大小的頻率的2個(gè)高次諧波分量的實(shí)質(zhì)上中央處的大小。
6.一種磁控管，具有生成高頻波的高頻波生成部、取出所述高頻波的天線、包圍該天線的筒狀金屬容器、以及在該金屬容器內(nèi)形成λ/4型抗流結(jié)構(gòu)的抗流槽的筒狀體，其特征在于，按照抑制用基本模式在所述金屬容器內(nèi)傳播的N/2次諧波分量(N≥3)、以及用TE11模式傳播的(N+1)/2次諧波分量(N≥3)這兩者的大小，設(shè)定所述抗流槽的長(zhǎng)度。
7.如權(quán)利要求6中所述的磁控管，其特征在于，設(shè)用基本模式傳播的N/2次諧波分量(N≥3)的管內(nèi)波長(zhǎng)為λg，(N+1)/2次諧波分量(N≥3)的自由空間波長(zhǎng)為λn，在金屬容器內(nèi)傳播的TE11模式的截止波長(zhǎng)為λc，抗流槽部分的筒狀體外圓周面的半徑為a，抗流槽部分的金屬容器內(nèi)周面的半徑為b，抗流槽的長(zhǎng)度為λg/4，在這種情況下，滿足以下關(guān)系λc＝π(a+b)λg=λn/1-(λnλc)2.]]>
全文摘要
提供一種磁控管，具有抑制用高次模式傳播的高次諧波分量、或者抑制夾在具有基波的整數(shù)倍的頻率的2個(gè)高次諧波之間的中間頻帶的不需要的輻射的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)。該磁控管具有生成高頻波的高頻波生成部(11)、取出高頻波的天線(24)、包圍天線(24)的筒狀金屬容器(18)、以及抑制用基本模式在金屬容器(18)內(nèi)傳播的高次諧波分量的λ/4型抗流結(jié)構(gòu)(C2)，在該磁控管中設(shè)置抑制用高次模式在金屬容器內(nèi)傳播的高次諧波分量的其它λ/4型抗流結(jié)構(gòu)(C1)。
文檔編號(hào)H01J23/00GK101013646SQ20071000618
公開日2007年8月8日 申請(qǐng)日期2007年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月30日
發(fā)明者東正壽, 川口敏夫 申請(qǐng)人:東芝北斗電子株式會(huì)社