專利名稱：等離子體顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示(Plasma Display)器，更具體來說，涉及等離子體顯示器中所具備的面板(Panel)。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板是形成于上部基板和下部基板之間的隔壁構(gòu)成一個(gè)單位小室的構(gòu)件，在各小室內(nèi)填充有含有氖(Ne)、氦(He)、或氖及氦的混合氣體(Ne+He)之類的主放電氣體和少量氙的惰性氣體。在利用高頻電壓放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)，使形成于隔壁間的熒光體發(fā)光而顯現(xiàn)出圖像。此種等離子體顯示板由于可以實(shí)現(xiàn)薄而輕的構(gòu)成，因此作為下一代顯示裝置受到關(guān)注。
圖1是表示一般的等離子體顯示板的構(gòu)造的圖。如圖1所示，等離子體顯示板將上部面板100及下部面板110以在其間隔開一定距離地平行的方式結(jié)合，其中，上部面板100在作為顯示圖像的顯示面的上部基板101上排列有成對(duì)地形成了掃描電極102及保持電極103的多個(gè)維持電極對(duì)，下部面板110在構(gòu)成背面的下部基板111上與多個(gè)前述維持電極對(duì)交叉地排列有多個(gè)尋址電極113。
上部面板100成對(duì)地含有由用透明的ITO(Indium Tin Oxide)形成的透明電極102a、103a與總線電極102b、103b構(gòu)成的掃描電極102及保持電極103。掃描電極102及保持電極103由上部電介質(zhì)層104覆蓋，在上部電介質(zhì)層104上形成有保護(hù)層105。
下部面板110含有用于劃分放電小室的隔壁112。另外，多個(gè)尋址電極113相對(duì)隔壁112平行地被配置。在尋址電極113上涂布有R(Red)、G(Green)、B(Blue)熒光體114。在尋址電極113和熒光體114之間形成有下部電介質(zhì)層115。
另一方面，以往的等離子體顯示板的構(gòu)成掃描電極11或保持電極12的透明電極11a、12a由高價(jià)的ITO(Indium Tin Oxide)制成。透明電極11a、12a成為使等離子體顯示板的制造成本上升的原因。所以，最近將著眼點(diǎn)放在制造可減少制造費(fèi)用且確保使用者視聽時(shí)獲得足夠的視覺特性及驅(qū)動(dòng)特性等的等離子體顯示板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決前述的以往技術(shù)的問題而提出的，其目的在于，提供在等離子體顯示器所具備的面板中可以將由ITO制成的透明電極除去而降低面板制造成本的等離子體顯示器。
為此，根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示器的特征是，包含上部基板；形成于前述上部基板上的第一電極及第二電極；與前述上部基板相對(duì)置地配置的下部基板；形成于前述下部基板上的第三電極；形成于前述下部基板上且劃分放電小室的隔壁，其中，前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)由單一層(one layer)形成，前述隔壁采用感光性材料來形成，前述感光性材料包括含有玻璃粒子的無機(jī)成分、和含有感光性化合物的有機(jī)成分。
最好前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)包括形成于與前述第三電極交叉的方向上的線路部；從前述線路部中突出的突出部。
前述無機(jī)成分最好含有60重量％以上的前述玻璃粒子，前述無機(jī)成分的平均折射率與前述有機(jī)成分的平均折射率的差最好在0.2以下。另外，前述無機(jī)成分的平均折射率最好在1.5～1.65。
前述隔壁的上寬度最好為30至50μm，前述隔壁的下寬度最好為60至80μm，前述隔壁的高度最好為100至140μm。
前述隔壁的介電常數(shù)最好為6至10，在前述上部基板和下部基板當(dāng)中的至少一個(gè)基板上最好形成有具有30至40μm的厚度的電介質(zhì)層。
前述隔壁的上寬度與前述電介質(zhì)層的厚度最好具有5∶3至3∶4的比率，前述隔壁的下寬度與前述電介質(zhì)層的厚度最好具有8∶3至3∶2的比率。前述上部基板與下部基板結(jié)合而形成的等離子體顯示板最好含有0.1重量％或1000PPM以下的鉛(Pb)。
前述感光性材料最好含有50至96重量％的無機(jī)成分和5至50重量％的有機(jī)成分，前述無機(jī)成分最好含有氧化鈦(TiO2)。前述玻璃粒子最好含有3至20重量％的氧化鋰、氧化鈉及氧化鉀當(dāng)中的至少一個(gè)，或含有5至50重量％的氧化鉍(bismuth)、氧化鉛當(dāng)中的至少一個(gè)。
前述玻璃粒子最好含有5至30重量％的氧化鉍(bismuth)、氧化鉛當(dāng)中的至少一個(gè)，且含有3至15重量％的氧化鋰、氧化鈉及氧化鉀當(dāng)中的至少一個(gè)。最好在前述上部基板上形成有電介質(zhì)層，前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)與前述電介質(zhì)層相比顏色更暗。
根據(jù)本發(fā)明，另一個(gè)的等離子體顯示器的特征是，包含上部基板；形成于前述上部基板上的第一電極及第二電極；與前述上部基板相對(duì)置地配置的下部基板；形成于前述下部基板上的第三電極；形成于前述下部基板上且劃分放電小室的隔壁，其中，前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)由單一層(one layer)形成，前述隔壁采用感光性材料來形成，前述感光性材料包括含有玻璃粒子的無機(jī)成分、和含有感光性化合物的有機(jī)成分，前述無機(jī)成分的平均折射率與前述有機(jī)成分的平均折射率的差為-0.1至0.2。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)等離子體顯示器的特征是，包含上部基板；形成于前述上部基板上的第一電極及第二電極；與前述上部基板相對(duì)置地配置的下部基板；形成于前述下部基板上的第三電極；形成于前述下部基板上且劃分放電盒子的隔壁，其中，前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)由單一層(one layer)形成，且包括形成于與前述第三電極交叉的方向上的線路部、和從前述線路部中突出的突出部，前述隔壁采用感光性材料來形成，前述感光性材料包括平均折射率為1.5至1.65的無機(jī)成分。
根據(jù)本發(fā)明涉及的等離子體顯示器，可以將由ITO(Indium TinOxide)制成的透明電極除去而降低等離子體顯示板的制造成本，通過形成從掃描電極或保持電極線路中向放電小室的中心方向或向其相反方向突出的突出電極，可以降低初始放電電壓，提高放電小室內(nèi)的放電擴(kuò)散效率。


圖1是說明等離子體顯示器所具備的一般的面板(panel)的構(gòu)造的圖。
圖2是表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示器構(gòu)造的一個(gè)實(shí)施方式的立體圖。
圖3是表示針對(duì)本發(fā)明涉及的形成有隔壁的下部面板構(gòu)造的一個(gè)實(shí)施方式的簡要剖面圖。
圖4是表示針對(duì)等離子體顯示板的電極配置的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖5是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第一實(shí)施方式的剖面圖。
圖6是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第二實(shí)施方式的剖面圖。
圖7是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第三實(shí)施方式的剖面圖。
圖8是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第四實(shí)施方式的剖面圖。
圖9是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第五實(shí)施方式的剖面圖。
圖10是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第六實(shí)施方式的剖面圖。
圖11是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第七實(shí)施方式的剖面圖。
圖12是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第八實(shí)施方式的剖面圖。
圖13是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第九實(shí)施方式的剖面圖。
圖14是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第十實(shí)施方式的剖面圖。
圖15A及圖15B是表示針對(duì)維持電極構(gòu)造的第十一實(shí)施方式的剖面圖。
圖16是表示針對(duì)將1個(gè)幀(frame)分為多個(gè)子域(subfield)而將等離子體顯示板分時(shí)驅(qū)動(dòng)的方法的一個(gè)實(shí)施方式的時(shí)序圖。
圖17是表示針對(duì)用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的一個(gè)實(shí)施方式的時(shí)序圖。
其中符號(hào)說明如下
11、102、202掃描電極，11a、12a、102a、103a透明電極，12、103、203保持電極，100、200上部面板，101、211上部基板，102b、103b總線電極，104、204、214上部電介質(zhì)層，105保護(hù)層，110、210下部面板，111、211下部基板，112、212、412、1080隔壁，113、213尋址電極，114、214熒光體，115、215下部電介質(zhì)層 205保護(hù)膜層。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示器進(jìn)行詳細(xì)說明。
但是，需要指明，本發(fā)明涉及的等離子體顯示器并不限于本說明書中所記載的實(shí)施方式，而可以存在多個(gè)實(shí)施方式。
以下，參照附圖2至附圖17，對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示器進(jìn)行詳細(xì)說明。圖2是以立體圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示器所具備的面板的一個(gè)實(shí)施方式的圖。
參照?qǐng)D2，等離子體顯示板包括隔開規(guī)定的間隔地膠粘的上部面板200和下部面板210。包括在與維持電極對(duì)202、203交叉的方向上形成于下部基板211上的尋址電極213、及形成于下部基板211上且劃分多個(gè)放電小室的隔壁212。
上部面板200包括在上部基板201上成對(duì)地形成的維持電極對(duì)202、203。維持電極對(duì)202、203根據(jù)其功能被分為掃描電極202和保持電極203。維持電極對(duì)202、203由限制放電電流并對(duì)電極對(duì)間進(jìn)行絕緣的上部電介質(zhì)層204來覆蓋，在上部電介質(zhì)層204的上面形成保護(hù)膜層205，而保護(hù)上部電介質(zhì)層204免受氣體放電時(shí)產(chǎn)生的帶電粒子的濺射，提高二次電子的發(fā)射效率。
向設(shè)于上部基板201、下部基板211及隔壁212間的放電空間內(nèi)注入放電氣體。在前述放電氣體中，優(yōu)選含有10％以上的氙(Xe)。當(dāng)在放電氣體中以如前前述的混合比含有前述氙(Xe)時(shí)，就可以提高等離子體顯示板的放電/發(fā)光效率及亮度。
下部面板210在下部基板211上形成有劃分多個(gè)放電空間，即放電小室的隔壁212。另外，尋址電極213被配置于與維持電極對(duì)202、203交叉的方向上，在下部電介質(zhì)層215和隔壁212的表面涂布有利用氣體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線而發(fā)光并產(chǎn)生可見光的熒光體214。
此時(shí)，隔壁212由在與尋址電極213平行的方向上形成的縱隔壁212a、和在與尋址電極213交叉的方向上形成的橫隔壁212b構(gòu)成，且將放電小室物理性地進(jìn)行區(qū)分，而防止因放電而生成的紫外線和可見光向相鄰的放電小室泄漏的情況。
另外，本發(fā)明涉及的等離子體顯示板中，維持電極對(duì)202、203與圖1所示的以往的維持電極對(duì)102、103不同，僅由不透明的金屬電極制成。即，不使用作為以往的透明電極材質(zhì)的ITO，而使用作為以往的總線電極的材質(zhì)的銀(Ag)、銅(Cu)或鉻(Cr)等來形成維持電極對(duì)202、203。即，本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極對(duì)202、203各自不含有以往的ITO電極，而由總線電極一個(gè)單一層(one layer)來構(gòu)成。
例如，最好將本發(fā)明實(shí)施方式涉及的維持電極對(duì)202、203分別用銀形成，而銀(Ag)最好具有感光性性質(zhì)。另外，最好本發(fā)明實(shí)施方式涉及的維持電極對(duì)202、203各自比在上部基板201上形成的上部電介質(zhì)層204或下部電介質(zhì)層215顏色更暗，具有光的穿透率更低的性質(zhì)。
前述放電小室可以是R(Red)、G(Green)、B(Blue)各個(gè)熒光體層214的寬度(pitch)相互一樣的對(duì)稱構(gòu)造，或者是寬度(pitch)相互不同的非對(duì)稱構(gòu)造。當(dāng)放電小室具有非對(duì)稱構(gòu)造時(shí)，最好使之具有R(Red)小室的寬度＜G(Green)小室的寬度＜B(Blue)小室的寬度的大小順序。
如圖2所示，最好在1個(gè)放電小室內(nèi)分別用多條電極線路形成維持電極202、203。即，最好第一維持電極202由2條電極線路202a、202b形成，第二維持電極203以放電小室的中心為基準(zhǔn)與第一維持電極202對(duì)稱地被排列，且由2條電極線路203a、203b形成。前述第一、二維持電極202、203最好分別為掃描電極和保持電極。這是考慮了因使用不透明的維持電極對(duì)202、203而造成的開口率和放電擴(kuò)散效率的做法。即，考慮到開口率而使用具有狹窄的寬度的電極線路，另一方面，考慮到放電擴(kuò)散效率而使用多條電極線路。此時(shí)，電極線路的條數(shù)最好同時(shí)考慮開口率和放電擴(kuò)散效率而決定。
由于圖2所示的構(gòu)造只不過是針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體面板的構(gòu)造的一個(gè)實(shí)施方式，因此本發(fā)明并不限于圖2所示的等離子體顯示板構(gòu)造。例如，可以在上部基板201上形成具有吸收在外部產(chǎn)生的外部光而減少反射的光遮擋功能和提高上部基板201的純度(Purity)及對(duì)比度的功能的黑矩陣(Black Matrix、BM)，前述黑矩陣無論是分離型還是一體型BM構(gòu)造都可以。這里，分離型BM是未將形成于維持電極202、203與上部基板201之間的層(Black layer)與黑矩陣連結(jié)的構(gòu)造，一體型BM是指將前述層與黑矩陣連結(jié)而形成一體型的構(gòu)造。另外，當(dāng)形成分離型BM時(shí)，黑矩陣與前述層可以用不同的材質(zhì)形成，當(dāng)形成一體型BM時(shí)，黑矩陣與前述層可以用相同的材質(zhì)形成。
另外，圖2所示的面板的隔壁構(gòu)造雖然表示了利用縱隔壁212a和橫隔壁212b使放電小室具有封閉構(gòu)造的閉合型(Close Type)，但也可以是僅包含縱隔壁的條紋型(Stripe Type)、或在縱隔壁上隔開規(guī)定的間隔來形成突出部的魚骨(Fish Bone)等構(gòu)造。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式不僅可以是圖2所示的隔壁的構(gòu)造，當(dāng)然也可以是多樣的形狀的隔壁的構(gòu)造。例如，可以是縱隔壁212a和橫隔壁212b的高度不同的不等型隔壁構(gòu)造、在縱隔壁212a或橫隔壁212b當(dāng)中的一個(gè)以上中形成有可以作為排氣通路使用的溝槽(Channel)的溝槽型隔壁構(gòu)造、在縱隔壁212a或橫隔壁212b當(dāng)中的一個(gè)以上中形成有槽(Hollow)的槽型隔壁構(gòu)造等。這里，在為不等型隔壁構(gòu)造的場合下，應(yīng)當(dāng)更優(yōu)選為橫隔壁212b的高度高的情況，在為溝槽型隔壁構(gòu)造或槽型隔壁構(gòu)造的場合下，應(yīng)當(dāng)優(yōu)選為在橫隔壁212b中形成溝槽或形成槽的情況。
另一方面，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，雖然圖示及說明了R、G及B放電小室各自排列在相同的線上的情況，但也可以用其他的形狀來排列。例如，也可以是R、G及B放電小室以三角形狀排列的三角形(Delta)的排列。另外，放電小室的形狀不僅可以是四角形狀，當(dāng)然也可以是五角形、六角形等多樣的多角形狀。
圖3是表示針對(duì)本發(fā)明涉及的形成有隔壁的下板面板構(gòu)造的一個(gè)實(shí)施方式的簡要剖面圖。如參照?qǐng)D2說明的那樣，在下部基板211上形成有尋址電極213、下部電介質(zhì)層215、隔壁212及熒光體層214。
如前所述，由于為了確保等離子體顯示板的開口率，增加2個(gè)維持電極202、203間的間隔，從而使得放電小室的寬度(pitch)增加，因此為了確保每個(gè)而板所要求的象素?cái)?shù)，最好以30至50μm形成隔壁212的上寬度X，以60至80μm形成下寬度Y，使隔壁212的介電常數(shù)達(dá)到6至10，且使隔壁212的高度達(dá)到100至140μm。
由于如上所述，隔壁212的寬度減少，為了有效地將2個(gè)維持電極202、203間絕緣，最好以30至40μm形成下部電介質(zhì)層215的厚度Z或上部電介質(zhì)層214的厚度。另外，為了確保本發(fā)明涉及的等離子體顯示板中所要求的象素?cái)?shù)，并且有效地將2個(gè)維持電極202、203間絕緣，最好使隔壁212的上寬度X與電介質(zhì)層214、215的厚度間的比率達(dá)到5∶3至3∶4，最好使隔壁212的下寬度Y與電介質(zhì)層214、215的厚度間的比率達(dá)到8∶3至3∶2。
本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的隔壁212優(yōu)選采用由無機(jī)成分和含有感光性化合物的有機(jī)成分構(gòu)成的感光性材料來形成。隔壁212通過在使用照相工序(光刻，Photolithography)形成了圖案后，進(jìn)行塑性加工而制成無機(jī)物的圖案的工序來形成。前述照相工序(光刻，Photolithography)是通過隔著形成有圖案的掩模以具有特定的波長的光使感光性材料曝光，引起光化學(xué)反應(yīng)而形成圖案的工序。
用于形成隔壁212的感光性材料可以采用包括含有60重量％以上的玻璃粒子的無機(jī)成分和含有感光性化合物的有機(jī)成分的感光性材料來形成，前述無機(jī)成分的平均折射率N1和前述有機(jī)成分的平均折射率N2的差最好具有-0.1至0.2的范圍。另外，無機(jī)成分的平均折射率N1最好為1.5至1.65。
通過使感光性材料包含具有如前所述的比率及平均折射率的無機(jī)成分和感光性有機(jī)成分，就可以形成具有高精密度的圖案的小寬度的隔壁。
另外，前述感光性材料最好含有50至96重量％的無機(jī)成分和5至50重量％的有機(jī)成分。通過使前述感光性材料含有如前所述的比率的無機(jī)成分和感光性有機(jī)成分，在隔壁212的塑性加工之時(shí)，可以減少收縮率及形狀變化，由此可以容易地形成小寬度的隔壁。
作為感光性材料中所含的無機(jī)成分，可以廣泛地使用玻璃、氧化鋁、堇青石、金、鉑、銀、銅、鎳、鈀、鎢、氧化釕等無機(jī)成分，更優(yōu)選為使用以作為絕緣體的硅氧化物、硼氧化物或鋁氧化物作為必需成分的玻璃或陶瓷。
為了促進(jìn)前述感光性有機(jī)化合物的光化學(xué)反應(yīng)，無機(jī)成分最好含有光催化劑，例如氧化鈦(TiO2)。
無機(jī)成分中所含的玻璃粒子最好以整體3至20重量％的量來含有氧化鋰、氧化鈉、氧化鉀當(dāng)中的至少一種。當(dāng)使用如前所述的玻璃粒子時(shí)，對(duì)于前述無機(jī)成分的熱軟化溫度、熱膨脹系數(shù)的控制十分容易，容易將與有機(jī)成分的平均折射率縮小為0.1以內(nèi)。更優(yōu)選為玻璃粒子含有氧化鋰或氧化鉀，提高感光性材料的安全性，減少無機(jī)成分的折射率。
玻璃粒子最好以整體5至50重量％的比例含有氧化鉍(bismuth)、氧化鉛當(dāng)中的至少一種，這樣就可以獲得具有可以在作為玻璃基板的下部基板211上進(jìn)行圖案加工的溫度特性的感光性隔壁材料，且可以增加感光性材料的接口壽命(ポ一ト壽命)。
而且，玻璃粒子更優(yōu)選為含有5至30重量％的氧化鉍(bismuth)、氧化鉛當(dāng)中的至少一種，且含有3至15重量％的氧化鋰、氧化鈉及氧化鉀當(dāng)中的至少一種。通過采用如前所述的玻璃粒子，就可以防止感光性材料的熱膨脹系數(shù)偏離目的值，產(chǎn)生與玻璃基板的不匹配(mismatch)，可以降低熱軟化點(diǎn)。
前述感光性隔壁材料可以不使用鉛(Pb)，即使使用，最好使之以等離子體顯示板的總重量的0.1重量％或1000PPM(Pargs Per Million)以下少量地含有鉛(Pb)。
這里，當(dāng)將鉛成分的整體含有量設(shè)為1000PPM以下時(shí)，可以使相對(duì)于等離子體顯示板的重最，鉛的含有量達(dá)到1000PPM以下。
或者，也可以將等離子體顯示板的特定的構(gòu)成要素中的鉛成分的含有量設(shè)為1000PPM以下。例如，可以使隔壁的鉛成分、電介質(zhì)層的鉛成分或電極中的鉛成分的含有量相對(duì)于各個(gè)構(gòu)成要素(隔壁、電介質(zhì)層及電極)的重量達(dá)到1000PPM以下。
另外，也可以將等離子體顯示板的隔壁、電介質(zhì)層、電極、熒光體層等全部的構(gòu)成要素的鉛成分的含有量相對(duì)于等離子體顯示板的重量分別設(shè)為1000PPM以下。如這樣，將鉛成分的整體含有量設(shè)為1000PPM以下的理由是因?yàn)?，鉛成分可以對(duì)人體造成不良影響。
有機(jī)成分含有包括感光性單體(monomer)、感光性低聚體(oligomer)或感光性聚合物(polymer)的感光性成分，最好還含有粘合劑(binder)、光聚合引發(fā)劑、紫外線吸收劑、敏化劑、敏化增稠劑、聚合禁阻劑、增塑劑、增稠劑、有機(jī)溶劑、防氧化劑、分散劑、有機(jī)或無機(jī)的防沉淀劑、或調(diào)平劑等添加劑成分。
作為感光性成分，對(duì)于光不可溶用或光可溶用，全都可以利用。作為光不可溶用，包括在分子內(nèi)具有一個(gè)以上不飽和基等的官能性的單體(monomer)、低聚體(oligomer)或聚合物(polymer)，或包括芳香族重氮(diazo)化合物、芳香族疊氮化物(azide)、有機(jī)鹵素(halogen)化合物等感光性化合物，作為重氮類胺(amine)和甲醛(formaldehyde)的縮合物的重氮樹脂等可以作為感光性成分加以使用。
另外，作為光可溶用，包括重氮化合物的無機(jī)鹽與有機(jī)酸的復(fù)合體或醌重氮類，可以使用使醌(quinone)重氮類與適當(dāng)?shù)木酆衔镎澈蟿┛s合了的酚、酚醛清漆的萘醌-1，2-二疊氮基(デアジド)-5-磺酸酯等。
圖4表示針對(duì)等離子體顯示板的電極配置的一個(gè)實(shí)施方式，其中構(gòu)成等離子體顯示板的多個(gè)放電小室最好如圖4所示以矩陣形態(tài)被配置。多個(gè)放電小室被設(shè)于各條掃描電極線路(Y1至Ym)、保持電極線路(Z1至Zm)及尋址電極線路(X1至Xn)的交叉部。掃描電極線路(Y1至Ym)依次被驅(qū)動(dòng)，保持電極線路(Z1至Zm)被共同驅(qū)動(dòng)。尋址電極線路(X1至Xn)被分割為奇數(shù)編號(hào)線路和偶數(shù)編號(hào)線路而驅(qū)動(dòng)。
圖4所示的電極配置只不過是針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體面板的電極配置的一個(gè)實(shí)施方式，而本發(fā)明并不限于圖4所示的等離子體顯示板的電極配置及驅(qū)動(dòng)方式。例如，也可以是將前述掃描電極線路(Y1至Ym)當(dāng)中的2條掃描電極線路同時(shí)驅(qū)動(dòng)的雙重掃描(dual scan)方式。
圖5是以剖面圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第一實(shí)施方式的圖，其僅簡要地示出了圖2所示的等離子體顯示板當(dāng)中的形成于1個(gè)放電小室內(nèi)的維持電極對(duì)202、203的配置構(gòu)造。
如圖5所示，本發(fā)明第一實(shí)施方式涉及的維持電極202、203以放電小室的中心為基準(zhǔn)對(duì)稱地成對(duì)形成在基板上。各個(gè)維持電極由線路部和突出部構(gòu)成，其中，該線路部包括橫切放電小室的至少2條電極線路202a、202b、203a、203b，該突出部包括與最接近前述放電小室的中心的電極線路202a、203a連結(jié)、且在前述放電小室內(nèi)向放電小室的中心方向突出的至少一個(gè)突出電極202c、203c。另外，如圖3所示，前述維持電極202、203最好各自還包括將前述2條電極線路202a和202b、203a和203b連結(jié)的1個(gè)橋電極202d、203d。
電極線路202a、202b、203a、203b橫切放電小室，并沿等離子體顯示板的一個(gè)方向延伸。為了提高開口率，本發(fā)明第一實(shí)施方式涉及的電極線路的寬度形成得較窄。另外，為了提高放電擴(kuò)散效率，最好使用多條電極線路202a、202b、203a、203b，并且最好考慮到開口率而決定電極線路的條數(shù)。
突出電極202c、203c最好與在1個(gè)放電小室內(nèi)最靠近放電小室的中心的電極線路202a、203a連結(jié)，且向放電小室的中心方向突出。突出電極202c、203c在等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)時(shí)，降低初始放電電壓。由于初始放電電壓隨著電極線路202a、203a間的距離c而增加，因此本發(fā)明第一實(shí)施方式中，具備分別與電極線路202a、203a連結(jié)的突出電極202c、203c。由于在靠近形成的突出電極202c、203c間，即使是較低的初始放電電壓，也可以開始放電，因此可以降低等離子體顯示板的初始放電電壓。這里，所謂初始放電電壓是指，向維持電極對(duì)202、203當(dāng)中的至少任意一個(gè)電極供給脈沖時(shí)，開始放電的電壓水平。
這種突出電極202c、203c由于其大小非常小，因此，可以利用制造工序的公差，使實(shí)質(zhì)上突出電極202c、203c的與電極線路202a、203a連結(jié)的部分的寬度W1形成為大于突出電極的端部的寬度W2，且根據(jù)需要，也可以使其端部的寬度W2更大。
構(gòu)成各個(gè)維持電極對(duì)203、202的相鄰的2條電極線路間的間隔，即203a和203b間的間隔或202a和202b間的間隔最好為80至120μm。當(dāng)前述相鄰的2條電極線路間的間隔具有如前所述的值時(shí)，可以充分地確保等離子體顯示板的開口率并增加顯示影像的亮度，且可以增加放電空間內(nèi)的放電擴(kuò)散效率。
突出電極202c、203c的寬度W1最好為35至45μm。當(dāng)突出電極202c、203c的寬度具有如前所述的值時(shí)，可以防止等離子體顯示板的開口率減小，并在顯示器的全面反射而射出的光被前述突出電極202c、203c遮擋，而使得影像的亮度降低。
另外，突出電極202c、203c間的間隔a最好為15至165μm。當(dāng)突出電極202c、203c間的間隔a具有如前所述的值時(shí)，可以防止在突出電極202c、203c間產(chǎn)生閾值以上的過度放電而使電極的壽命縮短的情況，且能夠具有對(duì)等離子體顯示板驅(qū)動(dòng)來說適當(dāng)?shù)某跏挤烹婋妷骸?br> 橋電極202d、203d將構(gòu)成各個(gè)維持電極202、203的2條電極線路202a和202b、203a和203b連結(jié)。橋電極202d、203d有助于使得穿過突出電極202c、203c而開始的放電從放電小室的中心容易地?cái)U(kuò)散到較遠(yuǎn)的電極線路202b、203b。
如這樣，本發(fā)明第一實(shí)施方式涉及的電極構(gòu)造通過建議電極線路的條數(shù)，可以提高開口率。另外，通過形成突出電極202c、203c，可以降低初始放電電壓。另外，利用橋電極202d、203d和距離放電小室中心較遠(yuǎn)的電極線路202b、203b來增加放電擴(kuò)散效率，可以在整體上提高等離子體顯示板的發(fā)光效率。即，由于可以與以往的等離子體顯示板的明亮度相等，或者更為明亮，因此可以不使用ITO透明電極。
圖6是以剖面圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第二實(shí)施方式的圖，其僅簡要地示出了圖2所示的等離子體顯示板當(dāng)中的1個(gè)放電小室內(nèi)所形成的維持電極對(duì)402、403的配置構(gòu)造。
如圖6所示，維持電極402、403分別包括橫切放電小室的至少2條電極線路402a、402b、403a、403b；與最接近放電小室的中心的電極線路402a、403a連結(jié)，且在放電小室內(nèi)向放電小室的中心方向突出的第一突出電極402c、403c；將前述2條電極線路402a和402b、403a和403b連結(jié)的橋電極402d、403d；與距離放電小室的中心最遠(yuǎn)的電極線路402b、403b連結(jié)，且在放電小室內(nèi)向放電小室的中心的相反方向突出的第二突出電極402e、403e。
電極線路402a、402b、403a、403b橫切放電小室，且沿等離子體顯示板的一個(gè)方向延伸。為了提高開口率，本發(fā)明第二實(shí)施方式涉及的維持電極線路的寬度最好形成得較窄。電極線路的寬度W1最好被設(shè)為20μm以上70μm以下，而使得提高開口率，且順利地產(chǎn)生放電。
如圖6所示，與放電小室的中心接近的電極線路402a、403a與第一突出電極402c、403c連結(jié)，與放電小室的中心接近的電極線路402a、403a在開始放電的同時(shí)，形成開始放電擴(kuò)散的路徑。與放電小室的中心較遠(yuǎn)的電極線路402b、403b與第二突出電極402e、403e連結(jié)。與放電小室的中心較遠(yuǎn)的電極線路402b、403b起到將放電擴(kuò)散到放電小室周邊部的作用。
第一突出電極402c、403c與在1個(gè)放電小室內(nèi)靠近放電小室的中心的電極線路402a、403a連結(jié)，且向放電小室的中心方向突出。最好第一突出電極形成于電極線路402a、403a的中心。通過第一突出電極402c、403c相互對(duì)應(yīng)地形成于電極線路中心，可以更有效地降低等離子體顯示板的初始放電電壓。
突出電極402c、403c的寬度W1最好為35至45μm，突出電極402c、403c間的間隔a最好為15至165μm。突出電極402c、403c的寬度及間隔的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖5所說明的情況相同，因此省略。
橋電極402d、403d將構(gòu)成各個(gè)維持電極402、403的2條電極線路402a和402b、403a和403b連結(jié)。橋電極402d、403d有助于使得借助突出電極而開始的放電容易地?cái)U(kuò)展至與放電小室的中心較遠(yuǎn)的電極線路402b、403b。這里，雖然橋電極402d、403d位于放電小室內(nèi)，但根據(jù)需要，也可以形成于劃分放電小室的隔壁412上。
這樣，針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第二實(shí)施方式中，也可以使放電向電極線路402b、403b和隔壁412間的空間中擴(kuò)散。這樣，通過增加放電擴(kuò)散效率，可以提高等離子體顯示板的發(fā)光效率。
另外，第二突出電極402e、403e與距離放電小室的中心較遠(yuǎn)的電極線路402b、403b連結(jié)，且向放電小室的中心方向的相反方向突出。第二突出電極402e、403e的長度最好為50至100μm，通過具有如前所述的值，可以使得放電有效地?cái)U(kuò)展到距離放電小室的中心較遠(yuǎn)的放電空間。
如圖6所示，第二突出電極402e、403e可以延伸至劃分放電小室的隔壁412處。另外，如果可以用其他的部分充分地補(bǔ)償開口率，則為了進(jìn)一步提高放電效率，也可以在隔壁412上局部地延長。但是，當(dāng)?shù)诙怀鲭姌O402e、403e未延伸至隔壁412時(shí)，第二突出電極402e、403e和與之相鄰的隔壁412間的間隔最好為70μm以下。在第二突出電極402e、403e與隔壁412間的間隔在70μm以下時(shí)，放電就可以有效地?cái)U(kuò)展到距離放電小室的中心較遠(yuǎn)的放電空間。
針對(duì)本發(fā)明的維持電極構(gòu)造的第二實(shí)施方式中，最好在電極線路402b、403b的中心形成第二突出電極402e、403e，并使放電均等地向放電小室的周邊部擴(kuò)散。
另一方面，本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，最好將劃分放電小室的隔壁當(dāng)中的位于第二突出電極402e、403e延伸的方向上的隔壁的寬度Wb形成為200μm以下。另外，最好在前述隔壁412上形成黑矩陣(未圖示)，該黑矩陣用于吸收外部光而確保室內(nèi)對(duì)比度(明室コントラスト)，防止所發(fā)射的放電光延及到相鄰放電小室而顯示的情況。通過將隔壁412的寬度建議為200μm以下，放電小室的面積增加。這樣，可以增加發(fā)光效率，且可以補(bǔ)償因第二突出電極等使開口率降低的情況。最好位于第二突出電極所延伸的方向上的隔壁的寬度Wb設(shè)為90至100μm，可以獲得最佳的發(fā)光效率。
圖7是表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第三實(shí)施方式的剖面圖。省略對(duì)于圖7所示的維持電極構(gòu)造當(dāng)中的與圖6所示相同的內(nèi)容的說明。
如圖7所示，針對(duì)本發(fā)明涉及的維持電極構(gòu)造的第三實(shí)施方式中，在維持電極602、603上分別形成2個(gè)第一突出電極602a、603a。第一突出電極602a、603a與靠近放電小室的中心的電極線路連結(jié)，且向放電小室的中心方向突出。最好第一突出電極602a、603a各自以電極線路的中心為基準(zhǔn)相互對(duì)稱地形成。
第一突出電極602a、603a的寬度最好為35至45μm。前述突出電極寬度的上限值與下限值的臨界的意思由于與參考圖5所說明的相同，因此省略。
對(duì)于從1條電極線路中突出的2個(gè)第一突出電極間的間隔d1、d2，在等離子體顯示板具有42英寸(inch)的大小及VGA的析像度的場合下，最好為50至100μm，在等離子體顯示板具有42英寸(inch)的大小及XGA的析像度的場合下，最好為30至80μm，在等離子體顯示板具有50英寸(inch)的大小及XGA的析像度的場合下，最好為40至90μm。
當(dāng)?shù)谝煌怀鲭姌O的間隔d1、d2具有如前所述的范圍時(shí)，能夠確?？梢燥@現(xiàn)出顯示器所要求的影像的亮度的開口率，且可以防止第一突出電極與隔壁過于接近而使無效功率增加，從而使顯示器所消耗的功率增加到極限值以上的情況。
通過在維持電極602、603中分別形成2個(gè)第一突出電極602a、603a，放電小室中心的電極面積即增加。這樣，在開始放電前，可以在放電小室內(nèi)形成較多的空間電荷，使初始放電電壓進(jìn)一步降低，使放電速度加快。同時(shí)，在放電開始后，壁電荷量增加，亮度上升，放電向整個(gè)放電小室中均一地?cái)U(kuò)散。
另外，第一突出電極602a、603a間的間隔a1、a2，即與電極線路602、603交叉的方向上的2個(gè)突出電極的間隔a1、a2，最好為15至165μm。突出電極間隔的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖5所說明的相同，因此省略。
圖8是表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第四實(shí)施方式的剖面圖。省略對(duì)于圖8所示的電極構(gòu)造當(dāng)中的與圖6及圖7所述的相同的內(nèi)容的說明。
如圖8所示，針對(duì)本發(fā)明涉及的維持電極構(gòu)造的第四實(shí)施方式中，維持電極702、703分別形成有3個(gè)第一突出電極702a、703a。
第一突出電極702a、703a與電極線路當(dāng)中的靠近放電小室的中心的電極線路連結(jié)，且向放電小室的中心方向突出。任意一個(gè)第一突出電極最好形成于電極線路的中心，且剩余的2個(gè)第一突出電極最好以電極線路的中間為基準(zhǔn)相互對(duì)稱地形成。通過在維持電極702、703中分別形成3個(gè)第一突出電極702a、703a，與圖6和圖7的場合相比，初始放電電壓進(jìn)一步降低，且放電速度也更為加快。同時(shí)，在放電開始后，亮度進(jìn)一步上升，放電向整個(gè)放電小室中更為均一地?cái)U(kuò)散。
如上所述，通過增加第一突出電極的個(gè)數(shù)，放電小室的中心的電極面積增加而使初始放電電壓降低，且使亮度增加。另一方面，應(yīng)當(dāng)考慮到從放電小室的中心產(chǎn)生最強(qiáng)的放電，且發(fā)射出最明亮的放電光這一點(diǎn)。即，最好將以下的方面與初始放電電壓和亮度效率一起考慮，來選擇最佳的個(gè)數(shù)并設(shè)計(jì)維持電極的構(gòu)造，即該方面是指第一突出電極的個(gè)數(shù)增加越多，則越會(huì)遮擋從放電小室的中心發(fā)射出的光，從而使所發(fā)射的光顯著地減少。
第一突出電極702a、703a的寬度最好為35至45μm，第一突出電極702a、703a間的間隔a1、a2、a3最好為15至165μm。對(duì)于第一突出電極702a、703a的寬度及間隔的前述上限值和下限值的臨界的意思，由于與參考圖5所說明的情況相同，因此省略。
圖9是以剖面圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第五實(shí)施方式的圖，其中維持電極800、810分別包括橫切放電小室的3條電極線路800a、800b、800c、810a、810b、810c。電極線路橫切放電小室且沿等離子體顯示板的一個(gè)方向延伸。為了提高開口率，前述電極線路的寬度形成得較窄，最好具有20至70μm的寬度，從而能夠提高開口率，并且順利地產(chǎn)生放電。
維持電極對(duì)的電極線路800a、800b、800c、810a、810b、810c的厚度最好為3至7μm，構(gòu)成各個(gè)維持電極的3條電極線路間的間隔a1、a2可以相互一樣或不同，電極線路的寬度b1、b2、b3也可以相互一樣或不同。電極線路的厚度的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖2所說明的情況相同，因此省略。
圖10是以剖面圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第六實(shí)施方式的圖，其中維持電極900、910分別包括橫切放電小室的4條電極線路900a、900b、900c、900d、910a、910b、910c、910d。前述電極線路橫切放電小室并沿等離子體顯示板的一個(gè)方向延伸。為了提高開口率，前述電極線路的寬度形成得較窄，且最好具有20至70μm的寬度，從而能夠提高開口率，并且順利地產(chǎn)生放電。
維持電極對(duì)900、910的電極線路900a、900b、900c、900d、910a、910b、910c、910d的厚度最好為3至7μm。電極線路的厚度的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖2所說明的情況相同，因此省略。
構(gòu)成各個(gè)維持電極的4條電極線路間的間隔c1、c2、c3可以相互一樣或不同，電極線路的寬度d1、d2、d3、d4也可以相互一樣或不同。
圖11是以剖面圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第七實(shí)施方式的圖，其中維持電極1000、1010分別包括橫切放電小室的4條電極線路1000a、1000b、1000c、1000d、1010a、1010b、1010c、1010d。電極線路橫切放電小室并沿等離子體顯示板的一個(gè)方向延伸。
維持電極對(duì)的電極線路1000a、1000b、1000c、1000d、1010a、1010b、1010c、1010d的厚度最好為3至7μm。電極線路的厚度的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖2所說明的情況相同，因此省略。
橋電極1020、1030、1040、1050、1060、1070分別將2條電極線路連結(jié)。橋電極1020、1030、1040、1050、1060、1070使得開始的放電很容易擴(kuò)散到距離放電小室的中心較遠(yuǎn)的電極線路。如圖11所示，橋電極1020、1030、1040、1050、1060、1070的位置也可以相互不一致，某一個(gè)橋電極1040也可以位于隔壁1080上。
圖12是以剖面圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第八實(shí)施方式的圖，其與圖11所示的情況不同，連結(jié)電極線路的橋電極形成于相同的位置上，相對(duì)于維持電極1100、1110分別形成有連結(jié)4條電極線路1100a、1100b、1100c、1100d、1110a、1110b、1110c、1110d的1個(gè)橋電極1120、1130。
維持電極對(duì)的電極線路1100a、1100b、1100c、1100d、1110a、1110b、1110c、1110d的厚度最好為3至7μm。電極線路的厚度的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖2所說明的情況相同，因此省略。
圖13是以剖面圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第九實(shí)施方式的圖，其中相對(duì)于電極線路1200、1210，分別形成有包括閉環(huán)(closed loop)的形態(tài)的突出電極1220、1230。借助如圖13所示的包括閉環(huán)的突出電極1220、1230，可以降低初始放電電壓，并且可以提高開口率。突出電極及閉環(huán)的形態(tài)可以多樣化地變形。
維持電極對(duì)的電極線路1200、1210的厚度最好為3至7μm。電極線路的厚度的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖2所說明的情況相同，因此省略。
突出電極1220、1230的線寬度W1、W2最好為35至45μm。當(dāng)突出電極1220、1230的線寬度W1、W2具有如前所述的值時(shí)，可以確保足夠的面板的開口率，并防止在顯示器的全面反射而射出的光被前述突出電極遮擋，而使影像的亮度降低的情況。
另外，2個(gè)突出電極1220、1230間的間隔最好為15至165μm。突出電極間隔的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖5所說明的情況相同，因此省略。
圖14是以剖面圖表示來針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第十實(shí)施方式的圖，其中相對(duì)于電極線路1300、1310，分別形成有包括四角形態(tài)的閉環(huán)的突出電極1320、1330。
維持電極對(duì)的電極線路1300、1310的厚度最好為3至7μm。電極線路的厚度的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖2所說明的情況相同，因此省略。
突出電極1320、1330的線寬度W1、W2最好為35至45μm。前述突出電極1320、1330的線寬度W1、W2的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖12所說明的情況相同，因此省略。
另外，2個(gè)突出電極1320、1330間的間隔最好為15至165μm。突出電極間隔的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖5所說明的情況相同，因此省略。
圖15A及圖15B是以剖面圖來表示針對(duì)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的維持電極構(gòu)造的第十一實(shí)施方式的圖，其中相對(duì)于電極線路1400、1410，分別形成有向放電小室的中心方向突出的第一突出電極1420a、1420b、1430a、1430b和向前述放電小室的中心方向或其相反方向突出的第二突出電極1440、1450、1460、1470。
如圖15A所示，最好相對(duì)于電極線路1400、1410，分別形成向放電小室的中心方向突出的2個(gè)第一突出電極1420a、1420b、1430a、1430b，且形成向放電小室中心方向的相反方向突出的1個(gè)第二突出電極1440、1450?；蛘撸鐖D15B所示，第二突出電極1460、1470可以向放電小室的中心方向突出。
維持電極對(duì)的電極線路1400、1410的厚度最好為3至7μm。前述電極線路厚度的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖2所說明的情況相同，因此省略。
第一突出電極1420a、1420b、1430a、1430b的寬度最好為35至45μm。突出電極寬度的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖5所說明的情況相同，因此省略。
關(guān)于從1條電極線路中突出的2個(gè)第一突出電極間的間隔d1、d2，在等離子體顯示板具有42英寸(inch)的大小及VGA的析像度的場合下，最好為50至100μm，在等離子體顯示板具有42英寸(inch)的大小及XGA的析像度的場合下，最好為50至100μm，在具有50英寸(inch)的大小及XGA的析像度的場合下，最好為40至90μm。第一突出電極間的間隔d1、d2的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖7所說明的情況相同，因此省略。
另外，其他第一突出電極間的間隔，即1420a與1430a間的間隔a1或1420b與1430b間的間隔a2最好為15至165μm。突出電極間隔的上限值和下限值的臨界的意思由于與參考圖5所說明的情況相同，因此省略。
圖16是對(duì)于具有如前所述的構(gòu)造的本發(fā)明涉及的等離子體顯示板，以時(shí)序圖表示了針對(duì)將一個(gè)幀(frame)分為多個(gè)子域(subfield)而進(jìn)行分時(shí)驅(qū)動(dòng)的方法的一個(gè)實(shí)施方式的圖。為了實(shí)現(xiàn)分時(shí)灰度顯示，可以將單位幀分割為規(guī)定個(gè)數(shù)，例如8個(gè)子域SF1、…、SF8。另外，各子域SF1、…、SF8被分割為復(fù)位區(qū)間(未圖示)、尋址區(qū)間A1、…、A8及保持區(qū)間S1、…、S8。這里，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，復(fù)位區(qū)間可省略為多個(gè)子域中的至少一個(gè)。例如，復(fù)位區(qū)間可以僅在最初的子域中存在，或僅在最初的子域和全體子域中，位于中間程度的子域中存在。
各尋址區(qū)間A1、…、A8中，對(duì)尋址電極X附加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，且依次附加與各掃描電極Y相應(yīng)的掃描脈沖。
各保持區(qū)間S1、…、S8中，對(duì)掃描電極Y和保持電極Z交互地附加保持脈沖，在尋址區(qū)間A1、…、A8中在形成有壁電荷的放電小室中引起保持放電。
等離子體顯示板的亮度與在單位幀中所占的保持放電區(qū)間S1、…、S8內(nèi)的保持放電脈沖個(gè)數(shù)成比例。在形成1個(gè)圖像的1個(gè)幀由8個(gè)子域和256個(gè)灰度表現(xiàn)的場合下，對(duì)各子域可以依次以1、2、4、8、16、32、64、128的比例分配相互不同的保持脈沖的數(shù)目。如果要獲得133個(gè)灰度的亮度，則只要在子域1區(qū)間、子域3區(qū)間及子域8區(qū)間期間對(duì)小室尋址并進(jìn)行保持放電即可。
分配到各子域中的保持放電數(shù)目可以根據(jù)APC(Automatic PowerControl)步驟的對(duì)子域的加權(quán)值來可變地決定。即，圖9中雖然以將1個(gè)幀分割為8個(gè)子域的場合為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，可以根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)格將形成1個(gè)幀的子域的數(shù)目多樣化地變形。例如，可以將1個(gè)幀如12或16個(gè)子域等那樣，分割為8個(gè)子域以上或以下，并驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板。
另外，分配到各子域中的保持放電數(shù)目可以考慮到灰度系數(shù)特性或面板特性而多樣化地變形。例如，可以將分配到子域4中的灰度值從8降低為6，將分配到子域6中的灰度值從32提高為34。
圖17是相對(duì)于被分割了的子域，以時(shí)序圖表示針對(duì)用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的一個(gè)實(shí)施方式的圖。
首先，存在預(yù)復(fù)位(prereset)區(qū)間，其用于在掃描電極Y上形成正極性壁電荷，且在保持電極Z上形成負(fù)極性壁電荷，其后，各子域包括用于采用由預(yù)復(fù)位區(qū)間形成的壁電荷分布而將全部畫面的放電小室初始化的復(fù)位(reset)區(qū)間、用于選擇放電小室的尋址(address)區(qū)間及用于維持所選擇的放電小室的放電的保持(sustain)區(qū)間。
復(fù)位區(qū)間由上置(setup)區(qū)間及下置(setdown)區(qū)間構(gòu)成，前述上置區(qū)間中，對(duì)全部的掃描電極同時(shí)附加上升斜坡波形(Ramp-up)，在所有的放電小室中產(chǎn)生微小放電，這樣可以產(chǎn)生壁電荷。在前述下置區(qū)間中，對(duì)所有的掃描電極Y同時(shí)附加在低于前述上升斜坡波形(Ramp-up)的峰值電壓的正極性電壓處下降的下降斜坡波形(Ramp-down)，并在所有的放電小室中產(chǎn)生消除放電，這樣，就可以將由上置放電生成的壁電荷及空間電荷當(dāng)中的無用電荷消除。
在尋址區(qū)間內(nèi)，對(duì)掃描電極依次附加負(fù)極性的掃描信號(hào)(scan)，與此同時(shí)，對(duì)前述尋址電極X附加正極性的數(shù)據(jù)信號(hào)(data)。利用這種前述掃描信號(hào)(scan)和數(shù)據(jù)信號(hào)(data)之間的電壓差與在前述復(fù)位區(qū)間之間生成的壁電壓，而產(chǎn)生尋址放電并選擇小室。另一方面，在前述下置區(qū)間和尋址區(qū)間之間，對(duì)前述保持電極附加將保持電壓(Vs)維持的信號(hào)。
在前述保持區(qū)間內(nèi)，對(duì)掃描電極和保持電極交互地附加保持脈沖，并在掃描電極和保持電極之間以面放電形態(tài)產(chǎn)生保持放電。
圖17所示的驅(qū)動(dòng)波形，是針對(duì)用于驅(qū)動(dòng)本發(fā)明涉及的等離子體顯示板的信號(hào)的一個(gè)實(shí)施方式，但本發(fā)明并不受前述圖17所示的波形限定。例如，可以省略前述預(yù)復(fù)位區(qū)間，圖17所示的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的極性及電壓水平可以根據(jù)需要而變更，在前述保持放電結(jié)束后，可以對(duì)保持電極附加用于消除壁電荷的消除信號(hào)。另外，也可以進(jìn)行將前述保持信號(hào)僅附加于掃描電極Y和保持電極Z當(dāng)中的任意一個(gè)而引起保持放電的單重保持(single sustain)驅(qū)動(dòng)。
以上雖然對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了詳述，但對(duì)于本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)的人員來說可知，可以在不脫離由附加的技術(shù)方案范圍所定義的本發(fā)明的精神及范圍，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變形或變更來實(shí)施。所以，本發(fā)明的今后的實(shí)施方式的變更應(yīng)當(dāng)無法脫離本發(fā)明的技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器，包含上部基板；形成于前述上部基板上的第一電極及第二電極；與前述上部基板相對(duì)置地配置的下部基板；形成于前述下部基板上的第三電極；形成于前述下部基板上且劃分放電小室的隔壁，該等離子體顯示器的特征是前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)由單一層形成，前述隔壁采用感光性材料來形成，前述感光性材料包括含有玻璃粒子的無機(jī)成分、和含有感光性化合物的有機(jī)成分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)包括形成于與前述第三電極交叉的方向上的線路部、和從前述線路部中突出的突出部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述無機(jī)成分含有60重量％以上的前述玻璃粒子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述無機(jī)成分的平均折射率與前述有機(jī)成分的平均折射率的差在0.2以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述無機(jī)成分的平均折射率為1.5～1.65。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述隔壁的上寬度為30至50μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述隔壁的下寬度為60至80μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述隔壁的高度為100至140μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述隔壁的介電常數(shù)為6至10。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，在前述上部基板和下部基板當(dāng)中的至少一個(gè)基板上形成有具有30至40μm的厚度的電介質(zhì)層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，在前述上部基板和下部基板當(dāng)中的至少一個(gè)基板上形成有電介質(zhì)層，前述隔壁的上寬度與前述電介質(zhì)層的厚度具有5∶3至3∶4的比率。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，在前述上部基板和下部基板當(dāng)中的至少一個(gè)基板上形成有電介質(zhì)層，前述隔壁的下寬度與前述電介質(zhì)層的厚度具有8∶3至3∶2的比率。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述上部基板與下部基板結(jié)合而形成的等離子體顯示板含有0.1重量％或1000PPM以下的鉛。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述無機(jī)成分含有氧化鈦。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述玻璃粒子含有3至20重量％的氧化鋰、氧化鈉及氧化鉀當(dāng)中的至少一個(gè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述玻璃粒子含有5至50重量％的氧化鉍、氧化鉛當(dāng)中的至少一個(gè)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，前述玻璃粒子含有5至30重量％的氧化鉍、氧化鉛當(dāng)中的至少一個(gè)，且含有3至15重量％的氧化鋰、氧化鈉及氧化鉀當(dāng)中的至少一個(gè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其特征是，在前述上部基板上形成有電介質(zhì)層，前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)與前述電介質(zhì)層相比顏色更暗。
19.一種等離子體顯示器，包含上部基板；形成于前述上部基板上的第一電極及第二電極；與前述上部基板相對(duì)置地配置的下部基板；形成于前述下部基板上的第三電極；形成于前述下部基板上且劃分放電小室的隔壁，該等離子體顯示器的特征是前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)由單一層形成，前述隔壁采用感光性材料來形成，前述感光性材料包括含有玻璃粒子的無機(jī)成分、和含有感光性化合物的有機(jī)成分，前述無機(jī)成分的平均折射率與前述有機(jī)成分的平均折射率的差為-0.1至0.2。
20.一種等離子體顯示器，包含上部基板；形成于前述上部基板上的第一電極及第二電極；與前述上部基板相對(duì)置地配置的下部基板；形成于前述下部基板上的第三電極；形成于前述下部基板上且劃分放電小室的隔壁，該等離子體顯示器的特征是前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)由單一層形成，且包括形成于與前述第三電極交叉的方向上的線路部、和從前述線路部中突出的突出部，前述隔壁采用感光性材料來形成，前述感光性材料包括平均折射率為1.5至1.65的無機(jī)成分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在等離子體顯示器所具備的面板中，可以將由ITO制成的透明電極除去而減少面板制造成本的等離子體顯示器。該等離子體顯示器包含上部基板；形成于前述上部基板上的第一電極及第二電極；與前述上部基板相對(duì)置地配置的下部基板；形成于前述下部基板上的第三電極；形成于前述下部基板上且劃分放電小室的隔壁，該等離子體顯示器的特征是，前述第一、二電極當(dāng)中的至少一個(gè)由單一層形成，前述隔壁采用感光性材料來形成，前述感光性材料包括含有玻璃粒子的無機(jī)成分、和含有感光性化合物的有機(jī)成分。
文檔編號(hào)H01J11/22GK101086943SQ20061016083
公開日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2006年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
發(fā)明者裵鐘運(yùn) 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社