專利名稱：掃描型電子顯微鏡及缺陷檢測裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及適合用于晶片的缺陷檢測的電子顯微鏡裝置，尤其涉及用于拍攝試樣表面的凹凸像的掃描型電子顯微鏡。
背景技術：
在半導體器件的制造工序中，實施對晶片的缺陷進行檢查的成行(inline)晶片檢查。通過檢測晶片的缺陷并進行分析，來找到產(chǎn)生缺陷的原因，從而可實現(xiàn)成品率的提高和生產(chǎn)線的穩(wěn)定運轉。
以往，為了對晶片的缺陷進行檢查而使用光學式缺陷檢查裝置，但在近幾年，利用了掃描型電子顯微鏡的缺陷檢查裝置逐漸被使用。掃描型電子顯微鏡可獲得試樣表面的微細凹凸的像。
特開2001-110351和特開2002-83563號中記載有利用掃描型電子顯微鏡來獲得試樣表面的凹凸像的方法。
近年來，伴隨著半導體制造工藝的微細化，缺陷尺寸也逐漸微細化。因此，作為試樣表面的像，需要獲得高分辨率且高對比度的凹凸像。
專利文獻1特開2001-110351號專利文獻2特開2002-83563號發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種作為試樣表面的像可獲得高分辨率且高對比度的凹凸像的掃描型電子顯微鏡。
根據(jù)本發(fā)明，掃描型電子顯微鏡具有電子源，產(chǎn)生一次電子束；物鏡，使一次電子束匯聚到試樣上；導體板，用于使從試樣產(chǎn)生的信號電子撞擊到其上；檢測器，檢測從導體板產(chǎn)生的二次電子；加速電場產(chǎn)生機構，產(chǎn)生用于使信號電子加速的加速電場；和屏蔽板，配置在物鏡的上側。利用具有這樣的構造的掃描型電子顯微鏡獲得試樣像。
根據(jù)本發(fā)明，作為試樣表面的像，可獲得高分辨率且高對比度的凹凸像。


圖1是表示本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡的構造的概略圖；圖2是表示本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡的物鏡附近的構造的圖；圖3是用于說明在本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡中屏蔽板的功能的說明圖；圖4是表示本發(fā)明的屏蔽板的例子的圖；圖5是表示本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡的導體板和檢測器的位置關系的圖；圖6是表示本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡的導體板的其他例子的圖；圖7是用于說明通過本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡來拍攝試樣表面的凹部的像例子的說明圖；圖8是用于說明通過本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡來拍攝試樣表面的凸部的像例子的說明圖。
圖中1-陰極；2-第一陽極；3-第二陽極；4-一次電子束；5-聚焦透鏡；6-光闌；7-第一導體板；8-第一檢測器；9-偏轉線圈；10-第二導體板；10a-第二導體板的上表面；10b，10c-第二導體板的下表面；10d，10e-第二導體板的側面；10f-第二導體板的孔；10g-導體管；11a，11b-第二檢測器；12-屏蔽板；12a-電場屏蔽板；12b-磁場屏蔽板；12c-電磁場屏蔽板；13-物鏡；13a-主磁極；13b-分離磁極；13c-間隙；14-電極；15-試樣；16-低能量的信號電子；17-高能量的信號電子；18-高電壓控制電源；19-聚焦透鏡控制電源；20-第一放大器；21-偏轉線圈控制部；22a，22b-第二放大器；23a，23b-檢測器施加電壓控制部；24-物鏡控制電源；25-施加電壓控制部；26-試樣施加電壓控制部；27-屏蔽板施加電壓控制部；28-圖像顯示裝置；29-CPU；30，31-二次電子；50-加速電場；51-吸引電場；52-磁場；70-試樣表面的凹部；71，72-信號電子；73-凹部的像中的左側部分；74-凹部的像中的右側部分；75-凹部的像中的左側部分；76-凹部的像中的右側部分；80-試樣表面的凸部；81，82-信號電子；83-凸部的像中的左側部分；84-凸部的像中的右側部分；85-凸部的像中的左側部分；86-凸部的像中的右側部分；121-屏蔽板的上端部；122-屏蔽板的側面；123-屏蔽板的開口部分。
具體實施例方式
圖1表示本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡的一個例子。本例的掃描型電子顯微鏡具有陰極1、陽極2、3、聚焦透鏡5、光闌6、第一導體板7、第一檢測器8、偏轉線圈9、第二導體板10、第二檢測器11a、11b、屏蔽板12、物鏡13。在物鏡13的下方配置有試樣15。第二檢測器11a、11b的電子檢測體也可以是閃爍體。
本例的掃描型電子顯微鏡還具有高電壓控制電源18，其對施加到陰極1與第一陽極2、第二陽極3之間的高電壓進行控制；聚焦透鏡控制電源19，其對聚焦透鏡5中流動的電流進行控制；第一放大器20，其放大來自第一檢測器8的信號；偏轉線圈控制部21，其向偏轉線圈9供給與倍率相對應的掃描信號；第二放大器22a、22b，其放大來自第二檢測器11a、11b的信號；檢測器施加電壓控制部23a、23b，其對施加到第二檢測器11a、11b的電壓進行控制；物鏡控制電源24，其對物鏡中流動的電流進行控制；施加電壓控制部25，其對施加到物鏡的分離磁極13b的電壓進行控制；試樣施加電壓控制部26，其對施加到試樣15的負電壓進行控制；屏蔽板施加電壓控制部27，其對施加到屏蔽板12的電壓進行控制；圖像顯示裝置28，其顯示試樣15的放大像；和CPU29，其對掃描型電子顯微鏡整體進行控制。
物鏡13是磁場泄漏型物鏡，在物鏡13的中心區(qū)域，于試樣15上生成泄漏磁場。物鏡13是包括主磁極13a和環(huán)狀的分離磁極13b的分割型，在主磁極13a和分離磁極13b之間形成有間隙13c。由施加電壓控制部25對分離磁極13b施加正電壓。由此生成加速電場。
由試樣施加電壓控制部26對試樣15施加負電壓。由此在試樣15上生成減速電場。由屏蔽板施加電壓控制部27對屏蔽板12施加0V～數(shù)十V的負電壓。
由檢測器施加電壓控制部23a、23b對第二檢測器11a、11b施加正電壓。由此生成吸引電場。對加速電場、減速電場、吸引電場的功能在后面說明。
另外，省略了保持試樣15的試樣臺、搬運試樣的搬運系統(tǒng)、收容掃描型電子顯微鏡的真空容器等的圖示。
通過對陰極1與第二陽極3之間施加高電壓，從陰極1放出的一次電子束4被加速。一次電子束4被聚焦透鏡5匯聚，由光闌6去除不需要的射束區(qū)域。一次電子束4通過第一導體板7的開口，被偏轉線圈9進行二維掃描，然后通過第二導體板10的開口。一次電子束4被物鏡13匯聚，通過試樣15上的減速電場而被減速，在試樣15上生成微小斑點。
通過一次電子束4的照射，從試樣15放出低能量的信號電子16和高能量的信號電子17。在此，設低能量的信號電子16的能量小于10eV、高能量的信號電子17的能量在10eV以上。低能量的信號電子16不具有放射方向的指向性。通過低能量的信號電子16可獲得試樣15的表面的輪廓、不同材質的邊界等的圖像，但難以獲得明了的凹凸像。另一方面，高能量的信號電子17向相對于試樣15的表面傾斜的方向放射。即，具有放射方向的指向性。通過高能量的信號電子17可獲得試樣15的表面的凹凸像。
低能量的信號電子16通過試樣15的加速電場而向物鏡13方向被加速，通過物鏡13的泄漏磁場而被向物鏡13的中心方向匯集，通過物鏡13的中心。通過了物鏡13的低能量的信號電子16撞擊到第一導體板7。由此，產(chǎn)生二次電子30。二次電子30由第一檢測器8檢測。來自第一檢測器8的檢測信號被第一放大器20放大，由CPU29進行處理，供給到圖像顯示裝置28。圖像顯示裝置28顯示試樣的放大像。
高能量的信號電子17向相對于試樣15的表面傾斜的方向放射，但通過物鏡13的泄漏磁場而向物鏡13的中心方向彎曲。這樣，高能量的信號電子17，以軌道彎曲的方式而通過物鏡13的中心。通過了物鏡13的高能量的信號電子17通過由磁極13b生成的加速電場而向陰極1方向被加速。加速后的高能量的信號電子17可撞擊到第二導體板10。由此，產(chǎn)生二次電子31。二次電子31由第二檢測器11a、11b檢測。來自第二檢測器11a、11b的檢測信號被第二放大器22a、22b放大，由CPU29進行處理，供給到圖像顯示裝置28。圖像顯示裝置28顯示試樣的凹凸像。
在本例中，不僅是高能量的信號電子17，而且一次電子束4也通過由磁極13b生成的加速電場而被加速，因此一次電子束4的像差降低，可獲得高分辨率的凹凸像。另外，設置在物鏡13的上部的屏蔽板12的功能的說明在后面參照圖3進行說明。
下面，對利用高能量的信號電子17獲得試樣表面的微小凹凸的像的情況進行說明。
參照圖2，表示本發(fā)明的掃描型電子顯微鏡的第二例。在圖2中僅表示掃描型電子顯微鏡的下部的一部分。在本例中，物鏡13不是分割型而是一體型。代之而在物鏡13的內(nèi)側的下端且為屏蔽板12的下端，設置有環(huán)狀的電極14。由施加電壓控制部25對電極14施加正電壓。由此，生成加速電場。電極14具有與磁極13b同樣的功能。
向相對于試樣15的表面傾斜的方向放射的高能量的信號電子17，通過物鏡13的泄漏磁場而向物鏡13的中心方向彎曲。通過了物鏡13的高能量的信號電子17通過由電極14生成的加速電場而向陰極1方向被加速。加速后的高能量的信號電子17可撞擊到第二導體板10。由此，產(chǎn)生二次電子31。二次電子31由第二檢測器11a、11b檢測。來自第二檢測器11a、11b的檢測信號被第二放大器22a、22b放大，由CPU29進行處理，供給到圖像顯示裝置28。圖像顯示裝置28明了地顯示試樣的凹凸像。
在本例中，不僅是高能量的信號電子17，而且一次電子束4也通過由電極14生成的加速電場而被加速，因此一次電子束4的像差降低，可獲得高分辨率的凹凸像。
由于二次電子31被吸引到由磁極13b或電極14生成的加速電場方向，所以二次電子31的檢測效率不高。因此，根據(jù)本發(fā)明，通過設置屏蔽板12，可使高能量的信號電子17的檢測效率提高。
參照圖3，對本例的掃描型電子顯微鏡的屏蔽板12的功能進行詳細地說明。在此，作為屏蔽板12的例子，對電場屏蔽板12a、磁場屏蔽板12b、和電磁場屏蔽板12c進行說明。圖3(a)表示從圖1的物鏡除去了屏蔽板12后的狀態(tài)。通過對物鏡的分離磁極13b施加正電壓，從而在第二導體板10與分離磁極13b之間的空間生成使高能量的信號電子加速的加速電場50。通過對第二檢測器11a、11b施加正電壓，產(chǎn)生具有將二次電子束31吸引到第二檢測器11a、11b上的作用的吸引電場51。因此，在物鏡13的上方，存在加速電場50和吸引電場51。但是，在第二導體板10的F端附近，加速電場50的強度比吸引電場51的強度大。因此，從第二導體板10產(chǎn)生的二次電子31被加速電場50吸引到物鏡的方向。因此，由第二檢測器11a、11b檢測的高能量的信號電子17減少，無法獲得清晰的凹凸像。
因此，根據(jù)本發(fā)明，如圖3(b)所示，在物鏡13的上部設置非磁性體的導體的電場屏蔽板12a。在物鏡13的上方，生成加速電場50和吸引電場51。但是，加速電場50被電場屏蔽板12a屏蔽，不會影響到物鏡13的上方。在物鏡13的上方，吸引電場51處于支配地位。從第二導體板10產(chǎn)生的二次電子31被吸引電場51吸引到第二檢測器11a、11b的方向。由檢測器11a、11b檢測的高能量的信號電子17增多，可獲得清晰的凹凸像。
圖3(c)與圖3(a)同樣，表示從圖1的物鏡除去了屏蔽板12后的狀態(tài)。在圖3(a)的例子中，未考慮物鏡的磁極13a與磁極13b之間的間隙13c的影響。實際上，由于存在間隙13c，在磁極13a與磁極13b之間會產(chǎn)生磁隙。因此，在第二導體板10與磁極13b之間的空間產(chǎn)生磁場52。因此，從第二導體板10產(chǎn)生的二次電子31因磁場52的洛倫茨力而彎曲，到達第二檢測器11a、11b的效率不高。因此，由第二檢測器11a、11b檢測的高能量的信號電子17減少，無法獲得清晰的凹凸像。
因此，根據(jù)本發(fā)明，如圖3(d)所示，在物鏡13的上部設置磁性體的磁場屏蔽板12b。在物鏡13的上方生成磁場52，但被磁場屏蔽板12b屏蔽。因此，可抑制由磁場52導致的二次電子31的軌道的彎曲。由檢測器11a、11b檢測的高能量的信號電子17增多，可獲得清晰的凹凸像。
圖3(e)與圖3(a)同樣，表示從圖1的物鏡除去了屏蔽板12后的狀態(tài)。通過對物鏡的分離磁極13b施加正電壓而產(chǎn)生加速電場50，通過對第二檢測器11a、11b施加正電壓而產(chǎn)生吸引電場51。由于因間隙13c引起的磁隙而產(chǎn)生磁場52。加速電場50的強度比吸引電場51的強度大。由于加速電場50的影響和磁場52的影響，由檢測器11a、11b檢測的高能量的信號電子17減少，無法獲得清晰的凹凸像。
因此，根據(jù)本發(fā)明，如圖3(f)所示，在物鏡13的上部設置磁性體的電磁場屏蔽板12c。在物鏡13的上方，生成加速電場50、吸引電場51和磁場52。但是，加速電場50被電磁場屏蔽板12c屏蔽，吸引電場51處于支配地位。磁場52被電磁場屏蔽板12c屏蔽，可抑制磁場52的影響。因此，從第二導體板10產(chǎn)生的二次電子31被吸引電場51吸引到第二檢測器11a、11b的方向。由檢測器11a、11b檢測的高能量的信號17增多，可獲得清晰的凹凸像。
以上，對圖1所示的分割型的物鏡13的情況進行了說明。即使在利用圖2所示的一體型的物鏡13并設置電極14的情況下，加速電場50也會擴散到物鏡13上部。另外，磁場52雖然小但也會擴散，與上述同樣的屏蔽板12是有效的。
參照圖4，對電場屏蔽板12a、磁場屏蔽板12b、以及電磁場屏蔽板12c的形狀進行說明。電場屏蔽板12a、磁場屏蔽板12b、以及電磁場屏蔽板12c的形狀可以相同。在此，對電場屏蔽板12a的形狀進行說明。電場屏蔽板12a具有如咖啡滴濾器(coffee drip filter)那樣的相對于光軸軸對稱的形狀。即，具有環(huán)狀的上端部121、圓錐狀的側面122、以及下端的開口部分123。
若開口部分123的直徑過大，則無法發(fā)揮遮斷加速電場50的所謂屏蔽的功能。但是，若開口部分123的直徑過小，則無法發(fā)揮使高能量的信號電子17加速的所謂加速電場50的功能。因此，開口部分123的直徑在20mm以上為好。電場屏蔽板12a與分離磁極13b的間隔需要為不放電程度的間隔。
通過本發(fā)明者所做的實驗發(fā)現(xiàn)通過屏蔽板施加電壓控制部27對屏蔽板12a施加0V～數(shù)十V的負電壓，由此提高檢測從第二導體板10產(chǎn)生的二次電子31的效率。對于電磁場屏蔽板12c也同樣發(fā)現(xiàn)通過施加0V～數(shù)十V的負電壓，提高檢測從第二導體板10產(chǎn)生的二次電子31的效率。
電場屏蔽板12a的材料優(yōu)選不銹鋼SUS316。磁場屏蔽板12b的材料優(yōu)選鐵素體。電磁場屏蔽板12c的材料優(yōu)選坡莫合金或純鐵。
參照圖5，對第二導體板10的構造進行說明。本例的第二導體板10是橫向配置三角柱的形狀，由水平的上表面10a、傾斜的兩個下表面10b、10c、垂直的兩個側面10d、10e構成，沿光軸形成有圓形截面的孔10f。在第二導體板10兩側，配置有第二檢測器11a、11b。第二導體板10及第二檢測器11a、11b，具有相對于包括光軸的垂直面面對稱的構造。
第二檢測器11a、11b被配置為其光軸的延長線與第二導體板10的兩個下表面10b、10c交叉。因此，從第二導體板10的兩個下表面10b、10c產(chǎn)生的二次電子31可由第二檢測器11a、11b檢測。
在本例中，從試樣產(chǎn)生的高能量的信號電子17被照射到第二導體板10的兩個下表面10b、10c。即，高能量的信號電子17的一半被照射到一方的下表面10b，產(chǎn)生二次電子31。高能量的信號電子17的另一半被照射到一方的下表面10c，產(chǎn)生二次電子31。從兩個下表面10b、10c產(chǎn)生的二次電子31分別由第二檢測器11a、11b檢測。如上所述，通過對第二導體板10和第二檢測器11a、11b采用相對于包括光軸的垂直面面對稱的構造，由兩個第二檢測器11a、11b獲得的檢測信號等量，可獲得對稱的凹凸圖像。
從陰極1到試樣15的表面的一次電子束4的通路，相對于光軸必須為軸對稱。若一次電子束4的通路不是軸對稱，則在通路形成的電場相對于光軸將非軸對稱。被偏轉線圈9偏轉后的一次電子束4受到來自非軸對稱的電場的力，則在試樣像中會發(fā)生像失真。
第二導體板10的孔10f形成了一次電子束4的通路。孔10f的內(nèi)部為相對于光軸軸對稱的構造。因此，在孔10f的內(nèi)部形成的電場相對于光軸軸對稱。但是，在孔10f的下端的開口部分的周圍配置有兩個下表面10b、10c。即，孔10f的下端的開口部分的周圍的形狀相對于光軸為非軸對稱。因此，孔10f的下端的開口部分的周圍的電場也不是軸對稱。
在圖6所示的例子中，第二導體板10的孔10f的下端的開口部分安裝有圓柱狀的導體管10g。導體管10g延伸為從第二導體板10的孔10f的下端向下方突出。導體管10g的下端的開口部分的周圍部遠離下表面10b、10c，成為軸對稱的空間。因此，導體管10g的下端的開口部分的周圍的電場為軸對稱，從而在試樣像中不會發(fā)生像失真。
參照圖7，對通過本例的掃描型電子顯微鏡來生成試樣表面的凹部的像的方法進行說明。圖7(a)表示試樣表面的凹部70的截面構造。圖7(b)表示由左側的檢測器11a獲得的凹部的像。左側的檢測器11a對從試樣15的表面向左放出的高能量的信號電子72進行檢測。因此，左側的檢測器11a對從凹部70的右側部分放出的高能量的信號電子72進行檢測，但不對從凹部70的左側部分放出的高能量的信號電子71進行檢測。凹部70的像中右側部分74變亮，而左側部分73變暗。圖7(c)表示由右側的檢測器11b獲得的凹部70的像。右側的檢測器11b對從試樣15的表面向右放出的高能量的信號電子71進行檢測。因此，右側的檢測器11b對從凹部的左側部分放出的高能量的信號電子71進行檢測，但不對從凹部的右側部分放出的高能量的信號電子72進行檢測。凹部70的像中的左右側部分75變亮，而右側部分76變暗。
參照圖8，對通過本例的掃描型電子顯微鏡來生成試樣表面的凸部的像的方法進行說明。圖8(a)表示試樣表面的凸部80的截面構造。圖8(b)表示由左側的檢測器11a獲得的凸部80的像。左側的檢測器11a對從試樣15的表面向左放出的高能量的信號電子82進行檢測。因此，左側的檢測器11a對從凸部的左側部分放出的高能量的信號電子82進行檢測，但不對從凸部的右側部分放出的高能量的信號電子81進行檢測。凸部80的像中的右側部分84變暗，而左側部分83變亮。圖8(c)表示由右側的檢測器11b獲得的凸部80的像。右側的檢測器11b對從試樣15的表面向右放出的高能量的信號電子81進行檢測。因此，右側的檢測器11b對從凸部的右側部分放出的高能量的信號電子81進行檢測，但不對從凸部的左側部分放出的高能量的信號電子82進行檢測。凸部80的像中的左右側部分85變暗，而右側部分86變亮。
以上，對本發(fā)明的例子進行了說明，但本發(fā)明并不限定于上述的例子，本領域技術人員容易理解可在專利的技術方案所記載的發(fā)明的范圍內(nèi)進行各種變更。
權利要求
1.一種掃描型電子顯微鏡，其中具有電子源，產(chǎn)生一次電子束；物鏡，使所述一次電子束匯聚到試樣上；導體板，用于使從所述試樣產(chǎn)生的10eV以上的高能量的信號電子撞擊到其上；兩個檢測器，檢測從所述導體板產(chǎn)生的二次電子；加速電場產(chǎn)生機構，在所述物鏡與所述導體板之間產(chǎn)生用于使所述信號電子加速的加速電場；和屏蔽板，配置在所述物鏡的上側。
2.根據(jù)權利要求1所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述物鏡是由中心側的分離磁極和外側的主磁極構成的分割型，所述加速電場產(chǎn)生機構由所述分離磁極構成。
3.根據(jù)權利要求1所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述加速電場產(chǎn)生機構由設置在所述物鏡內(nèi)側的環(huán)狀的電極構成。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述屏蔽板是用于抑制所述加速電場的電場屏蔽板。
5.根據(jù)權利要求2或3所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述屏蔽板是用于抑制由所述兩個磁極之間的間隙產(chǎn)生的磁隙所引起的磁場的磁場屏蔽板。
6.根據(jù)權利要求2或3所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述屏蔽板是用于抑制由所述兩個磁極之間的間隙產(chǎn)生的磁隙所引起的磁場、且抑制所述加速電場的電磁場屏蔽板。
7.根據(jù)權利要求1所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述物鏡生成用于將所述信號電子向所述物鏡的中央方向引導的泄漏磁場。
8.根據(jù)權利要求1所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，為了生成用于吸引所述信號電子的吸引電場，對所述檢測器施加正電壓。
9.根據(jù)權利要求1所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，為了生成用于使所述一次電子減速的減速電場，對所述試樣施加負電壓。
10.根據(jù)權利要求1、4或6所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，對所述屏蔽板施加負電壓。
11.根據(jù)權利要求1所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述屏蔽板具有環(huán)狀的上端部、圓錐狀的側面、和下端的開口部分。
12.根據(jù)權利要求1所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述兩個檢測器配置在所述導體板的兩側，具有相對于包括電子顯微鏡光軸的平面面對稱的構造。
13.根據(jù)權利要求1所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，所述導體板具有作為所述一次電子束通路的中心孔、和所述信號電子撞擊的兩個面，所述兩個檢測器被配置為可檢測從所述兩個面產(chǎn)生的二次電子。
14.根據(jù)權利要求13所述的掃描型電子顯微鏡，其特征在于，在所述導體板的中心孔的下端設置有圓柱狀的部件。
15.一種缺陷檢測裝置，具有掃描型電子顯微鏡和圖像顯示裝置，其中所述掃描型電子顯微鏡具有電子源，產(chǎn)生一次電子束；物鏡，使所述一次電子束匯聚到試樣上；導體板，用于使從所述試樣產(chǎn)生的10eV以上的高能量的信號電子撞擊到其上；第一及第二檢測器，檢測從所述導體板產(chǎn)生的二次電子；加速電場產(chǎn)生機構，在所述物鏡與所述導體板之間產(chǎn)生用于使所述信號電子加速的加速電場；和屏蔽板，配置在所述物鏡的上側，所述物鏡生成用于將所述信號電子向所述物鏡的中央方向引導的泄漏磁場，為了生成用于吸引所述信號電子的吸引電場，對所述檢測器施加正電壓。
16.根據(jù)權利要求15所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，所述屏蔽板是用于抑制所述加速電場的電場屏蔽板。
17.根據(jù)權利要求15所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，為了生成用于使所述一次電子減速的減速電場，對所述試樣施加負電壓。18.根據(jù)權利要求15所述的缺陷檢測裝置，其特征在于，對所述屏蔽板施加負電壓。
19.一種通過掃描型電子顯微鏡來獲得試樣像的方法，其中包括如下步驟通過物鏡匯聚來自電子源的一次電子束，在試樣上形成微小斑點；使從所述試樣產(chǎn)生的信號電子撞擊導體板；由檢測器檢測從所述導體板產(chǎn)生的二次電子；在所述物鏡與所述導體板之間產(chǎn)生用于使所述信號電子加速的加速電場；和在所述物鏡的上側配置屏蔽板。
20.根據(jù)權利要求19所述的通過掃描型電子顯微鏡來獲得試樣像的方法，其特征在于，還具有如下步驟通過對所述試樣施加負電壓，在所述試樣上生成用于使所述一次電子減速的減速電場；和對所述屏蔽板施加負電壓。
全文摘要
一種掃描型電子顯微鏡，其中，施加用于使一次電子束加速的正電壓，并且在物鏡的上部配置電場屏蔽板、或磁場屏蔽板、或電磁場屏蔽板。利用具有這樣的構造的掃描型電子顯微鏡獲得試樣像。由此可提供具有獲得試樣表面的高分辨率且高對比度的凹凸像的特征的掃描型電子顯微鏡。
文檔編號H01J37/244GK101022075SQ200610156779
公開日2007年8月22日 申請日期2006年12月27日 優(yōu)先權日2006年2月15日
發(fā)明者立花一郎, 佐藤貢, 深田敦子, 鈴木直正, 福田宗行 申請人:株式會社日立高新技術