專利名稱：制作等離子體顯示器的電極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器的電極的制作方法，尤其涉及一種避免電極發(fā)生邊緣翹曲情況的制作方法，以提高等離子體顯示器的品質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來，因多媒體應(yīng)用領(lǐng)域迅速發(fā)展，導(dǎo)致使用者有大量的娛樂設(shè)備需求。在過去普遍應(yīng)用陰極射線管(cathode ray tube，CRT)顯示器，然而，因陰極射線管顯示器體積大，所以并不符合多媒體科技的需求。因此，許多平面顯示器技術(shù)被研發(fā)出來，例如液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)、等離子體顯示器和場發(fā)射顯示器(field emission display，F(xiàn)ED)。這些顯示器技術(shù)能制造出輕薄短小的屏幕，因此將成為未來科技的主流。在這些技術(shù)中，等離子體顯示器是最引人注目的，其為一個全彩顯示器裝置，又具有大尺寸的顯示區(qū)域，特別廣為使用在大尺寸電視或戶外平面顯示器中。這是因為它為一個自發(fā)光型的顯示器，且具有廣視角和短響應(yīng)時間的特性，所以是一個高品質(zhì)顯示器，再者，等離子體顯示器的工藝簡單，所以可輕易提高它的尺寸規(guī)格。
彩色等離子體顯示器利用氣體放電產(chǎn)生紫外光激發(fā)熒光體射出可見光，以完成顯示動作。一般來說，一個三電極型的等離子體顯示器包含有一公共電極(common electrode)、一掃描電極(scan electrode)和一尋址電極(addresselectrode)應(yīng)用在交流型態(tài)的等離子體顯示器中。
在傳統(tǒng)的三電極交流型等離子體顯示器中，尋址電極位于兩個平行阻隔壁(barrier rib)的后基板(rear substrate)上，多個導(dǎo)電電極對平行設(shè)置于前基板上，每一對導(dǎo)電電極包含一公共電極和一掃描電極，設(shè)置于垂直尋址電極和阻隔壁的方向上，因此形成多個發(fā)光單元于其中。
公共電極和掃描電極包含透明電極和輔助電極，透明電極的材料為氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)(例如，氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)的混合物)。透明電極的導(dǎo)電性比金屬低，因此會在透明電極上增加一寬度較窄的導(dǎo)電層，如輔助電極，以增加導(dǎo)電性。公共電極和掃描電極之間的間隙為得到優(yōu)選的起始電壓所設(shè)置。另外，一維持電壓施加于公共電極和掃描電極中，以驅(qū)動等離子體顯示器。
根據(jù)上述，電極是等離子體顯示器的主要元件，因此制作電極的方法是非常重要的。請參考圖1至圖3，圖1至圖3為現(xiàn)有技術(shù)的制作等離子體顯示器電極的工藝示意圖。如圖1所示，提供一前基板(front substrate)10，如玻璃或其它透明板，透明電極12、14利用氧化銦錫制作而成，且設(shè)置在前基板10上，一放電間隙16位于透明電極12、14之間，一具有負(fù)型光致抗蝕劑特性的黑色感光膠層18及主要感光導(dǎo)電膠層20涂敷在前基板10、透明電極12和透明電極14上。之后，利用一掩模22，進行一曝光工藝，其中掩模22包含一遮蔽區(qū)24和一開口區(qū)26，在曝光工藝中，光線27，如視準(zhǔn)紫外光(collimated ultraviolet)可穿過開口區(qū)26，但被遮蔽區(qū)24所阻擋。
如圖2所示，在曝光工藝之后，進行一顯影工藝，以圖案化黑色感光膠層18和主要感光導(dǎo)電膠層20。因為黑色感光膠層18和主要感光導(dǎo)電膠層20都是負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)，被掩模遮蔽區(qū)24涂敷的區(qū)域被移除，以形成輔助電極28、30。顯影后的輔助電極28、30的底層區(qū)域小于上層區(qū)域。當(dāng)上面的邊緣比下面的邊緣寬的時候，輔助電極28、30看起來像梯形。
如圖3所示，進行一燒結(jié)工藝，當(dāng)高溫?zé)Y(jié)時，一張力(tensile force)產(chǎn)生，使得輔助電極28、30的邊緣無法良好的貼合于透明電極12、14上。因此輔助電極會發(fā)生邊緣翹曲32、34、36、38的現(xiàn)象。
現(xiàn)有技術(shù)中，邊緣翹曲32、34、36和38的高度為1-10微米(micron)，輔助電極28、30的厚度為2-20微米，在有邊緣翹曲32、34、36、38的情況下，介電層不容易被形成，且會有氣泡的產(chǎn)生，導(dǎo)致邊緣翹曲周圍遭受電壓破壞，這樣會嚴(yán)重影響等離子體顯示器的品質(zhì)。目前有兩種方式可以改善邊緣翹曲32、34、36、38的程度，一為降低輔助電極28、30的厚度，另一為改變黑色感光膠層18及主要感光導(dǎo)電膠層20的組成，以使得輔助電極28、30和透明電極12、14之間的黏著力增加。然而，兩種方法都會影響到電極的電阻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提供一種等離子體顯示器的電極的制作方法，以避免電極發(fā)生邊緣翹曲情況，以提高等離子體顯示器的品質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的一種制作等離子體顯示器電極的方法，其包括以下步驟第一步驟，提供一具有多個透明電極的前透明基板。第二步驟，負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的黑色感光膠層涂敷在透明電極上。第三步驟，負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的主要感光導(dǎo)電膠層涂敷在黑色感光膠層上。第四步驟，對黑色感光膠層和主要感光導(dǎo)電膠層進行曝光，以定義多個對應(yīng)于透明電極的輔助電極，其中作用于輔助電極的主要區(qū)域的第一曝光能量大于作用于輔助電極的邊緣區(qū)域的第二曝光能量。第五步驟，對黑色感光膠層以及主要感光導(dǎo)電膠層進行顯影，以形成輔助電極，其中輔助電極的邊緣區(qū)域的第一厚度小于輔助電極的主要區(qū)域的第二厚度。第六步驟，對顯影后的黑色感光膠層和主要感光導(dǎo)電膠層進行一燒結(jié)工藝。
本發(fā)明的優(yōu)點為本發(fā)明所制作的輔助電極和尋址電極可以避免邊緣翹曲的發(fā)生，以及降低于輔助電極和尋址電極邊緣的介電層發(fā)生電壓破壞。


圖1至圖3為現(xiàn)有技術(shù)制作等離子體顯示器電極的工藝示意圖。
圖4至圖6為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的等離子體顯示器電極制作方法的示意圖。
圖7為曝光能量與對應(yīng)位置的示意圖。
圖8至圖9為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的等離子體顯示器電極制作方法示意圖。
圖10至圖12為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例中等離子體顯示器電極制作方法示意圖。
圖13至圖14為本發(fā)明第四優(yōu)選實施例等離子體顯示器電極的制作流程示意圖。
圖15至圖18為本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的等離子體顯示器電極制作方法示意圖。
圖19至圖20為本發(fā)明第六優(yōu)選實施例等離子體顯示器電極制作方法的示意圖。
主要元件符號說明10、50、130、200、266 前基板12、14、52、54、126、128 透明電極16、56 放電間隙
18、58、122、202、262 黑色感光膠層20、60、124、204、264 主要感光導(dǎo)電膠層22、62、206、304 掩模24 遮蔽區(qū)26 開口區(qū)27、104、156、247、292、366、432 光線28、30、106、108、158、160、248、250、294、296 輔助電極32、34、36、38 邊緣翹曲64、66、132、134、208、210、268、270、306、308、310、396、398、400 開口區(qū)域68、70、136、138、212、214、272、274、312、314、316、402、404、406 主要區(qū)域72、74、76、78、216、218、220、222、318、320、322、324、326、328 柵欄區(qū)域80、82、84、86、148、150、152、154、224、226、228、230、284、286、288、290、330、332、334、336、338、340、420、422、424、426、428、430 邊緣區(qū)域88、90、92、94、96、98、100、102、232、234、236、238、240、242、244、246、342、344、346、348、350、352、354、356、358、360、362、364 平行狹縫120、260、390 半色調(diào)掩模140、142、144、146、276、278、280、282、408、410、412、414、416、418 半色調(diào)區(qū)域300、394 后基板302、392 感光導(dǎo)電膠層368、370、372、434、436、438 尋址電極374 介電層376、378、380、382 阻隔壁具體實施方式
請參考圖4至圖6，圖4至圖6為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的等離子體顯示器電極制作方法的示意圖。如圖4所示，提供一前基板50，如玻璃或者其它透明板，多個透明電極52、54設(shè)置于前基板50上，一放電間隙56位于透明電極52和透明電極54之間，而透明電極52、54由氧化銦錫所組成。
一負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的黑色感光膠層58涂敷在透明電極52、54上，以提升等離子體顯示器(未顯示于圖4)的顯示對比度。然后，一負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的主要感光導(dǎo)電膠層60涂敷于負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的黑色感光膠層58上。
利用一掩模62，以在黑色感光膠層58和主要感光導(dǎo)電膠層60上，進行一曝光工藝，定義出多個輔助電極(未顯示于圖4)于對應(yīng)的透明電極52、54上。掩模62包括多個開口區(qū)域64、66，對應(yīng)于輔助電極的主要區(qū)域68、70，以及，多個柵欄區(qū)域72、74、76、78，對應(yīng)于輔助電極的邊緣區(qū)域80、82、84、86。其中，柵欄區(qū)域72、74、76、78包括多個平行狹縫88、90、92、94、96、98、100、102平行于開口區(qū)域64、66的邊緣。曝光工藝的光線104，如視準(zhǔn)紫外光，可穿透開口區(qū)域64、66和柵欄區(qū)域72、74、76、78。因為柵欄區(qū)域72、74、76、78包括平行狹縫88、90、92、96、98、100、102，所以柵欄區(qū)域72、74、76、78對光線104產(chǎn)生一阻隔效果。請參考圖7，圖7為曝光能量和對應(yīng)位置的示意圖。如圖7所示，作用于輔助電極的主要區(qū)域68、70上的一第一曝光能量大于作用于輔助電極的邊緣區(qū)域80、82、84、86上的一第二曝光能量。
如圖5所示，在曝光工藝之后，將黑色感光膠層58和主要感光導(dǎo)電膠層60進行一顯影工藝，以形成輔助電極106、108。由于作用于輔助電極106、108的邊緣區(qū)域80、82、84、86上的該第二曝光能量小于作用于輔助電極106、108的主要區(qū)域68、70上的該第一曝光能量，所以，輔助電極106、108的邊緣區(qū)域80、82、84、86的第一厚度小于輔助電極106、108的主要區(qū)域68、70的第二厚度。
如圖6所示，進行一燒結(jié)工藝，以燒結(jié)顯影后的黑色感光膠層58和主要感光導(dǎo)電膠層60，且去除黑色感光膠層58和主要感光導(dǎo)電膠層60中的樹脂成分(未顯示于圖6)。當(dāng)輔助電極106、108的邊緣區(qū)域80、82、84、86的第一厚度小于輔助電極106、108的主要區(qū)域68、70的第二厚度時，在高溫?zé)Y(jié)工藝中會產(chǎn)生一張力，但由于輔助電極106、108的邊緣與透明電極52、54緊密貼合，因此，不會發(fā)生邊緣翹曲現(xiàn)象。
請參考圖8至圖9，圖8至圖9為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的等離子體顯示器電極制作方法示意圖。其中，第一優(yōu)選實施例和第二優(yōu)選實施例的差異為第二優(yōu)選實施例利用一半色調(diào)(halftone)掩模來定義輔助電極。
如圖8所示，利用一半色調(diào)掩模120，對前基板130的透明電極126、128上的黑色感光膠層122和主要感光導(dǎo)電膠層124進行一曝光工藝，以定義出多個輔助電極(未顯示于圖8)對應(yīng)于透明電極126、128。其中，掩模120包括有多個開口區(qū)域132、134對應(yīng)于輔助電極(未顯示于圖8)的主要區(qū)域136、138，和多個半色調(diào)區(qū)域140、142、144、146對應(yīng)于輔助電極的邊緣區(qū)域148、150、152、154。而且，曝光工藝的光線156，如視準(zhǔn)紫外光，在穿過開口區(qū)域132、134和半色調(diào)區(qū)域140、142、144、146時，因為光線156穿過半色調(diào)區(qū)域140、142、144、146后會減弱，所以作用在輔助電極的主要區(qū)域136、138的第一曝光能量大于作用在輔助電極的邊緣區(qū)域148、150、152、154的第二曝光能量。
如圖9所示，在曝光工藝后，對已曝光的黑色感光膠層122和主要感光導(dǎo)電膠層124進行一顯影工藝，因作用于輔助電極158、160的邊緣區(qū)域148、150、152、154的第二曝光能量小于作用于輔助電極158、160的主要區(qū)域136、138的第一曝光能量，所以，輔助電極158、160的邊緣148、150、152、154的第一厚度小于輔助電極158、160的主要區(qū)域136、138的第二厚度。因此，后續(xù)的燒結(jié)工藝不會發(fā)生邊緣翹曲的現(xiàn)象。
請參考圖10至圖12，圖10至圖12為本發(fā)明第三優(yōu)選實施例中等離子體顯示器電極制作方法示意圖。其中，第三優(yōu)選實施例和第一優(yōu)選實施例的差別為第三優(yōu)選實施例的透明電極并不是設(shè)置在前基板上。
如圖10所示，提供一前基板200，如玻璃或其它透明板，涂敷一負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的黑色感光膠層202在前基板200上，以提升等離子體顯示器(未顯示于圖10)的顯示對比度。然后，涂敷一負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的主要感光導(dǎo)電膠層204在黑色感光膠層202上。
利用一掩模206，對黑色感光膠層202和主要感光導(dǎo)電膠層204進行一曝光工藝，以在前基板200上定義出多個輔助電極(未顯示于圖10)。其中，掩模206包括有多個開口區(qū)域208、210對應(yīng)于輔助電極的主要區(qū)域212、214，以及多個柵欄區(qū)域216、218、220、222對應(yīng)于輔助電極的邊緣區(qū)域224、226、228、230。其中，柵欄區(qū)域216、218、220、222包括有多個平行狹縫232、234、236、238、240、242、244、246平行于開口區(qū)域208、210的邊緣。另外，曝光工藝的光線247，如視準(zhǔn)紫外光，在穿過開口區(qū)域208、210和柵欄區(qū)域216、218、220、222時，由于柵欄區(qū)域216、218、220、222包括有平行狹縫232、234、236、238、240、242、246，所以柵欄區(qū)域216、218、220、222對光線247產(chǎn)生一干涉效果，以使作用于輔助電極的主要區(qū)域212、214的一第一曝光能量大于作用于輔助電極的邊緣區(qū)域224、226、228、230的一第二曝光能量。
如圖11所示，在曝光工藝后，對黑色感光膠層202和主要感光導(dǎo)電膠層204進行顯影，形成輔助電極248、250。因作用于輔助電極248、250的邊緣區(qū)域224、226、228、230的第二曝光能量小于作用于輔助電極248、250的主要區(qū)域212、214的第一曝光能量時，輔助電極248、250的邊緣區(qū)域224、226、228、230的第一厚度小于輔助電極248、250的主要區(qū)域212、214的第二厚度。
如圖12所示，對顯影后的黑色感光膠層202和主要感光導(dǎo)電膠層204進行一燒結(jié)工藝，以去除黑色感光膠層202和主要感光導(dǎo)電膠層204的樹脂成分(未顯示于圖12)。當(dāng)輔助電極248、250的邊緣區(qū)域224、226、228、230的第一厚度小于輔助電極248、250的主要區(qū)域212、214的第二厚度時，在高溫?zé)Y(jié)工藝中會產(chǎn)生一張力，但由于輔助電極248、250的邊緣和前基板200可緊密貼合，因此邊緣翹曲的情形不會發(fā)生。
請參考圖13至圖14，圖13至圖14為本發(fā)明第四優(yōu)選實施例等離子體顯示器電極的制作流程示意圖。其中，第四優(yōu)選實施例和第三優(yōu)選實施例的差別是，第四優(yōu)選實施例利用一半色調(diào)掩模定義輔助電極。
如圖13所示，利用一半色調(diào)掩模260，對前基板266上的黑色感光膠層262和主要感光導(dǎo)電膠層264進行一曝光工藝，以在前基板266上定義出多個輔助電極(未顯示于圖13)。掩模260包括有多個開口區(qū)域268、270對應(yīng)于輔助電極(未顯示于圖13)的主要區(qū)域272、274，以及，多個半色調(diào)區(qū)域276、278、280、282對應(yīng)于輔助電極上的邊緣區(qū)域284、286、288、290。當(dāng)曝光工藝光線292，如視準(zhǔn)紫外光，穿過開口區(qū)域268、270和半色調(diào)區(qū)域276、278、280、282時，因為光線292穿過半色調(diào)區(qū)域276、278、280、282會被減弱，所以作用于輔助電極的主要區(qū)域272、274的第一曝光能量大于輔助電極的邊緣區(qū)域284、286、288、290的第二曝光能量。
如圖14所示，在曝光工藝后，對已曝光的黑色感光膠層262和主要感光導(dǎo)電膠層264進行一顯影工藝，以形成輔助電極294、296。因為作用于輔助電極294、296的邊緣區(qū)域284、286、288、290的第二曝光能量小于輔助電極294、296的主要區(qū)域272、274的第一曝光能量，所以輔助電極294、296的邊緣區(qū)域284、286、288、290的第一厚度小于輔助電極294、296的主要區(qū)域272、274的第二厚度。因此在后續(xù)的燒結(jié)工藝，邊緣翹曲不會發(fā)生。
請參考圖15至圖18，圖15至圖18為本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的等離子體顯示器電極制作方法示意圖。其中，第五優(yōu)選實施例和第一優(yōu)選實施例的差別是第五優(yōu)選實施例顯示一種在后基板上形成尋址電極的方法。
如圖15所示，提供一后基板300，如玻璃或者其它透明板，另外有一負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的感光導(dǎo)電膠層302涂敷在后基板300上。
利用掩模304進行一曝光工藝，對感光導(dǎo)電膠層302曝光，在后基板300定義出多個尋址電極(未顯示于圖15)。掩模304包括多個開口區(qū)域306、308、310對應(yīng)于尋址電極的主要區(qū)域312、314和316，以及多個柵欄區(qū)域318、320、322、324、326、328對應(yīng)于尋址電極的邊緣區(qū)域330、332、334、336、338、340。其中，柵欄區(qū)域318、320、322、324、326、328包括有多個平行狹縫342、344、346、348、350、352、354、356、358、360、362、364平行于開口區(qū)域306、308、310的邊緣。當(dāng)曝光工藝的光線366，如視準(zhǔn)紫外光穿過開口區(qū)域306、308、310以及柵欄區(qū)域318、320、322、324、326、328時，因為柵欄區(qū)域318、320、322、324、326、328包括有多個平行狹縫342、344、346、348、350、352、354、356、358、360、362、364，所以柵欄區(qū)域318、320、322、324、326、328會對光線366產(chǎn)生干涉的效果，使得作用于尋址電極的主要區(qū)域312、314、316的第一曝光能量大于作用于尋址電極的邊緣區(qū)域330、332、334、336、338、340的第二曝光能量。
請參考圖16，在曝光工藝后，對感光導(dǎo)電膠層302進行一顯影工藝，以形成尋址電極368、370、372，因為作用于尋址電極368、370、372的邊緣區(qū)域330、332、334、336、338、340的第二曝光能量小于作用于在尋址電極368、370、372的主要區(qū)域312、314、316的第一曝光能量，所以尋址電極368、370、372的邊緣區(qū)域330、332、334、336、338、340的第一厚度小于尋址電極368、370、372的主要區(qū)域312、314、316的第二厚度。
如圖17所示，進行一燒結(jié)工藝，以燒結(jié)顯影后的感光導(dǎo)電膠層302，并移除感光導(dǎo)電膠層302的樹脂成分(未顯示于圖17)。因為尋址電極368、370、372的邊緣區(qū)域330、332、334、336、338、340的第一厚度小于尋址電極368、370、372的主要區(qū)域312、314、316的第二厚度。當(dāng)燒結(jié)工藝的高溫產(chǎn)生一張力時，由于尋址電極368、370、372的邊緣和后基板300緊密貼合，因此邊緣翹曲不會發(fā)生。
如圖18所示，一介電層374形成于尋址電極368、370、372和后基板300上，然后，多個阻隔壁376、378、380、382形成于介電層374上。
請參考圖19至圖20，圖19至圖20為本發(fā)明第六優(yōu)選實施例等離子體顯示器電極制作方法的示意圖。其中，第六優(yōu)選實施例和第五優(yōu)選實施例的差異在于第六優(yōu)選實施例利用一半色調(diào)掩模定義尋址電極。
如圖19所示，利用半色調(diào)掩模390，對后基板394上的感光導(dǎo)電膠層392進行一曝光工藝，以定義多個尋址電極(未顯示于圖19)在后基板394上。其中，掩模390包括有多個開口區(qū)域396、398、400以對應(yīng)于尋址電極(未顯示于圖19)的主要區(qū)域402、404、406，以及多個半色調(diào)區(qū)域408、410、412、414、416、418以對應(yīng)于尋址電極的邊緣區(qū)域420、422、424、426、428、430。其中，曝光工藝的光線432，如視準(zhǔn)紫外光，通過開口區(qū)域396、398、400和半色調(diào)區(qū)域408、410、412、414、416、418時，因為光線432通過半色調(diào)區(qū)域408、410、412、414、416、418后會減弱，所以作用于尋址電極主要區(qū)域402、404、406的第一曝光能量大于作用于尋址電極邊緣區(qū)域420、422、424、426、428、430的第二曝光能量。
如圖20所示，在曝光工藝后，進行一顯影工藝以顯影曝光后的感光導(dǎo)電膠層392，形成尋址電極434、436、438。因為作用于尋址電極邊緣區(qū)域420、422、424、426、428、430的第二曝光能量小于作用于尋址電極的主要區(qū)域402、404、406的第一曝光能量。其中，尋址電極434、436、438的邊緣區(qū)域420、422、424、426、428、430的第一厚度小于尋址電極434、436、438的主要區(qū)域402、404、406的第二厚度，因此邊緣翹曲不會發(fā)生。
和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點為利用本發(fā)明所制作的輔助電極和尋址電極可以避免邊緣翹曲的發(fā)生，及降低于輔助電極和尋址電極周圍的介電層發(fā)生電壓破壞的可能性。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種制作等離子體顯示器的電極的方法，包括提供一前透明基板；涂敷負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的一黑色感光膠層在該前透明基板上；涂敷負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的一主要感光導(dǎo)電膠層在該黑色感光膠層上；進行一曝光工藝，對該黑色感光膠層和該主要感光導(dǎo)電膠層進行曝光，以定義多個輔助電極在該前透明基板上，其中作用于該等輔助電極的多個主要區(qū)域的一第一曝光能量大于作用于該等輔助電極的多個邊緣區(qū)域的一第二曝光能量；進行一顯影工藝，對曝光后的該黑色感光膠層以及該主要感光導(dǎo)電膠層進行顯影，以形成該等輔助電極，其中該等輔助電極的該等邊緣區(qū)域的一第一厚度小于該等輔助電極的該等主要區(qū)域的一第二厚度；以及進行一燒結(jié)工藝，以燒結(jié)顯影后的該黑色感光膠層和該主要感光導(dǎo)電膠層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中應(yīng)用于該曝光工藝中的一掩模具有多個開口區(qū)域以對應(yīng)于該等輔助電極的該等主要區(qū)域，及多個柵欄區(qū)域以對應(yīng)于該等輔助電極的該等邊緣區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該曝光工藝光線穿過該等柵欄區(qū)域受到一干涉效果影響，使得作用于該等輔助電極的該等邊緣區(qū)域的該第二曝光能量小于作用于該等輔助電極的該等主要區(qū)域的該第一曝光能量。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該曝光工藝具有一半色調(diào)掩模，包括多個開口區(qū)域以對應(yīng)于該等輔助電極的該等主要區(qū)域，以及多個半色調(diào)區(qū)域以對應(yīng)于該等輔助電極的該等邊緣區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該曝光工藝光線穿過該等半色調(diào)區(qū)域時被減弱，以使作用于該等輔助電極的該等邊緣區(qū)域的該第二曝光能量小于作用于該等輔助電極的該等主要區(qū)域的該第一曝光能量。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的該黑色感光膠層涂敷前，在該前透明基板上形成多個透明電極。
7.一種制作等離子體顯示器的電極的方法，包括提供一后透明基板；涂敷負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的一感光導(dǎo)電膠層在該后透明基板上；進行一曝光工藝，對該感光導(dǎo)電膠層曝光，以在后透明基板上定義多個尋址電極，其中作用于該等尋址電極的多個主要區(qū)域的一第一曝光能量大于作用于該等尋址電極的多個邊緣區(qū)域的一第二曝光能量；進行一顯影工藝，對曝光后的該感光導(dǎo)電膠層進行顯影，形成該等尋址電極，其中該等尋址電極的該等邊緣區(qū)域的一第一厚度小于該等尋址電極的該等主要區(qū)域的一第二厚度；以及進行一燒結(jié)工藝，以燒結(jié)顯影后的該感光導(dǎo)電膠層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中被應(yīng)用于該曝光工藝中的一掩模具有多個開口區(qū)域以對應(yīng)于該等尋址電極的該等主要區(qū)域，及多個柵欄區(qū)域以對應(yīng)于該等尋址電極的該等邊緣區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該曝光工藝光線穿過該等柵欄區(qū)域時被一干涉效果所影響，使得作用于該等尋址電極的該等邊緣區(qū)域的該第二曝光能量小于作用于該等尋址電極的該等主要區(qū)域的該第一曝光能量。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該曝光工藝具有一半色調(diào)掩模，包括多個開口區(qū)域以對應(yīng)于該等尋址電極的該等主要區(qū)域，以及多個半色調(diào)區(qū)域以對應(yīng)于該等尋址電極的該等邊緣區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該曝光工藝光線穿過該等半色調(diào)區(qū)域時被減弱，以使作用于該等尋址電極的該等邊緣區(qū)域的該第二曝光能量小于作用于該等尋址電極的該等主要區(qū)域的該第一曝光能量。
全文摘要
一種制作等離子體顯示器的電極的方法，包括提供一具有透明電極的前透明基板，涂敷負(fù)光致抗蝕劑型態(tài)的黑色感光膠層和主要感光導(dǎo)電膠層在透明電極上，進行曝光，以定義輔助電極在透明基板上，其中作用于輔助電極的主要區(qū)域的第一曝光能量大于作用于輔助電極的邊緣區(qū)域的第二曝光能量，對黑色感光膠層以及主要感光導(dǎo)電膠層進行顯影，以形成輔助電極。
文檔編號H01J9/02GK1855346SQ20061007535
公開日2006年11月1日 申請日期2006年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月18日
發(fā)明者林清輝 申請人:視寶制造股份有限公司