專利名稱：電子發(fā)射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射裝置。更特別地，本發(fā)明涉及具有間隔物加載區(qū)域的電子發(fā)射裝置，其中限定間隔物加載區(qū)域的寬度從而減小由于間隔物的充電而導(dǎo)致的屏幕圖像質(zhì)量變差。
背景技術(shù)：
通常，電子發(fā)射裝置分為利用熱陰極作為電子發(fā)射源的那些和利用冷陰極作為電子發(fā)射源的那些。有數(shù)種類型的冷陰極電子發(fā)射裝置，包括場發(fā)射器陣列(FEA)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型和表面導(dǎo)電發(fā)射器(SCE)型。
MIM型和MIS型電子發(fā)射裝置分別具有金屬/絕緣體/金屬(MIM)結(jié)構(gòu)和金屬/絕緣體/半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射區(qū)域。當(dāng)電壓施加到絕緣體兩側(cè)的兩金屬、或者金屬和半導(dǎo)體時(shí)，電子從高電勢金屬或半導(dǎo)體遷移至低電勢金屬，在那里電子被聚集并被發(fā)射。
SCE型電子發(fā)射裝置包括形成在第一和第二電極之間的薄導(dǎo)電膜，所述第一和第二電極彼此面對(duì)地布置在基板上。高電阻電子發(fā)射區(qū)域或者微縫(micro-crack)電子發(fā)射區(qū)域位于薄導(dǎo)電膜上。當(dāng)電壓施加到第一和第二電極且電流施加到導(dǎo)電膜的表面時(shí)，電子從電子發(fā)射區(qū)域被發(fā)射。
FEA型電子發(fā)射裝置利用由具有低功函數(shù)或高長徑比(aspect ratio)的材料制成的電子發(fā)射區(qū)域。當(dāng)在真空環(huán)境中暴露到電場時(shí)，電子從這些電子發(fā)射區(qū)域被容易地發(fā)射?；阢f(Mo)或硅(Si)的具有尖銳的前尖端結(jié)構(gòu)(tip structure)的電子發(fā)射區(qū)域已經(jīng)被使用。另外，包括碳質(zhì)材料例如碳納米管的電子發(fā)射區(qū)域已經(jīng)被使用。
盡管不同類型的電子發(fā)射裝置具有特定的結(jié)構(gòu)，但是它們基本上具有彼此密封從而形成真空容器(vacuum vessel)的第一和第二基板、布置在第一和第二基板之間的間隔物、形成在第一基板上的電子發(fā)射區(qū)域、用于控制電子從電子發(fā)射區(qū)域的發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極、形成在第二基板的面對(duì)第一基板的表面上的磷光體層(phosphor layer)、以及用于使從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子朝向磷光體層加速從而導(dǎo)致發(fā)光以產(chǎn)生顯示的陽極電極。
間隔物支承真空容器從而防止它變形和破裂，并維持第一和第二基板之間的恒定距離。間隔物可以與各磷光體層之間的非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)地定位，從而它們不攔截從電子發(fā)射區(qū)域朝向磷光體層移動(dòng)的電子。
然而，實(shí)際上，對(duì)于電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間電子束的實(shí)際軌跡，從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子中的一些并不從電子發(fā)射區(qū)域筆直地朝向在相應(yīng)像素處的磷光體層移動(dòng)，而是朝向非發(fā)光區(qū)域或者朝向在與目標(biāo)像素相鄰的像素處的不正確的磷光體層漫射(diffuse)。
這些偏離的電子會(huì)碰撞間隔物的表面，這又會(huì)根據(jù)間隔物材料而產(chǎn)生電荷例如正電勢或負(fù)電勢。表面帶電的間隔物會(huì)使電子束的軌跡歪曲，導(dǎo)致間隔物周圍的顯示均勻性變差以及從相鄰磷光體層的無意識(shí)發(fā)光，導(dǎo)致屏幕圖像質(zhì)量的總體變差。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明針對(duì)電子發(fā)射裝置、顯示裝置以及制造方法，其基本克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或更多問題。
因此本發(fā)明一實(shí)施例的特征在于提供一種電子發(fā)射裝置，其使間隔物周圍的非正常發(fā)光和顯示均勻性變差最小化。
因此本發(fā)明一實(shí)施例的另一特征在于提供一種電子發(fā)射裝置，其使表面帶電的間隔物對(duì)所發(fā)射的電子的軌跡的影響最小化。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)可通過提供一種電子發(fā)射裝置來實(shí)現(xiàn)，該電子發(fā)射裝置包括彼此面對(duì)的第一和第二基板，單元像素定義在所述第一和第二基板上；電子發(fā)射單元，其在所述第一基板上；磷光體層，其在所述第二基板的面對(duì)所述第一基板的表面上，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；非發(fā)光區(qū)域，其在所述磷光體層之間；以及間隔物，其置于所述第一和第二基板之間且布置在所述非發(fā)光區(qū)域中，其中所述非發(fā)光區(qū)域包括加載有所述間隔物的間隔物加載區(qū)域，其中間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下列條件A/B≥約0.2，其中A表示間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距可滿足下面的條件A/B≤約0.5，其中A表示間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。黑層可形成在所述非發(fā)光區(qū)域處，所述間隔物加載區(qū)域的寬度可對(duì)應(yīng)于黑層的寬度。所述單元像素可沿所述第二基板的水平和垂直邊布置，所述間隔物可設(shè)置在沿所述第二基板的所述垂直邊定位的磷光體層之間，所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距沿所述第二基板的所述垂直邊確定。所述間隔物可具有壁形狀或柱形狀。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)還可通過提供一種顯示裝置實(shí)現(xiàn)，該顯示裝置包括第一基板，其包括電子發(fā)射元件；第二基板，其面對(duì)所述第一基板，所述第二基板包括沿第一方向布置的規(guī)則圖案，所述規(guī)則圖案具有設(shè)置在相鄰發(fā)光區(qū)域之間的間隔物加載區(qū)域，所述間隔物加載區(qū)域具有沿所述第一方向的第一長度且所述發(fā)光區(qū)域具有沿所述第一方向的第二長度，其中所述規(guī)則圖案具有沿所述第一方向的等于所述第一長度和所述第二長度的總和的節(jié)距，且其中所述第一長度大于或等于所述節(jié)距的約五分之一；以及間隔物，其設(shè)置在所述間隔物加載區(qū)域中。
所述第一長度可小于或等于所述節(jié)距的約一半。所述節(jié)距可對(duì)應(yīng)于所述顯示裝置的垂直方向。每個(gè)發(fā)光區(qū)域可包括沿第二方向布置的三種不同顏色發(fā)光元件，所述第二方向基本與所述第一方向直交。所述第二方向可對(duì)應(yīng)于所述顯示裝置的水平方向。所述顯示裝置可包括與所述間隔物加載區(qū)域?qū)?yīng)的非發(fā)光區(qū)域。所述非發(fā)光區(qū)域可以是黑層。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)還可通過提供一種制造顯示裝置的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括在基板的表面上形成磷光體層，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；在所述磷光體層之間形成非發(fā)光區(qū)域；以及在間隔物加載區(qū)域中布置間隔物，所述間隔物加載區(qū)域位于所述非發(fā)光區(qū)域中，其中間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≥約0.2，其中A表示間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距可滿足下面的條件A/B≤約0.5，其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。該方法還可包括在所述非發(fā)光區(qū)域形成黑層。所述間隔物加載區(qū)域的寬度可對(duì)應(yīng)于黑層的寬度。


通過參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將變得更加明顯，附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的局部剖視圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的FEA型電子發(fā)射裝置的局部分解透視圖；圖3和4示出圖2的FEA型電子發(fā)射裝置的局部剖視圖；圖5示出用于根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的FEA型電子發(fā)射裝置的電子發(fā)射單元的局部剖視圖；圖6示出用于圖2的FEA型電子發(fā)射裝置的發(fā)光單元的局部剖視圖；圖7示出圖2的FEA型電子發(fā)射裝置的局部平面圖；圖8示出柱形間隔物的透視圖；圖9示出間隔物加載區(qū)域的寬度對(duì)單元像素的垂直節(jié)距的比值與錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的長度之間的關(guān)系的曲線圖；圖10示出電子發(fā)射裝置的錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的局部平面圖；圖11示出間隔物加載區(qū)域的寬度對(duì)單元像素的垂直節(jié)距的比值與屏幕亮度之間的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以不同的形式實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)被理解為局限于這里提出的實(shí)施例。更確切地，提供這些實(shí)施例使得本公開將徹底和完整，將向本領(lǐng)域技術(shù)人員更充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。圖中，為了說明的清楚而放大了層和區(qū)域的尺寸。還將理解，當(dāng)層被稱為在另一層或基板“上”時(shí)，它可以直接在其它層或基板上，或者還可以存在中間層。此外，應(yīng)明白，當(dāng)層被稱為在另一層“下”時(shí)，它可以直接在下面，還可以存在一層或更多中間層。另外，還將明白，當(dāng)層被稱為在兩層“之間”時(shí)，它可以是該兩層之間的唯一層，或者還可以存在一層或更多中間層。相似的附圖標(biāo)記始終表示相似的元件。
如圖1所示，電子發(fā)射裝置可包括彼此平行地布置且分隔開預(yù)定距離的第一基板2和第二基板4。密封部件(未示出)可設(shè)置在第一基板2和第二基板4的外圍，從而在兩個(gè)基板之間形成被抽真空的內(nèi)部空間(真空室)。
電子發(fā)射單元100可設(shè)置在第一基板2的面對(duì)第二基板4的表面上，從而朝向第二基板4發(fā)射電子。發(fā)光單元200可設(shè)置在第二基板4的面對(duì)第一基板2的表面上，從而響應(yīng)于所發(fā)射的電子發(fā)出可見光，由此產(chǎn)生發(fā)光或顯示。
電子發(fā)射單元100可包括多個(gè)電子發(fā)射區(qū)域6和用于控制電子從電子發(fā)射區(qū)域6的發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極(未示出)。一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域6可設(shè)置在定義在第一基板2上的各單元像素處。電子發(fā)射區(qū)域6可通過驅(qū)動(dòng)電極控制，驅(qū)動(dòng)電極可開啟或關(guān)閉各單元像素的電子發(fā)射或控制電子發(fā)射的量。
發(fā)光單元200可包括彼此間隔開預(yù)定距離的磷光體層8，且可包括各磷光體層8之間的非發(fā)光區(qū)域。磷光體層8可分隔開地形成在定義在第二基板4上的各單元像素處，或者磷光體層8可延伸在兩個(gè)或更多單元像素上。定義在第一基板2上的單元像素與定義在第二基板4上的單元像素在電子發(fā)射裝置的厚度方向上(在圖的z軸方向上)彼此對(duì)應(yīng)。
多個(gè)間隔物10可在第一基板2與第二基板4之間布置在非發(fā)光區(qū)域處(為清晰起見，僅示出一個(gè)間隔物)。具有間隔物10的非發(fā)光區(qū)域可定義為間隔物加載區(qū)域(spacer loading region)12。在電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間由于間隔物10的帶電，電子束在間隔物加載區(qū)域12處會(huì)歪曲。
在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置中，根據(jù)定義在第一基板2或第二基板4上的單元像素的布置來定義間隔物加載區(qū)域12的尺寸，從而減小或消除由于電子束的歪曲而導(dǎo)致的屏幕圖像質(zhì)量變差，所述電子束的歪曲歸因于間隔物的帶電。現(xiàn)在將參照利用冷陰極的FEA型電子發(fā)射裝置說明根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射單元、發(fā)光單元和間隔物加載區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
如圖2至4所示，電子發(fā)射單元101可包括在第一基板2上例如條形圖案的且布置在平行于第一基板2的方向上的陰極電極14、形成在第一基板2的整個(gè)表面上且覆蓋陰極電極14的絕緣層、以及在絕緣層16上例如條形圖案的且布置在平行于第一基板并垂直于陰極電極14的方向上的柵極電極18。
陰極電極14和柵極電極18的交叉區(qū)域形成單元像素。一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域15可在各個(gè)單元像素處設(shè)置在陰極電極14上。開口20可形成在絕緣層16和柵極電極18處，對(duì)應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域15并暴露第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)域15。
圖中示出的電子發(fā)射區(qū)域15具有圓平面形狀(circular plane shape)且沿每個(gè)各單元像素的陰極電極14的長度布置。然而，電子發(fā)射區(qū)域15的平面形狀、每單元像素的數(shù)目、以及布置不局限于所示例子且可以以各種形式改變。
電子發(fā)射區(qū)域15可以用在施加電場的情況下發(fā)射電子的材料形成，例如碳質(zhì)材料、納米尺寸材料等。電子發(fā)射區(qū)域15可以用例如碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線等或其組合形成，且可以通過絲網(wǎng)印刷、直接生長、化學(xué)氣相沉積、濺射等形成。
在具有上述結(jié)構(gòu)的裝置中，陰極電極14可以電連接到電子發(fā)射區(qū)域15從而向電子發(fā)射區(qū)域施加電流以引起電子發(fā)射。柵極電極18可利用柵極電極18與陰極電極14之間的電壓差在電子發(fā)射區(qū)域15周圍形成電場，導(dǎo)致電子從電子發(fā)射區(qū)域15的發(fā)射。即，陰極電極14和柵極電極18可充當(dāng)用于控制電子發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極。
在另一實(shí)施例中，如圖5所示，陰極電極14′和柵極電極18′可互換。在電子發(fā)射單元102中，柵極電極18′可首先形成在第一基板2上，絕緣層16′可形成在第一基板2的整個(gè)表面上，覆蓋柵極電極18′。然后陰極電極14′可形成在絕緣層16′上。
電子發(fā)射區(qū)域15′可形成在絕緣層16′上且可以接觸陰極電極14′的側(cè)表面。對(duì)電極17可電連接到柵極電極18′同時(shí)在陰極電極14′之間與電子發(fā)射區(qū)域15′間隔開。對(duì)電極17可用于將柵極電極18′的電場引到絕緣層16′之上從而在電子發(fā)射區(qū)域15′周圍形成強(qiáng)電場。
回到圖2至4所示的實(shí)施例，發(fā)光單元201可包括形成在第二基板4的面對(duì)第一基板2的表面上的紅、綠和藍(lán)磷光體層22R、22G和22B，非發(fā)光區(qū)域在各磷光體層22之間。磷光體層22不出現(xiàn)在非發(fā)光區(qū)域中，實(shí)際上可見光不從非發(fā)光區(qū)域發(fā)射。黑層(black layer)24可用例如鉻或鉻氧化物形成在非發(fā)光區(qū)域從而提高屏幕對(duì)比度。
陽極電極26可用例如諸如鋁的金屬材料形成在磷光體層22和黑層24上。陽極電極26接收加速電子束所需的高電壓，且在電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間可將從磷光體層22朝向第一基板2發(fā)射的可見光反射回朝向第二基板4從而提高屏幕亮度。
在圖6所示的另一實(shí)施例中，陽極電極26′可首先形成在第二基板4的表面上，然后磷光體層22和黑層24可形成在陽極電極26′上。陽極電極26′可由透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)形成使得它透射從磷光體層22發(fā)出的可見光。圖6的附圖標(biāo)記202表示發(fā)光單元。
單元像素也可與定義在第一基板2上的單元像素對(duì)應(yīng)地定義在第二基板4上。圖7示出圖2的FEA型電子發(fā)射裝置的局部平面圖，其示出了結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)，其中一磷光體層22分開地形成在定義在第二基板4上的每個(gè)單元像素處。
間隔物10可布置在第一基板2與第二基板4之間從而維持第一基板2與第二基板4之間的恒定距離并支承該真空容器，從而防止其變形和破裂。
間隔物10可以為壁形狀，即具有矩形外形且垂直于第一基板2和第二基板4取向，并且可布置在柵極電極18之間并與其平行排列。供選地，間隔物可成形為柱，例如圖8所示的十字柱(cross pillar)10′。如圖7所示，間隔物10可位于磷光體層22之間，彼此間隔開預(yù)定距離且沿圖的y軸方向取向。
用于間隔物10的間隔物加載區(qū)域12可具有與定義在第一基板2或第二基板4上的單元像素的垂直節(jié)距(pitch)B成比例的寬度A。間隔物加載區(qū)域12的寬度A是沿圖的y軸方向測量的兩相鄰單元像素之間的偏心距離(eccentric distance)。
參照?qǐng)D7，根據(jù)本發(fā)明，間隔物加載區(qū)域12的寬度A形成為與沿該寬度定位的單元像素的垂直節(jié)距B對(duì)應(yīng)。這樣，根據(jù)本發(fā)明，寬度A和垂直節(jié)距B滿足下面的公式比值A(chǔ)/B大于或等于約0.2。即，A/B≥約0.2(公式1)。
此外，根據(jù)本發(fā)明，寬度A和垂直節(jié)距B還優(yōu)選滿足下面的公式比值A(chǔ)/B小于或等于約0.5。即，A/B≤約0.5(公式2)。
用于參考，如圖7所示，一磷光體層22被設(shè)置用于各單元像素，磷光體層22的垂直節(jié)距用B表示。
圖9示出比值A(chǔ)/B(間隔物加載區(qū)域12的寬度A與單元像素的垂直節(jié)距B的比值)關(guān)于錯(cuò)誤顏色磷光體層發(fā)光區(qū)域(以下簡稱為“錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域”)的長度的曲線圖。如圖10所示，錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域意味著從電子發(fā)射區(qū)域朝向目標(biāo)單元像素發(fā)射的電子變?yōu)橄蛟谂c目標(biāo)單元像素相鄰的像素處的錯(cuò)誤顏色磷光體層行進(jìn)，導(dǎo)致不需要的可見光發(fā)射。圖10的附圖標(biāo)記28表示錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域。
如圖9所示，曲線圖的垂直軸表示沿第二基板的方向(沿圖10的y軸方向)測量的錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的長度。對(duì)于所示結(jié)果，磷光體層的水平寬度為130μm，間隔物的寬度為70μm，僅以綠磷光體層為目標(biāo)。如圖所示，根據(jù)間隔物加載區(qū)域12的變化的寬度A測量錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的長度。
如圖9所示，當(dāng)間隔物加載區(qū)域12的寬度A對(duì)單元像素的垂直節(jié)距B的比值A(chǔ)/B小于約0.2時(shí)，發(fā)生錯(cuò)誤顏色發(fā)射。隨著比值A(chǔ)/B變得更小，錯(cuò)誤顏色發(fā)射區(qū)域的長度變得更大。
在電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間，如果電子碰撞間隔物10的表面，間隔物10可變得表面帶電且使經(jīng)過其附近的電子束的軌跡歪曲。因此，當(dāng)比值A(chǔ)/B小于約0.2時(shí)，間隔物10會(huì)定位得太接近磷光體層，使得間隔物周圍電子束的歪曲導(dǎo)致錯(cuò)誤顏色發(fā)射。然而，注意，本發(fā)明不限于該工作理論。
相反，對(duì)于根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的電子發(fā)射裝置，其中比值A(chǔ)/B大于或等于約0.2，電子束在間隔物加載區(qū)域以外不歪曲且防止了錯(cuò)誤顏色發(fā)射。
當(dāng)比值A(chǔ)/B大于或等于約0.2時(shí)，錯(cuò)誤顏色發(fā)射可被有效防止。然而，如果比值A(chǔ)/B大于約0.5，則磷光體層的面積相對(duì)于第二基板會(huì)減小至顯示亮度變差的程度。
圖11示出比值A(chǔ)/B關(guān)于亮度的曲線圖。對(duì)于所示結(jié)果，電流密度為0.0304A/m2且陽極電場為3.06V/μm。如圖11所示，利用根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的電子發(fā)射裝置可獲得300cd/m2或更大的亮度，該電子發(fā)射裝置中比值A(chǔ)/B小于或等于約0.5。
如上所述，利用根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的電子發(fā)射裝置，間隔物加載區(qū)域12的寬度A對(duì)單元像素的垂直節(jié)距B的比值A(chǔ)/B為能夠獲得高亮度屏幕而不導(dǎo)致錯(cuò)誤顏色發(fā)射。因此，根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的使用可防止屏幕圖像質(zhì)量由于間隔物帶電而變差且可導(dǎo)致所得顯示的亮度增大。
以FEA型電子發(fā)射裝置為背景提供了上述說明，其中電子發(fā)射區(qū)域由施加電場時(shí)發(fā)射電子的材料形成。然而，本發(fā)明不限于FEA型電子發(fā)射裝置，而是可以應(yīng)用于具有電子發(fā)射源、磷光體層和間隔物的其它冷陰極電子發(fā)射裝置。
這里已經(jīng)公開了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，盡管采用了特定術(shù)語，但是它們僅在普通和描述性意義上被使用和解釋，而不是用于限制。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不偏離權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括彼此面對(duì)的第一和第二基板，單元像素定義在所述第一和第二基板上；電子發(fā)射單元，其在所述第一基板上；磷光體層，其在所述第二基板的面對(duì)所述第一基板的表面上，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；非發(fā)光區(qū)域，其在所述磷光體層之間；以及間隔物，其置于所述第一和所述第二基板之間且布置在所述非發(fā)光區(qū)域中，其中所述非發(fā)光區(qū)域包括加載有所述間隔物的間隔物加載區(qū)域，其中間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≥約0.2其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≤約0.5其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中黑層形成在所述非發(fā)光區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射裝置，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)于所述黑層的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述單元像素沿所述第二基板的水平和垂直邊布置，所述間隔物設(shè)置在沿所述第二基板的所述垂直邊定位的所述磷光體層之間，所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距沿所述第二基板的所述垂直邊確定。
6.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述間隔物具有壁形。
7.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述間隔物具有柱形。
8.一種顯示裝置，包括第一基板，其包括電子發(fā)射元件；第二基板，其面對(duì)所述第一基板，所述第二基板包括沿第一方向布置的規(guī)則圖案，所述規(guī)則圖案具有設(shè)置在相鄰發(fā)光區(qū)域之間的間隔物加載區(qū)域，所述間隔物加載區(qū)域具有沿所述第一方向的第一長度且所述發(fā)光區(qū)域具有沿所述第一方向的第二長度，其中所述規(guī)則圖案具有沿所述第一方向的等于所述第一長度和所述第二長度的總和的節(jié)距，且其中所述第一長度大于或等于所述節(jié)距的約五分之一；以及間隔物，其設(shè)置在所述間隔物加載區(qū)域中。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述第一長度小于或等于所述節(jié)距的約一半。
10.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述節(jié)距對(duì)應(yīng)于所述顯示裝置的垂直方向。
11.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中每個(gè)發(fā)光區(qū)域包括沿第二方向布置的三種不同顏色發(fā)光元件，所述第二方向與所述第一方向基本直交。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述第二方向?qū)?yīng)于所述顯示裝置的水平方向。
13.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，還包括與所述間隔物加載區(qū)域?qū)?yīng)的非發(fā)光區(qū)域。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述非發(fā)光區(qū)域?yàn)楹趯印?br> 15.一種制造顯示裝置的方法，包括在基板的表面上形成磷光體層，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；在所述磷光體層之間形成非發(fā)光區(qū)域；以及在間隔物加載區(qū)域中布置間隔物，所述間隔物加載區(qū)域位于所述非發(fā)光區(qū)域中，其中間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≥約0.2其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≤約0.5其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述非發(fā)光區(qū)域形成黑層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度對(duì)應(yīng)于所述黑層的寬度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子發(fā)射裝置，其實(shí)施例包括彼此面對(duì)的第一和第二基板，單元像素定義在所述第一和第二基板上；電子發(fā)射單元，其在所述第一基板上；磷光體層，其在所述第二基板的面對(duì)所述第一基板的表面上，每個(gè)磷光體層對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)單元像素；非發(fā)光區(qū)域，其在所述磷光體層之間；以及間隔物，其置于所述第一和所述第二基板之間且布置在所述非發(fā)光區(qū)域，其中所述非發(fā)光區(qū)域包括加載有所述間隔物的間隔物加載區(qū)域，其中所述間隔物加載區(qū)域的寬度和所述單元像素的節(jié)距滿足下面的條件A/B≥約0.2，其中A表示所述間隔物加載區(qū)域的寬度，B表示沿所述間隔物加載區(qū)域的寬度定位的所述單元像素的節(jié)距。
文檔編號(hào)H01J9/00GK1873888SQ20061005509
公開日2006年12月6日 申請(qǐng)日期2006年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月31日
發(fā)明者全祥皓, 李炳坤 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社