專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種等離子顯示裝置，特別涉及到一種在配置為Δ狀的放電單元中可提高維持放電及地址放電效率的電極構(gòu)造。
背景技術(shù)：
等離子顯示裝置是指以下裝置在形成有隔壁的背面基板和與之相對的前面基板之間形成放電單元，各放電單元內(nèi)部的惰性氣體通過高頻電壓進行放電時所產(chǎn)生的真空紫外線使熒光體發(fā)光，從而顯現(xiàn)圖像。
圖1是表示通常的等離子顯示面板的放電單元的截面圖。
首先，上述放電單元由在與前面基板10相對的背面基板18上劃定放電空間的多個隔壁24形成。圖1例示了上述放電單元由四角形Δ隔壁劃定的情況。
在上述背面基板18上形成數(shù)據(jù)電極X，在上述前面基板10上形成掃描電極Y及維持電極Z對。圖1所示的上述背面基板18是旋轉(zhuǎn)90度的基板，上述數(shù)據(jù)電極X與其他電極Y、Z交叉形成。
在形成上述數(shù)據(jù)電極X的背面基板18上，形成用于積蓄壁電荷的下部電介質(zhì)層22。
在上述電介質(zhì)層22上形成隔壁24，在隔壁之間形成放電空間，防止放電生成的紫外線及可見光線泄漏到相鄰的放電單元。在上述電介質(zhì)層22和隔壁24的表面上，涂布熒光體26。
由于在上述放電空間中注入了惰性氣體，因此上述熒光體26被氣體放電時產(chǎn)生的紫外線激勵，產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)中的任意一種可見光線。
在上述前面基板10上形成的掃描電極Y及維持電極Z由透明電極12Y、12Z和總線電極13Y、13Z構(gòu)成，并與上述數(shù)據(jù)電極X交叉。并形成覆蓋上述掃描電極Y及維持電極Z的電介質(zhì)層14和保護膜16。
這種構(gòu)造的放電單元在通過數(shù)據(jù)電極X和掃描電極Y之間的相對放電而被選擇后，通過掃描電極Y和維持電極Z之間的面放電而被保持放電，并放出可見光。
掃描電極Y和維持電極Z分別由透明電極12Y、12Z，以及總線電極13Y、13Z構(gòu)成，上述總線電極具有比上述透明電極寬度度小的寬度，并形成在透明電極的一個側(cè)端。
圖2是圖示燒成步驟前的現(xiàn)有的四角形Δ隔壁的平面圖，圖3是圖示燒成步驟后的六角形Δ隔壁的平面示圖。
上述四角形Δ隔壁24由橫向形成的第一隔壁24a、和與數(shù)據(jù)電極X在同一方向上形成的第二隔壁24b構(gòu)成，在550～600℃的燒成步驟中，上述隔壁在上述第一隔壁及第二隔壁24a、24b之間的交叉點上，相對于各隔壁的熱應(yīng)力的收縮方向如圖2所示是不同的，因此上述四角形Δ隔壁24如圖3所示，變形為六角形Δ隔壁。
圖3所示的六角形Δ隔壁具有熒光體的涂布面積增加的優(yōu)點，但由于和上述第一隔壁24a重合形成的總線電極13Y、13Z遮擋住放出可見光的放電空間，因此存在發(fā)光效率及亮度下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題而產(chǎn)生的，其目的在于提供一種在Δ狀配置的放電單元中具有可提高維持放電及地址放電效率的電極構(gòu)造的等離子顯示裝置。
因此為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明涉及的等離子顯示裝置的特征在于包括在背面基板上作為隔壁被劃分，配置為Δ狀的三個以上的單元；配置在該單元的下部的數(shù)據(jù)電極；在和上述背面基板粘合的前面基板上，與上述隔壁的至少一部分交叉配置的維持電極對；以及從該維持電極對開始分別在上述單元內(nèi)部相對地伸長，并至少形成一個凹陷部的一個以上的伸長部。
上述隔壁包括第一隔壁，至少一部分與上述維持電極對重合排列；以及第二隔壁，至少一部分與上述數(shù)據(jù)電極及上述第一隔壁重合排列。
在上述單元內(nèi)部中，一個以上的上述凹陷部相對，上述伸長部之間的間隔距離是60μm至180μm。
并且，在上述單元內(nèi)部中，上述數(shù)據(jù)電極至少一部分與一個以上的上述伸長部和/或凹陷部重合。
并且，本發(fā)明涉及的等離子顯示裝置的特征在于包括在背面基板上作為隔壁被劃分，配置為Δ狀的三個以上的單元；配置在該單元的下部，具有寬大部和窄小部的數(shù)據(jù)電極；在和上述背面基板粘合的前面基板上，與上述隔壁的至少一部分交叉配置的維持電極對；以及從該維持電極對開始分別在上述單元內(nèi)部相對地伸長的一個以上的伸長部。
上述隔壁包括第一隔壁，至少一部分與上述維持電極對重合排列；以及第二隔壁，至少一部分與上述數(shù)據(jù)電極及上述第一隔壁重合排列。
并且，上述數(shù)據(jù)電極的寬大部形成在作為放電空間的上述單元的內(nèi)部，上述窄小部的至少一部分與劃定作為非放電空間的上述單元的第二隔壁重合形成。
另外，在上述單元內(nèi)部中，至少一個上述伸長部和/或凹陷部與上述寬大部至少一部分重合。
并且，本發(fā)明涉及的等離子顯示裝置的特征在于包括在背面基板上作為隔壁被劃分，配置為Δ狀的三個以上的單元；配置在該單元的下部，具有寬大部和窄小部的數(shù)據(jù)電極；在和上述背面基板粘合的前面基板上，與上述隔壁的至少一部分交叉配置的維持電極對；以及從該維持電極對開始分別在上述單元內(nèi)部相對地伸長，并至少形成一個凹陷部的一個以上的伸長部。
上述隔壁包括第一隔壁，至少一部分與上述維持電極對重合排列；以及第二隔壁，至少一部分與上述數(shù)據(jù)電極及上述第一隔壁重合排列。
上述伸長部之間的間隔距離是60μm至180μm，相鄰的上述單元之間的伸長部互相隔絕。并且，上述伸長部中形成的至少一個以上的凹陷部互相相對。
上述數(shù)據(jù)電極的寬大部形成在作為放電空間的上述單元的內(nèi)部，上述窄小部的至少一部分與劃定作為非放電空間的上述單元的第二隔壁重合形成。
并且，在上述單元內(nèi)部中，至少一個上述伸長部和上述寬大部至少一部分重合，至少一個上述凹陷部和上述寬大部中，至少一部分重合。
上述寬大部的寬度與上述伸長部的寬度相比是其75％至150％，上述窄小部的寬度和上述伸長部的寬度相比是其5％至75％。并且上述窄小部中形成一個以上的孔。
根據(jù)本發(fā)明，在配置為Δ狀的放電單元中，可提高維持放電及地址放電的效率。


圖1是作為現(xiàn)有的四角形Δ隔壁被劃定的放電單元的截面圖。
圖2是圖示燒成步驟前的圖1所示的四角形Δ隔壁的平面圖。
圖3是圖示燒成步驟后的六角形Δ隔壁的平面圖。
圖4是作為本發(fā)明的六角形Δ隔壁被劃定的放電單元的截面圖。
圖5是圖示第一實施方式的放電單元及電極的排列的圖。
圖6是第一實施方式的放電單元及電極的構(gòu)造圖。
圖7是第二實施方式的放電單元及電極的構(gòu)造圖。
圖8是第三實施方式的放電單元及電極的構(gòu)造圖。
圖9是第四實施方式的放電單元及電極的構(gòu)造圖。
圖10是圖示第二實施方式及第四實施方式采用的電極的形狀的圖。
具體實施例方式
以下參照附圖對本發(fā)明的等離子顯示面板的Δ狀放電單元及該放電單元的電極構(gòu)造的實施方式進行說明。
但本發(fā)明的Δ狀放電單元及具有該放電單元的電極構(gòu)造的等離子顯示面板的實施方式存在多個，因此不受本說明書中記載的實施方式的限制。
圖4是圖示本發(fā)明的Δ狀放電單元構(gòu)造的截面圖，圖5及圖6是圖示上述Δ狀放電單元的電極構(gòu)造的圖。
本發(fā)明的第一實施方式至第四實施方式的等離子顯示裝置具有上下互相相鄰配置的放電單元形成一個像素單元的Δ狀構(gòu)造。
即，本發(fā)明的等離子顯示面板形成Δ狀配置的R、G、B放電單元，在本說明書中，以上述放電單元的形狀為六角形作為實施方式進行說明，但是四角形、五角形、其以上的多面體、或者具有曲率形、非定型等形狀的放電單元也可同樣采用本發(fā)明的技術(shù)思想。
本發(fā)明的等離子顯示裝置具有數(shù)據(jù)電極X、與該數(shù)據(jù)電極X交叉形成的維持電極對Y、Z。此時，將至少一部分與上述維持電極對Y、Z重合排列的隔壁作為第一隔壁54a，將至少一部分與上述數(shù)據(jù)電極X及上述第一隔壁重合排列的隔壁作為第二隔壁54b。
維持電極對的掃描電極Y和維持電極Z分別由透明電極42Y、42Z，以及具有比該透明電極42Y、42Z線寬度小的線寬度的總線電極43Y、43Z構(gòu)成，上述總線電極43Y、43Z在上述透明電極42Y、42Z的一個側(cè)端沿與上述維持電極對Y、Z重合的第一隔壁54a形成。
上述透明電極42Y、42Z通常通過氧化銦錫(Indium Tin Oxide)形成在前面基板上。即，透明電極42Y、42Z如圖5及圖6所示，具有連結(jié)部42b，與總線電極43Y、43Z連結(jié)，沿著使六角形的放電單元劃定為Δ狀的第一隔壁54a形成；以及伸長部42a1、42a2，在該連結(jié)部42中，在上述放電單元內(nèi)部具有規(guī)定的寬度，并向上下伸長。
這樣一來，上述數(shù)據(jù)電極X橫切六角形狀的放電單元的中心，如圖5所示一樣形成；上述透明電極42Y、42Z的伸長部42a1、42a2也和上述數(shù)據(jù)電極X重合形成。并且，分別從上述透明電極42Y、42Z伸長的伸長部42a1、42a2互相相對。
總線電極43Y、43Z減小高電阻的透明電極42Y、42Z引起的電壓下降，起到向透明電極42Y、42Z提供電壓信號的作用。因此上述總線電極43Y、43Z為了向各放電單元的透明電極42Y、42Z提供驅(qū)動信號而與各透明電極的連結(jié)部42b連結(jié)。
并且，上述總線電極43Y、43Z由銀Ag、銅Cu、鉻Cr中的至少一種形成，并與上述透明電極42Y、42Z連接，一部分與第一隔壁54a重合形成。
在形成維持電極對Y、Z的前面基板40中，形成上部電介質(zhì)層44和保護膜46。上部電介質(zhì)層44積蓄在等離子放電時產(chǎn)生的壁電荷，上述保護膜46防止等離子放電時產(chǎn)生的濺射對上部電介質(zhì)層44的損傷，并提高二次電子的放電效率。
在形成數(shù)據(jù)電極X的背面基板48中形成用于積蓄壁電荷的下部電介質(zhì)層52；以及隔壁54，該隔壁防止在該下部電介質(zhì)層52上，放電生成的紫外線及可見光線泄漏到相鄰的放電單元。在上述下部電介質(zhì)層52和隔壁54的前面上涂布熒光體56。
并且，上述熒光體56被等離子放電時產(chǎn)生的紫外線激勵，發(fā)生紅、綠、藍(lán)中的任意一種可見光線，在設(shè)置在前面基板和背面基板40、48及隔壁54間的放電空間中，注入用于進行氣體放電的惰性氣體。
這樣一來，第一實施方式的等離子顯示裝置中，由于第一隔壁54a和總線電極43Y、43Z重合，因此不會遮斷通過上述總線電極43Y、43Z放出可見光的放電空間。并且，上述第一實施方式的等離子顯示裝置中，透明電極42Y、42Z的連結(jié)部42b與上述總線電極43Y、43Z連結(jié)，透明電極42Y、42Z的伸長部42a1、42a2突出到放電單元的內(nèi)部，因此可提高放電效率。
圖7是第二實施方式的具有Δ狀隔壁構(gòu)造的等離子顯示裝置的放電單元及電極構(gòu)造相關(guān)的圖。圖7所示的第二實施方式與圖4至圖6所示的第一實施方式類似，其特征在于在透明電極的伸長部中形成凹陷部。
如圖7所示，在放電單元的內(nèi)部分別具有與數(shù)據(jù)電極X交叉，從掃描電極Y伸長的第一伸長部42c1；和與同一數(shù)據(jù)電極X交叉，并且從維持電極Z伸長的第二伸長部42c2。其中，上述第一伸長部42c1及第二伸長部42c2互相相對地配置。
該第一伸長部42c1和第二伸長部42c2的相對面為使其中央部C的間隔距離與端部E的間隔距離不同，在上述第一伸長部及第二伸長部42c1、42c2中分別形成第一凹陷部及第二凹陷部42d1、42d2。
即，上述第一伸長部及第二伸長部42c1、42c2如圖7所示，在中央部C形成第一凹陷部及第二凹陷部42d1、42d2，因此當(dāng)電源分別供給到掃描電極Y及維持電極Z時，形成在中央部C的電場形成弱電場，在端部E中形成強電場。因此上述中央部C的間隔距離形成長度較長的長間隙(long gap)，如圖10所示，凹陷部42d1、42d2的形狀是多角形，圓形等多種形狀。
上述第一凹陷部及第二凹陷部42d1、42d2之間形成的長間隙的長度以分辨率VGA級為基準(zhǔn)，具有60～180μm以內(nèi)的長度。
這樣一來，第二實施方式的等離子顯示裝置中，施加了用于引起放電的電壓的透明電極的伸長部42c1、42c2之間的間隔距離通過上述凹陷部42d1、42d2在中央部C中進一步形成得較長，因此與伸長部之間的距離相等的第一實施方式相比，可確保較大的進行放電的陽極區(qū)，因而可提高對比度。
圖8是第三實施方式的具有Δ狀隔壁構(gòu)造的等離子顯示裝置的放電單元及電極構(gòu)造相關(guān)的圖。圖8所示的第三實施方式與圖4至圖6所示的第一實施方式類似，其特征在于，與隔壁重合的數(shù)據(jù)電極和與放電空間重合的數(shù)據(jù)電極的形狀不同，在與上述放電空間重合的數(shù)據(jù)電極中形成孔。
如圖8所示，六角形的放電單元由第一隔壁54a及第二隔壁54b劃定，由上述隔壁54a、54b劃定的放電單元配置為Δ狀。
前面基板上形成的維持電極對由掃描電極Y和維持電極Z構(gòu)成，各電極由透明電極42Y、42Z，以及具有比該透明電極42Y、42Z的線寬度小的線寬度的總線電極43Y、43Z構(gòu)成。
并且，上述透明電極42Y、42Z如第一實施方式所示，具有連結(jié)部42b，沿將六角形的放電單元劃定為Δ狀的第一隔壁54a形成；以及伸長部42a1、42a2，在該連結(jié)部42b中，在上述放電單元內(nèi)部具有規(guī)定的寬度并伸長，互相成對地相對。
另外，在背面基板上形成的數(shù)據(jù)電極可劃分為寬度較大的寬大部X1和寬度較小的窄小部X2。此時，上述數(shù)據(jù)電極的寬大部X1的最大寬度d’與透明電極的伸長部42a1、42a2的最大寬度相比，約是其75％至150％，數(shù)據(jù)電極的窄小部X2的最大寬度d與透明電極的伸長部42a1、42a2的最大寬度相比約是其5％至75％。
因此，在上述數(shù)據(jù)電極中具有寬大部X1的理由是提高在掃描電極和數(shù)據(jù)電極之間產(chǎn)生的相對放電(地址放電)的效率。近些年來，為了提高放電效率，掃描電極和維持電極之間的間隙形成得較大，當(dāng)上述數(shù)據(jù)電極具有上述寬大部X1時，即使掃描電極和維持電極之間形成長間隙，用于相對放電的放電電壓也不會大幅上升，可提高驅(qū)動效率。
這樣形成的數(shù)據(jù)電極的寬大部X1可不進行孔的形成，而形成為具有比上述窄小部X2寬度大的寬度的電極，并可作為在多個窄小部X3之間含有孔的電極而形成。
進一步，上述寬大部X1的寬度d’根據(jù)R、B、G放電單元中的放電特性，可在至少一個以上的放電單元中具有不同的寬度，例如，上述寬大部X1的寬度d’可形成為B＞G＞R的順序，也可形成為B＞R＞G的順序。
如圖所示，連結(jié)上述多個窄小部X3而形成寬大部X1時，各窄小部X3的寬度d1、d2與上述透明電極伸長部42a1、42a2的最大寬度相比，是其1％至30％。
各窄小部X3之間形成孔，該孔的寬度h與上述透明電極伸長部42a1、42a2的最大寬度相比是其5％至80％，與第二隔壁54b的寬度相比是其50％至110％。
如果上述孔的寬度h與上述第二隔壁54b的寬度相比低于其50％時，孔的大小過小，無法充分體現(xiàn)降低數(shù)據(jù)電極材料費的效果，當(dāng)超過110％時，孔的大小過大，相對地數(shù)據(jù)電極的窄小部的寬度d1、d2變小，維持電極對和數(shù)據(jù)電極之間的相對放電效率下降。
如上所述，第三實施方式中，將數(shù)據(jù)電極的寬度d’在放電空間中形成得較大，之后在放電空間的數(shù)據(jù)電極中形成孔，從而減小地址放電的掃描電極和數(shù)據(jù)電極之間的有效側(cè)面間的距離，減少地址放電時產(chǎn)生的抖晃(jitter)現(xiàn)象，這樣一來，可提高等離子顯示面板的放電效率。
圖9是第四實施方式的具有Δ狀隔壁構(gòu)造的等離子顯示裝置的放電單元及電極構(gòu)造的圖。圖9所示的第四實施方式的特征在于，如圖7所示，在透明電極的伸長部42c1、42c2中形成凹陷部42d1、42d2，如圖8所示，形成由寬大部X1及窄小部X2構(gòu)成的數(shù)據(jù)電極。
在放電單元的內(nèi)部分別具有與數(shù)據(jù)電極X交叉、從掃描電極Y伸長的第一伸長部42c1；以及與同一數(shù)據(jù)電極X交叉，并且從維持電極Z伸長的第二伸長部42c2。其中，上述第一伸長部42c1及第二伸長部42c2互相相對配置。
該第一伸長部42c1和第二伸長部42c2的相對面為使其中央部C的間隔距離與端部E的間隔距離不同，在上述第一伸長部及第二伸長部42c1、42c2中分別形成第一凹陷部及第二凹陷部42d1、42d2，如圖10所示，可形成多角形、圓形等各種方式。
通過上述第一凹陷部及第二凹陷部42d1、42d2形成的透明電極間的間隙長度以分辨率VGA級為基準(zhǔn)，具有60～180μm以內(nèi)的長度。
并且，背面基板上形成的數(shù)據(jù)電極被劃分為寬度較大的寬大部X1和寬度較小的窄小部X2。此時，上述數(shù)據(jù)電極的寬大部X1的最大寬度與透明電極的伸長部42c1、42c2的最大寬度相比約是其75％至150％，數(shù)據(jù)電極的窄小部X2的最大寬度與透明電極的伸長部42c1、42c2的最大寬度相比約是其5％至75％。
另外，上述數(shù)據(jù)電極的寬大部X1可不進行孔的形成，而形成為具有比上述窄小部X2寬度大的寬度的電極，并可作為在多個窄小部X3之間含有孔的電極而形成。
進一步，上述寬大部X1的寬度d’根據(jù)R、B、G放電單元中的放電特性，可在至少一個以上的放電單元中具有不同的寬度，例如，上述寬大部X1的寬度d’可形成為B＞G＞R的順序，也可形成為B＞R＞G的順序。
如圖所示，連結(jié)上述多個窄小部X3而形成寬大部X1時，各窄小部X3的寬度d1、d2與上述透明電極伸長部42c1、42c2的最大寬度相比是其1％至30％。
各窄小部X3之間形成的孔的寬度h與上述透明電極伸長部42c1、42c2的最大寬度相比是其5％至80％，與第二隔壁54b的寬度相比是其50％至110％。
因此，第四實施方式中，由于在第一伸長部及第二伸長部42c1、42c2中形成凹陷部42d1、42d2，因此可形成長間隙、提高維持放電效率，并且在多個窄小部X3及窄小部之間通過孔擴大放電空間中的數(shù)據(jù)電極的寬度，因此上述數(shù)據(jù)電極的寬大部X1具有與維持電極對的有效側(cè)面間的距離變小，地址放電效率得到提高的優(yōu)點。
本發(fā)明不限于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)可進行各種變更，其也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，其特征在于，包括在背面基板上作為隔壁被劃分，配置為Δ狀的三個以上的單元；配置在該單元的下部，具有寬大部和窄小部的數(shù)據(jù)電極；在和上述背面基板粘合的前面基板上，與上述隔壁的至少一部分交叉配置的維持電極對；以及從該維持電極對開始分別在上述單元內(nèi)部相對地伸長，并至少形成一個凹陷部的一個以上的伸長部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述隔壁包括第一隔壁，至少一部分與上述維持電極對重合排列；以及第二隔壁，至少一部分與上述數(shù)據(jù)電極及上述第一隔壁重合排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在上述單元內(nèi)部中，一個以上的上述凹陷部相對。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述寬大部形成在作為放電空間的上述單元的內(nèi)部，上述窄小部的至少一部分與劃定作為非放電空間的上述單元的第二隔壁重合形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在上述單元內(nèi)部中，至少一個上述伸長部和上述寬大部至少一部分重合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在上述單元內(nèi)部中，至少一個上述凹陷部和上述寬大部至少一部分重合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在上述單元內(nèi)部中，上述伸長部之間的間隔距離是60μm至180μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，相鄰的上述單元之間的伸長部互相隔絕。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述寬大部的寬度與上述伸長部的寬度相比是其75％至150％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述窄小部的寬度和上述伸長部的寬度相比是其5％至75％。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述寬大部可以由多個窄小部構(gòu)成，各窄小部之間形成一個以上的孔。
12.一種等離子顯示裝置，其特征在于，包括在背面基板上作為隔壁被劃分，配置為Δ狀的三個以上的單元；配置在該單元的下部的數(shù)據(jù)電極；在和上述背面基板粘合的前面基板上，與上述隔壁的至少一部分交叉配置的維持電極對；以及從該維持電極對開始分別在上述單元內(nèi)部相對地伸長，并至少形成一個凹陷部的一個以上的伸長部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述隔壁包括第一隔壁，至少一部分與上述維持電極對重合排列；以及第二隔壁，至少一部分與上述數(shù)據(jù)電極及上述第一隔壁重合排列。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在上述單元內(nèi)部中，一個以上的上述凹陷部相對。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在上述單元內(nèi)部中，上述數(shù)據(jù)電極至少一部分與一個以上的上述伸長部和/或凹陷部重合。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在上述單元內(nèi)部中，上述伸長部之間的間隔距離是60μm至180μm。
17.一種等離子顯示裝置，其特征在于，包括在背面基板上作為隔壁被劃分，配置為Δ狀的三個以上的單元；配置在該單元的下部，具有寬大部和窄小部的數(shù)據(jù)電極；在和上述背面基板粘合的前面基板上，與上述隔壁的至少一部分交叉配置的維持電極對；以及從該維持電極對開始分別在上述單元內(nèi)部相對地伸長的一個以上的伸長部。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述隔壁包括第一隔壁，至少一部分與上述維持電極對重合排列；以及第二隔壁，至少一部分與上述數(shù)據(jù)電極及上述第一隔壁重合排列。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示裝置，其特征在于，上述寬大部形成在作為放電空間的上述單元的內(nèi)部，上述窄小部的至少一部分與劃定作為非放電空間的上述單元的第二隔壁重合形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在上述單元內(nèi)部中，至少一個上述伸長部和/或凹陷部與上述寬大部至少一部分重合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在配置為Δ狀的放電單元中，具有可提高維持放電及地址放電效率的電極構(gòu)造的等離子顯示裝置；其中，呈多角形的放電單元配置為Δ狀，在向上述放電單元施加電壓的維持電極對中，伸長部在放電空間一側(cè)互相相對地形成，由于上述伸長部至少具有一個凹陷部，因此提高了長間隙引起的維持放電效率；并且，在上述放電單元下部形成的數(shù)據(jù)電極在放電空間中形成寬度較大的數(shù)據(jù)電極，因此縮小與維持電極對的有效側(cè)面之間的距離，提高地址放電效率。
文檔編號H01J17/16GK1877776SQ200610009240
公開日2006年12月13日 申請日期2006年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月10日
發(fā)明者安泳準(zhǔn) 申請人:Lg電子株式會社