專利名稱：MgO蒸鍍材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將成為作為AC型等離子體顯示面板保護(hù)膜材料使用的MgO膜材料的MgO蒸鍍材料。更詳細(xì)涉及在寬的溫度范圍應(yīng)答性好的MgO膜以及將成為使用該膜的等離子體顯示面板材料的MgO蒸鍍材料。
本申請主張根據(jù)2004年07月14日向日本國特許廳申請的特愿2004-206623號、2004年09月21日向日本國特許廳申請的特愿2004-272720號、2004年12月28日向日本國特許廳申請的特愿2004-379090號、2005年04月15日向日本國特許廳申請的特愿2005-117719號的優(yōu)先權(quán)，并在本申請中引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
近年，以液晶顯示器為首的各種平面顯示器的開發(fā)研究與實(shí)用化取得了驚人發(fā)展，其生產(chǎn)也急劇增加。關(guān)于彩色等離子體顯示面板(以下稱為PDP)，其開發(fā)和實(shí)用化的動向最近也變得十分活躍。PDP容易實(shí)現(xiàn)大型化，并離實(shí)現(xiàn)高清晰度電視用的大圖像壁掛式電視的距離最近，已經(jīng)制造了對角40英寸級的PDP。PDP分為在電極結(jié)構(gòu)點(diǎn)上用介質(zhì)玻璃材料覆蓋金屬電極的AC型和金屬電極露出在放電空間的DC型。
最初開發(fā)這種AC型PDP時(shí)，由于介質(zhì)玻璃層露出在放電空間，所以直接曝露在放電中，由于離子沖擊的濺射，介質(zhì)玻璃層表面變化，起始放電電壓上升。因此嘗試使用具有高升華熱的各種氧化物作為該介質(zhì)玻璃層的保護(hù)膜。該保護(hù)膜，直接與放電用的氣體接觸，所以起著很重要的作用。也就是對保護(hù)膜所要求的特性是(1)低放電電壓；(2)放電時(shí)的耐濺射性；(3)快的放電應(yīng)答性以及(4)絕緣性。作為滿足這些條件的材料，將MgO用于保護(hù)膜。含有MgO的該保護(hù)膜從放電時(shí)的濺射中保護(hù)介質(zhì)玻璃層表面，對于PDP的長壽命化起著重要作用。
但是使用MgO膜作為保護(hù)膜時(shí)，存在著多發(fā)被稱為黑噪聲的顯示紊亂問題。所謂黑噪聲指的是面板上應(yīng)該點(diǎn)亮的單元(選擇單元)卻不點(diǎn)亮的顯示紊亂現(xiàn)象，眾所周知，在圖像中點(diǎn)亮區(qū)域和非點(diǎn)亮區(qū)域的邊界容易出現(xiàn)這種現(xiàn)象。這種紊亂現(xiàn)象并不是1行或1列中的多個(gè)選擇單元全都不點(diǎn)亮，發(fā)生部位是分散存在的，所以黑噪聲的原因據(jù)認(rèn)為是未發(fā)生尋址放電，或者即使發(fā)生，其強(qiáng)度也不足的尋址錯誤。
作為解決這些問題的方法，公開了利用通過真空成膜法以500～10000重量ppm范圍內(nèi)的比率含有Si的MgO膜作為耐濺射性保護(hù)膜的PDP(例如參照專利文獻(xiàn)1)。按照該專利文獻(xiàn)1，通過在MgO膜中以上述比率含有Si，可以抑制黑噪聲原因的尋址錯誤。
另外，公開了通過脂肪酸鹽的熱分解，形成以1000～40000重量ppm比率含有Si的MgO膜，利用該膜作為耐濺射性保護(hù)膜的PDP(例如參照專利文獻(xiàn)2)。如果利用該專利文獻(xiàn)2所示的技術(shù)，由于通過脂肪酸鹽熱分解形成的MgO膜中的微量成分作用會改善電氣特性，二次電子放出量增大，補(bǔ)償由殘留電荷引起的有效電壓降低，減輕電荷殘留本身，殘留電荷迅速消失，所以可以抑制黑色噪聲原因的尋址錯誤。
另一方面，報(bào)道了PDP面板中放電單元的形狀和面板驅(qū)動時(shí)的外加電壓、頻率等各種條件影響應(yīng)答性的情況(參照非專利文獻(xiàn)1)。在該非專利文獻(xiàn)1中記述了評價(jià)PDP應(yīng)答性的方法。
另外，還發(fā)表了通過在放電單元內(nèi)照射真空紫外線，改善應(yīng)答性的內(nèi)容(例如參照非專利文獻(xiàn)2)。在該非專利文獻(xiàn)2中也記述了評價(jià)PDP面板應(yīng)答性的方法。
專利文獻(xiàn)1特許第3247632號公報(bào)；專利文獻(xiàn)2特開2001-110321號公報(bào)；非專利文獻(xiàn)1A.Seguin，L.Tessier，H.Doyeux和S.Salavin，“Measurement of Addressing Speed in Plasma Display Devices.”，IDW’99，第699-702頁；非專利文獻(xiàn)2R.Ganter，Th.Callegari，N.Posseme，B.Caillier和J.P.Boeuf，“Photoemission in Plasma Display Panel Discharge Cells.”，IDW’00，第731-734頁。
發(fā)明公開上述專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2、非專利文獻(xiàn)1以及非專利文獻(xiàn)2中沒有特別涉及評價(jià)應(yīng)答性時(shí)的溫度條件，可以認(rèn)為是進(jìn)行在室溫附近條件下的應(yīng)答性評價(jià)。
但是PDP的保證溫度隨制造廠家不同而異，最低溫度為0℃，更優(yōu)選為-15℃；最高溫度為70℃，更優(yōu)選為90℃，上下幅度相差大。于是本發(fā)明者在-15℃～90℃的寬溫度范圍進(jìn)行放電應(yīng)答性評價(jià)，進(jìn)一步進(jìn)行詳細(xì)研究時(shí)，查明應(yīng)答性存在著溫度依賴性。具體是如果在某溫度下的放電應(yīng)答時(shí)間超過閾值，就會產(chǎn)生寫入放電不良，面板會出現(xiàn)雪花的問題。另外，當(dāng)放電應(yīng)答性不好時(shí)，必需延長尋址時(shí)間，結(jié)果使得維持時(shí)間變短，得不到足夠的面板亮度，因此以往為了改善面板亮度，通過實(shí)施雙重掃描來補(bǔ)償亮度。但是雙重掃描需要大量的尋址IC數(shù)，所以存在著電路成本增高的問題。
本發(fā)明的目的在于提供能夠以好的成品率進(jìn)行制造，并且在寬的溫度范圍得到良好的放電應(yīng)答性，還可以不降低面板亮度，而大幅度減少尋址IC數(shù)的MgO蒸鍍材料以及使用該材料的MgO膜以及PDP。
本發(fā)明的第一方案是對用于為形成等離子體顯示面板(PDP)保護(hù)膜的MgO蒸鍍材料的改良。本發(fā)明第一方案MgO蒸鍍材料的特征構(gòu)成是含有MgO純度在98％以上，并且相對密度在90％以上的MgO顆粒，上述顆粒含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素，含有Y時(shí)，Y的濃度為5～10000ppm；含有La時(shí)，La的濃度為5～15000ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為5～16000ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為5～16000ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為5～16000ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為5～16000ppm；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為5～16000ppm。
該第一方案所述的MgO蒸鍍材料中，如果使用MgO顆粒中所含有的選自Y、La、Sc、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素的濃度在上述范圍內(nèi)的MgO蒸鍍材料形成MgO膜，則該MgO膜在寬的溫度范圍可以得到良好的放電應(yīng)答性。
在第一方案的MgO蒸鍍材料中MgO的顆粒還可以是多晶或單晶。
這樣的MgO蒸鍍材料中，其效果明顯變化并不是由于MgO顆粒是多晶或單晶的組織結(jié)構(gòu)不同，而是因?yàn)榻M成不同，所以MgO顆粒不僅是多晶時(shí)，即使是單晶，只要具有第一方案中所述范圍內(nèi)的組成，則使用該MgO蒸鍍材料形成MgO膜，該MgO膜就在寬的溫度范圍得到良好的放電應(yīng)答性。
上述MgO顆粒，優(yōu)選通過燒結(jié)法得到的多晶或通過電熔融法得到的單晶。
另外，還優(yōu)選含有Y時(shí)，Y的濃度為10～5000ppm；含有La時(shí)，La的濃度為10～7000ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為10～8000ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為10～7000ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為10～7000ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為10～7000ppm；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為10～7000ppm。
另外，還優(yōu)選含有Y時(shí)，Y的濃度為20～1000ppm；含有La時(shí)，La的濃度為20～1000ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為20～1000ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為20～1000ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為20～1000ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為20～1000ppm；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為20～1000ppm。
進(jìn)一步優(yōu)選含有Y時(shí)，Y的濃度為20～300ppm；含有La時(shí)，La的濃度為20～800ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為20～800ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為20～800ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為20～800ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為20～800ppm；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為20～800ppm。
本發(fā)明的第二方案，是通過用上述第一方案的MgO蒸鍍材料作為靶材料的真空成膜法形成的MgO膜。
該第二方案的MgO膜，是使用上述第一方案的MgO蒸鍍材料形成MgO膜，所以該MgO膜在寬的溫度范圍可以得到良好的放電應(yīng)答性。
另外，上述MgO膜含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素，含有Y時(shí)，Y的濃度為5～10000ppm；含有La時(shí)，La的濃度為5～15000ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為5～16000ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為5～16000ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為5～16000ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為5～16000ppm；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為5～16000ppm。
真空成膜法，進(jìn)一步優(yōu)選電子束蒸鍍法或離子鍍法。
本發(fā)明的第三個(gè)方案是MgO膜，它具有以不含Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm任何元素的MgO蒸鍍材料作為靶材料形成的基底層和在該基底層表面以第一方案的MgO蒸鍍材料作為靶材料形成的表面層。
該第三方案的MgO膜中，通過厚厚地形成廉價(jià)基底層，并薄薄地形成價(jià)格昂貴的表面層，可以降低MgO膜的制造成本。
另外，可以含有在基底玻璃基板表面縱橫排列并豎直設(shè)置的多個(gè)柱狀晶體，柱狀晶體的平均直徑在20～100nm范圍，柱狀晶體的長度方向與向基底玻璃基板表面引的垂線所形成的角度是0～50度。
MgO膜的結(jié)晶取向性優(yōu)選具有(111)面的取向或(111)面的優(yōu)先取向，或具有(100)面的取向或(100)面的優(yōu)先取向，或具有(110)面的取向或(110)面的優(yōu)先取向。
本發(fā)明的第四方案是在介質(zhì)層上設(shè)置第二或第三方案MgO膜的PDP。
該第四方案的PDP中，使用第一方案的MgO蒸鍍材料形成PDP用的MgO膜(第二方案或第三方案的MgO膜)，所以可以在寬的溫度范圍得到良好的應(yīng)答性，與此同時(shí)能夠提高面板的亮度。另一方面，由于能夠確保必要的足夠面板亮度，所以可以不降低面板亮度而大幅度減少尋址IC數(shù)。
發(fā)明的效果如上所述，如果按照本發(fā)明，含有MgO純度在98％以上并且相對密度在90％以上的MgO顆粒，該顆粒含有規(guī)定量的選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素，所以使用該MgO蒸鍍材料形成MgO膜，該MgO膜在寬的溫度范圍可以得到良好的放電應(yīng)答性。
另外，不僅當(dāng)MgO顆粒是多晶時(shí)，即使是單晶，如果使用具有上述范圍內(nèi)組成的MgO蒸鍍材料形成MgO膜，則該MgO膜在寬的溫度范圍可以得到良好的放電應(yīng)答性。
另外，如果以不含Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm任何元素的MgO蒸鍍材料作為靶材料形成基底層，在該基底層表面以含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素的MgO蒸鍍材料為靶材料形成表面層，通過厚厚地形成廉價(jià)基底層，薄薄地形成價(jià)格昂貴的表面層，可以降低MgO膜的制造成本。
進(jìn)一步地，如果使用上述MgO蒸鍍材料形成MgO膜，該MgO膜在寬的溫度范圍可以得到良好的放電應(yīng)答性，如果把使用上述MgO蒸鍍材料形成的MgO膜應(yīng)用于PDP，則可以在寬的溫度范圍得到良好的應(yīng)答性，能夠提高面板的亮度，與此同時(shí)，由于能夠確保必要的足夠面板亮度，所以可以不降低面板亮度而大幅度減少尋址IC數(shù)。
附圖的簡單說明[圖1]是表示本發(fā)明實(shí)施方案PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的主要部分?jǐn)嗝媪Ⅲw圖。
符號說明10 AC型PDP22 保護(hù)膜(MgO膜)實(shí)施發(fā)明的最佳方案下面根據(jù)


實(shí)施本發(fā)明的最佳方案。
本發(fā)明者詳細(xì)研究了MgO蒸鍍材料以及使用該蒸鍍材料成膜的MgO膜中的雜質(zhì)種類及其含量對放電應(yīng)答性的影響，確認(rèn)了MgO顆粒中所含的選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素的濃度有很大影響。另外，還弄清楚了MgO顆粒中的選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素濃度越是增加，一般放電應(yīng)答性越好，但是如果進(jìn)一步增加，相反放電應(yīng)答性將變差，所以當(dāng)考慮對制品的應(yīng)用時(shí)，發(fā)現(xiàn)選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素存在一個(gè)最佳濃度范圍。存在這樣的溫度依賴性的主要原因在于通過添加選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素，會提高二次電子的放出能力。另外，上述選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素中包括作為以La、Ce、Nd為主成分的混合物的misch合金(有時(shí)表示為Mm)。
本發(fā)明的對選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素濃度進(jìn)行調(diào)整的MgO蒸鍍材料，是可用于為形成PDP保護(hù)膜的MgO膜的蒸鍍材料，含有MgO純度在98％以上，優(yōu)選98.4％以上；并且相對密度為90％以上，優(yōu)選95％以上的多晶MgO顆粒。其中，之所以把多晶MgO顆粒的MgO純度限定在98％以上是因?yàn)槿绻陀?8％，則放電應(yīng)答時(shí)間變長，加之放電應(yīng)答時(shí)間的數(shù)據(jù)再現(xiàn)性差的原因；之所以把相對密度限定在90％以上是因?yàn)槿绻陀谑?0％，則成膜時(shí)飛濺增加的原因。另外，本發(fā)明的MgO蒸鍍材料中還可以同時(shí)含有該稀土類元素以外的稀土類元素(例如Sc)以及其它元素(Si、Ca、Al、Fe等)。該實(shí)施方案中使MgO顆粒的組織為多晶，但也可以是單晶。另外，本說明書以及權(quán)利要求書中所謂的MgO蒸鍍材料的純度，是指從100％(顆?？傊亓?中減去MgO顆粒中所含Mg和O以外的元素的含有比率的值。其中，作為計(jì)算時(shí)考慮的元素，可以列舉H，B，C，N，Na，Al，Si，P，S，Cl，K，Ca，Ti，V，Cu，Zn，Zr，Mo，Pb和Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm等稀土類元素。
含有上述Y時(shí)，Y的濃度為5～10000ppm，優(yōu)選10～5000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm；含有La時(shí)，La的濃度為5～15000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～8000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppn；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm。這些濃度是相對于MgO顆粒100重量％的濃度。其中，之所以在含有Y時(shí)，把Y的濃度限定在5～10000ppm范圍是因?yàn)槿绻陀?ppm，則濃度難以穩(wěn)定控制；如果超過10000ppm，則放電應(yīng)答時(shí)間變長的原因。之所以在含有La時(shí)，把La的濃度限定在5～15000ppm范圍是因?yàn)槿绻陀?ppm，則濃度難以穩(wěn)定控制；如果超過15000ppm，則放電應(yīng)答時(shí)間變長的原因。之所以在含有Sc時(shí)，把Sc的濃度限定在5～5000ppm范圍是因?yàn)槿绻陀?ppm，則濃度難以穩(wěn)定控制；如果超過5000ppm，則放電應(yīng)答時(shí)間變長的原因。之所以分別在含有Ce時(shí)把Ce的濃度，在含有Pr時(shí)把Pr的濃度，在含有Nd時(shí)把Nd的濃度，在含有Pm時(shí)把Pm的濃度以及在含有Sm時(shí)把Sm的濃度限定在5～16000ppm范圍是因?yàn)槿绻陀?ppm，則濃度難以穩(wěn)定控制；如果超過16000ppm，則放電應(yīng)答時(shí)間變長的原因。
MgO蒸鍍材料中的上述Y、La、Ce等元素，當(dāng)其含量相當(dāng)微量時(shí)，并不是作為MgO基體的晶粒邊界和晶粒內(nèi)的粒狀析出物而存在，而是均勻分散在MgO蒸鍍材料中。另外，上述元素在MgO蒸鍍材料中作為氧化物而存在。例如Y是以Y2O3的形式存在，La是以La2O3的形式存在。另外，認(rèn)為Ce是以CeO2或Ce2O3的形式存在。認(rèn)為Pr是以Pr6O12的形式存在，認(rèn)為Nd是以Nd2O3的形式存在。還認(rèn)為Pm是以Pm2O3的形式存在，還認(rèn)為Sm是以Sm2O3的形式存在。
對這樣構(gòu)成的本發(fā)明MgO蒸鍍材料的制造方法進(jìn)行說明。
(1)添加元素為Y，通過燒結(jié)法制作時(shí)首先把純度為98％以上的高純度MgO粉末和使MgO中所含Y的濃度達(dá)到5～10000ppm范圍量的高純度氧化釔粉末、粘合劑、有機(jī)溶劑混合，調(diào)制濃度為30～75重量％的漿液。優(yōu)選調(diào)制濃度為40～65重量％的漿液。之所以把漿液的濃度限定在30～75重量％是因?yàn)槿绻^75重量％，則上述漿液為非水系，存在著難以進(jìn)行穩(wěn)定混合造粒的問題；如果低于30重量％，則得不到具有均勻組織的致密MgO燒結(jié)體。MgO粉末的平均粒徑優(yōu)選為0.1～5.0μm范圍內(nèi)。之所以把MgO粉末的平均粒徑規(guī)定在上述范圍內(nèi)，是因?yàn)槿绻陀谙孪拗?，則粉末太細(xì)容易聚集，所以粉末的操作性差，存在著難以調(diào)制高濃度漿液的問題；如果超過上限值，則難以控制微細(xì)結(jié)構(gòu)，存在著得不到致密顆粒的問題。
氧化釔粉末，考慮防止Y存在量不均勻以及與MgO基體反應(yīng)性以及Y化合物純度時(shí)，優(yōu)選添加1次粒子直徑在亞微米級以下的氧化釔粒子。
作為粘合劑，優(yōu)選使用聚乙二醇和聚乙烯醇縮丁醛等；作為有機(jī)溶劑，優(yōu)選使用乙醇和丙醇等。粘合劑，優(yōu)選添加0.2～5.0重量％。
高純度粉末和粘合劑與有機(jī)溶劑的濕式混合，特別是高純度粉末與分散劑有機(jī)溶劑的濕式混合，通過濕式球磨機(jī)或攪拌機(jī)進(jìn)行。濕式球磨機(jī)中，當(dāng)采用ZrO2制球時(shí)，使用直徑為5～10mm的多個(gè)ZrO2制球，濕式混合8～24小時(shí)，優(yōu)選20～24小時(shí)。之所以把ZrO2制球的直徑限定在5～10mm，是因?yàn)槿绻陀?mm，則混合不充分；如果超過10mm，則存在雜質(zhì)增加的不良情況。另外，混合時(shí)間長，最長可達(dá)24小時(shí)，這是因?yàn)榧词归L時(shí)間連續(xù)混合，產(chǎn)生的雜質(zhì)也較少的原因。
攪拌機(jī)中，使用直徑1～3mm的ZrO2制球，進(jìn)行0.5～1小時(shí)的濕式混合。之所以要把ZrO2制球的直徑限定在1～3mm，是因?yàn)槿绻陀?mm，則混合不充分；如果超過3mm則會出現(xiàn)雜質(zhì)增多的不良情況。另外，混合時(shí)間短，最長為1小時(shí)，這是因?yàn)槿绻^1小時(shí)，不僅原料的混合而且球本身磨損都會造成產(chǎn)生雜質(zhì)的原因，另外，只要混合時(shí)間有1小時(shí)，就可以進(jìn)行充分混合。
接著對上述的漿液進(jìn)行噴霧干燥，得到平均粒徑為50～250μm，優(yōu)選50～200μm的混合造粒粉末。把該造粒粉末放入到規(guī)定的模具中用規(guī)定壓力進(jìn)行成型。上述噴霧干燥優(yōu)選使用噴霧干燥器進(jìn)行，規(guī)定的模具，使用單軸壓制裝置或冷靜壓成型裝置(CIP成型裝置)。單軸壓制裝置中，以750～2000kg/cm2，優(yōu)選以1000～1500kg/cm2壓力對造粒粉末進(jìn)行單軸加壓成型；CIP成型裝置中，以1000～3000kg/cm2，優(yōu)選以1500～2000kg/cm2的壓力對造粒粉末進(jìn)行CIP成型。之所以把壓力限定在上述范圍，是因?yàn)樵谔岣叱尚腕w密度的同時(shí)可以防止燒結(jié)后的變形，不需要進(jìn)行后加工。
進(jìn)一步在規(guī)定溫度下對成型體進(jìn)行燒結(jié)。燒結(jié)在大氣、惰性氣體、真空或還原氣體氣氛中在1350℃以上，優(yōu)選1400～1800℃的溫度下進(jìn)行1～10小時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行2～8小時(shí)。通過這樣處理，可以得到相對密度在90％以上的顆粒。上述燒結(jié)是在大氣中進(jìn)行，當(dāng)進(jìn)行熱成型(HP)燒結(jié)和如熱靜壓成型(HIP)燒結(jié)的加壓燒結(jié)時(shí)，優(yōu)選在惰性氣體、真空或還原氣體氣氛中在1350℃以上的溫度條件下進(jìn)行1～5小時(shí)。以經(jīng)過這樣操作得到的顆粒多晶MgO蒸鍍材料作為靶材料，通過真空成膜法，在基板表面形成MgO膜。
(2)添加元素為Y，通過電熔融法制作時(shí)把較低品級的MgO原料(例如Mg(OH)2粉末)和使MgO中所含的Y濃度達(dá)到5～10000ppm范圍量的氧化釔粉末混合后，把該混合物投入到浴中。接著利用電弧放電使浴中的混合物在高溫下熔融，然后慢慢冷卻，制作高品級的氧化物單晶塊。進(jìn)一步通過對該單晶塊進(jìn)行破碎，得到單晶MgO蒸鍍材料的顆粒。以這樣得到的顆粒多晶MgO蒸鍍材料作為靶材料，通過真空成膜法在基板表面形成MgO膜。
當(dāng)使用La、Ce、Pr、Nd、Pm或Sm作為添加元素時(shí)，使用La、Ce、Pr、Nd、Pm或Sm替代上述Y，用與上述相同的方法制造MgO蒸鍍材料。
另一方面，作為為了形成上述MgO膜的真空成膜法，可以列舉電子束蒸鍍法和離子鍍法等。另外，上述MgO膜含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素。含有上述Y時(shí)，Y的濃度為5～10000ppm，優(yōu)選10～5000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm。含有La時(shí)，La的濃度為5～15000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm。含有Ce時(shí)，Ce的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～8000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm。含有Pr時(shí)，Pr的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm。含有Nd時(shí)，Nd的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm。含有Pm時(shí)，Pm的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppn。含有Sm時(shí)，Sm的濃度為5～16000ppm，優(yōu)選10～7000ppm，更優(yōu)選20～1000ppm。這些濃度是相對于MgO膜100重量％的濃度。其中之所以把MgO膜中所含的Y等的濃度限定在上述范圍與限定MgO蒸鍍材料中所含Y等濃度的限定理由相同。
上述MgO膜，可以具有以不含Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm任何元素的MgO蒸鍍材料為靶材料形成的基底層和含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素的表面層。這時(shí)通過厚厚地形成廉價(jià)基底層和薄薄地形成昂貴表面層，可以降低MgO膜的制造成本。另外，可以含有在基底玻璃基板表面縱橫排列并豎直設(shè)置的多個(gè)柱狀晶體，柱狀晶體的平均直徑在20～100nm范圍，柱狀晶體的長度方向與向基底玻璃基板表面引的垂線所形成的角度是0～50度。其中，之所以把柱狀晶體的平均直徑限定在20～100nm范圍，是因?yàn)槿绻陀?0nm，則結(jié)晶性不充分；如果超過100nm，則氣體向MgO膜的吸附量增加，難以進(jìn)行PDP的真空排氣工序。另外，之所以把柱狀晶體長度方向與向基底玻璃基板表面引的垂線所形成的角度限定在0～50度范圍是因?yàn)橐贿呉砸?guī)定速度輸送基板，一邊在基板上蒸鍍MgO膜。也就是如果基板的輸送速度變化，則上述角度在0～50度范圍變化。MgO膜的結(jié)晶取向性優(yōu)選具有(111)面的取向或(111)面的優(yōu)先取向，或者優(yōu)選具有(100)面的取向或(100)面的優(yōu)先取向，或者優(yōu)選具有(110)面的取向或(110)面的優(yōu)先取向。通過MgO膜的結(jié)晶取向性具有上述面，提高放電特性以及耐濺射性。在含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素的MgO膜中在該膜厚方向上，可以存在上述元素濃度的不均勻，例如在膜厚方向上，可以存在上述元素濃度的梯度。
圖1中示出本發(fā)明的PDP10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
面放電形式的AC型PDP10，通常在前玻璃基板11的圖像橫向上平行配置維持電極12和掃描電極13，使它們形成一對。另外，在后玻璃基板14的圖像縱向上配置尋址電極16。把該維持電極12和掃描電極13的間隙稱為放電間隙，選定該間隙為約80μm。前玻璃基板11和后玻璃基板14通過100～150μm左右高度的隔壁17隔開，該隔壁17的壁面以及底部涂布有熒光體粉末18。彩色顯示時(shí)，在行方向形成3個(gè)并排的放電空間的隔壁17的背面以及底部分別涂布3色(R、G、B)的熒光體18G、18B、18R，形成3個(gè)子象素(單位發(fā)光區(qū)域)，把它們作為1個(gè)象素。在由前玻璃基板11、后玻璃基板14以及隔壁17形成的放電空間19中封入氣體。該封入氣體使用Ne(氖)和Xe(氙)等惰性氣體的混合氣體。
覆蓋維持電極12和掃描電極13的介質(zhì)玻璃層21的表面，為了降低放電時(shí)由放電氣體產(chǎn)生的離子沖擊，設(shè)置耐濺射性高的保護(hù)膜(MgO膜)22。在PDP中保護(hù)膜22的材質(zhì)以及膜質(zhì)對放電特性給予很大影響，所以該保護(hù)膜起到作為放電電極的作用。該保護(hù)膜材料使用耐濺射性優(yōu)異，并且二次電子放出系數(shù)高的絕緣物，即本發(fā)明的MgO膜。
這樣構(gòu)成的矩陣顯示形式的AC型PDP10，在前玻璃基板11和后玻璃基板14之間設(shè)置的放電空間19內(nèi)相對的維持電極12以及掃描電極13和尋址電極16之間產(chǎn)生等離子體放電，通過對在放電空間19內(nèi)設(shè)置的熒光體18照射由封入到該放電空間19內(nèi)的氣體而發(fā)生的紫外線進(jìn)行顯示。為了維持作為顯示元件的單元的點(diǎn)亮狀態(tài)(維持)，利用記憶效應(yīng)。在顯示過程中首先從某圖像的維持結(jié)束到下一個(gè)圖像的尋址(寫入)之間，進(jìn)行整個(gè)圖像的壁電荷消除(復(fù)位)。接著進(jìn)行只在應(yīng)該點(diǎn)亮(發(fā)光)的單元中累積壁電荷的逐行尋址(寫入)。然后對所有單元同時(shí)外加低于交替極性放電起始電壓的電壓(維持電壓)。壁電荷存在的單元中在維持電壓上疊加壁電壓，所以加在單元上的實(shí)際電壓超過起始放電電壓而產(chǎn)生放電。通過提高維持電壓的外加頻率，在表觀上可以得到連續(xù)的點(diǎn)亮狀態(tài)。
上述尋址(寫入)，通過在后玻璃基板的尋址電極和前玻璃基板的掃描電極間進(jìn)行寫入放電而累積壁電荷。例如，在以往使用的分辨率為VGA級、256連續(xù)色調(diào)表示(8 subfield)的PDP中當(dāng)用3μs進(jìn)行寫入放電時(shí)，必需按順序?qū)懭?80行，所以驅(qū)動時(shí)間的大約10％消耗在消去壁電荷上，大約70％消耗在寫入圖像數(shù)據(jù)中，實(shí)際上顯示圖像的時(shí)間只有剩余的約20％左右。PDP時(shí)，該圖像顯示時(shí)間越長，越容易清楚地識別面板的亮度。為了改進(jìn)面板亮度，將驅(qū)動尋址電極的尋址IC數(shù)增加至2倍，可以通過分別寫入圖像的上下部(雙重掃描)縮短寫入時(shí)間，延長圖像顯示時(shí)間。但是如果使用這種方法，存在著增加電路成本的問題。
與此相反，使用本發(fā)明的MgO蒸鍍材料成膜的MgO膜22，在寬的溫度范圍可以得到良好的放電應(yīng)答性，所以可以縮短寫入放電的時(shí)間。因此使用該保護(hù)膜22的本發(fā)明的PDP10，可以延長圖像顯示時(shí)間，所以能夠提高面板亮度。另一方面可以在不降低面板亮度的條件下謀求大幅度減少尋址IC數(shù)。
實(shí)施例下面與比較例一起詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。
<實(shí)施例1>
作為MgO蒸鍍材料，準(zhǔn)備MgO純度為99.95％、相對密度為98％、MgO中所含的Y濃度為300ppm的多晶MgO顆粒。該MgO蒸鍍材料的直徑以及厚度分別為5mm以及1.6mm。另外還準(zhǔn)備在表面層合ITO電極和銀電極形成電極，再形成介質(zhì)玻璃層以覆蓋該電極的玻璃基板。
在該玻璃基板上形成的介質(zhì)玻璃層上，使用上述MgO蒸鍍材料，通過電子束蒸鍍法形成膜厚為8000(800nm)，結(jié)晶取向性具有(111)面取向的MgO膜。成膜條件極限真空度為1.0×10-4Pa，氧氣分壓為1.0×10-2pa，基板溫度為200℃，成膜速度為20/秒(2nm/秒)。
<實(shí)施例2>
使用通過電熔融法制作的MgO單晶顆粒(縱、橫以及厚為5mm、5mm以及2mm左右的板狀顆粒)中所含Y的濃度為600ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例3>
使用MgO顆粒中所含Y的濃度為7000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例4>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是La，該La的濃度為500ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例5>
使用MgO顆粒中所含La的濃度為5000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例4相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例6>
使用MgO顆粒中所含La的濃度為12000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例4相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例7>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Ce，該Ce的濃度為600ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例8>
使用MgO顆粒中所含Ce的濃度為7000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例7相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例9>
使用MgO顆粒中所含Ce的濃度為15000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例7相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例10>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Pr，該P(yáng)r的濃度為500ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例11>
使用MgO顆粒中所含Pr的濃度為5000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例10相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例12>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Nd，該Nd的濃度為500ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例13>
使用MgO顆粒中所含Nd的濃度為5000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例12相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例14>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Pm，該P(yáng)m的濃度為500ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例15>
使用MgO顆粒中所含Pm的濃度為5000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例14相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例16>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Sm，該Sm的濃度為500ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例17>
使用MgO顆粒中所含Sm的濃度為5000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例16相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例18>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Y和La，Y和La的濃度分別為200ppm和500ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例19>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Ce和Sc，Ce和Sc的濃度分別為500ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例20>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是La和Sc，La和Sc的濃度分別為50ppm和1000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例21>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是La和Si，La和Si的濃度分別為1000ppm和50ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<實(shí)施例22>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是La、Ca和Fe，La、Ca和Fe的濃度分別為500ppm、200ppm和200ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較例1>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Si，該Si的濃度為5ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較例2>
使用MgO顆粒中所含的元素是Y，該Y的濃度為15000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較例3>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是La，該La的濃度為20000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較例4>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Ce，該Ce的濃度為20000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較例5>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Pr，該P(yáng)r的濃度為20000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較例6>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Nd，該Nd的濃度為20000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較例7>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Pm，該P(yáng)m的濃度為20000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較例8>
使用MgO顆粒中所含的元素不是Y而是Sm，該Sm的濃度為20000ppm的MgO蒸鍍材料，除此之外，用與實(shí)施例1相同的方法形成MgO膜。
<比較試驗(yàn)以及評價(jià)>
使用具有用實(shí)施例1～22以及比較例1～8得到的MgO膜的玻璃基板，分別制作試驗(yàn)基板。具體是首先用ITO(氧化銦錫)電極形成80μm的放電間隙后，在介質(zhì)上形成MgO膜，把該玻璃基板作為前玻璃基板。接著準(zhǔn)備形成了高150μm、間距360μm隔壁(肋)的后玻璃基板。設(shè)置該后玻璃基板和前玻璃基板，使它們相對。向由前玻璃基板、后玻璃基板、隔壁形成的放電空間中注入Ne-4％Xe混合氣體作為放電氣體。
使用這樣得到的試驗(yàn)基板在-20℃、30℃以及90℃的各溫度條件下進(jìn)行模擬尋址放電試驗(yàn)，也就是進(jìn)行在2枚玻璃基板間的相對放電試驗(yàn)。試驗(yàn)條件使放電氣體壓力為500Torr，使外加電壓為200V，使頻率為1kHz。在這樣的條件下進(jìn)行試驗(yàn)，通過光電子倍增管檢測由放電所放出的近紅外線，把從外加電壓開始至發(fā)光結(jié)束的時(shí)間作為應(yīng)答時(shí)間進(jìn)行評價(jià)。該應(yīng)答時(shí)間包括統(tǒng)計(jì)上的發(fā)光偏差。把試驗(yàn)結(jié)果分別出示在表1和表2中。



如表1和表2所表明，Y濃度高于本發(fā)明規(guī)定濃度范圍的比較例2、La濃度高于本發(fā)明規(guī)定濃度范圍的比較例3、Ce濃度高于本發(fā)明規(guī)定濃度范圍的比較例4、Pr濃度高于本發(fā)明規(guī)定濃度范圍的比較例5、Nd濃度高于本發(fā)明規(guī)定濃度范圍的比較例6、Pm濃度高于本發(fā)明規(guī)定濃度范圍的比較例7以及Sm濃度高于本發(fā)明規(guī)定濃度范圍的比較例8中，在所有溫度范圍，放電應(yīng)答時(shí)間均較長，與此相反，Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm或Sm的濃度在本發(fā)明規(guī)定濃度范圍內(nèi)的實(shí)施例1～17中，在寬的溫度范圍放電應(yīng)答時(shí)間短。另外，按各規(guī)定量添加本發(fā)明規(guī)定濃度范圍內(nèi)的Y以及La的實(shí)施例18、按各規(guī)定量添加本發(fā)明規(guī)定濃度范圍內(nèi)的Ce以及Sc的實(shí)施例19、按各規(guī)定量添加本發(fā)明規(guī)定濃度范圍內(nèi)的La以及Sc的實(shí)施例20、按各規(guī)定量添加本發(fā)明規(guī)定濃度范圍內(nèi)的La以及Si的實(shí)施例21、按各規(guī)定量添加本發(fā)明規(guī)定濃度范圍內(nèi)的La、Ca以及Fe的實(shí)施例22中，在寬的溫度范圍，放電應(yīng)答時(shí)間短。比較例1的低溫區(qū)域的放電應(yīng)答時(shí)間相當(dāng)長。另外，比較例3和4中，由放電引起的發(fā)光強(qiáng)度不穩(wěn)定。
權(quán)利要求
1.MgO蒸鍍材料，它是用于形成等離子體顯示面板保護(hù)膜的MgO蒸鍍材料，其中含有MgO純度在98％以上，并且相對密度在90％以上的MgO顆粒；前述顆粒含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素；含有前述Y時(shí)，Y的濃度為5～10000ppm；含有前述La時(shí)，La的濃度為5～15000ppm；含有前述Ce時(shí)，Ce的濃度為5～16000ppm；含有前述Pr時(shí)，Pr的濃度為5～16000ppm；含有前述Nd時(shí)，Nd的濃度為5～16000ppm；含有前述Pm時(shí)，Pm的濃度為5～16000ppm；含有前述Sm時(shí)，Sm的濃度為5～16000ppm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的MgO蒸鍍材料，其中，MgO顆粒是多晶或單晶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的MgO蒸鍍材料，其中，MgO顆粒是通過燒結(jié)法得到的多晶或通過電熔融法得到的單晶。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的MgO蒸鍍材料，其中，含有Y時(shí)，Y的濃度為10～5000ppm；含有La時(shí)，La的濃度為10～7000ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為10～8000ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為10～7000ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為10～7000ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為10～7000ppm；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為10～7000ppm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的MgO蒸鍍材料，其中，含有Y時(shí)，Y的濃度為20～1000ppm；含有La時(shí)，La的濃度為20～1000ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為20～1000ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為20～1000ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為20～1000ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為20～1000ppm；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為20～1000ppm。
6.MgO膜，它是用權(quán)利要求1中所述的MgO蒸鍍材料作為靶材料的真空成膜法形成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的MgO膜，其中，含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素；含有前述Y時(shí)，Y的濃度為5～10000ppm；含有前述La時(shí)，La的濃度為5～15000ppm；含有前述Ce時(shí)，Ce的濃度為5～16000ppm；含有前述Pr時(shí)，Pr的濃度為5～16000ppm；含有前述Nd時(shí)，Nd的濃度為5～16000ppm；含有前述Pm時(shí)，Pm的濃度為5～16000ppm；含有前述Sm時(shí)，Sm的濃度為5～16000ppm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的MgO膜，其中，真空成膜法是電子束蒸鍍法或離子鍍法。
9.MgO膜，它具有以不含Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm任何元素的MgO蒸鍍材料作為靶材料形成的基底層和在該基底層表面以權(quán)利要求1中所述的MgO蒸鍍材料作為靶材料形成的表面層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的MgO膜，其中，含有在基底玻璃基板表面縱橫排列并豎直設(shè)置的多個(gè)柱狀晶體，前述柱狀晶體的平均直徑在20～100nm范圍，前述柱狀晶體長度方向與向前述基底玻璃基板表面引的垂線所形成的角度是0～50度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9中所述的MgO膜，其中，含有在基底玻璃基板表面縱橫排列并豎直設(shè)置的多個(gè)柱狀晶體，前述柱狀晶體的平均直徑在20～100nm范圍，前述柱狀晶體長度方向與向前述基底玻璃基板表面引的垂線所形成的角度是0～50度。
12.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的MgO膜，其中，結(jié)晶取向性具有(111)面的取向或(111)面的優(yōu)先取向。
13.根據(jù)權(quán)利要求9中所述的MgO膜，其中，結(jié)晶取向性具有(111)面的取向或(111)面的優(yōu)先取向。
14.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的MgO膜，其中，結(jié)晶取向性具有(100)面的取向或(100)面的優(yōu)先取向。
15.根據(jù)權(quán)利要求9中所述的MgO膜，其中，結(jié)晶取向性具有(100)面的取向或(100)面的優(yōu)先取向。
16.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的MgO膜，其中，結(jié)晶取向性具有(110)面的取向或(110)面的優(yōu)先取向。
17.根據(jù)權(quán)利要求9中所述的MgO膜，其中，結(jié)晶取向性具有(110)面的取向或(110)面的優(yōu)先取向。
18.等離子體顯示面板，它是在介質(zhì)層上設(shè)置權(quán)利要求6至17任意一項(xiàng)中所述的MgO膜的等離子體顯示面板。
全文摘要
為形成等離子體顯示面板保護(hù)膜的MgO蒸鍍材料含有MgO純度在98％以上，并且相對密度在90％以上的MgO顆粒。該顆粒含有選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm以及Sm的1種或2種以上元素。含有Y時(shí)，Y的濃度為5～10000ppm；含有La時(shí)，La的濃度為5～15000ppm；含有Ce時(shí)，Ce的濃度為5～16000ppm；含有Pr時(shí)，Pr的濃度為5～16000ppm；含有Nd時(shí)，Nd的濃度為5～16000ppm；含有Pm時(shí)，Pm的濃度為5～16000ppm；含有Sm時(shí)，Sm的濃度為5～16000ppm。
文檔編號H01J17/49GK1985020SQ20058002345
公開日2007年6月20日 申請日期2005年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月14日
發(fā)明者櫻井英章, 黛良享, 平田寬樹 申請人:三菱麻鐵里亞爾株式會社