專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體地說，涉及一種通過區(qū)分掩埋放電電極的介電層的厚度而可以用低電壓驅動的PDP，以及其制造方法。
背景技術：
通常來講，等離子體顯示面板(PDP)是平面顯示面板，其通過使得在各自具有放電電極的兩基板之間所注入的氣體放電，并利用該放電氣體產生的紫外線激發(fā)熒光粉層，而顯示所要的數字、字符或圖像。
根據供給放電室的驅動電壓的波形圖案，例如根據放電形式，這種PDP可被劃分成直流(DC)PDP和交流(AC)PDP。這種PDP還可根據電極的布置劃分成對向放電PDP和表面放電PDP。
三電極表面放電PDP包括被彼此相對布置的前基板和后基板。
X電極和Y電板被以使該X電極和Y電極都位于每個放電室中的方式，布置在前基板的內表面上。X電極包括透明的第一電極線以及被第一電極線交疊的第一匯流電極。Y電極包括透明的第二電極線以及被第二電極線交疊的第二匯流電極。X電極和Y電極被埋在前介電層中。前介電層被涂覆有保護層。
尋址電極被布置在后基板的內表面上，以與X電極和Y電極交叉。尋址電極被埋在后介電層中。
在前基板和后基板之間的空間中形成障壁，以界定放電室。為障壁所界定的放電室，被涂覆以紅熒光粉層R、綠熒光粉層G和藍熒光粉層B。
簡單看一下具有上述結構的PDP的制造過程，首先將X電極和Y電極平行布置在前基板的內表面上。然后，將用作前介電層的原材料印刷到上面得到的前基板的整個內表面上，以便能將X電極和Y電極埋入該材料。此后，通過干燥及其它預定的過程形成前介電層，并在前介電層上安置保護層。
在將尋址電極平行布置于后基板的內表面上之后，將用作后介電層的原材料印刷到上面得到的后基板的整個內表面上，以便能將Y電極埋入該材料。此后，通過干燥及其它預定的過程形成后介電層。
此后，在后基板上形成障壁，并在由鄰近的障壁所界定的放電室上反復形成紅熒光粉層R、綠熒光粉層G和藍熒光粉層B。
通過這一過程，前基板和后基板就完成了。
對于上述PDP的放電特性，由于紅熒光粉層R、綠熒光粉層G和藍熒光粉層B具有不同的放電特性，因此對于R熒光粉層、G熒光粉層和B熒光粉層，電壓容限(margin)Va即尋址所需的最小尋址電壓也不同。
例如，當電壓Vset為170V時，涂覆有藍熒光粉層B的放電室的尋址電壓Va約為55V，而涂覆有紅熒光粉層R的放電室的尋址電壓Va約為63V。
在實踐中，至少用于涂覆有具有最小電壓容限Va的紅熒光粉層R的放電室的尋址電壓Va，須要用來驅動PDP。這樣，PDP的驅動電路就會過載。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種PDP及其制造方法，該PDP通過區(qū)分掩埋與涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室對應的放電電極的介電層的厚度，從而增加全部的電壓容限，以減小紅、綠和藍熒光粉層之間電壓容限的變化。
根據本發(fā)明的一個方面，所提供的等離子體顯示面板(PDP)包括第一基板；布置于第一基板上的多個第一放電電極；與第一基板相對并與其平行布置的第二基板；布置在第二基板上以與第一放電電極交叉的多個第二放電電極，該第二放電電極適于通過第一放電電極尋址，且位于不同水平面；位于第一基板和第二基板之間以界定放電室的障壁；以及涂覆在障壁側面的紅(R)、綠(G)和藍(B)熒光粉層。
與涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室對應的第二放電電極優(yōu)選地距離第一放電電極不同的間距。
與具有較高電壓容限的放電室對應的第二放電電極優(yōu)選地比與具有較低電壓容限的放電室對應的第二放電電極距離第一放電電極更遠。
與涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室對應的第二放電電極優(yōu)選地被掩埋在不同厚度的介電層的部分中。
掩埋與涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室對應的第二放電電極的介電層的部分優(yōu)選地具有不同的厚度，以區(qū)分從第二放電電極到第一放電電極中每個的間隔。
掩埋與具有較高電壓容限的放電室對應的第二放電電極的介電層的部分優(yōu)選地比掩埋與具有較低電壓容限的放電室對應的第二放電電極的介電層的部分厚。
介電層優(yōu)選地在從掩埋與具有最高電壓容限的放電室對應的第二放電電極的部分至掩埋與具有最低電壓容限的放電室對應的第二放電電極的部分的方向上變薄。
第一放電電極優(yōu)選地包括被交替布置的X電極和Y電極，以便在每個放電室中都布置一對X電極和Y電極，且第二放電電極優(yōu)選地為布置成與X電極和Y電極交叉的尋址電極。
尋址電極優(yōu)選地包括布置在涂覆有R、G和B熒光粉層中的第一層的放電室下方的第一尋址電極，布置在涂覆有R、G和B熒光粉層中的第二層的放電室下方的第二尋址電極，以及布置在涂覆有R、G和B熒光粉層中的第三層的放電室下方的第三尋址電極；且第一尋址電極、第二尋址電極和第三尋址電極優(yōu)選地被布置為距離X和Y電極不同的間距。
布置在具有較高電壓容限的放電室下方的第一尋址電極優(yōu)選地比布置在具有較低電壓容限的放電室下方的第三尋址電極距離X電極和Y電極更遠。
掩埋第一放電電極、第二放電電極和第三放電電極的介電層的部分優(yōu)選地具有不同的厚度，以區(qū)分從第一放電電極、第二放電電極和第三放電電極到X電極和Y電極中每個的間隔。
根據本發(fā)明的另一個方面，提供一種制造等離子體顯示面板(PDP)的方法，該方法包括在第一基板上布置第一放電電極；相對于第一基板布置第二基板；以及在第二基板上在不同水平面布置多個第二放電電極，該多個第二放電電極適于通過第一放電電極尋址；以及形成介電層以掩埋第二放電電極。
第二放電電極優(yōu)選地被布置在涂覆有紅(R)、綠(G)和藍(B)熒光粉層的放電室下方，以距離第一放電電極不同間距。
與具有較高電壓容限的放電室對應的第二放電電極優(yōu)選地被布置得比與具有較低電壓容限的放電室對應的第二放電電極距離第一放電電極更遠。
掩埋布置在涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室下方的第二放電電極的介電層的部分優(yōu)選地被形成為具有不同的厚度。
形成第二放電電極和介電層優(yōu)選地包括形成第一電極，以用作在位于涂覆有紅(R)、綠(G)和藍(B)熒光粉層中第一層的放電室下方的第二基板部分上的第二放電電極；形成第一介電層以掩埋第一電極；形成第二電極，以用作在位于涂覆有R、G和B熒光粉層中第二層的放電室下方的第一介電層的部分上的第二放電電極；形成第二介電層以掩埋第二電極；形成第三電極，以用作在位于涂覆有R、G和B熒光粉層中第三層熒光粉層的放電室下方的第二介電層的部分上的第二放電電極；形成第三介電層以掩埋第三電極。
根據本發(fā)明的另一個方面，提供通過一種方法制造的等離子體顯示面板(PDP)，該方法包括在第一基板上布置第一放電電極；相對于第一基板布置第二基板；以及在第二基板上在不同水平面布置多個第二放電電極，該多個第二放電電極適于通過第一電極尋址；以及形成介電層以掩埋第二放電電極。
第二放電電極優(yōu)選地被布置在涂覆有紅(R)、綠(G)和藍(B)熒光粉層的放電室下方，以距離第一放電電極不同間距。
與具有較高電壓容限的放電室對應的第二放電電極優(yōu)選地被布置得比與具有較低電壓容限的放電室對應的第二放電電極距離第一放電電極更遠。
掩埋布置在涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室下方的第二放電電極的介電層的部分優(yōu)選地被形成為具有不同的厚度。
形成第二放電電極和介電層優(yōu)選地包括形成第一電極，以用作在位于涂覆有紅(R)、綠(G)和藍(B)熒光粉層中第一層的放電室下方的第二基板部分上的第二放電電極；形成第一介電層以掩埋第一電極；形成第二電極，以用作在位于涂覆有R、G和B熒光粉層中第二層的放電室下方的第一介電層的部分上的第二放電電極；形成第二介電層以掩埋第二電極；形成第三電極，以用作在位于涂覆有R、G和B熒光粉層中第三層熒光粉層的放電室下方的第二介電層的部分上的第二放電電極；形成第三介電層以掩埋第三電極。
下面通過結合附圖的詳細描述，可以更完整地理解本發(fā)明及其附帶的優(yōu)勢，進而可以更好地理解本發(fā)明，附圖中的相同附圖標記表示相同或相似部件，其中圖1為PDP的分解透視圖；圖2為圖1中PDP的紅、綠和藍熒光粉層的電壓容限對Vset的差異的曲線圖；圖3為根據本發(fā)明一實施例的PDP的分解透視圖；圖4為沿圖3中線I-I截取的橫截面圖；
圖5為圖3中PDP的制造方法流程圖；圖6為PDP中電壓容限的趨勢的曲線圖；以及圖7為根據圖3所示實施例的PDP中電壓容限的趨勢的曲線圖，作為與圖6中PDP的電壓容限的趨勢的比較。
具體實施例方式
圖1為三電極表面放電PDP100的分解透視圖。參見圖1，該PDP100包括被相向布置的前基板110和后基板120。
X電極130和Y電極140被以如下方式布置在前基板110的內表面上使得X電極130和Y電極140都位于每個放電室內。X電極130包括透明的第一電極線131和被第一電極線131交疊的第一匯流電極132。Y電極140包括透明的第二電極線141和被第二電極線141交疊的第二匯流電極142。X電極130和Y電極140被埋在前介電層150中。前介電層150涂覆有保護層160。
尋址電極170被布置在后基板120的內表面上，以與X電極130和Y電極140交叉。尋址電極170被埋在后介電層180中。
障壁190在前基板和后基板110和120之間的空間內形成，以界定放電室。由障壁190界定的放電室被涂覆有紅熒光粉層R、綠熒光粉層G和藍熒光粉層B。
簡單看一下制造具有上述結構的PDP100的過程，首先將X電極130和Y電極140平行布置在前基板110的內表面上。然后，將用作前介電層150的原材料印刷在上面得到的前基板110的整個內表面上，以便將X電極130和Y電極140埋入該材料中。其后，通過干燥及其它預定的過程形成前介電層150，并將保護層160安置在前介電層150上。
在將尋址電極170平行布置在后基板120的內表面上之后，將用作后介電層180的原材料印刷到上面得到的后基板120的整個內表面上，以便將尋址電極170埋入該材料中。其后，通過干燥及其它預定的過程形成后介電層180。
此后，在后基板120上形成障壁190，并在由鄰近的障壁190界定的放電室上反復形成紅熒光粉層R、綠熒光粉層G和藍熒光粉層B。
通過這一過程，前基板110和后基板120就完成了。
圖2中示出了PDP100的放電特性。在圖2中，X軸表示用于在復位階段積聚壁電荷的電壓Vset，而Y軸表示尋址電壓Va。
如圖2所示，由于紅熒光粉層R、綠熒光粉層G和藍熒光粉層B具有不同的放電特性，因此，對于紅熒光粉層R、綠熒光粉層G和藍熒光粉層B，電壓容限Va，即尋址所需的最小尋址電壓，也是不同的。
例如，當電壓Vset為170V時，如曲線B所示，涂覆有藍熒光粉層B的放電室的尋址電壓Va約為55V，而如曲線R所示，涂覆有紅熒光粉層R的放電室的尋址電壓Va約為63V。
在實踐中，至少用于涂覆有具有最小電壓容限Va的紅熒光粉層R的放電室的尋址電壓Va，須用來驅動PDP100。這樣，PDP100的驅動電路就會過載。
下面參照附圖描述根據本發(fā)明的一實施例的PDP。
圖3為根據本發(fā)明一實施例的PDP300的分解透視圖。圖4為沿圖3中線I-I截取的截面圖。
參見圖3和4，PDP300包括相向平行布置的前基板310和后基板320。前基板310和后基板320通過涂覆于它們相向內表面邊緣上的熔塊玻璃連接在一起，并密封起來。
前基板310由透明材料制成，如鈉鈣玻璃。X電極330和Y電極340為放電維持電極，被沿Y方向以固定間隔布置在前基板310的內表面(例如底面)上。X電極330和Y電極340相互交替。
X電極330包括在前基板310的內表面上形成的透明的第一電極線331和在第一電極線331的某些區(qū)域上形成的第一匯流電極332。Y電極340包括在前基板310的內表面上形成的透明的第二電極線341和在第二電極線341的某些區(qū)域上形成的第二匯流電極342。
第一電極線331和第二電極線341被成對布置在每個放電室內，并由透明材料制成，例如氧化銦錫(ITO)，以提高前基板310的開口率。第一匯流線332和第二匯流線342由導電性極高的金屬，如銀(Ag)膠或鉻-銅-鉻合金制成，以減小第一電極線和第二電極線341的電阻，并提高導電性。
一對X電極330和Y電極340與鄰近的一對X電極330和Y電極340之間的空間為非放電區(qū)域。非放電區(qū)域可包括黑條層，以提高PDP300的對比度。
X電極330和Y電極340被掩埋在前介電層350中。前介電層350是通過在玻璃漿中添加各種填充物而形成的?？梢詫⑶敖殡妼?50只印刷在前基板310底面形成X電極330和Y電極340的部分上。另一方面，可將前介電層350印刷在前基板310的整個底面上。由例如氧化鎂(MgO)制成的保護層360，被置于前介電層350上，以保護前介電層350，并增加二次電子的發(fā)射量。
尋址電極370被布置在后基板320的內表面上，以與X電極330和Y電極340交叉。尋址電極370被掩埋在后介電層380中。
在前基板310和后基板320之間的空間內形成障壁390，以界定放電室。障壁390包括被布置在面板300的X方向的第一障壁391和被布置在面板300的Y方向的第二障壁392。第一障壁391從一對鄰近的第二障壁392的側壁沿著兩側壁相向的方向延伸。第一障壁391和第二障壁392被組合成矩陣形狀。
另一方面，障壁390也可選擇其它形狀，如彎曲形、三角形或蜂窩形。相應地，所界定的放電室也不限于某一具體形狀，例如除長方形或圓形之外的多邊形。
可將諸如氖-氙或者氦-氙的放電氣體注入由前基板310和后基板320以及障壁390界定的放電室中。
放電室被涂覆有紅(R)、綠(G)和藍(B)熒光粉層410，這些熒光粉層被放電氣體產生的紫外線激發(fā)而發(fā)出可見光。雖然可以在放電室的任何區(qū)域涂覆R、G和B熒光粉層410，但在本實施例中，它們被涂覆在障壁390的內部區(qū)域。
放電室被涂覆有熒光粉層410。優(yōu)選地，但不是必需地，R熒光粉層410由(Y，Gd)BO3:Eu+3形成，G熒光粉層410由Zn2SiO4:Mn2+形成，B熒光粉層410由BaMgAl10O17:Eu2+形成。
其中埋有尋址電極370的后介電層380被形成，從而與涂覆有R、G和B熒光粉層410的放電室對應的后介電層380部分具有不同的厚度。
更具體地說，將尋址電極370沿面板300的X方向以固定間隔布置在后基板320上。將該條形尋址電極370平行布置，并沿面板300的Y方向延伸穿過放電室的中心。
對于R、G和B熒光粉層410的尋址電極370不在同一水平面上。換句話說，在后介電層380的上表面和尋址電極370之間的間隔，在從涂覆有具有最高電壓容限的B熒光粉層410的放電室到涂覆有具有最低電壓容限的R熒光粉層410的放電室的方向上逐漸減小。
為實現其，可將第一尋址電極371置于直接位于涂覆有B熒光粉層410的放電室下方的后基板320上表面的部分上。第一尋址電極371延伸穿過涂覆有B熒光粉層410的放電室。第一尋址電極371被埋在第一后介電層381中。第一后介電層381被印刷在后基板320的整個表面上。
將第二尋址電極372置于直接位于涂覆有G熒光粉層410的放電室下方的后基板320上表面的部分上。第二尋址電極372延伸穿過涂覆有G熒光粉層410的放電室。第二尋址電極372被埋在第二后介電層382之中。第二后介電層382也被印刷在后基板320的整個表面上。
將第三尋址電極373置于直接位于涂覆有R熒光粉層410的放電室下方的后基板320上表面的部分上。第三尋址電極373延伸穿過涂覆有R熒光粉層410的放電室。第三尋址電極373被埋在第三后介電層383之中。第三后介電層383也被印刷在后基板320的整個表面上。
第一后介電層381、第二后介電層382和第三后介電層383由基本相同的材料形成，并通過將這些材料沿垂直于后基板320平面的方向，即Z方向反復印刷在后基板320上而形成。
當第二匯流線342和直接位于涂覆有B熒光粉層410的放電室下方的第一尋址電極371之間的距離為H1，第二匯流線342和直接位于涂覆有G熒光粉層410的放電室下方的第二尋址電極372之間的距離為H2，第二匯流線342和直接位于涂覆有R熒光粉層410的放電室下方的第三尋址電極373之間的距離為H3時，這些距離以H1→H2→H3的次序減小。
當第一后介電層381的厚度為t1，其中有與涂覆有B熒光粉層410的放電室對應的第一尋址電極371，第二后介電層382的厚度為t2，其中有與涂覆有G熒光粉層410的放電室對應的第二尋址電極372，第三后介電層383的厚度為t3，其中有與涂覆有R熒光粉層410的放電室對應的第三尋址電極373時，從埋有第一尋址電極371的第一后介電層381底面到后介電層380上表面的間隔為t1+t2+t3。從掩埋有第二尋址電極372的第二后介電層382底面到后介電層380上表面的間隔為t2+t3。從掩埋有第三尋址電極373的第三后介電層383底面到后介電層380上表面的間隔為t3。
因此，后介電層380埋有第一尋址電極371的部分的厚度t1+t2+t3是最大的。后介電層380埋有第三尋址電極373的部分的厚度t3是最小的。后介電層380埋有第二尋址電極372的部分的厚度介于上述厚度之間。
第一尋址電極371、第二尋址電極372和第三尋址電極373與每個Y電極340之間的間隔不同。更具體地，與涂覆有具有最高電壓容限的B熒光粉層410的放電室對應的第一尋址電極371距離Y電極340最遠，而與涂覆有具有最低電壓容限的R熒光粉層410的放電室對應的第三尋址電極373則距離Y電極340最近。因此，可以減小涂覆有紅、綠和藍熒光粉層的放電室的電壓容限之間的差異。
與該實施例相反，根據紅、綠和藍熒光粉層的類型或者障壁的結構，涂覆有紅熒光粉層的放電室可具有最高電壓容限，而涂覆有綠熒光粉層的放電室可具有最低電壓容限。
下面將參照圖4和5，描述在PDP300的制造過程中形成尋址電極370和后介電層380的方法。
首先，在步驟S10中，準備后基板320。接著，在步驟S20中，將第一尋址電極371平行布置在后基板320的表面上。第一尋址電極371為延伸穿過后來被界定且涂覆有具有最高電壓容限的B熒光粉層410的放電室的放電電極。
然后，在步驟S30中，將第一后介電層381印刷到后基板320的整個表面上，以掩埋第一尋址電極371。
此后，在步驟S40中，將第二尋址電極372平行布置在第一后介電層381的表面上。第二尋址電極372為延伸穿過后來被界定且涂覆有具有第二最高電壓容限的G熒光粉層410的放電室的放電電極。
然后，在步驟S50中，將第二后介電層382印刷到后基板320的整個表面上，以掩埋第二尋址電極372。
接著，在步驟S60中，將第三尋址電極373平行布置在第二后介電層382的表面上。第三尋址電極373為延伸穿過后來被界定且涂覆有具有最小電壓容限的R熒光粉層410的放電室的放電電極。
然后，在步驟S70中，將第三后介電層383印刷到后基板320的整個表面上，以掩埋第三尋址電極373。
通過上述交替和第一后介電層381、第二后介電層382和第三后介電層383一起的第一尋址電極371、第二尋址電極372和第三尋址電極373，分別用于涂覆有紅、綠和藍熒光粉層的放電室的第一尋址電極371、第二尋址電極372和第三尋址電極373與Y電極340之間的距離就不同了。因此，第一尋址電極371、第二尋址電極372和第三尋址電極373被不同厚度的后介電層380的部分所覆蓋。
然后，在步驟380中，在后基板320上形成障壁390，以界定放電室，且放電室被涂覆有R、G和B熒光粉層410。
圖6為如圖1所示PDP中的電壓容限的趨勢的曲線圖。在該PDP中，用于涂覆有紅、綠和藍熒光粉層的放電室的尋址電極位于同一水平面。
圖7為根據圖3所示的本發(fā)明實施例的PDP中的電壓容限的趨勢的曲線圖。在該PDP中，與涂覆有R熒光粉層410且具有最小電壓容限的放電室對應的尋址電極373，被置于最靠近Y電極340的位置，與涂覆有B熒光粉層410且具有最大電壓容限的放電室對應的尋址電極371，被置于最遠離Y電極340的位置。
在圖6和7中，X軸表示用于在復位階段積聚壁電荷的電壓Vset，Y軸表示尋址電壓Va。
參見圖6，當電壓Vset為170V時，涂覆有R熒光粉層的放電室的尋址電壓Va約為68V，而涂覆有B熒光粉層的放電室的尋址電壓Va約為55V。因此，涂覆有R和B熒光粉層的放電室的電壓容限之間的差異約為13V。需要至少68V的過載來驅動該面板。
參見圖7，當電壓Vset為170V時，涂覆有R熒光粉層410的放電室的尋址電壓Va約為62V，而涂覆有B熒光粉層410的放電室的尋址電壓Va約為57V。因此，涂覆有R和B熒光粉層410的放電室的電壓容限之間的差異約為5V。換句話說，與圖6中的PDP相比，該PDP中電壓容限之間的差異下降了大約8V。
由于這種涂覆有R和B熒光粉層410的放電室的尋址電壓之間差值的減小，提高了用于PDP的電壓的一致性。另外，驅動該面板所需的最大電壓容限為62V，而與圖6中的PDP相比，電壓容限被改善了大約9％。這種驅動面板的電壓的減小有利于面板的穩(wěn)定驅動。
上述根據本發(fā)明的PDP及其制造方法具有以下效果。第一，用于涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室的尋址電極位于不同水平面，因此不考慮熒光粉層的顏色而使尋址電壓變得更加一致。
第二，根據涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室的放電特性，優(yōu)化了介電層的厚度，因此減小驅動電路的負載。
第三，根據R、G和B熒光粉層優(yōu)化不同的放電電壓，有利于減小功率損耗和提高放電效率。
參考本發(fā)明的具體實施例描述并展示了本發(fā)明，本領域的普通技術人員應會明白，只要不背離如所附權利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍，可對本發(fā)明進行各種形式和細節(jié)上的修改。
權利要求
1.一種等離子體顯示面板PDP，包括第一基板；布置在第一基板上的多個第一放電電極；相對于第一基板并與其平行布置的第二基板；布置在第二基板上以與第一放電電極交叉的多個第二放電電極，該第二放電電極適于通過第一放電電極尋址，并位于不同水平面；置于第一基板和第二基板之間以界定放電室的障壁；以及涂覆在障壁側面的紅R、綠G和藍B熒光粉層。
2.如權利要求1所述的PDP，其中與涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室對應的第二放電電極距離第一放電電極不同的間距。
3.如權利要求2所述的PDP，其中與具有較高電壓容限的放電室對應的第二放電電極比與具有較低電壓容限的放電室對應的第二放電電極距離第一放電電極更遠。
4.如權利要求1所述的PDP，其中與涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室對應的第二放電電極被掩埋在不同厚度的介電層的部分中。
5.如權利要求4所述的PDP，其中掩埋與涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室對應的第二放電電極的介電層的部分具有不同的厚度，以區(qū)分從第二放電電極到第一放電電極中每個的間隔。
6.如權利要求4所述的PDP，其中掩埋與具有較高電壓容限的放電室對應的第二放電電極的介電層的部分比掩埋與具有較低電壓容限的放電室對應的第二放電電極的介電層的部分厚。
7.如權利要求4所述的PDP，其中所述介電層在從掩埋與具有最高電壓容限的放電室對應的第二放電電極的介電層的部分到掩埋與具有最低電壓容限的放電室對應的第二放電電極的介電層的部分的方向上變薄。
8.如權利要求1所述的PDP，其中第一放電電極包括被交替布置的X電極和Y電極，以便一對X電極和Y電極被布置在每個放電室中，且其中第二放電電極為布置成與X電極和Y電極交叉的尋址電極。
9.如權利要求8所述的PDP，其中所述尋址電極包括布置在涂覆有R、G和B熒光粉層中第一層的放電室下方的第一尋址電極，布置在涂覆有R、G和B熒光粉層中第二層的放電室下方的第二尋址電極，以及布置在涂覆有R、G和B熒光粉層中第三層的放電室下方的第三尋址電極；且其中第一尋址電極、第二尋址電極和第三尋址電極被布置成距離X電極和Y電極不同的距離。
10.如權利要求9所述的PDP，其中被布置在具有較高電壓容限的放電室下方的第一尋址電極比被布置在具有較低電壓容限的放電室下方的第三尋址電極距離X電極和Y電極更遠。
11.如權利要求9所述的PDP，其中掩埋第一放電電極、第二放電電極和第三放電電極的介電層的部分具有不同的厚度，以區(qū)分從第一放電電極、第二放電電極和第三放電電極到X電極和Y電極中的每個的間隔。
12.一種制造等離子體顯示面板PDP的方法，該方法包括在第一基板上布置第一放電電極；相對于第一基板布置第二基板；以及在第二基板上在不同水平面布置多個第二放電電極，該多個第二放電電極適于通過第一放電電極尋址；以及形成介電層，以掩埋第二放電電極。
13.如權利要求12所述的方法，其中第二放電電極被布置在涂覆有紅R、綠G和藍B熒光粉層的放電室下方，以距離第一放電電極不同的間距。
14.如權利要求13所述的方法，其中與具有較高電壓容限的放電室對應的第二放電電極被布置得比與具有較低電壓容限的放電室對應的第二放電電極距離第一放電電極更遠。
15.如權利要求13所述的方法，其中掩埋被布置在涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室下方的第二放電電極的介電層的部分，被形成為具有不同的厚度。
16.如權利要求12所述的方法，其中形成第二放電電極和介電層包括形成第一電極，以用作在位于涂覆有紅R、綠G和藍B熒光粉層中第一層的放電室下方的第二基板部分上的第二放電電極；形成第一介電層以掩埋第一電極；形成第二電極，以用作在位于涂覆有R、G和B熒光粉層中第二層的放電室下方的第一介電層的部分上的第二放電電極；形成第二介電層以掩埋第二電極；形成第三電極，以用作在位于涂覆有R、G和B熒光粉層中第三層的熒光粉層的放電室下方的第二介電層的部分上的第二放電電極；以及形成第三介電層以掩埋所述第三電極。
17.通過一種方法制造的等離子體顯示面板PDP，包括在第一基板上布置第一放電電極；相對于第一基板布置第二基板；以及在第二基板上在不同水平面布置多個第二放電電極，該多個第二放電電極適于通過第一放電電極尋址；以及形成介電層，以掩埋第二放電電極。
18.如權利要求17所述的PDP，其中第二放電電極被布置在涂覆有紅R、綠G和藍B熒光粉層的放電室下方，以距離第一放電電極不同的間距。
19.如權利要求18所述的PDP，其中與具有較高電壓容限的放電室對應的第二放電電極被布置得比與具有較低電壓容限的放電室對應的第二放電電極距離第一放電電極更遠。
20.如權利要求18所述的PDP，其中掩埋被布置在涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室下方的第二放電電極的介電層的部分，被形成為具有不同的厚度。
21.如權利要求17所述的PDP，其中形成第二放電電極和介電層包括形成第一電極，以用作在位于涂覆有紅R、綠G和藍B熒光粉層中第一層的放電室下方的第二基板部分上的第二放電電極；形成第一介電層以掩埋所述第一電極；形成第二電極，以用作在位于涂覆有R、G和B熒光粉層中第二層的放電室下方的第一介電層的部分上的第二放電電極；形成第二介電層以掩埋所述第二電極；形成第三電極，以用作在位于涂覆有R、G和B熒光粉層中第三層的熒光粉層的放電室下方的第二介電層的部分上的第二放電電極；以及形成第三介電層以掩埋所述第三電極。
全文摘要
一種等離子體顯示面板(PDP)及其制造方法，包括第一基板；布置在第一基板上的多個第一放電電極；相對于第一基板并與其平行布置的第二基板；布置在第二基板上以與第一放電電極交叉的多個第二放電電極，該第二放電電極適于通過第一放電電極尋址，并位于不同水平面；置于第一基板和第二基板之間以界定放電室的障壁；以及涂覆在障壁側面的紅(R)、綠(G)和藍(B)熒光粉層。對于涂覆有R、G和B熒光粉層的放電室的尋址電極位于不同水平面，從而使尋址電壓變得更加一致，而不用考慮熒光粉層的顏色。
文檔編號H01J11/34GK1767128SQ20051011287
公開日2006年5月3日 申請日期2005年10月19日 優(yōu)先權日2004年10月19日
發(fā)明者宋正錫 申請人:三星Sdi株式會社