專利名稱：圖像顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面圖像顯示裝置，它具有相向基板和大量位于基板之一內(nèi)側(cè)的電子發(fā)射元件，也涉及顯示裝置其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，各種平面顯示裝置作為下一代輕質(zhì)、薄型顯示裝置被開發(fā)，以取代陰極射線管(CRT)。這些平面顯示裝置包括液晶顯示裝置(LCDs)，等離子體顯示裝置(PDP)，場(chǎng)發(fā)射顯示裝置(FEDs)，表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示裝置(SEDs)等。在LCD中，利用液晶的定向來控制光的強(qiáng)度。在PDP中，熒光粉發(fā)光是由等離子體放電產(chǎn)生的紫外線引起的。在FED中，熒光粉發(fā)光是由來自場(chǎng)發(fā)射電子發(fā)射元件的電子束引起的。SED是FED的一種，并且它使用表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射元件。
例如，F(xiàn)ED或SED一般有跨預(yù)定間隙相向放置的前基板和背基板。這些基板各自的外圍部分由矩形框架形式的框體接合在一起，這樣就形成了一個(gè)真空外殼。在前基板的內(nèi)表面上形成熒光屏，同時(shí)大量用作電子發(fā)射源來激發(fā)熒光粉發(fā)光的電子發(fā)射元件被裝在背基板的內(nèi)表面上。
為了支承作用于前基板和背基板上的大氣負(fù)載，許多支承單元被排列在這些基板之間。背基板上的電勢(shì)實(shí)際上是地電勢(shì)，而陽極電壓被施加在熒光屏上。電子發(fā)射元件發(fā)射的電子束施加于構(gòu)成熒光屏的紅色、綠色和藍(lán)色的熒光粉上，從而引起熒光粉發(fā)光并且顯示圖像。
根據(jù)這種圖像顯示裝置，顯示裝置的厚度可以減少到幾個(gè)毫米或其左右。與用作現(xiàn)有電視機(jī)或電腦顯示裝置的CRT相比，這種顯示裝置可以做到在重量上更輕，并可以更薄。
在這種類型的FED和SED中，其外殼要求具有非常高的真空度。這里提出了一種方法，在這個(gè)方法中構(gòu)成外殼的前基板、背基板和框體最終在真空箱中組裝，以抽空外殼。
在這個(gè)方法中，首先放置在真空箱內(nèi)的前基板、背基板和框體預(yù)先經(jīng)過充分加熱。這么做是為了減少外殼內(nèi)壁產(chǎn)生的氣體釋放，它是降低外殼真空度的首要原因。當(dāng)前基板、背基板和框體隨后冷卻從而真空室的真空度得到充分提高時(shí)，在熒光屏上形成用于改善和維持外殼真空度的吸氣膜。然后，前基板、背基板和框體被再次加熱到某個(gè)溫度，在這個(gè)溫度下密封材料熔化，而當(dāng)它們冷卻下來使得密封材料固化時(shí)，前基板和背基板在預(yù)定的位置上結(jié)合起來。
使用這種方法制作的真空外殼，其封接過程同時(shí)也是真空封裝過程，并且不需費(fèi)時(shí)通過抽風(fēng)管抽空外殼內(nèi)部。此外，可由此獲得非常令人滿意的真空度。
然而，在實(shí)行真空組裝的過程中，封接過程的操作是復(fù)合的，包括加熱、位置校準(zhǔn)和冷卻，并且在密封材料熔化和固化期間，前基板和背基板必須長時(shí)間保持在預(yù)定位置上。進(jìn)而，存在涉及到封接的生產(chǎn)率和特性方面的問題，使得前基板和背基板在加熱和冷卻從而被封接時(shí)很容易發(fā)生熱膨脹和熱收縮，降低校準(zhǔn)的準(zhǔn)確性。
另一方面，例如，日本專利申請(qǐng)KOKAI第2002-319346號(hào)中描述了一種方法(以下稱為電加熱)，在這種方法中，將諸如銦的一種在相對(duì)較低的溫度下熔化的低熔點(diǎn)金屬密封材料填充在前基板和側(cè)壁之間，并且激勵(lì)密封材料，所產(chǎn)生的焦耳熱使得密封材料本身被加熱以及熔化，籍此一對(duì)基板和一個(gè)框架就被耦合在一起。根據(jù)這種方法，不必花費(fèi)大量的時(shí)間來冷卻基板，如此基板可以在短時(shí)間內(nèi)聯(lián)合在一起形成外殼。
在上述的傳統(tǒng)方法中，一種金屬框可能被用作框架。在這種情況下，與使用玻璃框作為框架的情況相比，其制造成本可以更低。然而，在使用金屬框的情況中，如果金屬框和密封材料之間的親合力較差，那么很難把基板穩(wěn)固地封接在一起。這樣一來，封裝不完全而可能會(huì)發(fā)生泄漏。如果封接部分發(fā)生泄漏，外殼內(nèi)部很難維持一個(gè)高真空度，從而減損顯示裝置的性能和壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明考慮到這些情況，其目的在于提供一種能夠長時(shí)間穩(wěn)定維持高氣密性以及保持高顯示性能的圖像顯示裝置，以及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明一方面的圖像顯示裝置包括外殼，它有彼此相向放置的前基板和背基板以及將前基板和背基板的外圍邊緣部分封接在一起的封接部分，該封接部分包括沿前基板和背基板的外圍邊緣部分延伸的框架和密封材料，該框架具有由金屬構(gòu)成的芯構(gòu)件和覆蓋芯構(gòu)件表面的金屬涂層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造圖像顯示裝置的方法，這種顯示裝置包含具有彼此相向放置的前基板和背基板以及將前基板和背基板的外圍邊緣部分封接在一起的封接部的外殼，這種方法包括形成密封材料層，以覆蓋前基板和背基板中的至少一個(gè)的內(nèi)表面的外圍邊緣部分的整個(gè)外周；定位其上具有密封材料層的前基板和背基板使它們彼此相對(duì)；在前基板和背基板各自內(nèi)表面的外圍邊緣部分之間放置框架，該框架沿前基板和背基板的外圍邊緣部分延伸，它包括由金屬構(gòu)成的芯構(gòu)件和覆蓋芯構(gòu)件表面的金屬涂層；加熱密封材料層以熔化或軟化密封材料，并且在一定方向上向前基板和背基板加壓使它們彼此靠近，藉此封接前基板和背基板各自的外圍邊緣部分。
根據(jù)該圖像顯示裝置和以這種方式安排的制造方法，通過在金屬芯構(gòu)件的表面上施予金屬涂層的方式來保持可以使密封材料和框架之間的親合力保持高水平，由此可獲得具有高氣密性的顯示裝置。


圖1為示出依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的FED的透視圖；圖2為示出去掉其前基板的FED的透視圖；圖3為沿圖1中的線III-III獲得的剖視圖；圖4為顯示該FED熒光屏的平面圖；圖5為顯示在FED的制造過程中前基板和背基板彼此相對(duì)放置的狀態(tài)的剖視圖；圖6為示意性地顯示用于制造FED的真空處理裝置的示圖；圖7A，7B，7C和7D為各自顯示依照本發(fā)明的其他實(shí)施例的FED的封接部分的剖視圖；圖8為顯示依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的FED的封接部分的剖視圖；以及圖9為顯示依照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的FED的封接部分的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述把依照本發(fā)明的圖像顯示裝置應(yīng)用于FED的實(shí)施例。
如圖1至3所示，該FED包括前基板11和背基板12，它們分別都由作為絕緣基板的矩形玻璃板構(gòu)成。這些基板彼此相向放置，它們之間有約1.5到3mm的間隙。前基板11和背基板12使它們的外圍邊緣部分由矩形框形式的側(cè)壁13接合在一起，從而形成一個(gè)平面的矩形外殼10，其內(nèi)部保持真空。
前基板11和背基板12的各外圍邊緣部分由封接部40接合在一起。特別地，起框架作用的側(cè)壁13位于前基板11的內(nèi)表面的外圍邊緣部分上的密封表面和背基板12的內(nèi)表面上的外圍邊緣部分上的密封表面之間。前基板11和側(cè)壁13之間以及背基板12和側(cè)壁13之間的空間由密封層33各自單獨(dú)封接，))))其中單獨(dú)地形成在基板各密封表面上的基底層(ground layer)31和單獨(dú)地形成在基底層上的銦層32熔合在一起。這些密封層33和側(cè)壁13構(gòu)成了封接部分40。
在本實(shí)施例中，側(cè)壁13的截面形狀實(shí)際上是圓形的。銦層32單獨(dú)地填充在前基板11的密封表面和側(cè)壁13的外表面之間以及背基板12的密封表面和側(cè)壁的外表面之間。
為了支承作用在背基板12和前基板11上的大氣負(fù)載，真空外殼10中設(shè)置了多個(gè)板狀的支承構(gòu)件14。這些支承構(gòu)件14平行于真空外殼10的短邊延伸，并且在平行于長邊的方向上以給定間隔排列。支承構(gòu)件14的形狀不特別限于板狀，而是可以用柱狀的支承構(gòu)件代替。
如圖4中所示，所示的熒光屏16形成在前基板11的內(nèi)表面上。熒光屏16通過排列紅色、綠色和藍(lán)色的條狀熒光層R、G和B和位于這些熒光層之間的作為不發(fā)光部分的黑光吸收層20形成。熒光層R、G和B平行于真空外殼10的短邊延伸并在平行于長邊的方向上隔開。例如由鋁層構(gòu)成的金屬背部(metal back)17被沉積在熒光屏16上，且未顯示的吸氣膜形成于該金屬背部上。
在背基板12的內(nèi)表面上設(shè)置的是大量的電子發(fā)射元件22，用作單獨(dú)地發(fā)射電子束和激發(fā)熒光層R、G和B的電子發(fā)射源。這些電子發(fā)射元件22排列于單獨(dú)地對(duì)應(yīng)于像素的多個(gè)列和多個(gè)行中。
一定數(shù)量的用于向電子發(fā)射元件22提供視頻信號(hào)的導(dǎo)線21以矩陣方式位于背基板12的內(nèi)表面上。每根導(dǎo)線的末端被引出到背基板的外圍。
下面是以這種方式構(gòu)造的FED的制造方法的詳細(xì)說明。
首先，在構(gòu)成前基板11的平板玻璃上形成熒光屏16。準(zhǔn)備一塊與前基板11同樣大的平板玻璃，用繪圖器在該平版玻璃上形成熒光層的條狀圖案。其上具有熒光粉條狀圖案的平板玻璃和用于做前基板的平板玻璃被放在定位夾具上，開始曝光階段，并且被曝光和顯影，從而形成熒光屏16。
結(jié)果，電子發(fā)射元件22在用于背基板的平板玻璃上形成。在這種情況中，具有矩陣形狀的導(dǎo)電陰極層24在平板玻璃上形成，并且絕緣膜，二氧化硅膜，通過例如熱氧化法、CVD法或?yàn)R射法在導(dǎo)電陰極層上形成。然后，用于形成柵電極的鉬或鈮的金屬膜例如通過濺射法或電子束氣相沉積法等方法在絕緣膜上形成。之后，通過平版印刷法在這層金屬膜上形成與柵電極相對(duì)應(yīng)的形狀的抗蝕圖案。將這個(gè)抗蝕圖案用作掩模，通過濕蝕刻法或干蝕刻法對(duì)金屬膜進(jìn)行蝕刻，由此形成柵電極28。
由于熒光屏16上加高電壓，所以前基板11、背基板12和隔離物14采用高應(yīng)變點(diǎn)玻璃。
然后，用濕蝕刻法或干蝕刻法，且以抗蝕圖案和柵電極作為掩模，對(duì)絕緣膜進(jìn)行蝕刻，從而形成凹腔25。取出抗蝕圖案之后，通過在與背基板12表面成既定角度的方向上通過電子束氣相沉積而在柵電極28上形成例如鋁或鎳的分離層。其后，用于諸如鉬的陰極形成材料通過電子束氣相沉積法以直角沉積在背基板12的表面上。于是，在凹腔25的內(nèi)部各自單獨(dú)地形成了電子發(fā)射元件22。隨后，分離層與其上形成的金屬膜一起通過卸下方法被移除。
隨后，形成位于基板的各外圍邊緣部分上的側(cè)壁13。側(cè)壁13由作為具有圓形截面的芯構(gòu)件15的金屬圓棒或圓線和作為覆蓋在芯構(gòu)件外表面的金屬涂層的電鍍層17構(gòu)成。熱膨脹系數(shù)和形成基板的玻璃的熱膨脹系數(shù)基本相等的鐵鎳合金被用于芯構(gòu)件15，銀被用于電鍍層17。
在形成側(cè)壁13的過程中，芯構(gòu)件15首先被彎曲入矩形框來滿足要求的尺寸。這里有3個(gè)拐點(diǎn)部分，它們分別對(duì)應(yīng)于側(cè)壁的三個(gè)邊角部分。對(duì)應(yīng)于側(cè)壁13的其余一個(gè)邊角部分的部分是通過激光焊機(jī)把圓棒或圓線的相對(duì)末端焊接在一起形成的。在這么作的時(shí)候，通過用激光焊機(jī)僅瞬時(shí)融化一焊接接頭來制造側(cè)壁。較佳地，在焊接過程中在接合處不留下不規(guī)則。然而，如果形成了不規(guī)則，那么該側(cè)壁可以通過用金屬銼刀之類的東西弄平整而良好地使用。
然后，在芯構(gòu)件15的表面上鍍銀。首先，由鐵鎳合金做成的芯構(gòu)件15在純水和酒精中洗滌并干燥。把芯構(gòu)件15放入電鍍槽，通過電鍍形成厚度為2到7μm的銀電鍍層17。其后，其上鍍有電鍍層17的芯構(gòu)件15在純水和酒精中洗滌并干燥。為提高鐵鎳合金與銀電鍍層之間的親合力和附著力，芯構(gòu)件15的表面在電鍍之前經(jīng)過噴砂(blast)，由此在表面上形成高度在0.01到1μm之間的不規(guī)則，這些高度與電鍍層17的厚度相比足夠小。在這種情況下，不規(guī)則的高度調(diào)整為約0.05μm?；蛘?，電鍍層17可以在未經(jīng)電鍍的芯構(gòu)件15表面上形成的鎳電鍍層或銅電鍍層17上形成。
然后，用絲網(wǎng)印刷法在前基板11和背基板12的各內(nèi)表面的外圍邊緣部分上的每個(gè)密封表面上涂布銀漿，從而形成框形的基底層31。隨后，將用做金屬密封材料的銦展開在每一基底層31上，從而遍布基底層各自的外周形成銦層32。
較佳地，應(yīng)該使用熔點(diǎn)在350℃左右或更低并具有高附著力的低熔點(diǎn)金屬材料作為金屬密封材料。本實(shí)施例中使用的銦(In)具有優(yōu)異的屬性，諸如低蒸汽壓、抗沖擊的柔軟度、在低溫下不易脆化等等，以及熔點(diǎn)低至156.7℃。因?yàn)樗梢耘c玻璃直接粘合，且這視情況而定，它是可用于本發(fā)明的目的的適當(dāng)材料。
然后，制備其密封表面上有基底層31和銦層32的背基板12和其側(cè)壁13置于銦層32上的前基板11，如圖5所示。背基板12和前基板11借助夾具之類的裝置固定著，它們各自的密封表面彼此相對(duì)且彼此之間相隔既定距離。這個(gè)完成之后，例如前基板11位于背基板12之下，且前基板11的密封表面朝上。在這種狀態(tài)下，前基板11和背基板12被放入真空處理裝置中。
如圖6中所示，真空處理裝置100包括載入室101、烘烤和電子束清潔室102、冷卻室103、吸氣膜的氣相沉積室104、組裝室105、冷卻室106和卸除室107，它們并排連續(xù)設(shè)置。每個(gè)腔室形成一個(gè)處理室使真空操作得以進(jìn)行，并且所有腔室在制造FED期間都被抽空的。每兩個(gè)相鄰的腔室由一個(gè)閘門閥或類似的東西相連。
其上有側(cè)壁13的前基板11和背基板12被放入載入室101。當(dāng)載入室101中形成真空后，它們被傳送到烘烤和電子束清潔室102。當(dāng)烘烤和電子束清潔室102中達(dá)到10-5Pa左右的高真空度時(shí)，背基板12和前基板11被加熱到300℃左右并烘烤，由此每個(gè)構(gòu)件的表面吸附的氣體被充分釋放。
銦層(熔點(diǎn)在156℃左右)32在這個(gè)溫度下熔化。但由于銦層32形成于高度親合的基底層31上，它們的流動(dòng)被限制在基底層上。側(cè)壁13和前基板11通過熔化的銦粘結(jié)在一起。與側(cè)壁13粘結(jié)的前基板11在以下將稱為前基板側(cè)組件。
在烘烤和電子束清潔室102中，在進(jìn)行加熱的同時(shí)，用附著在烘烤和電子束清潔室102上的電子束發(fā)生器(未顯示)產(chǎn)生的電子束照射前基板側(cè)組件的熒光屏表面和背基板12的電子發(fā)射元件表面。由于這個(gè)電子束被附著在電子束產(chǎn)生器外部的偏轉(zhuǎn)儀偏轉(zhuǎn)和掃描，熒光屏表面和電子發(fā)射元件表面可以完全地受到電子束清潔。
在加熱和電子束清潔后，前基板側(cè)組件和背基板12被傳送到冷卻室103并冷卻到一個(gè)溫度，例如，約100℃。隨后，前基板側(cè)組件和背基板12被傳送到吸氣膜的氣相沉積室104，在該腔室中鋇膜作為吸氣膜被氣相沉積到熒光屏和金屬背部。可以防止鋇膜的表面被氧、碳等污損，所以它的活性狀態(tài)可以被維持。
然后，前基板側(cè)組件和背基板12被傳送到組裝室105并在那里加熱到200℃。于是，銦層32被再次熔化為液體或軟化。在該狀態(tài)下，側(cè)壁13和背基板12被在它們之間的銦層32粘結(jié)在一起并在給定的壓力下壓向彼此。當(dāng)這個(gè)工作完成后，一些受壓的熔化的銦被推動(dòng)流向顯示區(qū)和配線區(qū)。然而，由于側(cè)壁13有圓形截面，熔化的銦停留在背基板12的密封表面和側(cè)壁的外表面之間的寬闊部分，并被阻止越過側(cè)壁的寬度流向顯示區(qū)或配線區(qū)。同樣在前基板側(cè)組件中，再次熔化的銦停留在前基板11的密封表面和側(cè)壁13的外表面之間的寬闊部分，并被阻止越過側(cè)壁的寬度流向顯示區(qū)或配線區(qū)。因此，在前基板11一側(cè)和背基板12一側(cè)上，銦都可以分別被保持在側(cè)壁13的橫截面的最大寬度之內(nèi)。
其后，銦緩慢地冷卻并固化。于是，背基板12和側(cè)壁13被密封層33封接，其中銦層32和基底層31熔合在一起。同時(shí)，前基板11和側(cè)壁13用密封層33封接，其中銦層32和基底層31熔合在一起，藉此形成了真空外殼10。
以這種方式形成的真空外殼10在冷卻室106冷卻至常溫后，該外殼從卸除室107取出。在這些過程中，能夠獲得在其中保持高真空的FED的真空外殼。
根據(jù)以這種方式構(gòu)造的FED和它的制造方法，前基板11和背基板12在真空氛圍下被封接在一起。因此，基板的表面吸附氣體可以通過結(jié)合使用烘烤和電子束清潔完全排出，并且不需要氧化吸氣膜就可以獲得令人滿意的氣體吸附作用。如此，可以獲得能夠維持高真空度的FED。
組成封接部40的側(cè)壁13通過用電鍍層17涂布芯構(gòu)件15形成，而且這種鍍層作為密封材料對(duì)銦有很好的親合作用。因此，前基板和側(cè)壁之間的空間與背基板和側(cè)壁之間的空間能被穩(wěn)固地封接。如此，可以防止來自封接部分的泄漏，從而能夠獲得具有高氣密性的真空外殼。結(jié)果，長時(shí)間維持高真空度并顯示出色顯示性能的圖像顯示裝置能夠被獲得。通過模制金屬線或金屬棒獲得的框架被用作側(cè)壁。因此，如果圖像顯示裝置件有50英寸的尺寸或更大，它也可以穩(wěn)固地封接以確保卓越的批量生產(chǎn)性。
在上述實(shí)施例中，鐵鎳合金被用作芯構(gòu)件15。然而，材料不限于此，而僅要求材料具有和前基板與背基板相近的熱膨脹系數(shù)。例如，諸如含有鐵，鎳，鈦中任何元素的單質(zhì)金屬或合金的金屬都可以用作這一目的。電鍍層不限于銀，而只能是對(duì)銦高度親合并適于維持氣密性的材料。它可以用含有金，銀，銅，鉑，鎳，銦中至少一種元素的金屬或合金形成。密封材料不限于銦，而可以是至少含有銦或鎵的合金。在框架芯構(gòu)件上形成金屬涂層的方法不限于電鍍，可以是如CVD或PVD的氣相沉積過程或?yàn)R射。
在上述實(shí)施例中，側(cè)壁13的截面形狀是圓形。然而，另外，側(cè)壁13也可以形成為具有橢圓，十字，或菱形的橫截面形狀，如圖7A，7B，7C和7D所示。
側(cè)壁13不限于實(shí)心結(jié)構(gòu)，可以是中空結(jié)構(gòu)，如圖8中所示。在這一情況下，側(cè)壁13的橫截面形狀也不限于圓形，可以是橢圓，十字，菱形的截面形狀，如在圖7A，7B，7C和7D中顯示的實(shí)施例。
如圖9所示，側(cè)壁13和前基板11之間的密封層33與側(cè)壁13和背基板12之間的密封層33可以在側(cè)壁周圍互相連接起來，所以側(cè)壁13被嵌在密封層33中。
在前面描述的實(shí)施例中，在真空外殼的制造過程中，側(cè)壁和前基板之間以及側(cè)壁和背基板之間的空間被諸如銦的密封材料密封。然而，可選擇的，在側(cè)壁和前基板或背基板預(yù)先用如銦或低熔點(diǎn)玻璃的密封材料在大氣中接起來之后，剩下的接點(diǎn)可以在真空中提供前述過程接合起來。
在將前基板和背基板接合在一起的過程中，根據(jù)前述實(shí)施例，在組裝腔室中這些基板被加熱到200℃左右以熔化或軟化銦層。然而，可以用電加熱熔化或軟化銦層以取代加熱整個(gè)基板。更特別地，側(cè)壁13可以通電用焦耳熱加熱，同時(shí)前基板和背基板在受某個(gè)方向壓力從而互相接近，這樣一來側(cè)壁就被夾在銦層中。這一過程完成之后，銦層32被這個(gè)熱量熔化來封接基板。在這種情況下，側(cè)壁13由導(dǎo)電材料形成。此外，在這種情況下，如果側(cè)壁13形成有中空結(jié)構(gòu)，如圖8中所示，它可以被配置為具有高電阻并容易被加熱。同時(shí)，側(cè)壁13的熱容被減少，所以在前基板和背基板被封接在一起后，側(cè)壁可以在短時(shí)間內(nèi)冷卻。結(jié)果，可以改善制造效率。
另外，可以用銦層32取代側(cè)壁13直接通電所產(chǎn)生的焦?fàn)枱崛刍蜍浕煂觼矸饨踊濉?br> 本發(fā)明沒有完全限制在前面描述的實(shí)施例，而且它的部件可以用于不脫離本發(fā)明精神的更改形式中體現(xiàn)。此外，通過適當(dāng)?shù)亟M合大量與前面描述的實(shí)施例有關(guān)的部分可以得到許多發(fā)明。例如，根據(jù)前面描述的實(shí)施例的所有部件中的一些可以省去。此外，依照不同實(shí)施例的部件可以按需要組合。
在上述實(shí)施例中，例如，場(chǎng)發(fā)射電子發(fā)射元件被用作電子發(fā)射元件。然而，此外，它們也可以被任何其它電子發(fā)射元件替代，如pn型冷陰極器件或表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射元件。本發(fā)明不限于那些需要使用真空外殼的顯示裝置，如FED，SED，等等，并也能應(yīng)用于任何其它圖像顯示裝置，如PDP，電致發(fā)光(EL)。
工業(yè)適用性根據(jù)本發(fā)明，如同這里詳細(xì)描述的，可以提供一種能夠長時(shí)間穩(wěn)定地保持高氣密性并維持高顯示性能的圖像顯示裝置，以及由此發(fā)明的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種圖像顯示裝置，它包括外殼，它具有彼此相向放置的前基板和背基板以及將前基板和背基板的各自的外圍邊緣部分封接在一起的封接部分，所述封接部包括沿前基板和背基板的外圍邊緣部分延伸的框架和密封材料，所述框架有金屬形成的芯構(gòu)件和覆蓋芯構(gòu)件表面的金屬涂層。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述金屬涂層由含有金，銀，銅，鉑，鎳，銦中至少一種元素的金屬形成。
3.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述框架有含有銅，鎳，金和鉑中至少一種元素的并形成在芯構(gòu)件表面上的鍍層，并且金屬涂層形成為與該鍍層重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述金屬涂層由鍍層形成。
5.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述芯構(gòu)件由含有鎳，鐵和鈦中至少一種元素的純金屬或合金形成。
6.如權(quán)利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述芯構(gòu)件表面有高度從0.01到1μm的不規(guī)則。
7.如權(quán)利要求1到6中任一所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述密封材料設(shè)置在框架和前基板之間以及框架和背基板之間。
8.如權(quán)利要求1到6中任一所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述密封材料是低熔點(diǎn)金屬。
9.如權(quán)利要求8所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述密封材料有導(dǎo)電性。
10.如權(quán)利要求1到6中任一所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述密封材料是銦或含有銦的合金。
11.如權(quán)利要求1到6中任一所述的圖像顯示裝置，其特征在于，它包括設(shè)置在前基板內(nèi)表面上的熒光層和設(shè)置在背基板內(nèi)表面上并激發(fā)熒光層的多個(gè)電子源。
12.一種圖像顯示裝置的制造方法，該圖像顯示裝置包括具有彼此相向放置的前基板和背基板以及將前基板和背基板各自的外圍邊緣部分封接在一起的封接部分的外殼，所述方法包括形成密封材料層，用以覆蓋前基板和背基板中至少一個(gè)的內(nèi)表面的外圍邊緣部分的整個(gè)外周；定位放置其上具有密封材料層的前基板和背基板使它們彼此相對(duì)；在前基板和背基板各自內(nèi)表面的外圍邊緣部分之間放置一框架，該框架沿前基板和背基板的外圍邊緣部分延伸，所述框架包括由金屬構(gòu)成的芯構(gòu)件和覆蓋芯構(gòu)件表面的金屬涂層；加熱所述密封材料層以熔化或軟化密封材料，并且在一定方向上向前基板和背基板加壓使它們彼此靠近，從而封接前基板和背基板各自的外圍邊緣部分。
13.如權(quán)利要求12所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述前基板和所述背基板在真空中被加熱以熔化或軟化所述密封材料層。
14.如權(quán)利要求12所述的圖像顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述框架和所述密封材料層中的至少一個(gè)在真空中被激勵(lì)以熔化或軟化密封材料層。
全文摘要
包括彼此相向放置的前基板(11)和背基板(12)的圖像顯示裝置以及將前基板和背基板各自的外圍邊緣部分封接在一起的封接部(40)的真空外殼(10)。所述封接部包括框架(13)和沿前基板和背基板外圍邊緣部分延展的密封材料(32)。所述框架有由金屬形成的芯構(gòu)件(15)和覆蓋芯構(gòu)件表面的金屬涂層(17)。
文檔編號(hào)H01J9/26GK1799116SQ200480015470
公開日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2004年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月4日
發(fā)明者山田晃義, 海野洋敬 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝