專利名稱：離子源加熱電子槍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及離子源，特別涉及一種離子源加熱電子槍裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)中，要求離子注入機(jī)具有整機(jī)可靠性好、生產(chǎn)效率高、低塵粒污染等功能和特征，而離子注入機(jī)這些性能與離子源使用壽命密切相關(guān)。
目前應(yīng)用于離子注入機(jī)摻雜設(shè)備中最多、最常見(jiàn)的離子源一般是熱燈絲型的氟里曼離子源和貝納斯離子源，這種熱燈絲型離子源是通過(guò)直接處于放電弧室中的燈絲發(fā)射電子的。由于加熱燈絲直接處于放電弧室惡劣環(huán)境中，受高溫輻射、腐蝕氣體侵蝕以及離子濺射等作用，使得離子源使用壽命低，最長(zhǎng)壽命也只有幾十小時(shí)，這樣直接影響離子注入機(jī)的生產(chǎn)效率和可靠性能。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中離子源使用壽命短的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型離子源加熱電子槍裝置間接加熱陰極材料，使陰極材料發(fā)射電子，以提高離子源的使用壽命。
離子源加熱電子槍裝置包括螺旋燈絲電子槍、燈絲桿、燈絲桿卡管和固定桿。
所述的螺旋燈絲電子槍為高純鎢材料，圓形螺旋狀結(jié)構(gòu)，離子源通過(guò)它發(fā)射電子加熱陰極塊材料；所述的燈絲桿連接螺旋燈絲電子槍和燈絲桿卡管；所述的燈絲桿卡管通過(guò)卡住固定桿而穩(wěn)定可靠地固定螺旋燈絲電子槍，不使其發(fā)生熱變形和位移變化；所述的固定桿固定整個(gè)電子槍裝置。
本實(shí)用新型具有如下顯著優(yōu)點(diǎn)1.采用新型的電子槍形狀，發(fā)射電子面積和密度大；2.結(jié)構(gòu)連接穩(wěn)定可靠，熱變形小；3.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。


圖1為本實(shí)用新型離子源加熱電子槍裝置結(jié)構(gòu)圖。
圖2為本實(shí)用新型離子源加熱電子槍裝置側(cè)視圖。
圖3為本實(shí)用新型離子源加熱電子槍裝置俯視圖。
圖中1-螺旋燈絲電子槍2-燈絲桿3-燈絲桿卡管4-固定桿具體實(shí)施例
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步介紹，但不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
參考圖1至圖3，一種離子源加熱電子槍裝置，其包括螺旋燈絲電子槍1、燈絲桿2、燈絲桿卡管3和固定桿4。其中螺旋燈絲電子槍1發(fā)射電子加熱間熱式陰極塊，燈絲桿2和燈絲桿卡管3起連接固定作用，使螺旋燈絲電子槍1固定可靠，不發(fā)生位移和熱變形，而固定桿4固定整個(gè)電子槍系統(tǒng)。
當(dāng)離子源工作時(shí)，螺旋燈絲電子槍1被通電加熱至發(fā)射溫度發(fā)射電子，由于其為螺旋狀結(jié)構(gòu)，因此其發(fā)射電子密度和面積增大，能夠有效地提高加熱功率加熱陰極，使陰極盡快達(dá)到發(fā)射電子的溫度。一般電子加熱功率為500W左右。
在本實(shí)施例中，螺旋燈絲電子槍1與一般加熱電子槍相比有效增加了發(fā)射功率，因?yàn)槠渫ㄟ^(guò)屏蔽筒不直接處于放電弧室中，有效提高了離子源使用壽命。
本實(shí)用新型的特定實(shí)施例已對(duì)本實(shí)用新型的內(nèi)容做了詳盡說(shuō)明。對(duì)本領(lǐng)域一般技術(shù)人員而言，在不背離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下對(duì)它所做的任何顯而易見(jiàn)的改動(dòng)，都不會(huì)超出本實(shí)用新型申請(qǐng)所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種離子源加熱電子槍裝置，由螺旋燈絲電子槍、燈絲桿、燈絲桿卡管和固定桿組成，其特征在于所述的螺旋燈絲電子槍為圓形螺旋狀結(jié)構(gòu)；所述的燈絲桿連接螺旋燈絲電子槍和燈絲桿卡管；所述的燈絲桿卡管通過(guò)卡住固定桿固定螺旋燈絲電子槍；所述的固定桿固定整個(gè)電子槍裝置。
2.按照權(quán)利要求1所述的離子源加熱電子槍裝置，其特征在于所述的螺旋燈絲采用高純鎢材料。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種離子源加熱電子槍裝置，其由螺旋燈絲電子槍、燈絲桿、燈絲桿卡管和固定桿組成。螺旋燈絲電子槍為高純鎢材料制成的圓形螺旋狀結(jié)構(gòu)，離子源通過(guò)它發(fā)射電子加熱陰極塊材料。燈絲桿連接螺旋燈絲電子槍和燈絲桿卡管。燈絲桿卡管通過(guò)卡住固定桿固定螺旋燈絲電子槍。固定桿固定整個(gè)電子槍裝置。本實(shí)用新型的加熱燈絲受屏蔽筒保護(hù)，不直接處于放電室惡劣環(huán)境中，不直接受到腐蝕氣體侵蝕及離子濺射等作用，因此使離子源使用壽命提高到200小時(shí)以上。
文檔編號(hào)H01J27/02GK2779600SQ20042012011
公開日2006年5月10日 申請(qǐng)日期2004年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
發(fā)明者戴習(xí)毛 申請(qǐng)人:北京中科信電子裝備有限公司