專利名稱：電子發(fā)射裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射裝置，特別是涉及一種電子發(fā)射顯示裝置及其制造方法，該電子發(fā)射顯示裝置包括由納米材料制成的發(fā)射體以及用于控制電子發(fā)射的柵電極。
背景技術(shù)：
目前，在厚層工藝領(lǐng)域已經(jīng)進行了一些研究，例如絲網(wǎng)印刷，用于形成電子發(fā)射區(qū)域。該電子發(fā)射區(qū)域使用納米材料形成，其能在10-100V的低電壓激勵條件下發(fā)射電子。
適于形成該發(fā)射體的納米材料包括碳納米管(CNT)，石墨納米纖維(GNF)，以及納米導(dǎo)線。其中，CNT用作發(fā)射體顯得很有前景，因為它們能在1-10V/μm的低電場條件下發(fā)射電子。
常規(guī)的利用碳納米管的電子發(fā)射裝置及其制造方法的例子公開于美國專利第6359383號和第6436221號中。
當電子發(fā)射裝置采用三電極結(jié)構(gòu)，即陰極、陽極和柵電極時，它們可具有如圖5中所示的公知構(gòu)型。參照圖5，柵電極3形成在背面襯底1上。絕緣層5形成在柵電極3上。陰極7形成在絕緣層5上。發(fā)射體9形成在絕緣層5和陰極7上。在正面?zhèn)纫r底11上形成有陽極13和熒光層15。陰極7由金屬薄層形成，例如，厚度為2000-4000的鉻(Cr)、鋁(Al)、或鉬(Mo)。
使用上面的構(gòu)型，在柵電極3和陰極7之間不可能發(fā)生短路。而且，通過在背面襯底1的最上層上形成發(fā)射體9，一厚層工藝例如絲網(wǎng)印刷可容易地被實行。這些因素使得制造相對地簡單，并且在制造大顯示裝置時具有優(yōu)勢。
但是，上述由金屬薄層制成的陰極7有一些問題。首先，當施加一高電壓于陽極13來激勵時，在該顯示設(shè)備內(nèi)可能會發(fā)生弧光放電。在該情形下，由金屬薄膜形成的陰極7可能被這種弧光放電損壞。此外，在大顯示設(shè)備中，為了實現(xiàn)移動圖像和多重灰色，很有必要使得陰極7的電阻非常的小。但是，減小由金屬薄膜制成的陰極7的電阻是有限制的(它們目前具有的電阻為3-5Ω/□)。
導(dǎo)電的厚層物質(zhì)，其不會被弧光放電損壞并具有一較低的電阻，已被考慮作為金屬薄膜的一種替代。但是，當使用金屬薄膜作為精細布線圖案時，對于導(dǎo)電的厚層物質(zhì)來說是不可能的。另外，厚層物質(zhì)限制了增加分辨率的能力。而且，由于導(dǎo)電的厚層物質(zhì)不抗酸，使用酸性蝕刻劑來移除犧牲層(未顯示)將損壞該厚層物質(zhì)。
因此，當陰極使用金屬薄層形成時，將使用一種典型的方法，即形成更厚的陰極來減小電阻。但是，需要大量的時間來實行該方法和形成該電極的其余工藝。而且，該電極損壞的問題仍然存在。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個具體實施例中，提供了一種電子發(fā)射裝置及其制造方法，其中當發(fā)生弧光放電時可使對陰極的損壞最小化，該陰極的電阻值被減小從而允許容易地實現(xiàn)移動的圖像和多重灰色。
一種電子發(fā)射裝置，其包括彼此相對設(shè)置并在它們之間有一預(yù)定間隙的第一襯底和第二襯底；第一電極，其形成在第一襯底上；第二電極，其形成在該第一襯底上并與第一電極相交叉，每一第二電極包括一輔助電極和一形成的厚度小于該輔助電極厚度的主電極；一絕緣層，其插入在該至少第一電極和至少第二電極之間；至少一個形成在該第二襯底上的陽極；以及形成在該至少一個陽極的一個表面上的熒光層。
電子發(fā)射區(qū)電連接到所述第二電極。
第二電極具有10-20mΩ/□的電阻。
第二電極的主電極覆蓋所述輔助電極，并且該輔助電極的厚度為1-5μm。
第二電極的主電極由至少兩個疊層形成，并且該兩層由不同的金屬制成。
每一所述主電極的一個長邊的選定部分被移除從而形成發(fā)射體接收部分，并且該電子發(fā)射區(qū)位于所述發(fā)射體的接收部分內(nèi)。
該場發(fā)射顯示裝置還包括遠離電子發(fā)射區(qū)一預(yù)定距離而裝配在所述絕緣層上的對電極，該對電極電連接到所述第一電極上。
每一所述對電極包括一個第一層，和一個形成在第一層上并具有厚度小于所述第一層厚度的第二層。
該電子發(fā)射區(qū)是一種納米材料或者是含碳物質(zhì)，碳納米管，石墨納米纖維，納米導(dǎo)線，石墨，金剛石，金剛石一樣的碳，C60(球殼狀碳分子)，以及這些物質(zhì)的組合。
一種制造電子發(fā)射裝置的方法，包括使用一種透明導(dǎo)電物質(zhì)在第一襯底上形成第一電極；通過在第一襯底上沉積一種透明絕緣物質(zhì)而形成一絕緣層并覆蓋住所述第一電極；通過在所述絕緣層上印刷一厚層電極物質(zhì)而形成第二電極的輔助電極；通過所述絕緣層的一整個表面上沉積一種金屬并構(gòu)圖而在所述輔助電極上形成第二電極的主電極，所述主電極具有大于所述輔助電極的寬度；以及通過將一種電子發(fā)射物質(zhì)沉積到所述第一襯底的一整個表面上而在所述第一襯底上形成發(fā)射體，選擇性地硬化該電子發(fā)射物質(zhì)，隨后顯影該電子發(fā)射物質(zhì)。
輔助電極的形成包括印刷一層銀(Ag)膏，隨后烘干并燒結(jié)該銀膏。主電極的形成包括沉積一種選自鉻(Cr)，鋁(Al)，和鉬(Mo)的金屬，并對該金屬構(gòu)圖。
該方法還包括形成一犧牲層，對該犧牲層構(gòu)圖以形成該發(fā)射體將要配置在那里的開口，形成并對該犧牲層構(gòu)圖是在主電極的形成和發(fā)射體的形成之間進行的。在這種情形下，發(fā)射體的形成包括將電子發(fā)射物質(zhì)沉積到所述犧牲層的整個表面上，從一外部表面將紫外線照射到所述第一襯底上從而選擇性地硬化該電子發(fā)射物質(zhì)，以及通過顯影而移除被硬化了的部分電子發(fā)射物質(zhì)。
絕緣層的形成還包括在該絕緣層內(nèi)形成通孔，輔助電極的形成還包括在所述通孔中填充一厚層電極從而在通孔中形成對電極的第一層。并且，該陰極主電極的形成還包括對一金屬層構(gòu)圖以便部分該金屬層被遺留到所述對電極的第一層上從而形成該對電極的第二層。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一具體實施例的一種場致發(fā)射顯示裝置的部分分解透視圖。
圖2是沿圖1中I-I線的場致發(fā)射顯示器的部分截面圖，其中場致發(fā)射顯示器以一種裝配好了的狀態(tài)顯示。
圖3是一種場致發(fā)射顯示裝置選定部件的部分截面圖，其用于描述根據(jù)本發(fā)明另一具體實施例的陰極。
圖4A-4E是用于描述制造根據(jù)本發(fā)明一具體實施例的場致發(fā)射顯示裝置的截面圖。
圖5是一種常規(guī)的場致發(fā)射顯示器的部分截面圖。
具體實施例方式
參照圖1和圖2，一具體實施例的電子發(fā)射裝置包括彼此相對設(shè)置并在它們之間具有一預(yù)定間隙的第一襯底2和第二襯底4，從而形成一真空裝配。通過在第一襯底2上形成一電場而提供了一種能發(fā)射電子的結(jié)構(gòu)，通過第二襯底4上的發(fā)射電子的相互作用而提供了一種能實現(xiàn)預(yù)設(shè)圖像的結(jié)構(gòu)。
更詳細地，柵電極6形成在正對著第二襯底4的第一襯底2的一個表面上。柵電極6以色條圖案狀沿一方向而形成(例如，圖中的Y軸方向)。而且，絕緣層8形成在第一襯底2的一整個表面上并覆蓋住柵電極6。陰極10以色條圖案狀沿一基本上垂直于柵電極6的長軸方向而形成在絕緣層8上(例如，圖中的X方向)。
每一陰極10包括由導(dǎo)電的厚層物質(zhì)形成的輔助電極14，和由金屬薄膜物質(zhì)形成的且其厚度小于輔助電極14的主電極16。
當電子發(fā)射裝置的像素區(qū)域由柵電極6和陰極10相互交叉的區(qū)域所限定時，發(fā)射體12配置于沿著主電極16的一個長邊上，并與每一相應(yīng)的像素區(qū)域的同一電子發(fā)射區(qū)相接觸。
輔助電極14是通過一金屬糊，比如銀(Ag)、Al、或銅(Cu)糊的絲網(wǎng)印刷而形成的薄膜。輔助電極14具有一10-20mΩ/□的極低的電阻，并可阻止陰極10電壓的降低。主電極16是通過對一種諸如鉻(Cr)，鋁(Al)，或鉬(Mo)的金屬進行沉積并構(gòu)圖而形成的薄膜。
形成的主電極16的寬度大于輔助電極14的寬度，并覆蓋輔助電極14。主電極16的這種厚度以允許其全部覆蓋輔助電極14。主電極16的厚度(如800-3000)小于輔助電極的厚度(如1-5μm)。
沿主電極16的一個長邊的預(yù)定區(qū)域被移除從而形成發(fā)射體接收區(qū)18。發(fā)射體12以與主電極16相接觸的狀態(tài)配置在發(fā)射體接收區(qū)18內(nèi)(注釋在圖1中，為參考方便，發(fā)射體12的一部分從一發(fā)射體接收區(qū)18上被切除以暴露該發(fā)射區(qū)18的一部分)。
在本發(fā)明具體實施例中，主電極16由一單金屬層制成。在另一具體實施例中，參照圖3，主電極16以多層構(gòu)型形成。在圖3所示的具體實施例中，主電極16包括第一金屬層16a，和形成在第一金屬層16a上的第二金屬層16b。在一實施例中，第一和第二金屬層16a、16b由不同的并具有選擇性蝕刻度的金屬形成。第二金屬層16b可作為對發(fā)射體12進行構(gòu)圖的犧牲層。當在激勵電子發(fā)射裝置的過程中由于高電壓陽極電場而引起弧光放電時，第二金屬層16b也可用于使得第一金屬層16a和輔助電極14的損壞最小化。
形成的該具體實施例的發(fā)射體12是具有大體上相同的厚度的電子發(fā)射源。在一實施例中，發(fā)射體12由納米材料如碳納米管，石墨納米纖維，或納米導(dǎo)線制成。發(fā)射體12也可由這些物質(zhì)的組合制成。而且，發(fā)射體12可由一種含碳物質(zhì)比如碳納米管，石墨，金剛石，金剛石一樣的碳，或C60(球殼狀碳分子)制成。發(fā)射體12也可由這些物質(zhì)的組合制成。
并且，形成在絕緣層8之上的第一襯底2上的是對電極20。對電極20吸引柵電極6的電場至絕緣層8的一個上部的、暴露在外的表面。而且，對電極20通過穿透形成在絕緣層8內(nèi)的通孔8a而形成為與柵電極6電接觸。對電極20以離發(fā)射體12一預(yù)定的距離形成在陰極10之間。對電極20允許一較大密度的電場施加給發(fā)射體12并從發(fā)射體12提供更好的電子發(fā)射。
每一個對電極20包括由一導(dǎo)電的厚層物質(zhì)形成的第一層22，和由金屬薄膜形成的且其厚度小于第一層22厚度的第二層24。第一層22被填充在通孔8a內(nèi)以允許方便地形成第二層24，并允許柵電極6和第二層24之間良好的電通信。
形成在正對著第一襯底2的第二襯底4的一個表面上的是陽極26。熒光屏32包括熒光層28和形成在陽極26上的背層30。陽極26由一透明的物質(zhì)比如氧化錫銦(ITO)制成。
一金屬層(未顯示)可配置于熒光屏32上以通過提供一金屬殼效應(yīng)而增加屏幕亮度。當一金屬層通過該方式配置于第二襯底4上時，使用該金屬層替代陽極26是可能的。也即，在這種情形下，沒有必要形成陽極26。
在第一襯底2和第二襯底4之間安裝有間隔件34這一狀態(tài)下，沿第一和第二襯底2，4的相對邊使用一密封劑(未顯示)比如玻璃料以使其相互連接。并且，在第一和第二襯底2，4之間的空氣通過一個排出孔(未顯示)排出以完成真空裝配。而且，一網(wǎng)眼狀的格板(未顯示)可安裝在第一和第二襯底2，4之間。該格板用于使從發(fā)射體12發(fā)射的電子聚焦。
在上述電子發(fā)射裝置結(jié)構(gòu)中，預(yù)定的外部電壓施加給柵電極6，陰極10，以及陽極16以激勵該電子發(fā)射裝置。例如，幾伏至幾十伏的正電壓施加給柵電極6，幾伏至幾十伏的負電壓施加給陰極10，以及幾百伏至幾千伏的電壓施加給陽極16。
因此，由于柵電極6和陰極10之間的電壓不同，在臨近發(fā)射體12處產(chǎn)生一個電場，這樣電子從發(fā)射體12發(fā)射出來。結(jié)果，施加給陽極16的高正電壓吸引所形成的電子束，該電子束因此附著于預(yù)期像素的熒光層28上并照亮該熒光層。圖像可通過貫穿該電子發(fā)射裝置而選擇性地實行這些操作來實現(xiàn)。
由于陰極10的極低電阻的輔助電極14，陰極10電壓的減小可最小化，這樣，可容易地實現(xiàn)移動圖像和多重灰色圖像。即使是大屏幕電子發(fā)射裝置也是這種情形。而且，輔助電極14具有高度的彈性，這樣即使是主電極16由于產(chǎn)生的弧光放電而損壞，輔助電極14也可阻止陰極10短路的問題。此外，陰極10的主電極16允許制作精細的布線圖案，這樣可更好的形成陰極10和發(fā)射體12以便能獲得高分辨率。
下面將參照附圖4A-4E描述制造本發(fā)明電子發(fā)射裝置的方法，這些截面圖顯示了制造根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的電子發(fā)射裝置的順序步驟。
首先，參見附圖4A，一透明的導(dǎo)電物質(zhì)比如ITO通過濺射或涂覆法被沉積到透明的第一襯底2的一個表面上。該導(dǎo)電物質(zhì)隨后通過常規(guī)的方法被制成布線圖案以形成柵電極6。
隨后，一透明的絕緣物質(zhì)被印刷，烘干，并被燒結(jié)到其上形成有柵電極6的第一襯底2的整個表面上從而形成絕緣層8。通過重復(fù)印刷，烘干及第二次的燒結(jié)，該絕緣層可形成大約10-30μm的厚度。通孔8a通過光刻蝕法或濕蝕刻法形成在絕緣層8內(nèi)從而暴露柵電極6。通孔8a被用于隨后形成對電極20，該對電極20電連接到柵電極6。
此外，一厚層電極物質(zhì)比如銀(Ag)膏被印刷，烘干，并被燒結(jié)到絕緣層8上以便形成輔助電極14。輔助電極14具有一10-20mΩ/□的較低的電阻。在一實施例中，輔助電極14的厚度被限制為1-5μm以便使主電極16(其在隨后的步驟中將要形成)能全部覆蓋住輔助電極14。一感光的厚層電極物質(zhì)可被用作輔助電極14，在這種情形下，該厚層電極物質(zhì)通過曝光而制成布線圖案并顯影成為輔助電極14。
當輔助電極14通過使用厚層電極物質(zhì)形成時，該厚層電極物質(zhì)也被印刷到通孔8a上以便通孔8a被該厚層電極物質(zhì)所填充。結(jié)果，對電極20的第一層22形成在通孔8a內(nèi)。第一層22減小了第二層24和通孔8a之間的高度不同從而能容易地形成第二層24。
隨后，參照附圖4B，一種金屬比如Cr，Al，或Mo被沉積到第一襯底2上。該金屬隨后通過使用光刻蝕法從而在輔助電極14上形成主電極16，以及在第一層22上形成第二層24。因此，形成了包括主電極16和輔助電極14的陰極10，以及包括第一和第二層22，24的對電極20。
形成的主電極16的寬度大于輔助電極14的寬度由此完全覆蓋輔助電極14。這樣可以通過移除在后續(xù)步驟中形成的一犧牲層的過程中而使用的一犧牲層蝕刻劑阻止輔助電極14的損壞。在主電極16的構(gòu)圖過程中，發(fā)射體接收部分18如圖1所示沿著主電極16的一個長邊而形成，也即，正對著對電極20的主電極16的邊緣。
隨后，參見附圖4C，一金屬物質(zhì)被沉積到形成在第一襯底2上的所有暴露在外的部分上，在這之后，通過實行光刻蝕法形成犧牲層36，該犧牲層36具有相應(yīng)于發(fā)射體接收部分18位置處的開口。一種不同于用于主電極16的金屬被用于犧牲層36。例如，如果Cr被用于主電極16，Al可被用于犧牲層36。
隨后，呈糊狀的一種感光電子發(fā)射物質(zhì)被絲網(wǎng)印刷到第一襯底2的所有暴露在外的部分上。在一實施例中，其主要成分為碳納米管的一種感光電子發(fā)射物質(zhì)可被絲網(wǎng)印刷。隨后紫外線穿透第一襯底2的一背部表面而照射以選擇性地硬化填充在發(fā)射體接收部分18內(nèi)的電子發(fā)射物質(zhì)。那些沒有被硬化的電子發(fā)射物質(zhì)通過顯影被移除從而形成厚度為幾微米(μm)的發(fā)射體12。完成后的發(fā)射體12顯示在圖4D中。
隨后，所有的犧牲層36通過使用一種犧牲層蝕刻劑被移除從而得到如圖4D所示的構(gòu)型。可替代地，如果并不是全部的犧牲層36都被移除，而是選擇性地在主電極16和第二層24上殘留一些，將得到如圖4E所示的構(gòu)型。在圖4E中，陰極10的主電極16具有一個疊層結(jié)構(gòu)，其包括第一和第二金屬層16a，16b，并且對電極20的第二層24具有一疊層結(jié)構(gòu)，其包括第一和第二金屬層24a，24b。
在形成圖4D或4E的結(jié)構(gòu)之后，間隔件34(見圖2)被固定到第一襯底2上。隨后，如圖1所示，在形成陽極26以及在第二襯底4上形成熒光屏32之后，一密封劑被施加到第一和第二襯底2，4的相對邊緣從而相互連接第一和第二襯底2，4。第一和第二襯底2，4之間的空氣隨后被排出，從而完成FED裝置。
在上文描述的構(gòu)型中，柵電極6是條紋狀的，陽極26形成在第二襯底4的整個內(nèi)表面上。但是，本發(fā)明并不限定于這種考慮，在第一襯底2的整個內(nèi)表面上形成柵電極，以及陽極和陰極以條紋狀圖案沿著相垂直的方向形成也是可能的。
在上文所述的本發(fā)明電子發(fā)射裝置中，陰極的輔助電極具有極低的電阻。因此，陰極電壓的降低可最小化以便允許容易地實現(xiàn)移動圖像和多重灰色，即使是該電子發(fā)射裝置被做成大的尺寸。而且，即使是在真空裝配中由于弧光放電而導(dǎo)致主電極被損壞，具有高彈性的輔助電極可阻止陰極的短路。并且，由金屬薄膜制成的主電極，允許陰極和發(fā)射體的精細布線圖案制作。這有助于獲得高分辨率的圖像。
盡管上文已結(jié)合一些具體實施例對本發(fā)明的實施例作了詳細描述，應(yīng)該理解本發(fā)明并不限定于這些所公開的具體實施例，但是，與此相反，正如所附的權(quán)利要求一樣，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可包括各種改進和/或等效的配置。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括彼此相對設(shè)置并在它們之間有一預(yù)定間隙的第一襯底和第二襯底；至少一個形成在第一襯底上的第一電極；至少一個形成在該第一襯底上并與所述第一電極相交叉的第二電極，每一第二電極包括一輔助電極及一形成的厚度小于所述輔助電極厚度的主電極；一插入在所述至少一個第一電極和所述至少一個第二電極之間的絕緣層；至少一個形成在所述第二襯底上的陽極；以及形成在所述至少一個陽極的一個表面上的熒光層。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述電子發(fā)射區(qū)電連接到所述第二電極上。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二電極具有10-20mΩ/□的電阻。
4.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二電極的主電極覆蓋所述輔助電極。
5.如權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射裝置，其中所述輔助電極的厚度為1-5μm。
6.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二電極的主電極由至少兩個疊層形成。
7.如權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射裝置，其中所述至少兩個疊層由不同的金屬制成。
8.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中每一所述主電極的一個長邊的選定部分被移除從而形成發(fā)射體接收部分，并且電子發(fā)射區(qū)位于該發(fā)射體接收部分內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，還包括離電子發(fā)射區(qū)一預(yù)定距離而裝配在所述絕緣層上的對電極，該對電極電連接到所述第一電極上。
10.如權(quán)利要求8所述的電子發(fā)射裝置，其中每一所述對電極包括一個第一層，和一個形成在第一層上并具有厚度小于所述第一層厚度的第二層。
11.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述電子發(fā)射區(qū)選自包括碳納米管，石墨，石墨納米纖維，納米導(dǎo)線，金剛石，金剛石一樣的碳，C60，或是這些物質(zhì)的組合。
12.一種制造電子發(fā)射裝置的方法，包括使用一透明導(dǎo)電物質(zhì)在第一襯底上形成第一電極；通過在第一襯底上沉積一透明絕緣物質(zhì)而形成一絕緣層并覆蓋住所述第一電極；通過在所述絕緣層上印刷一厚層電極物質(zhì)而形成第二電極的輔助電極；通過在所述絕緣層的整個表面上沉積金屬并將金屬構(gòu)圖而在所述輔助電極上形成第二電極的主電極，該主電極具有大于所述輔助電極的寬度；以及通過將一電子發(fā)射物質(zhì)沉積到所述第一襯底的一整個表面上而在所述第一襯底上形成發(fā)射體，選擇性地硬化該電子發(fā)射物質(zhì)，隨后顯影該電子發(fā)射物質(zhì)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中輔助電極的形成包括印刷一層銀膏，隨后烘干并燒結(jié)該銀膏。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述輔助電極形成的厚度為1-5μm。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中主電極的形成包括沉積一種選自鉻，鋁，和鉬的金屬，并對該金屬構(gòu)圖。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括形成一犧牲層，對該犧牲層構(gòu)圖以形成發(fā)射體將要配置在那里的開口，形成并對該犧牲層構(gòu)圖是在主電極的形成和發(fā)射體的形成之間進行的。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中發(fā)射體的形成包括將電子發(fā)射物質(zhì)沉積到所述犧牲層的一整個表面上，從一外部表面將紫外線照射到所述第一襯底上由此選擇性地硬化該電子發(fā)射物質(zhì)，以及通過顯影而移除被硬化了的電子發(fā)射物質(zhì)的部分。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在形成發(fā)射體之后，所述犧牲層被構(gòu)圖以將部分犧牲層遺留在陰極的主電極上。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中絕緣層的形成還包括在絕緣層內(nèi)形成通孔，輔助電極的形成還包括將在所述通孔中填充一厚層電極從而在通孔中形成對電極的第一層。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中陰極主電極的形成還包括對一金屬層構(gòu)圖以便部分該金屬層遺留到所述對電極的第一層上從而形成該對電極的第二層。
全文摘要
一種電子發(fā)射裝置，包括彼此相對設(shè)置并在它們之間有一預(yù)定間隙的一第一襯底和一第二襯底。一第一電極，形成在第一襯底上。一第二電極，形成在第一襯底上并與第一電極相交叉。每一第二電極包括一輔助電極和一形成的厚度小于該輔助電極厚度的主電極。一絕緣層，其插入在該至少第一電極和至少第二電極之間。至少一個陽極形成在該第二襯底上；以及形成在該至少一個陽極的一個表面上的熒光層。
文檔編號H01J9/02GK1622273SQ20041007706
公開日2005年6月1日 申請日期2004年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月29日
發(fā)明者丁奎元, 黃成淵 申請人:三星Sdi株式會社