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一種放電燈腔體內(nèi)壁的處理方法

文檔序號:2969472閱讀:363來源:國知局
專利名稱:一種放電燈腔體內(nèi)壁的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種放電燈腔體內(nèi)壁的處理方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的放電燈,例如金屬鹵化物燈和投影燈,廣泛用于各種照明領(lǐng)域,其優(yōu)點是發(fā)光效率高,光色好,燈啟動時間短,發(fā)光體積小,是理想的點光源。但是,這兩種燈的腔體石英玻璃耐高溫性和抗析晶性較差,燈使用中內(nèi)腔壁易石英化。方石英為SiO2晶體,當(dāng)燈冷卻時,晶型轉(zhuǎn)化(β方石英轉(zhuǎn)變?yōu)棣练绞?屬于急轉(zhuǎn)變,轉(zhuǎn)變時伴隨體積變化,造成很多小裂紋,以至失透,降低光透過率,當(dāng)析晶層達(dá)到一定厚度時,燈泡殼炸裂。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種新的用于放電燈腔體內(nèi)壁的處理方法,它可以提高石英玻璃的耐溫性(從1000℃提高到1600℃)和抗結(jié)晶性能,從而延長燈的使用壽命。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的在制燈前或在制燈過程中,采用化學(xué)氣相沉積工藝(CVD工藝),在石英玻璃內(nèi)壁和外壁,沉積氮化硅或超純二氧化硅涂層,涂層厚度根據(jù)產(chǎn)品要求而定。采用原料為高純氨和高純氧、高純四氯化硅。二氧化硅的金屬雜質(zhì)總量≤1PPM,羥基≤1PPM。
由于采用上述方案,不但可以克服放電燈殼體的石英玻璃耐溫性和抗結(jié)晶性差的缺陷,而且最大限度地降低石英玻璃中的金屬雜質(zhì)含量,以達(dá)到延長燈的使用壽命之目的。
具體實施例方式
在放電燈的低羥基石英玻璃殼體的內(nèi)壁,采用化學(xué)氣相沉積工藝(CVD工藝),沉積高純SiN4或高純SiO2,以形成燈殼體內(nèi)壁的石英玻璃涂層,涂層厚度根據(jù)產(chǎn)品要求而定。
權(quán)利要求
一種用于放電燈腔體內(nèi)壁的處理方法,其特征是,在燈的低羥基石英玻璃殼體的內(nèi)壁,采用化學(xué)氣相沉積工藝,沉積高純SiN4或高純SiO2,以形成石英玻璃涂層,其厚度根據(jù)產(chǎn)品要求而定。
全文摘要
本發(fā)明提供一種放電燈殼體內(nèi)壁的處理方法,它是采用化學(xué)氣相沉積工藝(CVD工藝),在燈的石英玻璃殼體內(nèi)壁,沉積高純的四氯化硅,或二氧化硅,形成—涂層,以提高燈的石英玻璃的耐溫性和抗結(jié)晶性能,從而延長燈的使用壽命。
文檔編號H01J9/20GK1585068SQ20041004263
公開日2005年2月23日 申請日期2004年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月28日
發(fā)明者潘國璋, 李洋 申請人:北京愛華新業(yè)照明器材有限公司
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