專利名稱：圖像顯示器件及其制造方法和制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平坦形圖像顯示器件，尤其涉及在真空管殼內(nèi)部設(shè)置多個電子發(fā)射元件的圖像顯示器件及其制造方法和制造裝置。
背景技術(shù)：
近年來，作為代替陰極射線管(下文稱為CRT)的下一代重量輕的薄型圖像顯示裝置，不斷研制各種平面型顯示器件。這種平面型顯示器件有利用液晶取向控制光的強弱的液晶顯示器(下文稱為LCD)、利用等離子放電的紫外線使熒光體發(fā)光的等離子顯示屏(下文稱為PDP)、利用電場發(fā)射型電子發(fā)射元件的電子束使熒光體發(fā)光的場發(fā)射顯示器(下文稱為FED)、利用表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射元件發(fā)射的電子束使熒光體發(fā)光的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器(下文稱為SED)等。
例如FED和SED中，一般具有隔開規(guī)定間隙相對配置的正面襯底和背面襯底，這些襯底通過矩形框狀的側(cè)壁使其周邊部相互接合，從而構(gòu)成真空的管殼。正面襯底的內(nèi)表面形成熒光體屏，背面襯底的內(nèi)表面設(shè)置多個電子發(fā)射元件(下文稱為發(fā)射體)，作為激勵熒光體發(fā)光的電子發(fā)射源。為了支承加在背面襯底和正面襯底的大氣壓負載，這些襯底之間配置多個支承構(gòu)件。背面襯底的電位大致為地電位，熒光體屏上則施加陽極電壓Va。于是，對構(gòu)成熒光體屏的紅、綠、藍熒光體照射發(fā)射體發(fā)射的電子束，使熒光體發(fā)光，從而顯示圖像。
這種FED和SED中，器件的厚度可薄到幾mm，與當前的用作電視機、計算機的顯示器的CRT相比，能達到重量輕且體積薄。
上述的FED和SED中，需要使管殼內(nèi)部為高真空。即使PDP中，也需要一次成為真空后，才充入放電氣體。
作為使管殼成為真空的手段，存在的方法是首先利用適當?shù)姆庋b材料在大氣中加熱作為管殼組成構(gòu)件的正面襯底、背面襯底和側(cè)壁，使其相互接合，然后通過正面襯底或背面襯底上設(shè)置的排氣管的內(nèi)部排氣后，真空密封排氣管。然而，平面型管殼的情況下，通過排氣管的排氣速度極慢，能達到的真空度也低。因此，批量生產(chǎn)和特性方面存在問題。
作為其它方法，可考慮在真空槽內(nèi)進行構(gòu)成管殼的正面襯底和背面襯底的最后組裝。這種方法中，首先，充分加熱放入真空槽的正面襯底和背面襯底。這是為了減少成為管殼真空度劣化的主要原因的管殼內(nèi)壁放氣。接著，在正面襯底和背面襯底冷卻，真空槽內(nèi)的真空度充分提高的時刻，在熒光屏上形成改善并維持管殼真空度用的吸氣膜。然后，再次將正面襯底和背面襯底加熱對封裝材料熔化的溫度，并且在使正面襯底和背面襯底組合到規(guī)定位置的狀態(tài)下，冷卻到封裝材料固化。
用該方法制成的真空管殼兼有封裝工序和真空密封工序，而且不需要排氣管排氣帶來的大量時間，還能獲得非常好的真空度。
然而，這樣在真空中進行組裝時，封裝工序中進行的處理涉及加熱、對位、冷卻等多方面，而且必須經(jīng)歷封裝材料熔化、固化的長時間，使正面襯底和背面襯底連續(xù)維持規(guī)定的位置。此外，還存在隨著封裝時的加熱、冷卻，正面襯底和背面襯底產(chǎn)生熱膨脹，對位精度容易劣化等封裝帶來的生產(chǎn)率、特性方面的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于以上的問題而完成的，其目的在于提供可在真空氛圍中方便且高精度地組裝管殼的圖像顯示器件及其制造方法和制造裝置。
為了達到上述目的，本發(fā)明一形態(tài)的圖像顯示器件及其制造方法，其包含的管殼具有相對配置而且封閉周緣部的正面襯底和背面襯底，并且位于所述正面襯底和背面襯底之間的封裝部由具有導電性而且靠通電熔化的封裝構(gòu)件封裝。即，通過對封裝部設(shè)置的封裝構(gòu)件通電，熔化封裝構(gòu)件，將封裝部密封。
根據(jù)上述那樣組成的圖像顯示器件及其制造方法，具有導電性的封裝構(gòu)件流通電流而產(chǎn)生的熱，主要僅使封裝構(gòu)件加熱并熔化。而且，封裝構(gòu)件熔化后，立即停止供給電流，使封裝構(gòu)件將其熱快速擴散并傳導到正面襯底和背面襯底，從而該根據(jù)冷卻并固化。因此，封裝工序中，不需要對整個正面襯底和背面襯底加熱用的加熱裝置，還能大量縮短封裝工序需要的時間。此外，正面襯底和背面襯底的熱膨脹系數(shù)很小，對它們封裝時，能改善襯底位置精度的劣化。
本發(fā)明另一形態(tài)的圖像顯示器件，其包含的管殼具有正面襯底、與該正面襯底相對配置的背面襯底以及封裝所述正面襯底和背面襯底的周緣部的封裝部。
所述封裝部具有利用通電以下加熱并熔化以封閉所述周緣部所導電封裝材料和熔點高于該封裝材料并且配置在所述周緣部的導電構(gòu)件。
根據(jù)上述圖像顯示器件，通過對導電構(gòu)件和達到封裝材料通電，加熱并熔化封裝材料，并通過停止加熱，使封裝材料冷卻、固化，讓正面襯底和背面襯底在其周緣部封閉。這樣對封裝材料通電，進行直接加熱，因而能用短時間熔化封裝材料。熱輥導電構(gòu)件足夠粗，使通電量加大，即使縮短熔化時間，導電構(gòu)件也不會斷線。又由于不需要加熱正面襯底和背面襯底，能防止襯底熱膨脹和熱收縮，可提高封裝襯底時的位置精度。
本發(fā)明另一形態(tài)的圖像顯示裝置包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底以及使所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉的封裝部；所述封裝部包含矩形框狀的高熔點導電構(gòu)件和封裝材料；所述高熔點導電構(gòu)件具有比所述封裝材料高的熔點，同時還具有伸出到外側(cè)的4個以上的伸出部。
本發(fā)明又一形態(tài)的圖像顯示裝置器件包含具有相對配置的正面襯底和背面襯底以及使所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉的封裝部的管殼、在所述正面襯底的內(nèi)表面上形成的熒光體屏幕、以及設(shè)置在所述背面襯底上以對所述熒光體屏幕發(fā)射電子束使所述熒光體屏幕發(fā)光的電子發(fā)射源；所述封裝部包含矩形框狀的高熔點導電構(gòu)件和封裝材料；所述高熔點導電構(gòu)件具有比所述封裝材料高的熔點，同時還具有伸出到外側(cè)的4個以上的伸出部。
本發(fā)明形態(tài)的圖像顯示器件制造方法，其圖像顯示器件包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底、以及含有封裝材料和熔點高于該封裝材料的高熔點導電構(gòu)件并且使所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉的封裝部；該方法中，準備具有往外側(cè)伸出的4個以上的伸出部的矩形框狀高熔點導電構(gòu)件；在所述正面襯底和背面襯底的周邊部之間配置所述高熔點導電構(gòu)件，同時在所述正面襯底與高熔點導電構(gòu)件之間和所述背面襯底與高熔點導電構(gòu)件之間分別配置封裝材料；通過所述伸出部對所述高熔點導電構(gòu)件通電，使所述封裝材料熔化，將所述正面襯底和所述背面襯底的周邊部相互封閉。
本發(fā)明另一形態(tài)的圖像顯示器件，其中包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底、以及使所述正面襯底和背面襯底相互封閉的封裝部；所述封裝部包含框狀的高熔點導電構(gòu)件以及第1和第2封裝材料；所述第1封裝材料具有低于所述第2封裝材料的熔點或軟化點，所述高熔點導電構(gòu)件具有高于所述第1和第2封裝材料的熔點或軟化點；所述高熔點導電構(gòu)件通過第1封裝材料接合所述正面襯底和背面襯底的一方，通過第2封裝材料接合所述正面襯底和背面襯底的另一方。
本發(fā)明又一形態(tài)的圖像顯示器件制造方法，其圖像顯示裝置包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底，并且由含有高熔點導電構(gòu)件以及第1和第2封裝材料的封裝部使正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉；該方法中，準備具有高于所述第1和的2封裝材料的熔點或軟化點的框狀高熔點導電構(gòu)件；利用熔點或軟化點高于所述第1封裝材料的第2封裝材料，使所述高熔點導電構(gòu)件與所述正面襯底和背面襯底中的一個襯底的周邊部接合；相對配置接合所述高熔點導電構(gòu)件的所述一個襯底和另一個襯底，同時在所述高熔點導電構(gòu)件與所述另一個襯底的周邊部之間配置第1封裝材料；通過對所述高熔點導電構(gòu)件通電，使所述的1封裝材料熔化或軟化，將所述高熔點導電構(gòu)件和所述另一個襯底接合。
本發(fā)明形態(tài)的圖像顯示器件，其包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底、以及使所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉的封裝部；所述封裝部包含框狀的高熔點導電構(gòu)件和封裝材料，所述高熔點導電構(gòu)件具有高于所述封裝材料的熔點或軟化點，同時在對所述正面襯底和背面襯底垂直的方向具有彈性。
本發(fā)明另一形態(tài)的圖像顯示器件制造方法，其圖像顯示器件包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底，并且利用含有高熔點導電構(gòu)件和封裝材料的封裝部使正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉；該方法中，準備具有高于封裝材料的熔點或軟化點，而且在對所述正面襯底和背面襯底垂直的方向具有彈性的框狀高熔點導電構(gòu)件；相對配置所述正面襯底和背面襯底，同時在所述正面襯底和背面襯底的周邊部之間配置所述高熔點導電構(gòu)件和封裝材料；在所述封裝材料固化的狀態(tài)下，疊合所述相對配置的正面襯底和背面襯底，使所述高熔點導電構(gòu)件往垂直于所述正面襯底和背面襯底的方向產(chǎn)生彈性形變；在所述正面襯底和背面襯底疊合的狀態(tài)下，對所述高熔點導電構(gòu)件通電，使所述封裝材料熔化或軟化，讓所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的圖像顯示器件和制造方法，利用高熔點導電構(gòu)件的彈性改善疊合正面襯底和背面襯底時襯底的彎曲，能提高正面襯底和背面襯底的對位精度，以進行封裝。
本發(fā)明的圖像顯示器件制造方法，其圖像顯示器件包含具有相對配置而且相互接合周邊部的正面襯底和背面襯底的管殼、以及在所述管殼內(nèi)形成的多個像素；該方法中，在所述正面襯底和背面襯底的至少一方配置具有導電性的封裝材料；對所述封裝材料通電，使其加熱并熔化，將所述正面襯底和背面襯底的周邊部接合；在對所述封裝材料通電時，根據(jù)所述封裝材料的電阻對溫度的依賴性，控制對所述封裝材料的通電。
本發(fā)明另一形態(tài)的圖像顯示器件的制造裝置，該圖像顯示器件包含具有相對配置而且相互接合周邊部的正面襯底和背面襯底的管殼、在所述管殼內(nèi)形成的多個像素，該制造裝置具有對配置在所述正面襯底和背面襯底的至少一方的周邊部而且具有導電性的封裝材料通電并使其加熱后熔化的電源、以及控制部，該控制部在對所述封裝材料通電以進行加熱時，輸入從所述電源反饋的電流值和電壓值的至少一方，并根據(jù)所述封裝材料的電阻對溫度的依賴性，控制所述電源對所述封裝材料的通電。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的圖像顯示器件的制造方法和制造裝置，能依據(jù)封裝材料的電阻對溫度的依賴性，以電的方式方便地檢測封裝材料熔化的完成。因此，使整個正面襯底和背面襯底在維持低溫的狀態(tài)下進行周邊部的接合，不會造成吸氣膜吸附能力下降，可排除熱應(yīng)力破壞襯底的問題。而且，用幾分鐘程度的時間就能方便地進行接合，與以往相比，可縮短工序的時間。因此，能提供可廉價制造、可獲得穩(wěn)定且良好的圖像顯示器件。


圖1是示出本發(fā)明實施形態(tài)的FED的總體結(jié)構(gòu)的立體圖；圖2是示出上述FED的內(nèi)部組成的立體圖；圖3是沿圖1的III-III線的剖視圖；圖4是放大示出上述FED的部分熒光體屏的俯視圖；圖5是示出用于制造上述FED的正面襯底的俯視圖；圖6是示出用于制造上述FED的背面襯底、側(cè)壁、隔板的俯視圖；
圖7是示出上述FED的制造工序中在真空槽內(nèi)組裝的流程的流程圖；圖8是示出上述制造工序中正面襯底與側(cè)壁的封裝工序的剖面圖；圖9是使作為本發(fā)明實施例的FED在封裝時產(chǎn)生的玻璃應(yīng)力緩解的方法的說明圖；圖10A至10C使分別示出本發(fā)明實施形態(tài)2的FED的組成構(gòu)件的俯視圖；圖11是示出所述實施形態(tài)2中的FED封裝工序的俯視圖；圖12是示出本發(fā)明實施形態(tài)3的FED的剖面圖；圖13是從內(nèi)側(cè)看圖12所示FED的正面襯底的俯視圖；圖14是示出圖12所示FED的背面襯底、側(cè)壁、隔板的俯視圖；圖15A和15B是分別示出用于制造圖12所示FED的導電構(gòu)件的俯視圖；圖16是概略示出制造圖12的FED用的制造裝置的圖；圖17是示出對正面襯底和背面襯底與側(cè)壁之間進行封裝的制造裝置的變換例的圖；圖18是概略示出對具有導電性的側(cè)壁通電并封裝的另一變換例的圖；圖19是示出本發(fā)明實施形態(tài)4的FED的立體圖；圖20是示出卸下上述FED的正面襯底后的狀態(tài)的立體圖；圖21是沿圖19的IIXI-IIXI線的剖視圖；圖22是示出圖19所示FED的側(cè)壁的俯視圖；圖23是示出圖19所示FED的熒光體屏的俯視圖；圖24是概略示出用于圖19所示FED的真空處理裝置的圖；圖25是示出實施形態(tài)4的變換例的FED的側(cè)壁的俯視圖；圖26是示出實施形態(tài)4的另一變換例的立體圖；圖27是示出本發(fā)明實施形態(tài)5的FED去除正面襯底后的狀態(tài)的立體圖；圖28是所述實施形態(tài)5的FED的剖面圖；圖29是示出實施形態(tài)5的變換例的剖面圖；圖30是示出本發(fā)明實施形態(tài)6的FED去除正面襯底后的狀態(tài)的立體圖；圖31是所述實施形態(tài)6的FED的剖面圖；圖32A至32C是分別示出所述實施形態(tài)的FED的制造工序的剖面圖；圖33A和33B是示出本發(fā)明實施形態(tài)7的FED的剖面圖；圖34A和34B是示出所述實施形態(tài)7的FED的變換例的剖面圖；圖35是本發(fā)明實施形態(tài)8的FED的剖面圖；
圖36A和36B是分別示出用于制造圖35所示FED的背面襯底和正面襯底的俯視圖；圖37是示出所述封裝部中配置銦的正面襯底和背面襯底相對配置的狀態(tài)的剖面圖；圖38是概略示出用于制造圖35所示FED的真空處理裝置的圖；圖39是圖解狀示出圖35所示FED的制造工序中使電極接觸銦的狀態(tài)的俯視圖；圖40是示出伴隨所述銦的溫度變化的電阻特性的曲線；圖41是示出所述銦通電加熱時的電流變化的曲線；圖42是示出所述銦通電加熱時的電流實測值的曲線；圖43是示出所述銦通電加熱時的電流變化傾向的曲線；圖44是示出所述銦通電具有時的電壓變化的曲線；圖45是示出所述銦通電加熱時的電流變化傾向的曲線；圖46是示出所述銦通電加熱時的電阻值變化和電阻值變化傾向的曲線；圖47是示出所述銦通電加熱時的電流和電壓變化的曲線。
實施發(fā)明的最佳形態(tài)下面參照附圖詳細說明將本發(fā)明的圖像顯示器件用于FED的實施形態(tài)1。
如圖1至圖3所示，作為絕緣襯底，此FED具有玻璃構(gòu)成的矩形正面襯底11和背面襯底12，這些襯底隔開1～2mm的間隙相對配置。而且，正面襯底11和背面襯底12通過矩形框狀的側(cè)壁13接合其周緣部，構(gòu)成內(nèi)部維持真空狀態(tài)的扁平矩形真空管殼10。
本實施形態(tài)中，利用后文說明的具有導電性的封裝構(gòu)件21a、21b接合正面襯底11和側(cè)壁13，利用玻璃料等抵熔點封裝構(gòu)件40接合背面襯底12和側(cè)壁13。
為了支承加在正面襯底11和背面襯底12上的大氣壓負載，真空管殼10的內(nèi)部設(shè)置多個板狀隔板14。這些隔板14配置在與真空管殼10的長邊平行的方向，同時沿與短邊平行的方向隔開規(guī)定距離配置。隔板14的形狀無特別限定，例如可用柱狀的隔板等。
正面襯底11的內(nèi)表面形成圖4所示那樣的具有紅、綠、藍熒光體層16和矩陣狀黑色光吸收層17的熒光體屏15，此熒光體屏上蒸鍍鋁膜，作為金屬背墊。
如圖3所示，背面襯底12的內(nèi)表面上設(shè)置多個電子發(fā)射元件18，作為激勵熒光體層16的電子發(fā)射源。電子發(fā)射元件18配置在與各自的熒光體層16相對的位置，往相應(yīng)的熒光體層發(fā)射電子束。
下面說明上述那樣構(gòu)成的FED的制造方法。
如圖5和圖6所示，在組裝前的狀態(tài)下，正面襯底11的內(nèi)表面上形成熒光體屏15和圖中未示出的金屬背墊。在正面襯底11的內(nèi)表面上熒光體層15的外側(cè)，將具有導電性的金屬軟釬料作為封裝構(gòu)件21a，填充成矩形框狀，沿正面襯底11的周緣部配置。在封裝構(gòu)件21a的2個對角處往外側(cè)伸出地形成封裝時對封裝構(gòu)件通電用的電極部22a、22b。
各電極部22a、22b的截面積形成得大于封裝構(gòu)件21的其它部分的截面積。
另一方面，在背面襯底12的內(nèi)表面上，預先形成多個電子發(fā)射元件18，同時利用低熔點封裝構(gòu)件40安裝側(cè)壁13和隔板14，以確保組裝時與桌布襯底11的間隙。在側(cè)壁13上，將具有導電性的軟釬料作為封裝構(gòu)件21b，對與所述正面襯底11方的封裝構(gòu)件21a相對的位置填充成矩形框狀。
按照圖7所示的工序，在真空槽中組裝上述正面襯底11和背面襯底12。即，首先，將正面襯底11和背面襯底12導入真空槽，并對此真空槽進行真空排氣。然后，加熱正面襯底11和背面襯底12，使其充分脫氣。加熱的溫度適時設(shè)定為200℃～500℃。這是為了防止成為真空管殼后，真空度劣化的內(nèi)壁的放氣速度減慢，使氣體殘留，造成特性劣化。
接著，完成脫氣并且冷卻后的正面襯底11的熒光體屏15上形成吸氣膜。這是為了利用吸氣膜吸收并排放形成真空管殼后殘留的氣體，使真空管殼內(nèi)的真空度保持良好的程度。
接著，將正面襯底11和背面襯底12在雙方規(guī)定的位置疊合，使熒光體層16與電子發(fā)射元件18對置。此狀態(tài)下，通過電極部22a、22b對封裝構(gòu)件21a、21b通電，使這些封裝構(gòu)件加熱并熔化。然后，停止通電，使封裝構(gòu)件21a、21b的熱快速擴散并傳導到正面襯底11和側(cè)壁13，讓封裝構(gòu)件21a、21b固化。結(jié)果，封裝構(gòu)件21a、21b將正面襯底11與側(cè)壁13相互封閉。
下面說明上述封裝工序用的制造裝置和FED的各組成構(gòu)件。
如圖8所示，封裝前的狀態(tài)下，將正面襯底11和背面襯底12的溫度設(shè)定成低于封裝構(gòu)件21a、21b的熔點，并且封裝構(gòu)件21a、21b處于固化狀態(tài)。此狀態(tài)下，在規(guī)定的位置疊合正面襯底11和背面襯底12，使封裝構(gòu)件21a、21b也相互重疊。利用加壓裝置23a、23b對正面襯底1和背面襯底12在其相互接近的方向時間規(guī)定的封裝負載。又利用隔板14，使圖像顯示區(qū)保持規(guī)定的間隙，并且封裝構(gòu)件21a、21b也相互接觸。進而，使封裝構(gòu)件21a的電極部22a、22b分別接觸饋電端子24a、24b，這些饋電端子24a、24b連接電源25。
此狀態(tài)下，通過饋電端子24a、24b使封裝構(gòu)件21a、21b流通規(guī)定的電流，則僅封裝構(gòu)件21a、21b發(fā)熱并熔化。其后，停止通電，則熱容量小的封裝構(gòu)件21a、21b因溫度梯度而對正面襯底11和側(cè)壁13散熱，以達到與熱容量大的正面襯底11和側(cè)壁13熱平衡，從而快速冷卻并固化。
利用這種方法，能在很短的時間，而且以簡單的制造裝置，將真空管殼封裝成真空。即，通過采用具有導電性的封裝構(gòu)件，不加熱襯底，就能有選擇地僅加熱熱容量小(即體積小)的封裝構(gòu)件，可抑制襯底熱膨脹造成的位置精度劣化。
與襯底相比，封裝構(gòu)件的熱容量非常小，因而與對整個襯底加熱的已有方法相比，能大量縮短加熱、冷卻需要的時間，可大幅度提高生產(chǎn)率。而且，封裝中需要的裝置僅為簡單的饋電端子和使該端子接觸封裝構(gòu)件的機構(gòu)，能實現(xiàn)的裝置，不用說以往全面加熱的加熱器，即使對電磁感應(yīng)法等而言，也非常簡單，而且是適合超高真空的潔凈裝置。
至于通電的電流的形態(tài)，不僅可用直流電流，而且可用按商用頻率變動的交流電流。這時，可省略將按交流送來的商用電流變換成直流的工作，使裝置簡化。還可用按kHz級的高頻變動的交流電流。這時，焦耳熱增大因集膚效應(yīng)而高頻有效電阻值增大的部分，所以以較小的電流值就能獲得與上文所述相同的效果。
關(guān)于通電的功率和時間，實施例中取為5～300秒左右。通電使長(功率小)，則襯底周邊的溫度升高，因而產(chǎn)生冷卻速度慢和熱膨脹的弊病。通電時間短(功率大)，則產(chǎn)生導電封裝材料填充不充分引起的斷線和玻璃熱應(yīng)力造成的襯底斷裂。因此，通電的功率和時間(包括時間性的功率變化)最好對每一對象設(shè)定最佳條件。
關(guān)于封裝時襯底溫度與封裝構(gòu)件熔點的溫度差，實施例中取為20℃～150℃。溫度差大時，能縮短冷卻時間，但玻璃熱應(yīng)力變大，也最好每一對象設(shè)定最佳條件。
關(guān)于封裝構(gòu)件熱擴散傳導造成的襯底表、里面溫度差引起的應(yīng)力和畸變，如圖9所示，通過使加壓裝置23a、23b的外徑比襯底的外徑小一圈，讓襯底的周邊如虛線所示那樣自然彎曲，能減小襯底產(chǎn)生的應(yīng)力?；蛘?，不減小加壓裝置23a、23b的外徑的情況下，在具有裝置的周邊部設(shè)置作為襯底翹曲時的出口的切削部，也能得到同樣緩解應(yīng)力的效果。
上述的實施形態(tài)采用以正面襯底和背面襯底包圍側(cè)壁的結(jié)構(gòu)的真空管殼，但也可做成側(cè)壁與正面襯底或背面襯底合為一體。還可做成側(cè)壁接合成從側(cè)面覆蓋正面襯底和背面襯底。由封裝構(gòu)件的通電加熱加以封裝的封裝面可用是正面襯底與側(cè)壁之間和背面襯底與側(cè)壁之間的2個面。
上述實施形態(tài)1中，在接觸正面襯底方的封裝構(gòu)件和背面襯底方的封裝構(gòu)件的狀態(tài)下，進行通電加熱，但也可使這些封裝構(gòu)件在非接觸狀態(tài)下通電加熱后到固化的期間進行接合。熒光體屏的組成和電子發(fā)射元件的組成，不限于本發(fā)明的實施形態(tài)，也可以是其它的組成。封裝構(gòu)件的填充可以僅為被封裝的2個面中的任一個面。
為了確保導電封裝構(gòu)件對襯底的浸濕性，可在封裝構(gòu)件與襯底之間或封裝構(gòu)件與側(cè)壁之間形成基底層。
下面說明多個實施例。
實例1說明將圖5和圖6所示的正面襯底11和背面襯底12用于36英寸規(guī)模電視機的FED顯示器件的實例。主要的組成與上述實施形態(tài)中說明的相同。
正面襯底11和背面襯底12均由2.8mm的玻璃材料構(gòu)成，側(cè)壁13由1.1mm的玻璃材料構(gòu)成。正面襯底11和背面襯底12的側(cè)壁13上填充的封裝構(gòu)件21a、21b采用在約156℃熔化的銦(In)，分別填充成寬3～5mm、厚0.1～0.3mm。電極部22a、22b設(shè)置在與對置的背面襯底12的X布線和Y布線的干涉小的對角部的2個對稱處。為了減小通電時斷線的風險，電極部22a、22b為寬約16mm、厚為0.1～0.3mm，其截面積大于其它部分。電極部22a、22b之間的封裝構(gòu)件21a的電阻在室溫狀態(tài)為0.1～0.5Ω。
對此正面襯底11和背面襯底12在真空槽內(nèi)進行脫氣處理和吸氣膜形成后，裝入加壓裝置23a、23b。然后，如圖8所示，在約100℃的溫度下將正面襯底11和背面襯底12配置在規(guī)定的位置，由加壓裝置23a、23b用約50kg的載重使其疊合，同時將饋電端子24a、24b連接到電極部22a、22b。
此狀態(tài)下，對饋電端子24a、24b施加102秒鐘的直流120A電流，使封裝構(gòu)件21a、21b整圈充分熔化。停止通電后，將正面襯底11和背面襯底12保持60秒，使因通電加熱而溫度升高的封裝構(gòu)件21a、21b的熱散發(fā)到正面襯底11和側(cè)壁13，讓封裝構(gòu)件21a、21b固化。
這樣制作真空管殼時，以往30分鐘左右的封裝時間大幅度縮短到幾分鐘，還能使封裝時的裝置簡單。
實例2實例2的主要組成與實例1相同。
實例2在上述的封裝工序中，對封裝構(gòu)件21a、21b施加40秒鐘按60Hz商用頻率變動的、有效電流值150A的正弦波交流電流后，保持30秒鐘，從而形成真空管殼。
實例3實例3的主要組成與實施例1相同。
實例3在封裝工序中，對封裝構(gòu)件21a、21b施加30秒鐘按高于商用頻率的頻率(例如300kHz)變動的、有效電流值4A的正弦波交流電流后，保持30秒鐘，從而形成真空管殼。
圖10A至圖10C和圖11示出本發(fā)明的實施形態(tài)2。根據(jù)實施形態(tài)2，背面襯底12與側(cè)壁13的接合和正面襯底11與側(cè)壁13的接合一起，都用加壓導電性的封裝構(gòu)件在真空槽中進行。實施形態(tài)2的其它主要組成與實施形態(tài)1相同。
這里，在與正面襯底11的側(cè)壁13對置的部分填充矩形框狀的封裝構(gòu)件26，并且設(shè)置從封裝構(gòu)件26的對角方向的2個角部往外側(cè)伸出的電極部27a、27b。又在與背面襯底12的側(cè)壁13對置的部分填充矩形框狀的封裝構(gòu)件28，而且設(shè)置從封裝構(gòu)件28的對角方向的2個角部往外側(cè)伸出的電極部29a、29b。
使該正面襯底11、背面襯底12和側(cè)壁13在上述的規(guī)定位置疊合，并通過饋電端子30a、30b從電源31對電極部27a、27b通電(100A)150秒鐘，同時通過精度端子32a、32b從電源33對電極部29a、29b通電(100A)150秒鐘。然后，保持約2分鐘，使封裝構(gòu)件26、28固化，從而封閉正面襯底11、背面襯底12和側(cè)壁13。
實施形態(tài)1和2中，封裝構(gòu)件上設(shè)置的一對電極部設(shè)置在對稱的位置即可，不限于設(shè)置在封裝構(gòu)件的一對對角部，也可設(shè)置在各長邊部或短邊部。作為加壓導電性的封裝構(gòu)件，不限于In，也可用含In的合金。
下面說明實施形態(tài)3的FED、其制造方法和制造裝置。
如圖12所示，根據(jù)本實施形態(tài)的FED，其中具有分別由矩形玻璃構(gòu)成的正面襯底11和背面襯底12，這些襯底隔開1～2mm，相對配置。而且，正面襯底11和背面襯底2通過矩形框狀的側(cè)壁13接合其周緣部，以構(gòu)成內(nèi)部維持真空狀態(tài)的扁平矩形狀的真空管殼10。正面襯底11與側(cè)壁13由后文所述的封裝部20接合，背面襯底12與側(cè)壁13由玻璃料等低熔點封裝構(gòu)件40接合。其它組成與實施形態(tài)1相同，相同的部分標注相同的參考號，省略其詳細說明。下面說明以上那樣構(gòu)成的FED的制造方法和制造裝置。
如圖13所示，在組裝前的狀態(tài)下，正面襯底11的內(nèi)表面形成熒光體屏15。又在正面襯底11的內(nèi)表面上熒光體屏15的外側(cè)周緣部，將具有導電性的金屬軟釬料作為封裝材料21a，設(shè)置成矩形框狀。這時，將正面襯底11的溫度設(shè)定成低于封裝材料21a的熔點的溫度，并且封裝材料21a處于固化狀態(tài)。
如圖14所示，在組裝前的狀態(tài)下，背面襯底12的內(nèi)表面預先形成多個電子發(fā)射元件18(這里圖中省略示出)，同時利用低熔點封裝構(gòu)件40安裝側(cè)壁13和隔板14，以確保組裝時與正面襯底11的間隙。又在側(cè)壁13上，將具有與上述封裝材料21a相同的導電性的金屬軟釬料作為封裝材料21b，在與正面襯底11方的封裝材料21a對置的位置設(shè)置成矩形框狀。這時，背面襯底12的溫度設(shè)定成低于封裝材料21b的熔點的溫度，并且封裝材料21b處于固化狀態(tài)。
作為封裝材料21a、21b，選擇在300℃以下熔化或軟化的材料，但本實施形態(tài)中，作為封裝材料21a、21b，采用In或含In的合金。
圖15A示出封裝正面襯底11的周緣部與側(cè)壁13的上端時，夾入封裝材料21a、21b之間的矩形框狀導電構(gòu)件22。此導電構(gòu)件22與上述封裝材料21a、21b一起，作為封裝部20起作用。
利用截面積1mm2以上的鎳合金板形成導電構(gòu)件22，以從其形成對角的角部伸出的狀態(tài)，合為一體地設(shè)置2個電極部22a、22b(連接端子)。此導電構(gòu)件22的寬度設(shè)定成比封裝材料21a、21b的寬度小。作為導電構(gòu)件22，除用含鎳(Ni)的合金外，還可用含鐵(Fe)、鉻(Cr)、鋁(Al)等的合金，使用熔點為500℃以上的材料。
導電構(gòu)件22的熱膨脹系數(shù)設(shè)定為封裝材料21a、21b的熱膨脹系數(shù)的80～120％左右，或設(shè)定為側(cè)壁3的熱膨脹系數(shù)的80～120％左右，或設(shè)定在正面襯底11、背面襯底12和側(cè)壁3各自的熱膨脹系數(shù)中最小熱膨脹系數(shù)與最大熱膨脹系數(shù)之間。
上述正面襯底11和背面襯底12在真空槽內(nèi)隔著導電構(gòu)件22相互封閉，從而形成FED。
與圖7所示的封裝工序大致相同，首先，將正面襯底11、背面襯底12和導電構(gòu)件22導入真空槽，并使此真空槽內(nèi)排氣為真空。然后，加熱正面襯底11和背面襯底12，從這些襯底充分脫氣。加熱的溫度適時設(shè)定為200℃～500℃左右。這是為了防止成為真空管殼后，真空度劣化的內(nèi)壁的放氣速度減慢，使氣體殘留，造成特性劣化。
接著，完成脫氣并且冷卻后的正面襯底11的熒光體屏15上形成吸氣膜。這是為了利用吸氣膜吸收并排放形成真空管殼后殘留的氣體，使真空管殼內(nèi)的真空度保持良好的程度。
然后，高精度定位并疊合正面襯底11和背面襯底12，使熒光體層16與電子發(fā)射元件18對置。這時，使導電構(gòu)件22夾入正面襯底11的周緣部設(shè)置的封裝材料21a與側(cè)壁13上設(shè)置的封裝材料21b之間。
將這樣中間夾有導電構(gòu)件22的狀態(tài)的正面襯底11和背面襯底12放入圖16所示的裝置。然后，利用加壓裝置23a、23b往相對的方向以規(guī)定的壓力按壓并保持正面襯底1和背面襯底12。進而，將電源25連接到從導電構(gòu)件22導出的電極部22a、22b。
此狀態(tài)下，從電源25通過電極部22a、22b往導電構(gòu)件22流通規(guī)定的電流，對封裝材料21a、21b通電。由此，加熱導電構(gòu)件22和封裝材料21a、21b，僅封裝材料21a、21b熔化。即，由于導電構(gòu)件22用通電不熔化的高熔點材料形成，僅封裝材料21a、21b熔化。熔化的封裝材料21a、21b聯(lián)結(jié)成包圍寬度小的導電構(gòu)件22。此后，聯(lián)結(jié)狀態(tài)的、熱容量較小的封裝材料21的熱因溫度梯度而快速擴散傳導到正面襯底11和側(cè)壁13，達到與熱容量大的正面襯底11和側(cè)壁13熱平衡，使封裝材料21快速冷卻并固化。由此，封裝正面襯底11和側(cè)壁13。
以上那樣利用實施形態(tài)2，則用僅對導電構(gòu)件22通電的極簡單的組成，就能工序有選擇且可靠地加熱熔化封裝材料21a、21b，可大量減少封裝處理需要的操作步驟、處理時間和耗電量，能可靠且方便地封裝正面襯底11和背面襯底12的周緣部。
即，如本實施形態(tài)那樣，通過組合使用加壓導電性的封裝材料21a、21b，即使封裝材料設(shè)置不均勻的情況下，該材料也不斷線，能可靠地在整個區(qū)域?qū)Ψ庋b材料21a、21b通電，使封裝材料能在整個長度上可靠地熔化。又通過使封裝材料21a、21b加壓導電性，與沒有導電性的封裝材料相比，能對封裝材料21a、21b直接加熱，可縮短熔化時間。
此外，如本實施形態(tài)那樣，通過將導電構(gòu)件22設(shè)置成夾在封裝材料21a、21b中間，導電構(gòu)件22不接觸正面襯底11和側(cè)壁13，不必擔心熱應(yīng)力使正面襯底11和側(cè)壁13斷裂。又由于導電構(gòu)件22不接觸正面襯底11和側(cè)壁13，能加大封裝材料21a、21b接觸正面襯底11和側(cè)壁13的面積，可提高封閉性能。
利用本實施形態(tài)，則能有選擇地僅加熱熔化封裝材料，因而不必加熱正面襯底和背面襯底，僅加熱熱容量小(即體積小)的封裝材料即可，能減少使用的電力，抑制襯底熱膨脹和熱收縮造成的位置精度劣化等。
與對整個襯底加熱的已有方法相比，能大量縮短加熱、冷卻需要的時間，大幅度提高批量生產(chǎn)率。而且，封裝中需要的裝置僅為電源，能實現(xiàn)的裝置，不用說以往全面加熱的加熱器，即使對電磁感應(yīng)法等而言，也非常簡單，而且是適合超高真空的潔凈裝置。
至于通電的電流的形態(tài)，不僅可用直流電流，而且可用按商用頻率變動的交流電流。這時，可省略將按交流送來的商用電流變換成直流的工作，使裝置簡化。還可用按kHz級的高頻變動的交流電流。這時，焦耳熱增大因集膚效應(yīng)而高頻有效電阻值增大的部分，所以以較小的電流值就能獲得與上文所述相同的效果。
關(guān)于通電的功率和時間，實施例中取為5～300秒左右。通電使長(功率小)，則襯底周邊的溫度升高，因而產(chǎn)生冷卻速度慢和熱膨脹的弊病。通電時間短(功率大)，則產(chǎn)生導電封裝材料填充不充分引起的斷線和玻璃熱應(yīng)力造成的襯底斷裂。因此，通電的功率和時間(包括時間性的功率變化)需要對每一對象設(shè)定最佳條件。
關(guān)于封裝時襯底溫度與封裝構(gòu)件熔點的溫度差，實施例中取為20℃～150℃。溫度差大時，能縮短冷卻時間，但玻璃熱應(yīng)力變大，也需要每一對象設(shè)定最佳條件。
實施形態(tài)3中，如圖10所示，結(jié)構(gòu)上也可做成利用封裝材料的通電加熱，封閉正面襯底11與側(cè)壁13之間和背面襯底12與側(cè)壁13之間的2個部位的封裝部。這時，與實施形態(tài)3相同，由封裝部20封閉側(cè)壁13與正面襯底11的周緣部。側(cè)壁13與背面襯底12的周緣部之間也介入封裝部20。側(cè)壁13與背面襯底12的周緣部之間設(shè)置的封裝部20為側(cè)壁13下表面上設(shè)置的封裝材料21b、圖15B所示的導電構(gòu)件22和背面襯底12的周緣部上設(shè)置的封裝材料21a。而且，導電構(gòu)件22的2個對角22c、22d連接電源27。后面，與實施形態(tài)3相同，提高從電源25對導電構(gòu)件22通電，進行加熱，封裝正面襯底11、側(cè)壁13、背面襯底12。
如圖18所示，結(jié)構(gòu)上還可做成用具有導電性的材料形成側(cè)壁24，在側(cè)壁24與正面襯底11的周緣部之間設(shè)置封裝材料21a，在側(cè)壁24與背面襯底12的周緣部之間設(shè)置封裝材料21b，并且側(cè)壁24本身通電。這時，作為通電構(gòu)件，不必設(shè)置獨立的導電構(gòu)件22，能簡化制造工序，同時可減少構(gòu)件數(shù)量，降低制造成本。
又可在接觸封裝材料21a、21b的導電構(gòu)件22的表面形成凹凸。這時，熔化封裝材料21時，能抑制封裝對象之間的機械滑動，即抑制導電構(gòu)件22與正面襯底11之間、黨和國家22與背面襯底12之間和導電構(gòu)件22與側(cè)壁13之間的機械滑動，使正面襯底11與背面襯底12的位置偏移得到抑制。
下面說明應(yīng)用實施形態(tài)3的多個實例。
實例1說明將正面襯底11和背面襯底12用于36英寸規(guī)模的電視機用的FED顯示器件的實例。主要的組成與上述實施形態(tài)中說明的相同。
正面襯底11和背面襯底12均由2.8mm的玻璃材料構(gòu)成，側(cè)壁13由1.1mm的玻璃材料構(gòu)成。正面襯底11的周緣部設(shè)置的封裝材料21a和背面襯底12的側(cè)壁13上設(shè)置的封裝構(gòu)件21b為在約160℃熔化的In，形成寬3～5mm、單面厚0.1～0.3mm。
如圖15A所示，導電構(gòu)件22利用鎳合金形成寬1mm、厚0.1mm的框板狀。導電構(gòu)件22的電極部22a、22b設(shè)置在與對置的背面襯底12的X布線和Y布線的干涉小的對角部的2個對稱處。為了確保通電時電流量足夠，導電構(gòu)件22具有0.1mm2以上的截面積。而且，電極部22a、22b之間的電阻在室溫狀態(tài)為0.05～0.5Ω。
然后，將這些正面襯底11和背面襯底12與導電構(gòu)件22一起配置在真空槽內(nèi)，在真空槽內(nèi)進行脫氣處理和吸氣膜形成后，即成為將導電構(gòu)件22夾在正面襯底11的周緣部與背面襯底12上豎立的側(cè)壁13之間的狀態(tài)后，裝入加壓裝置23a、23b。即，在約100℃的溫度下將正面襯底11、背面襯底12和導電構(gòu)件22配置在規(guī)定的位置，由加壓裝置23a、23b用約50kg的載重使其疊合。進而，將電源25連接到導電構(gòu)件22的電極部22a、22b。
此狀態(tài)下，通過高電源25對電極部22a、22b施加40秒鐘的直流130A電流，加熱導電構(gòu)件22，使封裝構(gòu)件21a、21b整圈均勻且充分熔化。停止通電后，將正面襯底11和背面襯底12保持30秒，使因通電加熱而溫度升高的封裝構(gòu)件21a、21b的熱散發(fā)到正面襯底11和側(cè)壁13，讓封裝構(gòu)件21a、21b冷卻并固化。
這樣制作真空管殼時，以往30分鐘左右的封裝時間大幅度縮短為1分鐘左右，還能使封裝時的裝置簡單。
實例2實例2的主要組成與實例1相同。
實例2在上述的封裝工序中，對導電構(gòu)件22的電極部22a、22b施加60秒鐘按60Hz商用頻率變動的、有效電流值120A的正弦波交流電流后，保持1分鐘，從而形成真空管殼。
實例3實例3的主要組成與實施例1相同。
實例3在封裝工序中，對導電構(gòu)件22的電極部22a、22b施加30秒鐘按高于商用頻率的頻率(例如300kHz)變動的、有效電流值4A的正弦波交流電流后，保持1分鐘，從而形成真空管殼。
實例4實例4的主要組成與實施例1相同。
實例4中，如圖17所示，背面襯底12與側(cè)壁13的接合和上述正面襯底11與側(cè)壁13的接合一起，都用上述導電構(gòu)件在真空槽內(nèi)進行。這時，正面襯底11的周緣部與側(cè)壁13對置的接合部設(shè)置矩形框狀的封裝材料21a、圖15A所示的導電構(gòu)件22和矩形框狀的封裝材料21b。背面襯底12的周緣部與側(cè)壁13對置的接合部設(shè)置矩形框狀的封裝材料21a、圖15B所示的導電構(gòu)件22和矩形框狀的封裝材料21b。
然后，使正面襯底11、背面襯底12和側(cè)壁13在上述的規(guī)定位置疊合，并且通過電源25對電極部22a、22b通電(100A)150秒鐘，同時通過電源27對電極22c、22d通電(100A)150秒鐘。其后，保持約2分鐘，使封裝構(gòu)件21a、21b冷卻并固化，從而封閉正面襯底11、背面襯底12和側(cè)壁13。
實例5實例5的主要組成與實施例1相同。
實例5中，如圖18所示，不用上述導電構(gòu)件22，而通過導電性的側(cè)壁24接合正面襯底1和背面襯底2，并且側(cè)壁24本身通電，封裝正面襯底11和背面襯底12。這時，作為側(cè)壁24，采用寬2mm、高1.1mm的矩形框狀的SUS304，并且通電200A(30秒鐘)，接著又通電140A(10秒鐘)后，將正面襯底11和背面襯底12保持約2分鐘，使封裝材料21a、21b冷卻并固化。
下面說明本發(fā)明實施形態(tài)4的FED、其制造方法和制造裝置。
如圖19至圖21所示，此FED具有分別由矩形玻璃構(gòu)成的正面襯底11和背面襯底12，這些襯底隔開1.6mm的間隙相對配置。背面襯底的尺寸略大于正面襯底，其外周部形成引出線(圖中未示出)，用于輸入后文說明的視頻信號。正面襯底11和背面襯底12通過大致矩形板框狀的側(cè)壁13接合其周緣部，構(gòu)成內(nèi)部維持真空狀態(tài)的扁平矩形狀的真空管殼10。
作為側(cè)壁13，采用熔點高于后文說明的封裝材料而且具有導電性的高熔點導電構(gòu)件，例如采用鐵鎳合金。此外，作為具有導電性的高熔點導電構(gòu)件，可用含有Fe、Cr、Ni、Al中的至少一種的材料。如圖19、圖20和圖22所示，側(cè)壁13具有沿對角軸方向從各邊角部伸出的伸出部13a、13b、13c、13d。例如利用In或含In的合金作為封裝材料34，將側(cè)壁13封裝到背面襯底12和正面襯底11。
在封裝的狀態(tài)下，側(cè)壁13的各伸出部13a、13b、13c、13d分別往更遠于正面襯底11的外側(cè)伸出，并延伸到背面襯底12的邊角附近。后文將說明，在FED制造工序中，伸出部13a、13b、13c、13d可作為對側(cè)壁13加電壓用的連接端子起作用，同時還可作為側(cè)壁定位時的夾持部起作用。
如圖20和圖21所示，為了支承加在正面襯底11和背面襯底12上的大氣壓負載，真空管殼10的內(nèi)部設(shè)置多個板狀隔板14。這些隔板14配置在與真空管殼10的長邊平行的方向，同時沿與短邊平行的方向隔開規(guī)定距離配置。隔板14的形狀無特別限定，例如可用柱狀的隔板等。
正面襯底11的內(nèi)表面形成圖23所示的熒光體屏15。此熒光體屏15排列紅、綠、藍的條帶狀熒光體層和位于這些熒光體層之間作為非發(fā)光部的條帶狀黑色光吸收層17而構(gòu)成。熒光體層在與真空管殼的短邊平行的方向延伸，同時沿與長邊平行的方向隔開規(guī)定的間隔配置。此熒光體屏15上蒸鍍例如鋁層組成的金屬背墊層19。
背面襯底12的內(nèi)表面上設(shè)置多個分別發(fā)射電子束的電子發(fā)射元件18，作為激勵熒光體屏15的熒光體層的電子發(fā)射源。這些電子發(fā)射元件18對應(yīng)于各像素，排列成多行和多列。詳細而言，背面襯底12的內(nèi)表面上形成導電性陽極層36，該導電性陽極層上又形成具有多個凹處37的二氧化硅膜38。二氧化硅膜38上形成鉬和鈮等組成的柵極41。然后，背面襯底12的內(nèi)表面上，在各凹處37內(nèi)設(shè)置鉬等組成的錐狀電子發(fā)射元件18。
上述那樣構(gòu)成的FED中，在簡單矩陣方式形成電子發(fā)射元件18和柵極41輸入視頻信號。以電子發(fā)射元件18為基準時，亮度最高的狀態(tài)下，施加+100V的柵極電壓。又對熒光體屏15時間+10kV的電壓。由此，電子發(fā)射元件18發(fā)射電子束。利用柵極41的電壓調(diào)制電子發(fā)射元件18發(fā)射的電子束的大小，此電子束激勵熒光體屏15的熒光體層，使其發(fā)光，從而顯示圖像。
下面詳細說明上述那樣構(gòu)成的FED的制造方法。
首先，在背面襯底用的板玻璃上形成電子發(fā)射元件。這時，在板玻璃上形成矩陣狀的導電性陽極層36，又在此導電性陽極層上利用熱氧化法、CVD法或濺射法形成二氧化硅膜的絕緣膜38。
然后，在該絕緣膜38上利用濺射法或電子束蒸鍍法形成用于形成鉬和鈮等的柵極的金屬膜。接著，在此金屬膜上利用光刻制版形成形狀對應(yīng)于應(yīng)形成的柵極的抗蝕層圖案。將此抗蝕層圖案作為掩模，利用濕蝕刻法或干蝕刻法蝕刻金屬膜，形成柵極41。
接著，將抗蝕層圖案和柵極41作為掩模，利用濕蝕刻法或干蝕刻法時刻絕緣膜38，形成凹處37。然后，去除抗蝕層圖案后，從對背面襯底12傾斜規(guī)定角度的方向矩形電子束蒸鍍，從而在柵極41上形成例如鋁或鎳組成的剝離層。接著，利用電子束蒸鍍法將例如鉬作為形成陽極用的材料，從對背面襯底12的表面垂直的方向進行蒸鍍。由此，在各凹部37的內(nèi)部形成電子發(fā)射元件18。接著，利用提升法去除剝離層及其上形成的金屬膜。
接著，用低熔點玻璃將板狀支承構(gòu)件14封裝在背面襯底12上。
另一方面，在成為正面襯底11的板玻璃上形成熒光體屏15。此工序準備尺寸與正面襯底11相同的板玻璃，用制圖機在該玻璃上形成熒光體層的條狀圖案。將形成該熒光體條狀圖案的板玻璃和正面襯底用的板玻璃裝到定位夾具，放入曝光臺，進行曝光、顯像，以形成熒光體屏15。接，形成鋁膜組成的金屬墊背層19，疊置在熒光體屏15上。
上述那樣封裝支承構(gòu)件14的背面襯底12、形成熒光體屏15的正面襯底11和側(cè)壁13的封裝面涂覆銦，作為封裝材料。這里，例如在背面襯底12和正面襯底11的周緣部內(nèi)表面涂覆銦。然后，將它們以隔開規(guī)定間隙相對配置的狀態(tài)封入真空處理裝置100內(nèi)。上述一系列工序中，例如使用圖24所示的真空處理裝置100。
此真空處理裝置100具有依次排列設(shè)置的加載室101、烘焙與電子線洗凈室102、冷卻室103、吸氣膜蒸鍍室104、組裝室105、冷卻室106和卸載室107。這些室分別做成可進行真空處理的室，制造FED時各室都作真空排氣。斜率的處理室用閘門閥連接。
上述的背面襯底12、側(cè)壁13、正面襯底11放入加載室101，使該室內(nèi)為真空氛圍后，送到烘焙與電子線洗凈室102。在該室102中，將上述組裝體和正面襯底加熱到350℃的溫度，使各構(gòu)件排出表面吸附的氣體。
在加熱的同時，烘焙與電子線洗凈室102中安裝的電子線發(fā)生裝置(圖中未示出)對正面襯底11的熒光體屏表面和背面襯底12的電子發(fā)射元件表面照射電子線。此電子線借助裝在電子線發(fā)生裝置外部的偏轉(zhuǎn)裝置進行偏轉(zhuǎn)掃描，因而能用電子線洗凈整個熒光體屏表面和電子發(fā)射元件表面。
加熱、電子線洗凈后，將上述組裝體和正面襯底送到冷卻室103，例如冷卻到100℃的溫度。接著，將上述組裝體和正面襯底11送到形成吸氣膜用的蒸鍍室104，該室中在熒光體屏的外側(cè)蒸鍍并形成Ba膜，作為吸氣膜。此Ba膜能防止表面被氧、碳等污染，因而可維持活性狀態(tài)。
接著，將背面襯底12、側(cè)壁13和正面襯底11送到組裝室105。該組裝室105中，將這些構(gòu)件加熱到例如約130℃的溫度，并且在規(guī)定的位置疊合兩塊襯底。這時，通過夾持側(cè)壁13上設(shè)置的伸出部13a、13b、13c、13d，保持側(cè)壁，使背面襯底12、保存13和正面襯底11相互定位。又例如，預先在背面襯底12設(shè)置與側(cè)壁13的伸出部1 3a、13b、13c、13d對應(yīng)的標記，可一面監(jiān)視這些伸出部和標記，一面使側(cè)壁13與背面襯底高精度對位。由于伸出部13a、13b、13c、13d從側(cè)壁13伸出到外側(cè)，即使在組裝室105內(nèi)，也能利用這些伸出部方便地夾持側(cè)壁13，進行輸送、定位。
接著，使作為高熔點導電構(gòu)件的側(cè)壁13的伸出部13a、13b、13c、13d中相對的2個伸出部(例如伸出部13a、13c)接觸電極，對側(cè)壁13通直流電流300A達40秒鐘。于是，該電流也同時流到銦，使側(cè)壁13和銦發(fā)熱。由此，使銦加熱到160～200℃左右而熔化。這時，從兩側(cè)對疊合的正面襯底11和背面襯底12施加約50kgf的壓力。
然后，停止對側(cè)壁13通電，使封裝區(qū)(即側(cè)壁13和封裝材料34)的熱快速擴散傳導到坐標沒吃大11和背面襯底12，讓銦固化。由此，通過側(cè)壁13和封裝材料34封閉正面襯底11和背面襯底12，形成真空管殼10。通電停止后約60秒鐘，從組裝室105取出封裝的真空管殼10。然后，將這樣小型廠的真空管殼10在冷卻室106中冷卻到常溫后，從卸載室107取出。
根據(jù)以上那樣組成的實施形態(tài)4的FED及其制造方法，通過在真空氛圍中進行背面襯底12、側(cè)壁13和正面襯底11的封裝，能兼用烘焙和電子線洗凈，使表面吸附的氣體充分釋放，吸氣膜也不被氧化，可維持足夠的其它吸收效應(yīng)。又通過側(cè)壁13采用鐵鎳合金之類的高熔點導電構(gòu)件，同時還設(shè)置可夾持的伸出部13a、13b、13c、13d，即使在真空裝置內(nèi)也可方便地夾持并輸送側(cè)壁13，以邊角部為基準，使側(cè)壁13高精度對位，而且能用短時間封裝。
又由于對高熔點導電構(gòu)件通電，可防止銦熔化時其截面積不均勻度變大而斷線，或局部發(fā)熱造成玻璃斷裂。因此，能方便且可靠地進行真空管殼的封裝。又由于利用銦封裝背面襯底12、走麥城大11、側(cè)壁13，可成為無鉛的圖像顯示裝置。
再者，構(gòu)成側(cè)壁的高熔點導電構(gòu)件的伸出部不限于上述實施形態(tài)。即，伸出部也可相互隔開地設(shè)置4個以上，而且不限于在側(cè)壁的邊角部，可設(shè)置在任意位置。如圖25所示，根據(jù)實施形態(tài)4的變換例的FED，作為高熔點導電構(gòu)件的側(cè)壁13，形成矩形框狀，并且具有從各邊的中央部往外方伸出的伸出部13a、13b、13c、13d。這種情況下，使相對的伸出部13a、13b接觸電極，進行直流通電，也能與上述實施形態(tài)4一樣封裝管殼。其它組成與實施形態(tài)1相同。
上述實施形態(tài)4中，結(jié)構(gòu)上做成側(cè)壁13的各伸出部延伸到背面襯底12的邊角部附近，但根據(jù)圖26所示的變換例的FED，側(cè)壁13的伸出部13a、13b、13c、13d跨越背面襯底12的周緣，以上到背面襯底的外側(cè)。其它的組成與實施形態(tài)4相同，相同的部分標注相同的參考號，省略其詳細說明。上述結(jié)構(gòu)的FED也用與上述實施形態(tài)4相同的方法制造。
根據(jù)圖26的變換例，能得到與實施形態(tài)4相同的作用效果。同時，由于側(cè)壁的各伸出部伸出到背面襯底的外側(cè)，制造工序中可更方便地進行側(cè)壁的夾持和定位。
對高熔點導電構(gòu)件通電的電流不限于直流，也可用商用頻率或高于商用頻率的高頻交流電流。
下面說明實施形態(tài)5的FED、其制造方法和制造裝置。
如圖27和圖28所示，此FED具有分別由矩形玻璃構(gòu)成的正面襯底11和背面襯底12，這些襯底隔開1.6mm的間隙相對配置。背面襯底的尺寸略大于正面襯底，其外周部形成引出線(圖中未示出)，用于輸入后文說明的視頻信號。正面襯底11和背面襯底12通過大致矩形板框狀的封裝部20接合其周緣部，構(gòu)成內(nèi)部維持真空狀態(tài)的扁平矩形狀的真空管殼10。
封裝部20包含具有導電性的矩形框狀的高熔點導電構(gòu)件42以及第1和第2封裝材料34a、34b。高熔點導電構(gòu)件42通過第1封裝材料34a接合正面襯底11的周邊部，又通過第2封裝材料34b接合背面襯底12的周邊部。
高熔點導電構(gòu)件42具有高于第1和第2封裝材料34a、34b的熔點或軟化點(即適合封裝的溫度)，例如具有鐵鎳合金。此外，作為具有導電性的高熔點導電構(gòu)件，還可用含有Fe、Cr、Ni、Al中的至少一種的材料。作為第1封裝材料34a，采用熔點或軟化點低于第2封裝材料34b的材料。這里，作為第1封裝材料，例如采用銦或含銦的合金。作為第2封裝材料34b，采用具有絕緣性的玻璃料。
例如，高熔點導電構(gòu)件42的熔點或軟化點為500℃，第2封裝材料的熔點或軟化點為300℃以上，第1封裝材料的熔點或軟化點為不到300℃。
其它組成與上述實施形態(tài)4相同，相同短邊方標注相同的參考號，省略其詳細說明。
上述那樣構(gòu)成的FED中，在簡單矩陣方式形成電子發(fā)射元件18和柵極41輸入視頻信號。以電子發(fā)射元件18為基準時，亮度最高的狀態(tài)下，施加+100V的柵極電壓。又對熒光體屏15時間+10kV的電壓。由此，電子發(fā)射元件18發(fā)射電子束。利用柵極41的電壓調(diào)制電子發(fā)射元件18發(fā)射的電子束的大小，此電子束激勵熒光體屏15的熒光體層，使其發(fā)光，從而顯示圖像。
下面詳細說明上述那樣組成的實施形態(tài)5的FED的制造方法。
首先，在背面襯底用的板玻璃上形成電子發(fā)射元件18和各種布線。接著，在大氣中，利用玻璃料作為低熔點玻璃，將板狀支承構(gòu)件14封裝在背面襯底12上。同時，利用具有絕緣性的玻璃料作為第2封裝材料34b，將高熔點導電構(gòu)件42接合在背面襯底12的周邊部。這時，將高熔點導電構(gòu)件42加熱到2封裝材料34b的熔點或軟化點，但由于熔點和軟化點比第2封裝材料34b的高，不變形。為了確保背面襯底12上形成的布線與高熔點導電構(gòu)件42之間的絕緣性，最好第2封裝材料34b形成100μm以上的厚度。
此加熱通常采取從周圍使整個背面襯底12變熱的方法，但也可對高熔點導電構(gòu)件42通電，僅局部加熱封裝區(qū)。
另一方面，在成為正面襯底11的板玻璃上形成熒光體屏15。此工序準備尺寸與正面襯底11相同的板玻璃，用制圖機在該玻璃上形成熒光體層的條狀圖案。將形成該熒光體條狀圖案的板玻璃和正面襯底用的板玻璃裝到定位夾具，放入曝光臺，進行曝光、顯像，以形成熒光體屏15。接，形成鋁膜組成的金屬墊背層19，疊置在熒光體屏15上。
在上述那樣封支承構(gòu)件14和高熔點導電構(gòu)件42的背面襯底12和形成熒光體屏15的正面襯底11的封裝面涂覆銦，作為第1封裝材料34b。這里，例如在高熔點導電構(gòu)件42和正面襯底11的周邊部內(nèi)表面涂覆銦。然后，在隔開規(guī)定的間隙相對配置的狀態(tài)下，將它們送入真空處理裝置100。
上述的背面襯底12和正面襯底11放入加載室101，使該室內(nèi)為真空氛圍后，送到烘焙與電子線洗凈室102。在該室102中，將上述背面襯底12和正面襯底11加熱到350℃的溫度，使各構(gòu)件排出表面吸附的氣體。
在加熱的同時，烘焙與電子線洗凈室102中安裝的電子線發(fā)生裝置(圖中未示出)對正面襯底11的熒光體屏表面和背面襯底12的電子發(fā)射元件表面照射電子線。此電子線借助裝在電子線發(fā)生裝置外部的偏轉(zhuǎn)裝置進行偏轉(zhuǎn)掃描，因而能用電子線洗凈整個熒光體屏表面和電子發(fā)射元件表面。
加熱、電子線洗凈后，將上述背面襯底12和正面襯底11送到冷卻室103，例如冷卻到100℃的溫度。接著，將上述背面襯底12和正面襯底11送到形成吸氣膜用的蒸鍍室104，該室中在熒光體屏的外側(cè)蒸鍍并形成Ba膜，作為吸氣膜。
接著，將背面襯底12、側(cè)壁13和正面襯底11送到組裝室105。該組裝室105中，使這些構(gòu)件的溫度例如為約130℃，并且在規(guī)定的位置疊合兩塊襯底。然后，使電極接觸高熔點導電構(gòu)件42，流通300A直流電流40秒鐘。于是，銦也同時流通電流，使高熔點導電構(gòu)件42和銦發(fā)熱。由此，將銦加熱到160℃～200℃，使其熔化或軟化。這時，從兩側(cè)對疊合的正面襯底11和背面襯底12施加約50kgf的壓力。
這時的加熱因為低于第2封裝材料34b的熔點或軟化點，接合高熔點導電構(gòu)件42的第2封裝材料34b不變形。然后，在第1封裝材料34a然后或軟化時，停止通電，使高熔點導電構(gòu)件42和銦的熱快速擴散傳導到周圍的正面襯底11和背面襯底12，使銦固化。由此，高熔點導電構(gòu)件42通過第1封裝材料和第2封裝材料32、34封閉正面襯底11和背面襯底12，形成真空隔開10。通電停止后60秒鐘，從組裝室105取出真空隔開10。然后，使這樣形成的真空隔開10在冷卻室106冷卻到常溫后，從卸載室107取出。
這里，如果高熔點導電構(gòu)件42的截面積太小，就往往得不到足夠的加熱速度或高熔點導電構(gòu)件本身斷線。因此，高熔點導電構(gòu)件的截面積最好至少為0.1mm2以上。但是，該截面積太大，也使加熱需要的電流增大。
最好高熔點導電構(gòu)件42、第1和第2封裝材料32、34具有基本上與背面襯底和正面襯底相同的熱膨脹系數(shù)。但是，高熔點導電構(gòu)件由于對襯底局部加熱，考慮到殘留應(yīng)力，最好選定略為偏低的熱膨脹系數(shù)。因此，高熔點導電構(gòu)件42的熱膨脹系數(shù)設(shè)定為低于正面襯底11和背面襯底12各自的熱膨脹系數(shù)的±20％數(shù)值范圍的最大值的值。
實例1形成用于36英寸規(guī)模的電視機用的FED顯示器件的真空管殼10。正面襯底11和背面襯底12都用厚2.8mm的玻璃料構(gòu)成，兼作側(cè)壁的高熔點導電構(gòu)件42用寬2mm、高1.5mm的Ni-Fe合金構(gòu)成。然后，高熔點導電構(gòu)件42通過作為第2封裝材料且厚度為0.2mm的玻璃料接合背面襯底12，通過作為第1封裝材料且厚度為0.3mm的銦接合正面襯底11。
玻璃料和Ni-Fe合金的線熱膨脹系數(shù)相對于襯底玻璃材料的熱膨脹系數(shù)，分別為97％、95％。
用以下的方法制造此真空管殼。
首先，將玻璃料填充到背面襯底12或高熔點導電構(gòu)件42，進行工藝性燒固。然后，使該背面襯底2和高熔點導電構(gòu)件42在規(guī)定的位置疊合，并且在大氣中用400℃加熱，使其接合。這時，為了確保背面襯底12上的引出線和高熔點導電構(gòu)件42的絕緣，玻璃料層的厚度取為0.2mm。
接著，將銦分別填充到正面襯底11和高熔點導電構(gòu)件42的封裝面。然后，將接合高熔點導電構(gòu)件42的背面襯底12和正面襯底11放入真空槽內(nèi)，進行加熱脫氣后，在正面襯底11上形成吸氣膜，并且在規(guī)定的位置上兩者疊合。然后，對高熔點導電構(gòu)件42和銦流通300A的直流電流40秒鐘，將銦加熱到160℃～180℃，使其熔化。
這時，對疊合的正面襯底11和背面襯底12施加50kgf的壓力。由此，使正面襯底11與背面襯底12的間隔為支承構(gòu)件14的高度，即2mm。結(jié)果，銦層的厚度為2mm。然后，停止通電，使封裝部的熱快速擴散傳導到正面襯底和背面襯底，讓銦固化，并且在通電停止后約60秒鐘，將封裝的管殼取出。
根據(jù)這樣的實例1，可進行通電加熱封裝，不會造成銦斷線、氣密性差、側(cè)壁位置偏移、引出線短路，得以謀求提高批量生產(chǎn)率。此實施例中，第1封裝材料采用銦，第2封裝材料采用玻璃料，但這些材料只要其關(guān)系為第1封裝材料的熔點或軟化點低于第2封裝材料的熔點或軟化點，也可以是其它材料。通電的電流不限于直流，也可用商用頻率或高頻的交流電流。
實例2如圖29所示，本實施例中，分別正面襯底11和背面襯底12的周邊部的封裝部20結(jié)構(gòu)上做成包含用玻璃形成的矩形框狀的側(cè)壁13。
即，利用玻璃料44使側(cè)壁13與背面襯底12的祖國報把接合，并且通過玻璃料34b將框狀的高熔點導電構(gòu)件42接合在側(cè)壁13上。然后，高熔點導電構(gòu)件42通過銦34b接合正面襯底11的周邊部。
由于包含側(cè)壁13，高熔點導電構(gòu)件42取為寬2mm、高0.2mm。因此，高熔點導電構(gòu)件42的截面積為0.4mm2，比實例1的小，能使通電加熱所需的電流從300A減小到80A，可簡化對付通電裝置發(fā)熱的措施。
根據(jù)以上那樣構(gòu)成的FED及其制造方法，可分成2次進行對背面襯底和正面襯底的高熔點導電構(gòu)件的封裝，同時能做成使最終封裝在批量生產(chǎn)率方面優(yōu)良的通電加熱封裝。此外，預先用第2封裝材料在一襯底上封裝高熔點導電構(gòu)件后，利用通電加熱封裝，通過第1封裝材料封裝到另一襯底，從而能維持封裝部的厚度均勻，可獲得氣密性高的封裝部。同時，還可在所希望的位置正確封裝成為側(cè)壁的高熔點導電構(gòu)件。
再者，由于第2封裝材料為絕緣性材料，還能確保背面襯底上的引出線和高熔點導電構(gòu)件的電絕緣性。因此，能得到的FED及其制造方法可在真空氛圍中方便且可靠地進行封裝，不產(chǎn)生氣密性差和與引出線絕緣的問題等。
上述實施形態(tài)5中，預先在高熔點導電構(gòu)件和正面襯底雙方填充第1封裝材料，但第1封裝材料的填充也可在其中的任一方。又可在第1封裝材料與襯底之間等處進行適當?shù)幕滋幚?。還可做成將高熔點導電構(gòu)件通過第1封裝材料接合在背面襯底上，又通過第2封裝材料接合在正面襯底上。
下面說明本發(fā)明實施形態(tài)6的FED、其制造方法和制造裝置。
如圖30和圖31所示，此FED具有分別由矩形玻璃構(gòu)成的正面襯底11和背面襯底12，作為絕緣性襯底，其厚度分別為2.8mm。這些襯底隔開例如2.0mm的間隙相對配置。背面襯底12的尺寸略大于正面襯底11，其外周部形成引出線(圖中未示出)，用于輸入后文說明的視頻信號。正面襯底11和背面襯底12通過大致矩形板框狀的封裝部20接合其周緣部，構(gòu)成內(nèi)部維持真空狀態(tài)的扁平矩形狀的真空管殼10。
封裝部20包含具有導電性的矩形框狀的高熔點導電構(gòu)件42以及第1和第2封裝材料34a、34b。也作為側(cè)壁起作用的高熔點導電構(gòu)件42通過第1封裝材料34a接合正面襯底11的周邊部，又通過第2封裝材料34b接合背面襯底12的周邊部。
高熔點導電構(gòu)件42具有高于第1和第2封裝材料34a、34b的熔點或軟化點(即適合封裝的溫度)，例如采用鐵鎳合金。此外，作為具有導電性的高熔點導電構(gòu)件，還可用含有Fe、Cr、Ni、Al中的至少一種的材料。作為第1和第2封裝材料，例如采用銦或含銦的合金。最好高熔點導電構(gòu)件42的熔點或軟化點為500℃以上，第1和第2封裝材料34a、34b的熔點或軟化點為不到300℃。
高熔點導電構(gòu)件42、第1和第2封裝材料34a、34b最好具有相對于正面襯底和背面襯底的熱膨脹系數(shù)，在±20％數(shù)值范圍為最大值與最小值之間的熱膨脹系數(shù)。
高熔點導電構(gòu)件42具有對正面襯底11和背面襯底12的表面垂直的方向的復原性，即彈性。本實施形態(tài)中，高熔點導電構(gòu)件42形成大致V形的截面形狀。而且，高熔點導電構(gòu)件42以在該V形的角度減小的方向略為產(chǎn)生彈性形變的狀態(tài)配置在正面襯底11與背面襯底12之間，利用該彈性，對正面襯底和背面襯底添加希望的按壓力。高熔點導電構(gòu)件42最好將其彈簧常數(shù)設(shè)定為0.1kgf/mm～1.0kgf/mm。
為了支承加在正面襯底11和背面襯底12上的大氣壓負載，真空管殼10的內(nèi)部設(shè)置多個板狀的支承構(gòu)件14。這些支承構(gòu)件14配置在與真空管殼10的短邊平行的方向，同時沿與長邊平行的方向隔開規(guī)定間隔配置。支承構(gòu)件14的形狀不限于板狀，例如可用柱狀的支承構(gòu)件等。
其它的組成與實施形態(tài)4相同，并且相同的部分采用相同的標號，省略其詳細說明。
下面詳細說明實施形態(tài)6的FED的制造方法。
首先，在背面襯底用的板玻璃上形成電子發(fā)射元件18和各種布線。接著，在大氣中，利用玻璃料作為低熔點玻璃，將板狀支承構(gòu)件14封裝在背面襯底12上。
又，在成為正面襯底11的板玻璃上形成熒光體屏15。此工序準備尺寸與正面襯底11相同的板玻璃，用制圖機在該玻璃上形成熒光體層的條狀圖案。將形成該熒光體條狀圖案的板玻璃和正面襯底用的板玻璃裝到定位夾具，放入曝光臺，進行曝光、顯像，以形成熒光體屏15。接，形成鋁膜組成的金屬墊背層19，疊置在熒光體屏15上。
接著，在成為正面襯底11的內(nèi)表面周邊部和背面襯底12的內(nèi)表面周邊部分別將銦作為第1和第2封裝材料，填充成框狀。這時，形成的銦層的厚度為約0.3mm，形成得比最終組裝后的銦層的厚度大。
另一方面，高熔點導電構(gòu)件42利用厚0.2mm的Ni-Fe合金形成矩形框狀，其截面具有1條邊的寬度為約15mm的大致V形。這里，Ni-Fe合金的線熱膨脹系數(shù)與構(gòu)成襯底的玻璃材料的熱膨脹系數(shù)大致相等。
接著，將上述那樣形成熒光體屏15的正面襯底11和固定支承構(gòu)件14的背面襯底12以隔開規(guī)定間隙相對配置而且在襯底之間配置高熔點導電構(gòu)件42的狀態(tài)，放入圖24所示的真空處理裝置100內(nèi)。
上述的背面襯底12和正面襯底11放入加載室101，使該室內(nèi)為真空氛圍后，送到烘焙與電子線洗凈室102。在該室102中，將上述背面襯底12和正面襯底11加熱到350℃的溫度，使各構(gòu)件排出表面吸附的氣體。
在加熱的同時，烘焙與電子線洗凈室102中安裝的電子線發(fā)生裝置(圖中未示出)對正面襯底11的熒光體屏表面和背面襯底12的電子發(fā)射元件表面照射電子線。此電子線借助裝在電子線發(fā)生裝置外部的偏轉(zhuǎn)裝置進行偏轉(zhuǎn)掃描，因而能用電子線洗凈整個熒光體屏表面和電子發(fā)射元件表面。
加熱、電子線洗凈后，將上述背面襯底12和正面襯底11送到冷卻室103，例如冷卻到100℃的溫度。接著，將上述背面襯底12和正面襯底11送到形成吸氣膜用的蒸鍍室104，該室中在熒光體屏的外側(cè)蒸鍍并形成Ba膜，作為吸氣膜。
接著，將背面襯底12、側(cè)壁13和正面襯底11送到組裝室105。該組裝室105中，如圖32A所示，在將這些襯底具有到例如100℃的狀態(tài)下，即維持低于第1和第2封裝材料34a、34b的熔點或軟化點的溫度的狀態(tài)下，使正面襯底11、背面襯底12和高熔點導電構(gòu)件42相對定位。這時，作為第1和第2封裝材料34a、34b的銦層處于固化狀態(tài)。
直到后文說明的通電加熱工序前為止，使正面襯底11和背面襯底12的溫度維持低于第1和第2封裝材料34a、34b的熔點或軟化點的溫度，封裝材料與熔點的溫度差最好維持在20℃～150℃的范圍內(nèi)。
對位完成后，如圖32B所示，使正面襯底11與背面襯底12疊置，將高熔點導電構(gòu)件42夾在中間，并且從兩側(cè)對正面襯底和背面襯底施加約50kgf的壓力。這時，V形的高熔點導電構(gòu)件42被固化狀態(tài)的第1和第2封裝材料34a、34b從兩側(cè)按壓，V形的角度減小，在對襯底垂直的方向產(chǎn)生彈性形變。
由此，能吸收填厚的第1和第2封裝材料34a、34b的厚度，使正面襯底和背面襯底的中央部與封裝部在襯底之間沒有間隙差。因此，即使封裝部20中，正面襯底和背面襯底也不產(chǎn)生翹曲，正面襯底11和背面襯底12的間隔在整個區(qū)域保持等于支承構(gòu)件的高度。即約2mm。
此狀態(tài)下，使電極接觸高熔點導電構(gòu)件42，流通140A直流電流40秒鐘。于是，此電流也同時流通第1和第2封裝材料34a、34b，即流通銦，使高熔點導電構(gòu)件42和銦發(fā)熱。由此，將銦加熱到約200℃，使其然后或軟化。然后，第1封裝材料34a熔化或軟化時，停止通電，使高熔點導電構(gòu)件41和銦的熱快速擴散傳導到周圍的正面襯底11和背面襯底12，讓銦固化。
如圖32C所示，通電加熱時，高熔點導電構(gòu)件42利用本身的復原性或彈性，以適當?shù)膹椓⑷刍蜍浕你熗r底內(nèi)表面?zhèn)劝磯?。由此，使各銦層在略為壓碎的狀態(tài)下固化。這時，銦層的厚度為平均0.1mm左右。
這樣，就通過高熔點導電構(gòu)件41、第1和第2封裝材料34a、34b封閉正面襯底11和背面襯底12，形成真空管殼10。通電停止后約60秒鐘，從組裝室105取出真空管殼10。然后，將這樣形成的真空管殼10在冷卻室106冷卻到常溫后，從卸載室取出。
根據(jù)以上那樣構(gòu)成的FED及其制造方法，能在真空氛圍中封裝背面襯底和正面襯底，同時能做成使封裝在批量生產(chǎn)率方面優(yōu)良的通電加熱封裝。又由于高熔點導電構(gòu)件具有對襯底垂直的方向的彈性，封裝時襯底中央部與封裝部在襯底之間沒有間隙差，可防止封裝部的襯底翹曲。因此，能高精度地對位并封裝正面襯底和背面襯底。
通電加熱時，高熔點導電構(gòu)件能用設(shè)定的彈力往襯底的方向按壓熔化或軟化的封裝材料，可抑制發(fā)生封裝材料不足造成的泄漏通路。
上述實施形態(tài)6中，作為高熔點導電構(gòu)件，采用截面為V形的構(gòu)件，但只要具有對正面襯底表面垂直的方向的彈性，取為其它形狀也可。
根據(jù)圖33A和33B所示的實施形態(tài)7的FED，作為構(gòu)成封裝部20的高熔點導電構(gòu)件42，采用Ni-Fe合金組成的厚0.12mm、直徑3mm的管狀構(gòu)件。此高熔點導電構(gòu)件42分別通過作為第1和第2封裝材料34a、34b的銦，接合正面襯底11和背面襯底12。而且，此高熔點導電構(gòu)件42具有對正面襯底11和背面襯底12的表面垂直的方向的彈性。
封裝狀態(tài)下，高熔點導電構(gòu)件42彈性形變成壓碎的狀態(tài)，施加對正面襯底11和背面襯底12的表面垂直的方向的適當彈力。其它的組成與實施形態(tài)6相同，省略其詳細說明。
上述組成的FED，用與實施形態(tài)6相同的方法制造。然后，制造條件取為與實施形態(tài)6相同的情況下，通電加熱時，通過高熔點導電構(gòu)件42中流通40A直流電流40秒鐘，使銦熔化后，冷卻40秒鐘，使銦固化，可矩形封裝。因此，能得到與實施形態(tài)6相同的效果，同時可縮短通電、冷卻的時間，謀求提高制造效率。
上述實施形態(tài)7中，如圖34a、34b所示，也可在高熔點導電構(gòu)件42的整個外周面填充銦等封裝材料。這時，僅將高熔點導電構(gòu)件42浸入銦料槽就完成銦的填充，可節(jié)省制造的工夫。同時，能用封裝材料本身直接封裝正面襯底11和背面襯底12，提高真空管殼的氣密性。
本發(fā)明不限于上述的實施形態(tài)6，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可作各種變換。例如，上述實施形態(tài)在襯底方填充作為封裝材料的銦，但也可將其填充到高熔點導電構(gòu)件方。對高熔點導電構(gòu)件通電的電流也不限于直流，可用商用頻率或高頻的交流電流。
上述實施形態(tài)中，結(jié)構(gòu)上做成組裝時在真空槽內(nèi)將高熔點導電構(gòu)件配置在規(guī)定的位置，但也可做成預先在大氣中用銦等封裝材料接合正面襯底或背面襯底。
下面說明不服那實施形態(tài)8的FED的制造方法和制造裝置。
首先，說明用本制造方法和制造裝置制造的FED的組成。如圖35所示，F(xiàn)ED具有分別由矩形玻璃組成的正面襯底11和背面襯底12，這些襯底隔開1～2mm的間隙相對配置。對角尺寸為10英寸，背面襯底12的尺寸大于正面襯底11的尺寸，其外周部引出輸入后文說明的視頻信號用的布線。
正面襯底11和背面襯底12通過矩形框狀的側(cè)壁13接合其周緣部，構(gòu)成內(nèi)部維持真空狀態(tài)的扁平矩形真空管殼10。背面襯底12與側(cè)壁13利用玻璃料40接合，正面襯底11與側(cè)壁13利用作為具有導電性的封裝材料的銦21a、21b接合。
為了支承加在正面襯底11和背面襯底12上的大氣壓負載，真空管殼10的內(nèi)部設(shè)置多個板狀的支承構(gòu)件14。這些支承構(gòu)件14在與真空管殼10的短邊平行的方向延伸，同時延與長邊平行的方向隔開規(guī)定的間隔配置。支承構(gòu)件14不限于板狀，也可用柱狀的構(gòu)件。
其它的組成與上述實施形態(tài)4相同，并且相同的部分標注相同的參考號，省略其詳細說明。
下面說明具有上述組成的FED的制造方法。
首先，在成為正面襯底11的板玻璃上形成熒光體屏15。此工序準備尺寸與正面襯底11相同的板玻璃，用制圖機在該玻璃上形成熒光體層的條狀圖案。將形成該熒光體條狀圖案的板玻璃和正面襯底用的板玻璃裝到定位夾具，放入曝光臺，進行曝光、顯像，以形成熒光體屏15。接，形成鋁膜組成的金屬墊背層19，疊置在熒光體屏15上。
接著，利用與上述實施形態(tài)相同的工序，在背面襯底12用的板玻璃上形成電子發(fā)射元件18。然后，在大氣中，利用玻璃料40在背面襯底12的內(nèi)表面封裝側(cè)壁13和支承構(gòu)件14。
接著，如圖36A、36B所示，在整個側(cè)壁13的接合面將銦21b涂覆成規(guī)定的寬度和厚度，同時在與正面襯底11的側(cè)壁對置的位置就銦21a按規(guī)定的寬度和厚度涂覆成矩形框狀。然后，如圖37所示，將這些背面襯底12和正面襯底11以隔開規(guī)定間隔相對配置的狀態(tài)放入真空裝置內(nèi)。
如上文所述，利用在封裝部涂覆熔化的銦的方法、在封裝部安放固體狀態(tài)的銦的方法，對側(cè)壁13和正面襯底11配置銦21a、21b。
這一系列的工序采用例如圖38所示的真空處理裝置100。與上述的實施形態(tài)相同，真空處理裝置100具有并排設(shè)置的加載室101、烘焙與電子線洗凈室102、冷卻室103、吸氣膜蒸鍍室104、組裝室105、冷卻室106和卸載室107。組裝室105連接通電用的直流電源120和控制該電源的計算機122。計算機122作為本發(fā)明的控制部和判斷部起作用。真空處理裝置100的各室構(gòu)成可作真空處理的處理室，在制造FED時對所有的室進行真空排氣。這些處理室利用圖中未示出的閘門閥連接。
隔開規(guī)定間隔的上述正面襯底11和背面襯底12首先放入加載室101，使該室內(nèi)為真空氛圍后，送到烘焙與電子線洗凈室102。
在烘焙與電子線洗凈室102中，將各種構(gòu)件加熱到300℃的溫度，使各構(gòu)件排出表面吸附的氣體。在烘焙的同時，烘焙與電子線洗凈室102中安裝的電子線發(fā)生裝置(圖中未示出)對正面襯底11的熒光體屏表面和背面襯底12的電子發(fā)射元件表面照射電子線。這時，此電子線借助裝在電子線發(fā)生裝置外部的偏轉(zhuǎn)裝置進行偏轉(zhuǎn)掃描，因而能用電子線分別洗凈整個熒光體屏表面和電子發(fā)射元件表面。
然后，把該預先過加熱、電子線洗凈正面襯底11和背面襯底12送到冷卻室103，冷卻到約120℃的溫度后，吸氣膜蒸鍍室104。該室中在熒光體層的外側(cè)蒸鍍并形成Ba膜，作為吸氣膜。此Ba膜能防止表面被氧、碳等污染，因而可維持活性狀態(tài)。
接著，將背面襯底12和正面襯底11送到組裝室105。該組裝室105中，將正面襯底11和背面襯底12的溫度仍然維持約120℃，并且使通電用的電極接觸各襯底的銦21a、21b。這時，如圖39所示，使饋電端子30a、30b接觸正面襯底11上形成的銦21a內(nèi)在對角方向相對的2個角部。又使饋電端子32a、32b接觸背面襯底12方的側(cè)壁13上形成的銦21b內(nèi)在對角方向相對的2個角部。饋電端子30a、30b和饋電端子32a、32b最好配置在錯開的角部，不相互重疊。
設(shè)置饋電端子30a、30b、32a、32b連接電源120后，分別對正面襯底11方的銦21a和背面襯底12方的銦21b通電，使銦熔化。這時，首先從電源120以恒流方式使銦21負載70A直流電流1秒鐘。這里，恒流方式是指以預定的恒定電流值進行通電的方式。在該1秒鐘的通電期間，從電源120反饋電壓值，并且將其輸入計算機122。即，該1秒鐘的恒流方式是用于檢測來自接觸電阻和銦21的配置偏差的總電阻的處理過程。由此，能瞬時檢測出接觸端子和銦的配置偏差等，個別最佳設(shè)定下一恒壓方式中的電壓值。
通電1秒鐘后，從計算機122對電源120輸出測量的電壓值，并轉(zhuǎn)移到恒壓方式。恒壓方式是指按預定的恒定電壓值進行通電的方式。然后，利用通電，使銦21a、21b的溫度升高，因而銦的電流值從70A漸漸下降。
這里，銦21a、21b的電阻保持圖40所示的特性。銦21a、21b中，在溫度低于熔點的固體區(qū)，電阻值隨著溫度的升高，以1次函數(shù)的方式穩(wěn)定地加大，并且在到達熔點時，電阻值一下子加大。在溫度高于熔點的液體區(qū)，電阻值以1次函數(shù)的方式穩(wěn)定地漸漸加大。因此，從電源120輸入計算機122的電流值大致如圖41所示那樣變化。
圖42示出實際測量的電流值的曲線。始端漸漸減小的電流值隨著銦21a、21b熔化，大量減小，熔化后，不太減小。因此，通過監(jiān)視輸入計算機122的電流值變化傾向，或通過監(jiān)視電流值的減小量，能判斷整個銦21a、21b是否熔。
圖43將圖42所示的電流值變化傾向圖形化。在傾向變化平靜的B區(qū)，銦21a、21b完全熔化。因此，通過計算機122監(jiān)視電流值變化傾向的變化，判斷銦21a、21b熔化完，就停止從電源120對銦21a、21b通電。例如，在電流值變化的傾向為0.5的狀態(tài)連續(xù)3秒鐘后，停止通電。
此后，去除接觸銦21a、21b的饋電端子30a、30b、32a、32b，對正面襯底11和背面襯底12往相互接近的方向加壓，使銦封閉并接合正面襯底11的周緣部和側(cè)壁13。不卸下饋電端子30a、30b、32a、32b，暫且將其與銦21a、21b一起封裝，以后也可采取切除電極的伸出部分的方式。
上述方法通過封裝并接合正面襯底11和背面襯底12的周緣部，能顯著縮短封裝時間。本實施形態(tài)中，到銦21a、21b熔化為止所需的時間為約15秒；加壓后，銦固化，并達到130℃以下所需的時間為約2分鐘。
上述工序形成的真空管殼10在冷卻室106冷卻到常溫后，從卸載室107取出，從而制完FED。
構(gòu)件以上的FED制造方法，由于在真空氛圍中減小正面襯底11和背面襯底12的封裝、接合，可借助兼用烘焙和電子線洗凈，使表面吸附的氣體充分釋放。又由于通過對銦通電加熱，進行封裝、接合，不必加熱整個正面襯底和背面襯底，能消除吸氣膜劣化、封裝工序中襯底斷裂等缺陷，同時可謀求縮短封裝時間。
實施形態(tài)8中，通電加熱銦時，可監(jiān)視電流值的傾向變化，以電的方式檢測銦熔化的完成。因此，適當設(shè)定通電條件、通電停止等，能以幾分鐘的程度方便地完成接合。所以，能形成批量生產(chǎn)率優(yōu)良的制造方法，同時能廉價制造可獲得穩(wěn)定且良好的圖形的FED。
如本實施形態(tài)那樣，襯底尺寸比較小時，銦21a、21b配置偏差的影響小，可通過測量電流值本身，判斷銦熔化的完成，因此，作為實施形態(tài)9，說明測量電流值本身的變化以封裝尺寸與上述相同的FED的方法。
實施形態(tài)9中，將銦21a、21b涂覆在側(cè)壁13和與正面襯底11的側(cè)壁對置的位置，使其涂覆寬度為4mm，涂覆厚度分別為0.2mm。這些尺寸是充分取得所形成真空管殼的真空氣密性和強度特性所需的尺寸。這樣的配置下，120℃的銦21a、21b的電阻值為27mΩ。熔化時的銦21a、21b的電阻值為60mΩ。
實施形態(tài)9中，與實施形態(tài)8相同，使饋電端子30a、30b、32a、32b分別接觸銦21后，使各銦21以恒流方式負載70A的直流電流1秒鐘。接著，以計算機122測量的電壓值切換到恒壓方式進行通電。于是，電流值簡單約35A。考慮偏差，將銦熔化完的判斷值設(shè)定為高于理論值的值。然后，監(jiān)視從電源120輸入計算機122的電流值，在電流值達到判斷值后2～5秒，切斷通電，就能使銦全部熔化。
上述實施形態(tài)值，闡述正面襯底和背面襯底尺寸比較小的情況。這樣襯底尺寸小的情況下，銦的偏差影響小，通電加熱時，整個銦大致同時熔化。然而，襯底的尺寸大的情況下，銦的偏差的影響大，通電加熱時，會產(chǎn)生銦的某部分熔化而別的部分仍為固體的現(xiàn)象。
恒壓方式中，由于對銦施加的電流值減小，銦中殘留固體的部分時，不充分發(fā)熱到使該部分熔化的程度，銦全部熔化前需要相當?shù)臅r間。因此，襯底的尺寸大時，最好用恒流方式判斷銦熔化的完成。
作為實施形態(tài)10，下面說明對角尺寸為32英寸、正面襯底11與背面襯底12的間隔為1.6mm的FED的制造方法中，測量電壓值的傾向以進行接合、封裝的方法。
首先，與上述實施形態(tài)8相同地對正面襯底11和背面襯底12進行所需的處理后，將這些襯底以隔開規(guī)定間隔相對配置的狀態(tài)放入真空處理裝置100內(nèi)。然后，在組裝室105中讓正面襯底11和背面襯底12的溫度仍然維持約120℃，并且使通電用的饋電端子30a、30b、32a、32b分別接觸側(cè)壁13上配置的銦的相對角部和正面襯底11上配置的銦的相對角部。
接著，從電源120對饋電端子30a、30b、32a、32b通電，使各銦21流通電流。由于該通電使銦21的溫度升高，輸入計算機122的電源漸漸加大。實際測量的銦21的電壓值變化如圖44所示，其對應(yīng)的電壓值傾向如圖45所示。從圖44可知，始端漸漸加大的電壓值在銦熔化時大量加大，熔化后的加大方式變小。通過監(jiān)視此電壓值變化的傾向，或監(jiān)視電壓值的加大量，能判斷整個銦是否熔化。本實施例中，在傾向變化平靜的部分C，銦全部熔化。因此，監(jiān)視電壓值變化的傾向，在傾向為0.1以下的狀態(tài)連續(xù)5秒鐘后，判斷為銦熔化完，并切斷通電。
本實施形態(tài)中，直到銦21a、21b熔化為止需要的時間為約25秒，對正面襯底11和背面襯底12加壓后，銦固化，并且達到130℃以下所需的時間為約3.5分鐘。
上述實施形態(tài)根據(jù)電流值或電壓值的變化判斷銦熔化的完成，但也可按銦的電阻值本身判斷熔化的完成，這是當然的。因此，作為實施形態(tài)11，說明FED制造方法中，監(jiān)視電阻值以判斷銦熔化的完成的方法。本實施形態(tài)中，利用與上述實施形態(tài)1相同的工序，將側(cè)壁13上配置的銦21b和正面襯底11上配置的銦21a在組裝室105內(nèi)通電加熱，使正面襯底11和背面襯底12接合。
對銦21通電加熱時，監(jiān)視從電源120輸入計算機122的銦的電阻值。圖46伸出該電阻值的變化和電阻值變化的傾向。然后，根據(jù)電阻值的加大量或電阻值變化的傾向，判斷銦熔化的完成。例如，電阻值變化的傾向為0.5以下的狀態(tài)連續(xù)5秒鐘后，判斷為銦熔化完，停止銦的通電加熱。
因此，實施形態(tài)11中，也能得到與實施形態(tài)1相同的效果。
下面說明本發(fā)明實施形態(tài)12。
本實施形態(tài)中，利用與上述實施形態(tài)1相同的工序，將側(cè)壁13上配置的銦21b和正面襯底11上配置的銦21a在組裝室105內(nèi)通電加熱，使正面襯底11和背面襯底12接合。
這時，從電源120以恒流方式使銦21分別負載直流電流1秒鐘。此1秒鐘通電期間，反饋電壓值，并輸入計算機122。如圖47所示，1秒鐘后(t1)測量的電壓值從計算機122輸出到電源120，以轉(zhuǎn)移到恒壓方式(t1-t2)。
此后，測量的電流值達到銦21的尺寸決定的理論電流值時，即達到銦熔化的理論電流值時，再一次轉(zhuǎn)移到恒流方式(t2-t3)。然后，按該恒流方式對銦通電一定時間后，停止通電。此第3步驟的恒流方式吸收銦21的配置偏差，是使整個銦可靠熔化且有效的步驟。
上述那樣構(gòu)成的實施形態(tài)12中，對銦通電加熱時，適當設(shè)定通電條件、通電停止等，能以幾分鐘的程度方便地完成接合。因此，能形成批量生產(chǎn)率上優(yōu)良的制造方法，同時能提供可獲得穩(wěn)定且良好的圖像的FED。
上述實施形態(tài)9至12中，與實施形態(tài)8相同的部分采用相同的參考號進行說明，省略其詳細說明。
本發(fā)明不限于上述的實施形態(tài)，在本發(fā)明大范圍內(nèi)可作各種變換。例如，銦的通電條件和溫度條件在不脫離本發(fā)明主治的范圍可取各種值。但是，為了使吸氣膜的吸附能力不下降，希望襯底的加熱溫度不超過140℃。上述實施形態(tài)結(jié)構(gòu)上做成在計算機測量電源的反饋，但不限于此，也可用電流計、電壓計等其它測量設(shè)備。
真空管殼的外形和支承根據(jù)的組成當然也不限于上述實施形態(tài)，結(jié)構(gòu)上還可做成形成矩陣形的黑色光吸收層和熒光體層，使截面為十字形的柱狀支承根據(jù)相對于黑色光吸收層定位，并將其封裝。電子發(fā)射元件也可用pn型冷陰極元件或表面襯底型的電子發(fā)射元件。闡述了下真空氛圍中接合襯底的工序，但其它氛圍環(huán)境中也可用本發(fā)明。
封裝材料不限于銦，只要具有導電性，也可以是其它材料。只要是金屬，一般在相變時產(chǎn)生急劇的電阻值變化，因而能實施與上述實施形態(tài)相同的方法。例如，作為封裝材料，至少可用In、Sn、Pb、Ga、Bi中的任一種。
本發(fā)明不限于需要FED和SED等的真空管殼，對PDP那樣，一次形成真空后注入放電氣體的其它圖像顯示器件也有效。
工業(yè)上的實用性如以上詳細說明那樣，根據(jù)本發(fā)明，可提供的平面型圖像顯示器件及其制造方法和制造裝置能用較簡單的裝置僅對封裝部分瞬時加熱，而且能根據(jù)熱傳導與熱容量的關(guān)系使封裝構(gòu)件瞬時冷卻、固化，同時封裝時整個襯底的溫度變化小，封裝精度提高，特性方面和生產(chǎn)率優(yōu)良。
權(quán)利要求
1.一種圖像顯示器件，包含具有相對配置而且周緣部封閉的正面襯底和背面襯底的管殼，其特征在于，利用具有導電性并且因通電而熔化的封裝構(gòu)件，封裝位于所述正面襯底與背面襯底之間的封裝部。
2.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述管殼具有位于正面襯底與背面襯底的周緣部之間的框狀側(cè)壁，所述封裝構(gòu)件設(shè)置在所述正面襯底和所述背面襯底的至少一方與所述側(cè)壁之間。
3.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝構(gòu)件沿所述管殼的周緣的封裝部設(shè)置成框狀，同時具有從所述封裝部伸出到外側(cè)的2個電極部。
4.如權(quán)利要求3中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述各電極部的截面積大于所述封裝構(gòu)件的其它部分的截面積。
5.如權(quán)利要求3中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述2個電極部設(shè)置在對所述管殼的周緣部對稱的位置。
6.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝構(gòu)件包含In或含有In的合金。
7.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述管殼的內(nèi)部設(shè)置電子源和熒光體，并且所述管殼的內(nèi)部維持真空。
8.一種圖像顯示器件制造方法，該圖像顯示器件包含具有相對配置而且周緣部封閉的正面襯底和背面襯底的管殼，其特征在于，沿所述正面襯底和背面襯底的周緣部設(shè)置具有導電性的封裝構(gòu)件，并通過對該封裝構(gòu)件通電，使其熔化，封閉所述封裝部。
9.如權(quán)利要求8中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述正面襯底與背面襯底之間配置框狀的側(cè)壁，所述正面襯底和背面襯底的至少一方與所述側(cè)壁之間設(shè)置所述封裝構(gòu)件，對該封裝構(gòu)件通電，使封裝構(gòu)件熔化。
10.如權(quán)利要求8中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述封裝構(gòu)件流通直流電流。
11.如權(quán)利要求8中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述封裝構(gòu)件流通商用頻率的交流電流。
12.如權(quán)利要求8中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，從交流電源使所述封裝構(gòu)件流通頻率高于商用頻率的交流電流。
13.如權(quán)利要求8中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，作為所述封裝構(gòu)件，采用In或含有In的合金。
14.如權(quán)利要求8中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，沿所述管殼的周緣將所述導電構(gòu)件設(shè)置成框狀，同時在導電構(gòu)件上形成從所述封裝部伸出到外側(cè)的2個電極部，并通過所述電極部到導電構(gòu)件通電。
15.如權(quán)利要求14中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，使所述各電極部的通電面積形成大于其它部分的截面積。
16.如權(quán)利要求14中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述2個電極部設(shè)置在對所述管殼的周緣部對稱的位置。
17.如權(quán)利要求8中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，將對所述封裝構(gòu)件通電前的所述正面襯底和背面襯底的溫度設(shè)定得低于所述封裝構(gòu)件的熔點。
18.如權(quán)利要求17中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，將所述封裝構(gòu)件通電前的所述正面襯底和背面襯底的溫度與所述封裝構(gòu)件的熔點之差設(shè)定在20℃～15℃的范圍內(nèi)。
19.如權(quán)利要求8中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，在將所述管殼配置在真空氛圍的狀態(tài)下，對所述封裝構(gòu)件通電。
20.如權(quán)利要求19中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，真空氛圍中對所述正面襯底和背面襯底加熱，使其脫氣后，在維持真空氛圍的狀態(tài)下冷卻到低于所述封裝構(gòu)件的熔點的溫度；通過通電，僅使所述封裝構(gòu)件加熱并熔化；停止對所述封裝構(gòu)件加熱，將所述封裝構(gòu)件的熱傳導到所述正面襯底和背面襯底，使封裝構(gòu)件冷卻并固化，將所述管殼封裝成真空。
21.如權(quán)利要求20中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，對所述封裝構(gòu)件通電時，所述正面襯底或背面襯底的周緣部無機械性約束，允許熱造成所述周緣部彎曲，同時使其封閉。
22.如權(quán)利要求19中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，在所述管殼的內(nèi)部設(shè)置電子源和熒光體的狀態(tài)下，封閉所述正面襯底或背面襯底的周緣部，使所述管殼的內(nèi)部維持真空。
23.一種圖像顯示器件，其特征在于，包含管殼，所述管殼具有正面襯底、與該正面襯底相對配置的背面襯底以及封閉所述正面襯底和背面襯底的周緣部的封裝部的管殼；所述封裝部具有利用通電進行加熱并熔化而封閉所述周緣部的導電封裝材料以及熔點高于該封裝材料的熔點并且配置在所述周緣部的導電構(gòu)件。
24.一種圖像顯示器件，其特征在于，包含管殼，所述管殼具有正面襯底、與該正面襯底相對配置的背面襯底以及封閉所述正面襯底和背面襯底的周緣部的封裝部；所述封裝部具有利用加熱產(chǎn)生熔化而封閉所述周緣部的封裝材料以及為了使該封裝材料加熱而配置在封裝材料中并且利用通電進行加熱的導電構(gòu)件。
25.一種圖像顯示器件，其特征在于，包含管殼，所述管殼具有正面襯底、與該正面襯底相對配置的背面襯底、在所述正面襯底與背面襯底之間設(shè)置于正面襯底和背面襯底的周緣部并且由導電構(gòu)件組成的框狀側(cè)壁、以及設(shè)置在所述正面襯底和背面襯底的至少一方與所述側(cè)壁之間的接合部并且通過對所述側(cè)壁通電進行加熱后熔化而封閉所述接合部的封裝構(gòu)件。
26.一種圖像顯示器件，其特征在于，包含管殼，所述管殼具有正面襯底、與該正面襯底相對配置的背面襯底、在所述正面襯底與背面襯底之間設(shè)置于正面襯底和背面襯底的周緣部并且由導電構(gòu)件組成的框狀側(cè)壁、以及設(shè)置在所述正面襯底和背面襯底的至少一方與所述側(cè)壁之間的接合部并且通過對所述側(cè)壁通電進行加熱后熔化而封閉所述接合部的封裝構(gòu)件；所述封裝部具有利用加熱產(chǎn)生熔化而封閉所述周緣部的封裝材料以及為了使該封裝材料加熱而配置在封裝材料中并且利用通電進行加熱的導電構(gòu)件。
27.如權(quán)利要求23中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝材料具有導電性。
28.如權(quán)利要求23中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝材料包含In或含有In的合金。
29.如權(quán)利要求23中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝材料是在300℃以下熔化或軟化的材料。
30.如權(quán)利要求23中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述導電構(gòu)件具有伸出到所述管殼的外側(cè)并且可連接電源的至少2個連接端子。
31.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述導電構(gòu)件的截面積為0.1mm2以上。
32.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述導電構(gòu)件包含F(xiàn)e、Cr、Ni、Al、Cu、Ag、Co、Ti中的至少一種。
33.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述導電構(gòu)件利用熔點為500℃以上的材料形成。
34.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述導電構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)是所述封裝材料的熱膨脹系數(shù)的80％～120％。
35.如權(quán)利要求26中所述的顯示器件，其特征在于，所述導電構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)是所述側(cè)壁的熱膨脹系數(shù)的80％～120％。
36.如權(quán)利要求26中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述導電構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)在所述正面襯底、背面襯底和側(cè)壁各自的熱膨脹系數(shù)中最小熱膨脹系數(shù)和最大熱膨脹系數(shù)之間。
37.如權(quán)利要求1中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述管殼的內(nèi)部設(shè)置電子源和熒光體，并且該內(nèi)部維持真空。
38.一種圖像顯示器件制造方法，該圖像顯示器件具有將正面襯底和與該正面襯底相對配置的背面襯底在其周緣部封閉的管殼，其特征在于，所述周緣部設(shè)置利用通電進行加熱并熔化的導電封裝材料和熔點高于封裝材料的熔點的導電構(gòu)件；通過對該導電構(gòu)件和所述封裝材料通電，使該封裝材料加熱并熔化，將所述正面襯底和背面襯底在其周緣部封閉。
39.一種圖像顯示器件制造方法，該圖像顯示器件具有將正面襯底和與該正面襯底相對配置的背面襯底在其周緣部封閉的管殼，其特征在于，所述周緣部設(shè)置靠加熱熔化的封裝材料；該封裝材料中設(shè)置利用通電進行加熱的導電構(gòu)件；通過對此通電構(gòu)件通電，使所述封裝材料加熱并熔化，將所述正面襯底和背面襯底在其周緣部封閉。
40.一種圖像顯示器件制造方法，該圖像顯示器件具有使正面襯底和與該正面襯底相對配置的背面襯底在襯底之間通過其周緣部設(shè)置的框狀側(cè)壁封閉的管殼，其特征在于，在所述正面襯底和背面襯底的至少一方與所述側(cè)壁之間的接合部設(shè)置利用通電進行加熱并熔化的封裝材料；通過對所述側(cè)壁通電，使所述封裝材料加熱并熔化，將所述正面襯底和背面襯底在其周緣部封閉。
41.一種圖像顯示器件制造方法，該圖像顯示器件具有使正面襯底和與該正面襯底相對配置的背面襯底在襯底之間通過其周緣部設(shè)置的框狀側(cè)壁封閉的管殼，其特征在于，在所述正面襯底和背面襯底的至少一方與所述側(cè)壁之間的接合部設(shè)置靠加熱熔化的封裝材料；該封裝材料中設(shè)置利用通電進行加熱的導電構(gòu)件；通過對此通電構(gòu)件通電，使所述封裝材料加熱并熔化，將所述正面襯底和背面襯底在其周緣部封閉。
42.如權(quán)利要求38中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，從電源使所述導電構(gòu)件流通直流電流。
43.如權(quán)利要求38中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，從電源使所述導電構(gòu)件流通商用頻率的交流電流。
44.如權(quán)利要求38中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，從電源使所述導電構(gòu)件流通頻率高于商用頻率的交流電流。
45.如權(quán)利要求38中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，將所述導電構(gòu)件通電前的所述正面襯底和背面襯底的溫度設(shè)定得低于所述封裝材料的熔點。
46.如權(quán)利要求45中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述正面襯底和背面襯底的溫度與所述封裝材料的熔點之差為20℃～150℃。
47.一種圖像顯示器件，其特征在于，包含管殼，所述管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底以及使所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉的封裝部；所述封裝部包含矩形框狀的高熔點導電構(gòu)件和封裝材料；所述高熔點導電構(gòu)件具有比所述封裝材料高的熔點，同時還具有伸出到外側(cè)的4個以上的伸出部。
48.一種圖像顯示器件，其特征在于，包含具有相對配置的正面襯底和背面襯底以及使所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉的封裝部的管殼、在所述正面襯底的內(nèi)表面上形成的熒光體屏幕、以及設(shè)置在所述背面襯底上以對所述熒光體屏幕發(fā)射電子束使所述熒光體屏幕發(fā)光的電子發(fā)射源；所述封裝部包含矩形框狀的高熔點導電構(gòu)件和封裝材料；所述高熔點導電構(gòu)件具有比所述封裝材料高的熔點，同時還具有伸出到外側(cè)的4個以上的伸出部。
49.如權(quán)利要求47中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述伸出部從所述高熔點導電構(gòu)件的各邊角部伸出。
50.如權(quán)利要求47中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述伸出部從所述高熔點導電構(gòu)件的各邊的大致中央部伸出。
51.如權(quán)利要求47中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件的伸出部包含伸出到所述正面襯底和所述背面襯底的至少一方的外側(cè)的伸出部。
52.如權(quán)利要求47中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝材料是導電材料。
53.如權(quán)利要求52中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝材料是銦或含銦的合金。
54.如權(quán)利要求47中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件含有Fe、Cr、Ni、Al、中的至少一種。
55.一種圖像顯示器件制造方法，圖像顯示器件包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底、以及含有封裝材料和熔點高于該封裝材料的高熔點導電構(gòu)件并且使所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉的封裝部，其特征在于，準備具有往外側(cè)伸出的4個以上的伸出部的矩形框狀高熔點導電構(gòu)件；在所述正面襯底和背面襯底的周邊部之間配置所述高熔點導電構(gòu)件，同時在所述正面襯底與高熔點導電構(gòu)件之間和所述背面襯底與高熔點導電構(gòu)件之間分別配置封裝材料；通過所述伸出部對所述高熔點導電構(gòu)件通電，使所述封裝材料熔化，將所述正面襯底和所述背面襯底的周邊部相互封閉。
56.如權(quán)利要求55中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，在真空氛圍中配置所述正面襯底、背面襯底和側(cè)壁，并且掌握所述伸出部，使所述高熔點導電構(gòu)件對所述正面襯底和背面襯底定位后，對所述高熔點導電構(gòu)件通電。
57.如權(quán)利要求55中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述封裝材料包含銦或含銦的合金。
58.如權(quán)利要求55中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件含有Fe、Cr、Ni、Al中的至少一種。
59.一種圖像顯示器件，其特征在于，包含管殼，所述管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底、以及使所述正面襯底和背面襯底相互封閉的封裝部；所述封裝部包含框狀的高熔點導電構(gòu)件以及第1和第2封裝材料；所述第1封裝材料具有低于所述第2封裝材料的熔點或軟化點，所述高熔點導電構(gòu)件具有高于所述第1和第2封裝材料的熔點或軟化點；所述高熔點導電構(gòu)件通過第1封裝材料接合所述正面襯底和背面襯底的一方，通過第2封裝材料接合所述正面襯底和背面襯底的另一方。
60.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述第2封裝材料是絕緣材料。
61.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述第2封裝材料是玻璃料。
62.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述第2封裝材料的熔點或軟化點為300℃以上。
63.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述第2封裝材料的熱膨脹系數(shù)在接合的所述正面襯底或背面襯底的熱膨脹系數(shù)的±20％的范圍內(nèi)。
64.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述第2封裝材料的厚度為100μm以上。
65.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述第1封裝材料是具有導電性的材料。
66.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述第1封裝材料是銦或含銦的合金。
67.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述第1封裝材料的熔點或軟化點為低于300℃。
68.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件含有Fe、Cr、Ni、Al中的至少一種。
69.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件的熔點為500℃以上。
70.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)的值低于所述正面襯底、背面襯底各自的熱膨脹系數(shù)的±20％數(shù)值范圍中的最大值。
71.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件的截面積為0.1mm2以上。
72.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述正面襯底與所述高熔點導電構(gòu)件通過所述第1封裝材料接合，所述背面襯底與所述高熔點導電構(gòu)件通過所述第2封裝材料接合。
73.如權(quán)利要求59中所述的圖像顯示器件，其特征在于，具有設(shè)置在所述管殼的內(nèi)部的熒光體和激勵所述熒光體的電子源，并且所述管殼的內(nèi)部維持真空。
74.一種圖像顯示器件制造方法，圖像顯示器件包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底，并且由含有高熔點導電構(gòu)件以及第1和第2封裝材料的封裝部使正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉，其特征在于，準備具有高于所述第1和的2封裝材料的熔點或軟化點的框狀高熔點導電構(gòu)件；利用熔點或軟化點高于所述第1封裝材料的第2封裝材料，使所述高熔點導電構(gòu)件與所述正面襯底和背面襯底中的一個襯底的周邊部接合；相對配置接合所述高熔點導電構(gòu)件的所述一個襯底和另一個襯底，同時在所述高熔點導電構(gòu)件與所述另一個襯底的周邊部之間配置第1封裝材料；通過對所述高熔點導電構(gòu)件通電，使所述的1封裝材料熔化或軟化，將所述高熔點導電構(gòu)件和所述另一個襯底接合。
75.如權(quán)利要求74中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，在真空氛圍中配置接合所述高熔點導電構(gòu)件的所述一個襯底和另一個襯底，并且使所述正面襯底和背面襯底定位后，對所述高熔點導電構(gòu)件通電。
76.如權(quán)利要求74中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述第1封裝材料是銦或含銦的合金。
77.如權(quán)利要求74中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件含有Fe、Cr、Ni、Al中的至少一種。
78.一種圖像顯示器件，其特征在于，包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底、以及使所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉的封裝部；所述封裝部包含框狀的高熔點導電構(gòu)件和封裝材料，所述高熔點導電構(gòu)件具有高于所述封裝材料的熔點或軟化點，同時在對所述正面襯底和背面襯底垂直的方向具有彈性。
79.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，在所述高熔點導電構(gòu)件與所述正面襯底之間和所述高熔點導電構(gòu)件與所述背面襯底之間的至少一方介入所述封裝材料。
80.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件的整個外表面用所述封裝材料覆蓋。
81.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件構(gòu)成所述管殼的側(cè)壁。
82.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝材料具有導電性。
83.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝材料是銦或含銦的合金。
84.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件含有Fe、Cr、Ni、Al中的至少一種。
85.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述封裝材料具有300℃以下的熔點或軟化點。
86.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件具有500℃以上的熔點。
87.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，所述高熔點導電構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)在所述正面襯底和背面襯底各自的熱膨脹系數(shù)的±20％數(shù)值范圍中最大值與最小值之間。
88.如權(quán)利要求78中所述的圖像顯示器件，其特征在于，具有設(shè)置在所述管殼內(nèi)部的熒光體和激勵所述熒光體的電子源，并且所述管殼的內(nèi)部維持真空。
89.一種圖像顯示器件制造方法，圖像顯示器件包含的管殼具有相對配置的正面襯底和背面襯底，并且利用含有高熔點導電構(gòu)件和封裝材料的封裝部使正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉，其特征在于，準備具有高于封裝材料的熔點或軟化點，而且在對所述正面襯底和背面襯底垂直的方向具有彈性的框狀高熔點導電構(gòu)件；相對配置所述正面襯底和背面襯底，同時在所述正面襯底和背面襯底的周邊部之間配置所述高熔點導電構(gòu)件和封裝材料；在所述封裝材料固化的狀態(tài)下，疊合所述相對配置的正面襯底和背面襯底，使所述高熔點導電構(gòu)件往垂直于所述正面襯底和背面襯底的方向產(chǎn)生彈性形變；在所述正面襯底和背面襯底疊合的狀態(tài)下，對所述高熔點導電構(gòu)件通電，使所述封裝材料熔化或軟化，讓所述正面襯底和背面襯底的周邊部相互封閉。
90.如權(quán)利要求89中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，將對所述高熔點導電構(gòu)件通電前的所述正面襯底和背面襯底的溫度設(shè)定成低于所述封裝材料的熔點或軟化點的溫度。
91.如權(quán)利要求90中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，將對所述高熔點導電構(gòu)件通電前的所述正面襯底和背面襯底的溫度設(shè)定成與所述封裝材料的溫度之差為20℃～150℃的范圍內(nèi)。
92.一種圖像顯示器件制造方法，圖像顯示器件包含具有相對配置而且相互接合周邊部的正面襯底和背面襯底的管殼、以及在所述管殼內(nèi)形成的多個像素，其特征在于，在所述正面襯底和背面襯底的至少一方配置具有導電性的封裝材料；對所述封裝材料通電，使其加熱并熔化，將所述正面襯底和背面襯底的周邊部接合；在對所述封裝材料通電時，根據(jù)所述封裝材料的電阻對溫度的依賴性，控制對所述封裝材料的通電。
93.如權(quán)利要求92中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，對所述封裝材料通電以進行加熱時，用恒定的電壓對所述封裝材料通電，根據(jù)所述封裝材料電流值的變化，檢測所述封裝材料熔化的完成，并且在檢測出完成所述熔化時，停止通電。
94.如權(quán)利要求93中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，根據(jù)所述封裝材料電流值變化斜率的變化，檢測所述封裝材料熔化的完成。
95.如權(quán)利要求93中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，根據(jù)所述封裝材料電流值的降低量，檢測所述封裝材料熔化的完成。
96.如權(quán)利要求92中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，對所述封裝材料通電以進行加熱時，用恒定的電流對所述封裝材料通電，根據(jù)所述封裝材料電壓值的變化，檢測所述封裝材料熔化的完成，并且在檢測出完成所述熔化時，停止通電。
97.如權(quán)利要求96中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，根據(jù)所述封裝材料電壓值變化斜率的變化，檢測所述封裝材料熔化的完成。
98.如權(quán)利要求96中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，根據(jù)所述封裝材料電壓值的上升量，檢測所述封裝材料熔化的完成。
99.如權(quán)利要求92中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，對所述封裝材料通電以進行加熱時，根據(jù)所述封裝材料電阻值的變化，檢測所述封裝材料熔化的完成，并且在檢測出完成所述熔化時，停止通電。
100.如權(quán)利要求99中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，根據(jù)所述封裝材料電阻值變化斜率的變化，檢測所述封裝材料熔化的完成。
101.如權(quán)利要求99中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，根據(jù)所述封裝材料電阻值的上升量，檢測所述封裝材料熔化的完成。
102.如權(quán)利要求92中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述封裝材料是金屬。
103.如權(quán)利要求102中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，所述金屬是含In、Sn、Pb、Ga、Bi中的任一種的金屬。
104.如權(quán)利要求92中所述的圖像顯示器件制造方法，其特征在于，在真空氛圍中對所述封裝材料通電并加熱。
105.一種圖像顯示器件的制造裝置，圖像顯示器件包含具有相對配置而且相互接合周邊部的正面襯底和背面襯底的管殼、以及在所述管殼內(nèi)形成的多個像素，其特征在于，包括對配置在所述正面襯底和背面襯底的至少一方的周邊部而且具有導電性的封裝材料通電并使其加熱后熔化的電源、以及控制部，該控制部在對所述封裝材料通電以進行加熱時，輸入從所述電源反饋的電流值和電壓值的至少一方，并根據(jù)所述封裝材料的電阻對溫度的依賴性，控制所述電源對所述封裝材料的通電。
106.如權(quán)利要求105中所述的圖像顯示器件的制造裝置，其特征在于，所述控制部具有判斷部，該判斷部根據(jù)從所述電壓反饋的電流值和電壓值的至少一方，測量所述封裝材料的電流值變化、電壓值變化、電阻值變化中的至少一種變化，檢測所述封裝材料熔化的完成，而且在檢測出完成所述熔化時，停止所述電源的通電。
全文摘要
圖像顯示器件包含的管殼具有相對配置而且封閉周緣部的正面襯底和背面襯底。封裝部由具有導電性而且靠通電熔化的封裝構(gòu)件進行封裝。制造時，對封裝部設(shè)置的封裝構(gòu)件通電，使封裝構(gòu)件熔化后，停止通電，將封裝構(gòu)件冷卻、固化，從而封閉正面襯底和背面襯底的周緣部。
文檔編號H01J5/24GK1511330SQ02810310
公開日2004年7月7日 申請日期2002年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月23日
發(fā)明者橫田昌廣, 榎本貴志, 西村孝司, 山田晃義, 橫山詔一, 一, 義, 司, 志 申請人:株式會社東芝