專利名稱：光源裝置及液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光源裝置及使用該光源裝置的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，在使用于液晶顯示器等的背光源(光源裝置)中，對(duì)使用水銀的背光源的研究和不使用水銀背光源(以下，也稱為無水銀背光源)的研究很盛行。無水銀背光源由于不使用水銀不會(huì)導(dǎo)致與水銀溫度的上升相伴隨的發(fā)光效率低下，因此光束上升得快。此外，無水銀背光源在環(huán)境上是比較理想的。
作為不使用水銀的光源裝置公開了具有充入稀有氣體的球形管、配置在球形管內(nèi)部的內(nèi)部電極、配置在球形管外部的外部電極的放電燈裝置(特開平5-29085號(hào)公報(bào))。該外部電極為線狀電極，形成在球形管的外部并與球形管的中心軸平行。通過在內(nèi)部電極和外部電極上施加電壓，該稀有氣體放電燈裝置發(fā)光。
此外，公開了(特開平10-112290號(hào)公報(bào))具有充入稀有氣體的發(fā)光管、在發(fā)光管內(nèi)部形成的內(nèi)部電極、和在發(fā)光管外周面上形成的螺旋狀外部電極的稀有氣體放電燈。
另外，作為以稀有氣體為主要放電介質(zhì)的放電燈，公開了(特開平2001-325919號(hào)公報(bào))具有氣密容器、配置于氣密容器內(nèi)部的內(nèi)部電極、線圈狀或網(wǎng)狀的外部電極的放電燈。在該公報(bào)中公開了采用收縮套管來固定外部電極的方法。
此外，U.S.Patent 5,604,410中公開的放電燈具有充入稀有氣體的發(fā)光管和內(nèi)部電極及外部電極。內(nèi)部電極沿發(fā)光管的中心軸，形成在幾乎發(fā)光管的整個(gè)區(qū)域。外部電極為線狀電極，形成于發(fā)光管的外部并與發(fā)光管的中心軸平行。
但是，當(dāng)線狀外部電極形成于發(fā)光管的幾乎整個(gè)區(qū)域時(shí)，則往往放電集中在外部電極附近并產(chǎn)生放電收縮，從而不能夠有效地激發(fā)放電介質(zhì)，其結(jié)果是導(dǎo)致發(fā)光效率低下。另一方面，即便在發(fā)光管外部設(shè)置螺旋形外部電極，由于外部電極與發(fā)光管的外部線狀地接觸，所以容易產(chǎn)生放電收縮。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述狀況，本發(fā)明的目的在于提供新型的光源裝置及應(yīng)用該光源裝置的液晶顯示裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的光源裝置特征為，具有至少一個(gè)發(fā)光管、封裝在所述發(fā)光管中的放電介質(zhì)、用于激發(fā)所述放電介質(zhì)的第1及第2電極；所述第1電極配置在所述發(fā)光管的內(nèi)部或外部，所述第2電極在離所述發(fā)光管的距離不同并且不連續(xù)的多個(gè)接觸部中與所述發(fā)光管的外部接觸，在所述發(fā)光管中充入氬氣、氪氣中的至少一種氣體與60體積％～80體積％范圍內(nèi)的氙氣的混合氣體。根據(jù)這一光源裝置，可以獲得亮度分布均勻且高亮度的發(fā)光。
在上述光源裝置中，所述混合氣體也可以由氬氣和氙氣組成。
在上述光源裝置中，所述放電介質(zhì)最好不含有水銀。
在上述光源裝置中，所述混合氣體的壓力也可以在13kPa～36kPa的范圍內(nèi)。
在上述光源裝置中，多個(gè)所述接觸部也可以沿所述發(fā)光管的管軸方向配置。
在上述光源裝置中，也可以還具有形成于發(fā)光管內(nèi)表面的熒光體層。
在上述光源裝置中，所述發(fā)光管也可以包含玻璃管和形成于所述玻璃管外表面的電介質(zhì)層。
在上述光源裝置中，所述第2電極可以通過電介質(zhì)與所述發(fā)光管接觸。
上述光源裝置還具有支撐板，所述發(fā)光管可以配置在所述支撐板的側(cè)面。此時(shí)，所述支撐板能夠獲取所述發(fā)光管發(fā)出的光并從所述支撐板的一個(gè)主面放射。
上述光源裝置具有支撐板和配置在所述支撐板的多個(gè)所述發(fā)光管，所述第2電極含有配置在所述支撐板上的多個(gè)互相平行的線狀電極，所述發(fā)光管可以配置成與所述線狀電極正交。
此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置是一種具有光源裝置和所述光源裝置發(fā)出的光透過的液晶面板的液晶顯示裝置，所述光源裝置即為上述本發(fā)明的光源裝置。
附圖的簡(jiǎn)單說明
圖1(A)及(B)分別表示本發(fā)明光源裝置之一例的側(cè)面圖及截面圖，(C)表示光源裝置其他例子的截面圖，(D)表示第1電極之一例的截面圖。
圖2(A)表示圖1(A)所示光源的截面圖，(B)表示其他之一例的截面圖。
圖3(A)表示施加在本發(fā)明光源裝置的電壓之一例，(B)表示流經(jīng)電極間的電流之例。
圖4是模式地表示用于驅(qū)動(dòng)本發(fā)明光源裝置的點(diǎn)燈電路之一例。
圖5是模式地表示本發(fā)明光源裝置的其他一例的平面圖。
圖6(A)及(B)分別表示圖5所示光源裝置的截面圖。
圖7表示關(guān)于圖5所示光源裝置的充入壓力及相對(duì)亮度之間關(guān)系的圖表。
圖8表示充入氣體不同的光源裝置的發(fā)光光譜之一例的圖表。
圖9模式地表示氙的激發(fā)過程。
圖10(A)表示第1電極之其他一例的平面圖，(B)表示其截面圖。
圖11模式地表示關(guān)于本發(fā)明光源裝置的其他一例的平面圖。
圖12模式地表示關(guān)于本發(fā)明光源裝置另一例的平面圖。
圖13表示圖12所示光源裝置的截面圖。
圖14模式地表示關(guān)于本發(fā)明光源裝置另一例的平面圖。
圖15表示圖14所示光源裝置的截面圖。
發(fā)明的實(shí)施形態(tài)以下，參照


本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。并且，在以下的說明中，對(duì)于相同的部分，標(biāo)注相同，省略其重復(fù)說明。
(實(shí)施形態(tài)1)在實(shí)施形態(tài)1中，關(guān)于本發(fā)明的光源裝置(放電燈裝置)之一例進(jìn)行說明。圖1(A)表示實(shí)施形態(tài)1的光源裝置10的結(jié)構(gòu)。圖1(B)表示沿圖1(A)線I-I的截面圖。光源裝置10具有發(fā)光管(放電管)20、配置在發(fā)光管20內(nèi)部的第1電極21和配置在發(fā)光管20外部的第2電極22。引線24與第1電極21相連接。
發(fā)光管20由透光材料形成，例如由硼硅玻璃形成。此外，發(fā)光管20也可以由石英玻璃、鈉玻璃或鉛玻璃形成。并且，發(fā)光管20也可以含有配置在其外表面的電介質(zhì)層(例如樹脂層)。圖1(C)表示所述發(fā)光管20之一例。發(fā)光管20包含管20a和形成在管20a外表面的電介質(zhì)層20b。管20a例如由硼硅玻璃構(gòu)成。電介質(zhì)層20b可以采用諸如由聚酯系列樹脂構(gòu)成的多層膜或者由氧化鈦或氧化硅構(gòu)成的薄膜。發(fā)光管20使用的玻璃管外徑通常為1.2mm～15mm左右。并且，玻璃管外表面和內(nèi)表面的距離，即玻璃管的壁厚(wall thickness)通常為0.2mm～1.0mm左右。玻璃管的表面形成電介質(zhì)層時(shí)，電介質(zhì)層的厚度通常為0.5μm～100μm左右。另外。發(fā)光管20并不限于直線狀，亦可以是其他形狀。例如，L字狀、U字狀或者是矩形狀。
發(fā)光管20被密封，并在其內(nèi)部封裝(以下的實(shí)施形態(tài)中也同樣)放電介質(zhì)(未圖示)。放電介質(zhì)中至少含有氙氣。發(fā)光管20中充入氬氣、氪氣中的一種氣體和氙氣。并且，充入發(fā)光管20的氣體中氙氣所占的比例為60體積％～80體積％。氙氣以外氣體為40體積％～20體積％，可以使用氬氣、氪氣或氬氣和氪氣的混合氣體。譬如，在發(fā)光管20中所含有的氣體可以采用氙氣(60體積％～80體積％)和氬氣(40體積％～20體積％)的混合氣體、氙氣(60體積％～80體積％)和氪氣(40體積％～20體積％)的混合氣體、氙氣(60體積％～80體積％)和氬氣及氪氣的混合氣體。
此外，發(fā)光管20中充入的氣體中也可以含有少量的上述稀有氣體以外的氣體(例如其它稀有氣體)但從環(huán)境的角度來看，放電介質(zhì)中最好不含有水銀。
發(fā)光管20中充入氣體的壓力，即發(fā)光管20的內(nèi)部壓力最好在13kPa～36kPa的范圍內(nèi)，在17kPa～28kPa的范圍內(nèi)則更好。而且，充入發(fā)光管20中的氣體種類及壓力在下述實(shí)施形態(tài)的光源裝置中亦相同。
如圖1(B)所示，熒光體層23形成在發(fā)光管20的內(nèi)表面。熒光體層23是為了改變從放電介質(zhì)發(fā)出光的波長(zhǎng)而形成的。通過改變熒光體層23的材料可以獲得各種波長(zhǎng)的光。譬如，可以獲得白光、紅光、綠光及藍(lán)光(RGB)。熒光體層23可由在放電燈上一般使用的材料形成。
第一電極21形成于發(fā)光管20一端的內(nèi)部。第一電極21例如由鎢或鎳等金屬形成。第一電極21表面可以用氧化銫、氧化鎂或者氧化鋇的金屬氧化層覆蓋。借助于使用這樣的金屬氧化層能夠降低點(diǎn)燈開始電壓并防止因離子沖擊而產(chǎn)生的電極劣化。另外，第一電極21表面可以由電介質(zhì)層(例如玻璃層)覆蓋。圖1(D)表示具有金屬電極21a、覆蓋該電極而形成的電介質(zhì)層21b的第1電極21的截面圖。通過使用這樣的電介質(zhì)層能夠抑制放電時(shí)的電流。結(jié)果是，能夠抑制放電時(shí)電流的繼續(xù)流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定放電。并且，第1電極21也可以如實(shí)施形態(tài)2所說明的那樣形成在發(fā)光管的外部。
第2電極22包含與發(fā)光管20的外部相接觸的多個(gè)電極22a。各電極22a分別以配線連接。電極22a由導(dǎo)電材料形成。譬如，電極22a可以由銅、鋁或磷青銅形成。亦可以含有金屬粉末(例如銀粉末)和樹脂的金屬膏形成。以下說明的第2電極亦由相同材料形成。第2電極22在離第1電極21距離不同并且不連續(xù)的多個(gè)部分(接觸部)與發(fā)光管20的外面相接觸。
圖2(A)表示沿圖1(A)線II-II的截面圖。第2電極22在多個(gè)接觸部22P中與發(fā)光管20接觸。多個(gè)接觸部22P離第1電極21距離不同并且彼此分開。多個(gè)接觸部22P沿發(fā)光管20的管軸方向AX排列。另外，如圖2(B)所示，多個(gè)接觸部22P亦可以構(gòu)成由沿發(fā)光管20的管軸方向AX排列多個(gè)組。各組中包含的接觸部22P沿發(fā)光管20的管軸方向AX排列。另外，接觸部22P亦可以不沿發(fā)光管20的管軸方向AX排列。而且，接觸部22P的形狀不僅僅限于正方形。比如說，接觸部22P的形狀亦可以是長(zhǎng)方形或線狀。此外，如圖2(B)所示，只要包含離第1電極21的距離不同的接觸部，則也可以包含離第1電極21的距離相等的接觸部。一個(gè)接觸部22P的管軸方向的長(zhǎng)度是發(fā)光管20的管軸方向長(zhǎng)度的例如0.1％～5％或0.5％～3％的范圍。與管軸方向毗連的2個(gè)接觸部22P的間隔大于發(fā)光管20的壁厚，并且最好為發(fā)光管20最大內(nèi)徑的10倍以下。由于上述間隔大于發(fā)光管20的壁厚，因此可以防止放電沿第2電極線狀地收縮。另外，由于上述間隔小于發(fā)光管20最大內(nèi)徑的10倍，因此可以防止放電不均勻。此外，為了降低第2電極22對(duì)光的遮蔽，發(fā)光管20圓周方向上的接觸部22p的長(zhǎng)度最好低于發(fā)光管20圓周的一半。
在光源裝置10中，通過在第1電極21和第2電極22之間施加電壓產(chǎn)生放電并激發(fā)放電介質(zhì)。被激發(fā)的放電介質(zhì)在轉(zhuǎn)移到基礎(chǔ)狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生紫外線。該紫外線在熒光體層23轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢姽?，并從發(fā)光管20放射。
以下，就施加在第1電極21和第2電極22之間的電壓之一例進(jìn)行說明。施加在第1電極21和第2電極22之間的電壓例如是矩形波，其極性可變化亦可不變化。圖3(A)表示施加電壓之一例。在圖3(A)的例子中，施加于第1電極21兩端的電壓在0伏特與正電壓V1之間被調(diào)制。施加電壓V1的時(shí)間T1與矩形波的周期T2的比值最好是0.15～0.5左右。而且，矩形波的波長(zhǎng)在例如10kHz～60kHz的范圍內(nèi)。圖3(B)表示施加圖3(A)所示的電壓時(shí)流經(jīng)兩電極間的電流。與施加電壓的微分波形相對(duì)應(yīng)的電流流經(jīng)第1電極21和第2電極22之間。
圖4表示構(gòu)成用于施加圖3(A)所示的電壓的點(diǎn)燈電路13之一例。點(diǎn)燈電路13連接在第1電極21和第2電極22之間。第2電極22通常接地。點(diǎn)燈電路13包括交流電源13a、整流電路13b、平滑電路13c、升壓電路13d和開關(guān)電路13e。在這些電路中可以使用一般性的電路。生成于13a中的交流電壓利用整流電路13b變換為直流正電壓。然后，整流后的電壓在平滑電路13c中被平滑化，在升壓電路13d中被升壓。升壓后電壓由開關(guān)電路13e只施加指定的時(shí)間T1。這樣，矩形波電壓就被施加。另外，在施加極性變化的矩形波時(shí)，可以簡(jiǎn)化點(diǎn)燈電路。
在光源裝置10中，由于第2電極不連續(xù)地與發(fā)光管20接觸，所以可以防止放電收縮在第2電極22側(cè)。因此，在光源裝置10中，即使提高充入氣壓或提高輸入電功率也能容易獲得均勻的放電。結(jié)果是，在光源裝置10中可以提高放電效率，與輸入相同電功率的現(xiàn)有光源裝置比較，能夠提高亮度。在光源裝置10中，由于可以很容易地固定第2電極22使第2電極22與發(fā)光管20接觸，所以能夠容易地以低成本進(jìn)行生產(chǎn)。
(實(shí)施形態(tài)2)在實(shí)施形態(tài)2中，就本發(fā)明的光源裝置其他一例進(jìn)行說明。圖5模式地表示實(shí)施形態(tài)2的光源裝置50的構(gòu)成。另外，圖6(A)表示沿圖5的線VIA-VIA的截面圖，圖6(B)表示沿圖5的線VIB-VIB的截面圖。還有，在圖5中省略漫射板的圖示。此外，在，圖6(A)及圖6(B)中，省略熒光體層的圖示。此外，在圖5、6(A)及其6(B)中省略右端發(fā)光管的圖示。
光源裝置50包括支撐板51、漫射板52、發(fā)光管20、設(shè)置在發(fā)光管20內(nèi)部的第1電極21及設(shè)置在發(fā)光管20外部的第2電極62。第2電極62接地。通過點(diǎn)燈電路13在第1電極21和第2電極62之間施加電壓。點(diǎn)燈電路13可以采用包含反相電路等的一般性電路。
配置了發(fā)光管20的截面V字型槽51a形成在支撐板51上。發(fā)光管20由支撐部件53固定在支撐板51上。支撐板51可由樹脂或金屬(例如鋁)等形成。支撐板51的表面最好進(jìn)行用于提高光的反射效率和漫射效率的處理。例如，可以在表面涂敷氧化鈦粉末或粘貼反射片。另外，只要確保第2電極62的絕緣性，即便在支撐板51表面形成金屬膜亦可。另外，也可以將表面采用噴砂處理。另外，如果光自支撐板51的背面射出，由透明樹脂或玻璃形成支撐板51。支撐板51的形狀沒有限定，按照用途決定。
漫射板52夾持發(fā)光管20并與支撐板51對(duì)置配置。漫射板52是為了將發(fā)自發(fā)光管20的光均勻擴(kuò)散而設(shè)置。漫射板52由玻璃或透光樹脂形成。
多個(gè)發(fā)光管20平行配置在支撐板51上。發(fā)光管20的數(shù)量沒有限定。各發(fā)光管20的一端的內(nèi)部均配置第一電極21。發(fā)光管20能夠很容易自支撐部件53取下。
第2電極62具有形成在支撐板51上的多個(gè)線狀電極62a。多個(gè)線狀電極62a以配線連結(jié)并與點(diǎn)燈電路13連接。如圖5所示，第2電極62最好接地。通過將第2電極62接地可以安全替換發(fā)光管20。多個(gè)線狀電極62a互相平行地配置成條紋狀。各線狀電極62a與發(fā)光管20中心軸正交地形成。線狀電極62a例如由金屬膏(比如銀膏)或金屬膜形成。再者，線狀電極62a亦可由導(dǎo)電樹脂形成。此時(shí)，由樹脂構(gòu)成的支撐板51和由樹脂構(gòu)成的線狀電極62a可以整體成形。
如果將線狀電極62a的間隔一定化，則往往距離第1電極21越遠(yuǎn)亮度越低。由此，如圖5所示，距離第1電極21越遠(yuǎn)越可以將相鄰線狀電極62a間的間隔調(diào)窄。此時(shí)也可以距離第1電極21越遠(yuǎn)越將線狀電極62a的寬度調(diào)寬。根據(jù)該種結(jié)構(gòu)，能夠很容易獲得均勻的發(fā)光。另一方面，在線狀電極62a的寬度及間隔一定時(shí)，很容易生產(chǎn)。特別是，在本發(fā)明的光源裝置中，由于限定了充入發(fā)光管20中氣體的組成及壓力，即使線狀電極62a的寬度及間隔一定也能夠很容易地獲得均勻的發(fā)光。
如圖6(A)所示，線狀電極62a在槽51a部分與發(fā)光管20相接觸。也就是，第2電極62在離第1電極21距離不同的多個(gè)接觸部與發(fā)光管20外面相接觸。該接觸部與圖2(B)的接觸部22P一樣形成平行配置于發(fā)光管中心軸的2個(gè)組。并且，這些接觸部互相分離，互不連續(xù)。
在光源裝置50中，通過在第1電極21和第2電極62間施加電壓產(chǎn)生放電，從而激發(fā)放電介質(zhì)。被激發(fā)的放電介質(zhì)在轉(zhuǎn)移到基礎(chǔ)狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生紫外線。該紫外線在熒光體層23轉(zhuǎn)變成成可見光，并由發(fā)光管20放射。被放射的可見光借助于漫射板52轉(zhuǎn)變成更加均勻的光。這樣，光源裝置50就作為面光源工作。
圖7表示利用實(shí)施形態(tài)2的光源裝置50調(diào)查充入氣體組成及壓力與亮度之間關(guān)系的調(diào)查結(jié)果。圖7的橫軸表示充入發(fā)光管20中氣體的壓力，縱軸表示亮度的相對(duì)值。再者，線a、b、c、d、e、f及其g分別表示充入氣體為氙-氬(80vol％∶20vol％)、氙-氬(60vol％∶40vol％)、氙-氪(80vol％∶20vol％)、氙-氪(60vol％∶40vol％)、氙-氖(60vol％∶40vol％)及氙100vol％時(shí)的情形。并且，發(fā)光管20中使用了內(nèi)徑為2mm、外徑為2.6mm、長(zhǎng)為164mm的發(fā)光管。再者，第2電極管軸方向的接觸部長(zhǎng)度形成為3mm。而且，相鄰接觸部之間的管軸方向間隔為1mm。
如圖7所示，使用氬氣/氪氣和氙氣(60vol％∶80vol％)的混合氣體的光源裝置(線a、b、c及d)比僅使用氙氣的光源裝置(線g)亮度峰值高。而且，在線b、c及d的光源裝置中，亮度峰值向高壓側(cè)移動(dòng)。
使用氙-氖(80vol％∶20vol％)的光源裝置(線e)比僅使用氙氣的光源裝置(線g)亮度僅僅高出一點(diǎn)。使用氙-氖(60vol％∶40vol％)的光源裝置(線f)比僅使用氙氣的光源裝置(線g)亮度峰值低。
如上所述，將包含氙(60vol％∶80vol％)、氬氣以及/或者氪氣(40vol％∶20vol％)的氣體充入發(fā)光管20中時(shí)，能夠提高亮度。氣體的充入壓力比僅使用氙氣的光源裝置(線g)亮度高，并且為防止發(fā)生收縮放電，氣體的充入壓力最好在13kPa～36kPa(17kPa～28kPa更好)范圍內(nèi)。當(dāng)充入壓力小于13kPa時(shí)放射紫外線的氙原子數(shù)目減少，往往造成亮度降低。當(dāng)充入壓力大于36kPa時(shí)產(chǎn)生放電收縮，往往造成亮度降低。此外，通過將氙的比例設(shè)為60vol％以上，就能夠充分確保釋放紫外線的原子數(shù)目。再者，通過將氙的比例設(shè)為80vol％以下，就能夠抑制放電時(shí)電流密度的上升并控制放電的收縮。
通過使用氬氣/氪氣與氙氣的混合氣體使亮度提高的理由雖不明確，但可如下推測(cè)。
將氙氣(80vol％)與氬氣(20vol％)的混合氣體作為充入氣體的光源裝置與僅使用氙氣作為充入氣體的光源裝置的發(fā)光光譜如圖8所示。在此處，熒光體層以3波長(zhǎng)的熒光體形成。而且，充入氣體的壓力為15.6kPa。
在圖8的圖表中，450nm～700nm的光譜與利用來自被激發(fā)的充入氣體所產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光體層所產(chǎn)生的光對(duì)應(yīng)。此外，800nm以后的光譜與氙氣所發(fā)出的光對(duì)應(yīng)。
如圖8所示，雖然充入氣體不同，但在823nm處氙的發(fā)光強(qiáng)度大致相等。另一方面，在828nm處氙的發(fā)光強(qiáng)度小于使用混合氣體的光源裝置。對(duì)于使用氙60vol％與氬40vol％的混合氣體、氙60vol％與氪40vol％的混合氣體、氙80vol％與氪20vol％的混合氣體的光源裝置也得到同樣的結(jié)果。熒光體的發(fā)光光譜強(qiáng)度增大意味著光源裝置的亮度提高，同時(shí)也意味著由充入氣體的激發(fā)所產(chǎn)生的紫外線(147nm及172nm)強(qiáng)度的增大。并且，800nm以后的光譜強(qiáng)度(例如823nm或828nm的峰值)的減少意味著能量損失的減少。
圖9表示氙的激發(fā)過程模式圖。在使用氙和氬的混合氣體的光源裝置中，抑制從如圖9所示的準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)6s(3P1)躍遷到高能級(jí)帶的激發(fā)，其多余的能量可以認(rèn)為用于放射紫外線。其結(jié)果是可認(rèn)為在該光源裝置中，828nm的氙的發(fā)光光譜強(qiáng)度較小而熒光體的發(fā)光光譜強(qiáng)度增大。另外，可以認(rèn)為，如圖8所示在823nm處的氙的發(fā)光光譜強(qiáng)度大致相等是因?yàn)閺臏?zhǔn)穩(wěn)態(tài)6s(3P2)躍遷到高能級(jí)帶的能量差增大并且難以激發(fā)到高能級(jí)，所以沒有發(fā)生變化的緣故。再者，當(dāng)充入氣體壓力一定時(shí)，如果氙的含量低于60vol％，則由于放射紫外線的原子數(shù)量減少，造成亮度降低。
如上所述，說明了實(shí)施形態(tài)2的光源裝置之一例子，但本發(fā)明并不僅僅局限于上述裝置。例如，本發(fā)明的光源裝置可以具有形成于發(fā)光管20兩端的2個(gè)第1電極21。而且。第1電極為筒狀，可以配置在發(fā)光管20外部。圖10(A)表示筒狀第1電極101之一例子。圖10(B)表示沿圖10(A)線X-X的截面圖。第1電極101外側(cè)最好被絕緣層覆蓋。第1電極101被配置成覆蓋發(fā)光管20的端部。
另外，第1電極可以與線狀電極62a一樣形成在支撐板51上。圖11表示其光源裝置110的平面圖。光源裝置110僅第1電極111與光源裝置50不同。第1電極111同線狀電極62a一樣由金屬膏形成。
此外，本發(fā)明的光源裝置同樣適用于場(chǎng)連續(xù)顯示裝置的背光源。此時(shí)，可以將發(fā)射紅光的發(fā)光管、發(fā)射綠光的發(fā)光管及發(fā)射藍(lán)光的發(fā)光管作為一組的發(fā)光管群多個(gè)配置在支撐板上。
根據(jù)實(shí)施形態(tài)2的光源裝置可以獲得與在實(shí)施形態(tài)1中所說明的光源裝置同樣的效果。實(shí)施形態(tài)2的光源裝置可以作為面光源使用，例如可以作為液晶顯示裝置的背光源使用。此時(shí)，在漫射板52的上方配置液晶面板。
(實(shí)施形態(tài)3)在實(shí)施形態(tài)3中，就本發(fā)明的光源裝置之例一例進(jìn)行說明。圖12表示實(shí)施形態(tài)3的光源裝置120。另外，圖13表示沿圖12的線VIII-VIII的截面圖。并且，液晶面板130也表示在圖13上。
圖12的光源裝置120具有導(dǎo)光板121、發(fā)光管20、第1電極21、第2電極122及反射板123。
在光源裝置120中，第2電極122配置在導(dǎo)光板121與發(fā)光管20之間。第2電極122由金屬膏或?qū)щ姌渲纬?。L字形的發(fā)光管20由支撐部件53支撐。最好在L字形的發(fā)光管20的彎曲部分形成第3電極。將自發(fā)光管20發(fā)出的光反射到導(dǎo)光板121側(cè)的反射板123配置在發(fā)光管20外側(cè)。當(dāng)作為液晶顯示裝置背光源使用光源裝置120時(shí)，如圖13所示，在導(dǎo)光板121上配置液晶面板130。
發(fā)光管20配置在導(dǎo)光板121的側(cè)面。從發(fā)光管20發(fā)出的光借助于導(dǎo)光板121由導(dǎo)光板121的表面121a大致均勻地射出。導(dǎo)光板121例如可由透明樹脂形成。為了使射出的光均勻，在導(dǎo)光板121的背面形成凹凸。再者，在背面121b形成反射層124。反射層124例如可由氧化鈦或金屬形成。另外，在導(dǎo)光板121的表面121a上可以根據(jù)使用狀況配置漫射片或透鏡片。在光源裝置120中，第2電極122在離第1電極21的距離不同且不連續(xù)的多個(gè)部分與發(fā)光管20接觸。
此外，第2電極也可以配置在發(fā)光管和反射板之間。諸如這樣的光源裝置140的結(jié)構(gòu)模式地表示在圖14中。再者，圖15表示沿線XV-XV的截面圖。而且，液晶面板也表示在圖15中。
在光源裝置140中，第2電極142配置在發(fā)光管20和反射板123之間。第2電極142由金屬膏或?qū)щ姌渲纬伞字形的發(fā)光管20用支撐部件53支撐。在L字形的發(fā)光管20的彎曲部分形成第3電極143。配置于發(fā)光管20外側(cè)的反射板123將自發(fā)光管20發(fā)出的光反射到導(dǎo)光板121側(cè)。當(dāng)液晶顯示裝置的背光源使用光源裝置200時(shí)，如圖15所示，液晶面板130配置在導(dǎo)光板121上。
以上，列舉了本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的例子，但是，本發(fā)明并不僅限定在上述實(shí)施形態(tài)，基于本發(fā)明的技術(shù)思想本發(fā)明同樣適用于其他實(shí)施形態(tài)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的光源裝置，本發(fā)明的光源裝置在離第1電極的距離不同的多個(gè)部分中，第2電極和放電管接觸。根據(jù)該光源裝置能夠防止放電集中在第2電極附近。另外，在本發(fā)明的光源裝置中，能夠通過指定在發(fā)光管中充入的氣體而得到較高的亮度。并且，本發(fā)明的光源裝置，由于在將第2電極固定在發(fā)光管上時(shí)不需要使用收縮套管等，所以能夠使生產(chǎn)容易并且可以將發(fā)光管設(shè)為任意形狀。本發(fā)明的光源裝置可作為液晶顯示裝置的背光源等各種裝置的光源使用。
權(quán)利要求
1.一種光源裝置，具有至少一個(gè)發(fā)光管、封裝在所述發(fā)光管中的放電介質(zhì)、用于激發(fā)所述放電介質(zhì)的第1及第2電極，其特征在于，所述第1電極配置在所述發(fā)光管的內(nèi)部或外部，所述第2電極在離所述發(fā)光管的距離不同并且不連續(xù)的多個(gè)接觸部中，與所述發(fā)光管的外部接觸，在所述發(fā)光管中充入氬氣以及氪氣中的至少一種氣體與60體積％～80體積％范圍的氙氣的混合氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，所述混合氣體由氬氣和氙氣組成。
3.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，所述放電介質(zhì)不含有水銀。
4.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，所述混合氣體的壓力在13kPa～36kPa的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，多個(gè)所述接觸部沿所述發(fā)光管的管軸方向配置。
6.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，還具有形成于發(fā)光管的內(nèi)表面的熒光體層。
7.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，所述發(fā)光管包含玻璃管和形成于所述玻璃管外表面的電介質(zhì)層。
8.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，所述第2電極通過電介質(zhì)與所述發(fā)光管接觸。
9.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，上述光源裝置還具有支撐板，所述發(fā)光管配置在所述支撐板的側(cè)面。
10.如權(quán)利要求9所述的光源裝置，其特征在于，所述支撐板獲取所述發(fā)光管發(fā)出的光并從所述支撐板的一個(gè)主面放射。
11.如權(quán)利要求1所述的光源裝置，其特征在于，具有支撐板和配置在所述支撐板的多個(gè)所述發(fā)光管，所述第2電極含有配置在所述支撐板上的多個(gè)互相平行的線狀電極，所述發(fā)光管被配置成與所述線狀電極正交。
12.一種液晶顯示裝置，具有光源裝置和透過所述光源裝置發(fā)出的光的液晶面板，其特征在于，所述光源裝置具有至少一個(gè)發(fā)光管、封裝在所述發(fā)光管中的放電介質(zhì)、用于激發(fā)所述放電介質(zhì)的第1及第2電極，所述第1電極配置在所述發(fā)光管的內(nèi)部或外部，所述第2電極在離所述發(fā)光管的距離不同并且不連續(xù)的多個(gè)接觸部中，與所述發(fā)光管的外部接觸，在所述發(fā)光管中充入氬氣以及氪氣中的至少一種氣體與60體積％～80體積％范圍的氙氣的混合氣體。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述光源裝置還具有獲取所述發(fā)光管發(fā)出的光并從所述支撐板的一個(gè)主面放射的導(dǎo)光板，所述液晶面板與所述導(dǎo)光板對(duì)置配置。
14.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述光源裝置具有支撐板和被支撐在所述支撐板上的多個(gè)所述發(fā)光管，所述第2電極包含平行配置的多個(gè)線狀電極，所述發(fā)光管被配置成與所述線狀電極正交。
全文摘要
提供一種能夠獲得高亮度并且具有良好的亮度分布的發(fā)光,同時(shí)容易生產(chǎn)的光源裝置及其液晶顯示裝置。該裝置具有至少一個(gè)發(fā)光管20、封裝在發(fā)光管20中的放電介質(zhì)和用于激發(fā)放電介質(zhì)的第1及第2電極21和22。第1電極21配置在發(fā)光管20內(nèi)部或外部。第2電極22在離第1電極21距離不同且不連續(xù)的多個(gè)接觸部中與發(fā)光管20的外部接觸。再者,在發(fā)光管20中充入從氬氣以及氪氣中選出的至少一種氣體與60體積%～80體積%范圍的氙氣。
文檔編號(hào)H01J65/04GK1423300SQ0215280
公開日2003年6月11日 申請(qǐng)日期2002年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月22日
發(fā)明者清水伸浩, 山本紀(jì)和, 重田照明 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社