專利名稱：用于彩色陰極射線管內(nèi)部的屏蔽外磁的最佳內(nèi)屏蔽組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽組件，特別是這樣一種內(nèi)屏蔽組件，它通過改善內(nèi)屏蔽組件結(jié)構(gòu)及優(yōu)化該改善的內(nèi)屏蔽組件的組成材料的磁性能，使外部磁場以及當(dāng)彩色陰極射線管轉(zhuǎn)向時的磁場變化降到最小，以避免屏幕色彩純度的惡化。
背景技術(shù)：
圖1顯示了普通彩色陰極射線管結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。
參考圖1，彩色陰極射線管是圖像顯示設(shè)備(如電視的接收器或計算機的顯示器)中用于顯示圖像的主要部件，通常都是由置于前端的面板(1)和置于尾部的漏斗(2)組成的。
另外，由面板(1)和漏斗(2)組成的平面陰極射線管內(nèi)部還包括起發(fā)光作用的一個熒光屏(3)、裝在漏斗(2)瓶頸內(nèi)側(cè)的會發(fā)射電子束(11)使熒光屏(3)發(fā)光的一個電子槍(8)、用于對電子槍(8)發(fā)出的電子束(11)進(jìn)行顏色選擇的一個蔭罩板(4)、包含用于為蔭罩板(4)施加張力的一個主框架(5a)和支撐主框架的一個副框架(5b)的一個框架組件(5)、用來連接框架組件(5)和面板(1)的裝在主框架(5a)一側(cè)的一個彈簧(6)、被焊接和固定在副框架(5 b)上的用于屏蔽外部地磁場的一個內(nèi)屏蔽(7)、以及裝在面板(1)一側(cè)周圍的用于抵御外部沖擊力的一個加強帶(10)。
此外，漏斗(2)瓶頸處的外側(cè)有一個偏轉(zhuǎn)線圈8，以使電子槍(圖中未標(biāo)示)發(fā)射出來的電子束(11)形成上下、左右偏轉(zhuǎn)，以及一個2、4、6極的磁柱(9)用于糾正電子的運行軌道，確保發(fā)射出來的電子束(11)準(zhǔn)確無誤地撞擊在熒光物質(zhì)上，從而避免色彩純度的惡化。
另一方面，如圖2和圖3所示，當(dāng)從陰極射線管中的電子槍(圖中未標(biāo)示)發(fā)射出來的電子束受到外部磁場的干擾時，電子束將會改變運行方向，致使電子束不能準(zhǔn)確地撞擊在期望的熒光屏(3)的熒光物質(zhì)(3a)上，而是撞擊在黑色矩陣(3b)或其它熒光物質(zhì)上，此現(xiàn)象被稱為“錯位”。因此，內(nèi)屏蔽(7)用來屏蔽外部磁場的干擾。
圖4a和4b分別是一種常規(guī)彩色陰極射線管的內(nèi)屏蔽組件結(jié)構(gòu)實例的分解和組裝示意圖。
如圖4a和4b中所示，內(nèi)屏蔽(7)由一個金字塔型的主體(7a)和一個與主體(7a)的前端相接的電子束防護(hù)罩(7b)組成。并且內(nèi)屏蔽(7)是由具有高磁導(dǎo)性的材料制成，能夠最大限度地減少外部磁場的干擾。
圖5a和5b分別是另外一種常規(guī)彩色陰極射線管的內(nèi)屏蔽組件結(jié)構(gòu)實例的分解和組裝示意圖。
如圖5a和5b所示，內(nèi)屏蔽(17)是由主體(17a)和電子束防護(hù)罩(17b)組合而成。
然而，在常規(guī)的內(nèi)屏蔽如(7)和(17)的磁屏蔽結(jié)構(gòu)中，盡管蔭罩板(4)是從上到下地固定在框架組件(5)的主框架(5a)上，使得蔭罩板具有一部分磁屏蔽功能，可是它并沒有固定在副框架(5b)上。因此，在蔭罩板(4)和副框架(5b)之間存在著一大塊空間，而問題是此空間并不具備磁屏蔽功能。
另外，由于屏蔽外磁的效果同時取決于所用材料的磁性和內(nèi)屏蔽組件的結(jié)構(gòu)，因此，有必要調(diào)整內(nèi)屏蔽組件的組成材料的磁性，以最大化磁屏蔽功能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)是鑒于上述傳統(tǒng)技術(shù)中產(chǎn)生的各種問題，通過改善內(nèi)屏蔽組件的結(jié)構(gòu)和優(yōu)化該改善的內(nèi)屏蔽組件的組成材料的磁性，提供一種能最大化外磁屏蔽效果的內(nèi)屏蔽組件。
為了實現(xiàn)上述目標(biāo)，按照本發(fā)明，在一個含主框架和副框架的框架組件的后邊安裝一個用于屏蔽外部磁場的內(nèi)屏蔽組件，它包括一個用于屏蔽漏斗內(nèi)部的主體；一個和主體的前端結(jié)合的矩形電子防護(hù)罩；以及一個由邊至防護(hù)罩的正面延伸而成的前部，將蔭罩板和框架組件環(huán)繞起來。其中前部材料具有至少為3000的最大導(dǎo)磁率和最大為1.25Oe的矯磁力。
每種材料的磁性最好是調(diào)整為符合關(guān)系式0.5≤μ2/μ1≤1.5，其中μ1指主體材料的最大導(dǎo)磁率，μ2指前部材料的最大導(dǎo)磁率。此外，每種材料的磁性也調(diào)整為符合關(guān)系式0.5≤H1/H2≤3.0，其中H1指主體材料的矯磁力，H2指前部材料的矯磁力。以此可以獲得最佳磁屏蔽效果。


我們可以從下面結(jié)合附圖進(jìn)行地詳細(xì)描述中更清楚地了解到本發(fā)明的上述及其它目的、特征及其它優(yōu)點。其中圖1所示為常規(guī)彩色陰極射線管結(jié)構(gòu)的局部剖面圖；
圖2是常規(guī)彩色陰極射線管內(nèi)受地磁場干擾的電子束的運行狀態(tài)圖；圖3顯示電子束在圖2A處著陸點的變化；圖4a和圖4b分別顯示一種常規(guī)彩色陰極射線管的內(nèi)屏蔽組件的實例的結(jié)構(gòu)分解圖和組裝圖；圖5a和圖5b分別顯示另外一種常規(guī)彩色陰極射線管的內(nèi)屏蔽組件的實例的結(jié)構(gòu)分解圖和組裝圖；圖6a和圖6b分別顯示本發(fā)明的彩色陰極射線管的內(nèi)屏蔽組件的結(jié)構(gòu)分解圖和組裝圖；圖7所示為一個用于解釋本發(fā)明中所用材料的導(dǎo)磁率與矯磁力的磁滯環(huán)圖；圖8顯示電子束的移動和按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件前部材料的導(dǎo)磁率之間的關(guān)系圖；圖9顯示電子束的移動和按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件前部材料的矯磁力之間的關(guān)系圖；圖10顯示電子束的移動和按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件的前部與主體材料的導(dǎo)磁率之比之間的關(guān)系圖；圖11顯示電子束的移動和按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件的主體與前部材料的矯磁力之比之間的關(guān)系圖。
具體實施例方式
在下文中，將結(jié)合附圖對按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件的優(yōu)選實施方案進(jìn)行詳細(xì)地描述，貫穿于不同的附圖中所采用的相同的參考編號用于指代相同或相似的組件。
圖6a和6b分別顯示按照本發(fā)明的彩色陰極射線管的外磁屏蔽結(jié)構(gòu)的內(nèi)屏蔽組件分解圖和組裝圖。
如圖6a和6b所示，內(nèi)屏蔽組件(70)覆蓋于漏斗的內(nèi)面(圖1中2)，由主框架(5a)和副框架(5b)組成的框架組件(5)，以及在框架組件(5)后部的蔭罩板(4)。
另外，內(nèi)屏蔽組件(70)通常包含用于屏蔽漏斗內(nèi)部的一個呈大致金字塔型的主體(71)、一個與主體(71)前端結(jié)合的矩形電子束防護(hù)罩(72)、以及一個由邊緣處延伸至電子束防護(hù)罩(72)前端所形成的圍繞著蔭罩板(4)和框架組件(5)的前部(73)。
此外，內(nèi)屏蔽組件(70)的電子束防護(hù)罩(72)和前部(73)被集成為一體，當(dāng)位于主體(71)邊緣(71a)上的裝配孔(71b)與電子束防護(hù)罩(72)上的裝配孔(72a)對齊時，主體(71)通過一個固定針(75)被固定在電子束防護(hù)罩(72)上。
另外一方面，內(nèi)屏蔽組件(70)的材料磁性和厚度以及其結(jié)構(gòu)都會影響外磁的屏蔽效果。本項發(fā)明通過優(yōu)化內(nèi)屏蔽組件(70)的組成材料的磁性來更好的改善磁屏蔽功能。
因此，將按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件的前部(73)和主體(71)的材料導(dǎo)磁率和矯磁力限制在既定的范圍內(nèi)尤其必要。
圖7所示為一個用于解釋本發(fā)明中所用材料的導(dǎo)磁率與矯磁力的磁滯環(huán)圖；為了便于理解，下面參照圖7，簡單描述一下陰極射線管的內(nèi)屏蔽組件的導(dǎo)磁率和矯磁力。
當(dāng)磁體的磁力H被增長到一定程度時，之后便開始衰減。當(dāng)磁力增長時，磁通量密度(B)增大；當(dāng)磁力減小時，磁通量密度減小。但兩個曲線走勢不同。并且，當(dāng)矯磁力減小時，磁通量密度產(chǎn)生延遲。該現(xiàn)象稱為磁滯現(xiàn)象，同時把由走勢軌跡形成的曲線稱為磁滯環(huán)。
另外，圖7所示的磁滯環(huán)，曲線(oab)被稱為“正常感應(yīng)曲線”，當(dāng)H＝0時的磁通量密度被稱為“殘留磁通量密度(Br)”，以及當(dāng)B＝0時的負(fù)磁力的絕對值被稱為“矯磁力(Hc)”。
另外，點(b)被稱為“最大磁通量密度(Bm)”，對應(yīng)點(b)的磁力被稱為“最大磁力(Hm)”，曲線(cd)被稱為“消磁曲線”，以及曲線(cd)上任一點的磁力與磁通量的乘積被稱為“能量乘積”。
此外，在正常感應(yīng)曲線上的任意一點的磁通量密度與磁力的比率被稱為“正常導(dǎo)磁率”，正常導(dǎo)磁率的最大值被稱為“最大導(dǎo)磁率”。
圖8顯示電子束的移動和按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件前部材料的導(dǎo)磁率之間的關(guān)系圖，圖9顯示電子束的移動和按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件前部材料的矯磁力之間的關(guān)系圖。
磁屏蔽的含義并非是阻斷磁場，而是通過將磁場聚焦在磁化強度很高的材料上，減少外來的磁場。特別指出的是，具有高磁化強度的材料有高導(dǎo)磁率和低矯磁力。
為了防止彩色陰極射線管方向旋轉(zhuǎn)的時候電子束撞擊到其他顏色上，以保持屏幕的彩色純度，電子束在這樣的旋轉(zhuǎn)時由于受到外磁場，特別是地磁場的影響，它的移動量最大應(yīng)該是60μm。
因此，如圖8和圖9所示，前部(73)的材料最好具有至少為3000的導(dǎo)磁率，至多為1.25Oe的矯磁力，這樣才能有效地屏蔽地磁場。
圖10顯示電子束的移動和按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件的前部與主體材料的導(dǎo)磁率之比之間的關(guān)系圖，圖11顯示電子束的移動和按照本發(fā)明的內(nèi)屏蔽組件的主體與前部材料的矯磁力之比之間的關(guān)系圖。
與前部(73)相似，當(dāng)被用為主體(71)材料的材料具有一個高的最大的導(dǎo)磁率和一個低的矯磁力時，可以獲得優(yōu)異的屏蔽效果。不過，由于磁力被集中在具有高導(dǎo)磁率的屏蔽材料上，前部(73)材料的磁性不要與主體(71)材料的磁性相差太遠(yuǎn)。
因此，如圖10和圖11所示，有必要將前部(73)和主體(71)之間的磁性關(guān)系限定在一個既定的范圍內(nèi)。
換言之，每種材料的磁性被調(diào)整為符合關(guān)系式0.5≤μ2/μ1≤1.5，其中μ1指主體(71)材料的最大導(dǎo)磁率，μ2指前部(73)材料的最大導(dǎo)磁率。此外，每種材料的磁性也被調(diào)整為符合關(guān)系式0.5≤H1/H2≤3.0，其中H1指主體(71)材料的矯磁力，H2指前部(73)材料的矯磁力。如此便可以獲得最佳的磁屏蔽效果。
如上所述，按照本發(fā)明，因為內(nèi)屏蔽組件包住了全部的蔭罩板和框架組件，所以改善了磁屏蔽的功能。此外，由于還優(yōu)化了內(nèi)屏蔽組件的每一部分材料的磁性，使磁屏的效果得到更大地改善。
陰極射線管的定向旋轉(zhuǎn)幅度因而得到增加，并且彩色純度也得到保證。
盡管本發(fā)明優(yōu)選的實施方案為說明的目的已被公開，本領(lǐng)域的技術(shù)人員作出各種修飾、增添和替換是可能的，但并不脫離所附權(quán)利要求書闡明的發(fā)明范圍和精神。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)屏蔽組件，設(shè)置在一個含主框架和副框架的框架組件的尾部，用于屏蔽外部磁場，其特征在于包括一個用于屏蔽漏斗內(nèi)部的主體，一個結(jié)合到主體前端的矩形電子束防護(hù)罩，以及一個由邊緣處延伸至電子束防護(hù)罩前端形成的并環(huán)繞著蔭罩板和框架組件的前部，其前部的材料具有至少為3000的最大導(dǎo)磁率。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)屏蔽組件，其特征在于，前部材料具有最大為1.25Oe的矯磁力。
3.如權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)屏蔽組件，其特征在于，每種材料的磁性符合關(guān)系式0.5≤μ2/μ1≤1.5，其中μ1指主體材料的最大導(dǎo)磁率，μ2指前部材料的最大導(dǎo)磁率。
4.如權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)屏蔽組件，其特征在于，每種材料的磁性符合關(guān)系式0.5≤H1/H2≤3.0，其中H1指主體材料的矯磁力，H2指前部材料的矯磁力。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種內(nèi)屏蔽組件，通過改善內(nèi)屏蔽組件的結(jié)構(gòu)和優(yōu)化已改善結(jié)構(gòu)的內(nèi)屏蔽組件的組成材料的磁性，它能夠最大化外磁屏蔽效果。按照本發(fā)明的一種內(nèi)屏蔽組件，設(shè)置在一個含主框架和副框架的框架組件的尾部，用于屏蔽外部磁場，其包括一個用于屏蔽漏斗內(nèi)部的主體，一個結(jié)合到主體前端的矩形電子束防護(hù)罩，以及一個由邊緣處延伸至電子束防護(hù)罩前端形成的并環(huán)繞著蔭罩板和框架組件的前部(73)，其特征在于，前部材料具有至少為3000的最大導(dǎo)磁率和最大為1.25Oe的矯磁力。此外，每種材料的磁性被調(diào)整為符合關(guān)系式0.5≤μ2/μ1≤1.5，其中μ1指主體(71)材料的最大導(dǎo)磁率，μ2指前部(73)材料的最大導(dǎo)磁率。另外，每種材料的磁性也被調(diào)整為符合關(guān)系式0.5≤H1/H2≤3.0，其中H1指主體(71)材料的矯磁力，H2指前部(73)材料的矯磁力。
文檔編號H01J29/06GK1399299SQ0212635
公開日2003年2月26日 申請日期2002年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月25日
發(fā)明者金載烈 申請人:Lg飛利浦顯示器(韓國)株式會社